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CN107068056A - Amoled混合补偿方法 - Google Patents

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CN107068056A
CN107068056A CN201710465749.7A CN201710465749A CN107068056A CN 107068056 A CN107068056 A CN 107068056A CN 201710465749 A CN201710465749 A CN 201710465749A CN 107068056 A CN107068056 A CN 107068056A
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CN201710465749.7A
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肖翔
韩佰祥
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种AMOLED混合补偿方法。该AMOLED混合补偿方法包括：将像素发光区分为n个子面积，每个子面积对应设有相应的驱动电路，所有子面积的驱动电路由相同的栅极信号将一帧周期分为m个子帧，m、n为大于等于2的自然数，各个子帧之间的显示时间比为1：21：……：2m－2：2m－1，各个子面积之间的面积比为1:21：……：2n－2：2n－1；通过设定像素发光区一帧周期内各个子帧的显示状态和各个子面积的显示状态，实现像素发光区的m×n位灰阶显示。本发明的AMOLED混合补偿方法提供了一种结合时间比驱动和面积比驱动的新型补偿方式，可以实现8bit或更高bit数灰阶显示，提升了数字驱动的实用性。

Description

AMOLED混合补偿方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种AMOLED混合补偿方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示装置具有自发光，驱动电压低，发光效率高，响应时间短，使用温度范围宽等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置安装驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PMOLED)和有源矩阵型OLED(AMOLED)两大类，其中，AMOLED具有呈阵列式排布的子像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用于高清晰度的大尺寸显示装置。但由于制程、材料等方面的影响，OLED显示器的亮度均匀性不佳，这一直是影响AMOLED显示器发展的重要问题。
参见图1，其为现有数字补偿电路的8bit时间比驱动示意图，其中T表示显示周期，t表示选址周期。为实现8bit灰阶显示，需要利用选址周期t1～t8将完整的一帧周期分割成为T1～T8八个显示周期，对于数字补偿电路来说，每个显示周期可以有亮暗两种状态，所以通过设定每个显示周期的亮暗状态，即可以实现一帧周期的8bit(28)灰阶显示，但是实际应用中由于选址周期过短，IC读取速度受限，难以实现8bit灰阶显示。
参见图2，其为现有数字补偿电路的8bit显示面积比驱动示意图。面积比驱动通过控制发光部分的面积来表示灰度，通过将一个像素分成多个子像素，并控制发光子像素的数目或面积来执行灰度显示。图2中将像素发光区按面积比分为1:2:22:23:24:25:26:27八个子面积，每个子面积都可以有亮暗两种状态，所以通过设定每个子面积的亮暗状态，即可以整个像素发光区的8bit(28)灰阶显示，但是实际应用中像素面积受限，难以实现8bit灰阶显示。
因此，虽然现有的数字补偿电路可以很好的解决显示屏亮度均匀性的问题，但单一的时间比驱动方式IC(芯片)读取速度受限，面积比驱动方式像素面积受限，都难以实现8bit灰阶(8位，即256灰阶)显示，导致数字驱动补偿方式的应用受限。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种AMOLED混合补偿方法，实现8bit或更高bit数灰阶显示。
为实现上述目的，本发明提供一种AMOLED混合补偿方法，包括：将像素发光区分为n个子面积，每个子面积对应设有相应的驱动电路，所有子面积的驱动电路由相同的栅极信号将一帧周期分为m个子帧，m、n为大于等于2的自然数，各个子帧之间的显示时间比为1：21：……：2m－2：2m－1，各个子面积之间的面积比为1:21：……：2n－2：2n－1；通过设定像素发光区一帧周期内各个子帧的显示状态和各个子面积的显示状态，实现像素发光区的m×n位灰阶显示。
其中，m为5，各个子帧之间的显示时间比为1：2：4：8：16。
其中，n为2，各个子面积之间的面积比为1:2。
其中，m为5，n为2，实现像素发光区的10位灰阶显示。
其中，所述驱动电路为2T1C驱动电路。
其中，n为2，第一个子面积的2T1C驱动电路包括：
第一薄膜晶体管(T11)，其栅极输入栅极信号(Gate)，源极和漏极分别输入第一数据信号(Data1)和连接第二薄膜晶体管(T12)的栅极；
第二薄膜晶体管(T12)，其源极和漏极分别连接第一发光二极管(OLED1)的阳极和恒压高电位(VDD)；
第一电容(C11)，其两端分别连接该第二薄膜晶体管(T12)的栅极和该第一发光二极管(OLED1)的阳极；
第一发光二极管(OLED1)，其阴极连接恒压低电位(VSS)。
其中，第二个子面积的2T1C驱动电路包括：
第三薄膜晶体管(T21)，其栅极输入栅极信号(Gate)，源极和漏极分别输入第二数据信号(Data2)和连接第四薄膜晶体管(T22)的栅极；
第四薄膜晶体管(T22)，其源极和漏极分别连接第二发光二极管(OLED2)的阳极和恒压高电位(VDD)；
第二电容(C21)，其两端分别连接该第四薄膜晶体管(T22)的栅极和该第二发光二极管(OLED2)的阳极；
第二发光二极管(OLED2)，其阴极连接恒压低电位(VSS)。
其中，该方法为AMOLED显示面板的AMOLED混合补偿方法。
综上，本发明的AMOLED混合补偿方法提供了一种结合时间比驱动和面积比驱动的新型补偿方式，可以实现8bit或更高bit数灰阶显示，提升了数字驱动的实用性。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有数字补偿电路的8bit时间比驱动示意图；
图2为现有数字补偿电路的8bit显示面积比驱动示意图；
图3为本发明AMOLED混合补偿方法一较佳实施例的示意图。
具体实施方式
本发明将像素发光区分为n个子面积，每个子面积对应设有相应的驱动电路，所有子面积的驱动电路由相同的栅极信号将一帧周期分为m个子帧，m、n为大于等于2的自然数，各个子帧之间的显示时间比为1：21：……：2m－2：2m－1，各个子面积之间的面积比为1:21：……：2n－2：2n－1；通过设定像素发光区一帧周期内各个子帧的显示状态和各个子面积的显示状态，实现像素发光区的m×n位灰阶显示。本发明提供了新型AMOLED混合补偿方式，提高了面板显示灰阶数，适用于面板显示行业。
参见图3，其为本发明AMOLED混合补偿方法一较佳实施例的示意图。该较佳实施例中，m为5，各个子帧之间的显示时间比为1：2：4：8：16，T表示显示周期，t表示选址周期；n为2，各个子面积之间的面积比为1:2，两个子面积分别以填充有点的方格表示，数字1和2代表两个子面积之间的面积比例。时间5个子帧+2个子面积，实现了像素发光区的(25)2＝10bit(位)灰阶显示。
在此较佳实施例中，驱动电路具体为2T1C驱动电路。两组2T1C驱动电路分别为：
薄膜晶体管T11，其栅极输入栅极信号Gate，源极和漏极分别输入数据信号Data1和连接薄膜晶体管T12的栅极；薄膜晶体管T12，其源极和漏极分别连接发光二极管OLED1的阳极和恒压高电位VDD；电容C11，其两端分别连接薄膜晶体管T12的栅极和发光二极管OLED1的阳极；发光二极管OLED1，其阴极连接恒压低电位VSS；
薄膜晶体管T21，其栅极输入栅极信号Gate，源极和漏极分别输入数据信号Data2和连接薄膜晶体管T22的栅极；薄膜晶体管T22，其源极和漏极分别连接发光二极管OLED2的阳极和恒压高电位VDD；电容C21，其两端分别连接薄膜晶体管T22的栅极和发光二极管OLED2的阳极；发光二极管OLED2，阴极连接恒压低电位VSS。
本发明实现了时间比驱动和面积比驱动方式的结合。通过2T1C电路将一帧分为显示时间比为16:8:4:2:1的5个子帧，通过将像素发光区分为2:1两个子面积，两者结合可以实现(25)2灰阶，即10bit显示。可以在IC读取速度允许范围内将一帧周期分为多个子帧，以及在像素面积允许范围内将像素发光区分为多个子面积，最终实现更多类的灰阶显示。可拓宽数字补偿电路的应用范围，可应用于AMOLED显示面板；其像素电路、版图设计方式具有普适性。
综上，本发明的AMOLED混合补偿方法提供了一种结合时间比驱动和面积比驱动的新型补偿方式，可以实现8bit或更高bit数灰阶显示，提升了数字驱动的实用性。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种AMOLED混合补偿方法，其特征在于，包括：将像素发光区分为n个子面积，每个子面积对应设有相应的驱动电路，所有子面积的驱动电路由相同的栅极信号将一帧周期分为m个子帧，m、n为大于等于2的自然数，各个子帧之间的显示时间比为1：21：……：2m－2：2m－1，各个子面积之间的面积比为1:21：……：2n－2：2n－1；通过设定像素发光区一帧周期内各个子帧的显示状态和各个子面积的显示状态，实现像素发光区的m×n位灰阶显示。
2.如权利要求1所述的AMOLED混合补偿方法，其特征在于，m为5，各个子帧之间的显示时间比为1：2：4：8：16。
3.如权利要求1所述的AMOLED混合补偿方法，其特征在于，n为2，各个子面积之间的面积比为1:2。
4.如权利要求1所述的AMOLED混合补偿方法，其特征在于，m为5，n为2，实现像素发光区的10位灰阶显示。
5.如权利要求1所述的AMOLED混合补偿方法，其特征在于，所述驱动电路为2T1C驱动电路。
6.如权利要求5所述的AMOLED混合补偿方法，其特征在于，n为2，第一个子面积的2T1C驱动电路包括：
第一薄膜晶体管(T11)，其栅极输入栅极信号(Gate)，源极和漏极分别输入第一数据信号(Data1)和连接第二薄膜晶体管(T12)的栅极；
第二薄膜晶体管(T12)，其源极和漏极分别连接第一发光二极管(OLED1)的阳极和恒压高电位(VDD)；
第一电容(C11)，其两端分别连接该第二薄膜晶体管(T12)的栅极和该第一发光二极管(OLED1)的阳极；
第一发光二极管(OLED1)，其阴极连接恒压低电位(VSS)。
7.如权利要求6所述的AMOLED混合补偿方法，其特征在于，第二个子面积的2T1C驱动电路包括：
第三薄膜晶体管(T21)，其栅极输入栅极信号(Gate)，源极和漏极分别输入第二数据信号(Data2)和连接第四薄膜晶体管(T22)的栅极；
第四薄膜晶体管(T22)，其源极和漏极分别连接第二发光二极管(OLED2)的阳极和恒压高电位(VDD)；
第二电容(C21)，其两端分别连接该第四薄膜晶体管(T22)的栅极和该第二发光二极管(OLED2)的阳极；
第二发光二极管(OLED2)，其阴极连接恒压低电位(VSS)。
8.如权利要求1所述的AMOLED混合补偿方法，其特征在于，该方法为AMOLED显示面板的AMOLED混合补偿方法。
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