CN107046087A - 一种发光二极管的外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、u型GaN层、应力释放层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，应力释放层包括InN层和第二InGaN层，由于InN层和第二InGaN层的晶格比u型GaN层的晶格大，因此应力释放层可以对u型GaN层产生方向平行u型GaN层的表面且向外的张力，同时由于InN层的晶格大于第二InGaN层的晶格，通过交替生长InN层和第二InGaN层，可以使应力释放层对u型GaN层的张力随着交替生长的次数的增大而逐渐增大，从而逐渐降低外延片的翘曲，最终应力释放层的表面会逐渐趋于平坦。
Description
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种发光二极管的外延片及其制备方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。LED的核心结构是外延片，外延片的制作对LED的光电特性有着较大的影响。
外延片通常包括缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层。
在一种外延片中，缓冲层为AlN层，发光层为InGaN层和GaN层交替的周期结构。在AlN层上直接生长u型GaN层时，由于AlN与GaN的晶格存在差异，因此u型GaN层中会存在较大的应力。u型GaN层中的应力会使u型GaN层产生远离衬底一侧的翘曲，这就使得后续生长的n型GaN层也产生翘曲，而且随着n型GaN层的生长，n型GaN层的翘曲程度还会进一步增大。在外延片的生长是在石墨盘中进行的，石墨盘的底部会进行加热，翘曲会导致n型GaN层的表面距离石墨盘的底部的距离不同，这就会引起n型GaN层的表面不同区域的温度不同。温度对于In的掺杂有很大影响，在翘曲的n型GaN层的表面生长发光层时，InGaN层的In掺杂会受到影响，出现In掺杂不均匀的情况，In掺杂不均匀就会导致外延片上不同区域的发光波长和亮度会不同，从而影响到LED的质量。
发明内容
为了解决n型GaN层会产生翘曲的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、应力释放层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，其中，所述缓冲层为AlN层，所述发光层包括交替层叠设置的第一InxGa(1-x)N层和GaN层，所述应力释放层包括交替层叠设置的InN层和第二InGaN层，所述InN层和所述第二InGaN层的层数相同，0＜x＜1。
优选地，所述InN层的厚度为5～8nm。
进一步地，所述第二InGaN层的厚度为5～8nm。
优选地，所述InN层的层数为30～50层。
优选地，所述应力释放层的厚度为160～480nm。
另一方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、u型GaN层、应力释放层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，其中，所述缓冲层为AlN层，所述发光层包括交替层叠设置的第一InxGa(1-x)N层和GaN层，所述应力释放层包括交替层叠设置的InN层和第二InGaN层，所述InN层和所述第二InGaN层的层数相同，0＜x＜1。
进一步地，所述InN层的生长温度为800℃～900℃。
优选地，所述第二InGaN层的生长温度为800℃～900℃。
可选地，所述InN层的生长压力为300～400mbar。
可选地，所述第二InGaN层的生长压力为300～400mbar。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在缓冲层为AlN层，发光层为第一InxGa(1-x)N层和GaN层交替的周期结构的外延片中设置应力释放层，应力释放层包括交替层叠设置的InN层和第二InGaN层，InN层和第二InGaN层的层数相同，由于InN层和第二InGaN层的晶格比u型GaN层的晶格大，因此应力释放层可以对u型GaN层产生方向平行u型GaN层的表面且向外的张力，从而减缓外延片的翘曲，同时由于InN层的晶格大于第二InGaN层的晶格，通过交替生长InN层和第二InGaN层，可以使应力释放层对u型GaN层的张力随着交替生长的次数的增大而逐渐增大，从而逐渐降低外延片的翘曲，最终应力释放层的表面会逐渐趋于平坦，从而确保在生长发光层时，发光层中第一InxGa(1-x)N层的In掺杂均匀，避免出现外延片上不同区域的发光波长和亮度会不同的问题，有利于提升LED的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备方法的流程图；
图3是本发明实施例提供的另一种发光二极管的外延片的制备方法的流程图；
图4～图8是本发明实施例提供的发光二极管的外延片制作过程中的结构示意图；
图9是现有外延片在发光层生长完成后的截面示意图；
图10是本发明实施例提供的一种外延片在发光层生长完成后的截面示意图；
图11～图12是本发明实施例提供的发光二极管的外延片制作过程中的结构示意图；
图13是一种现有的LED的结构示意图；
图14是一种采用本发明实施例中的外延片制备的LED的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的外延片的结构示意图，如图1所示，该外延片包括衬底10和依次层叠在衬底10上的缓冲层20、u型GaN层30、应力释放层40、n型GaN层50、发光层60、电子阻挡层70和p型GaN层80，其中，缓冲层20为AlN层，发光层60包括交替层叠设置的第一InxGa(1-x)N层61和GaN层62，应力释放层40包括交替层叠设置的InN层41和第二InGaN层42，InN层41和第二InGaN层42的层数相同，0＜x＜1。
本发明实施例提供通过在缓冲层为AlN层，发光层为第一InxGa(1-x)N层和GaN层交替的周期结构的外延片中设置应力释放层，应力释放层包括交替层叠设置的InN层和第二InGaN层，InN层和第二InGaN层的层数相同，由于InN层和第二InGaN层的晶格比u型GaN层的晶格大，因此应力释放层可以对u型GaN层产生方向平行u型GaN层的表面且向外的张力，从而减缓外延片的翘曲，同时由于InN层的晶格大于第二InGaN层的晶格，通过交替生长InN层和第二InGaN层，可以使应力释放层对u型GaN层的张力随着交替生长的次数的增大而逐渐增大，从而逐渐降低外延片的翘曲，最终应力释放层的表面会逐渐趋于平坦，从而确保在生长发光层时，发光层中第一InxGa(1-x)N层的In掺杂均匀，避免出现外延片上不同区域的发光波长和亮度会不同的问题，有利于提升LED的质量。
需要说明的是，图1仅为示例，并不用以限制第一InxGa(1-x)N层61和GaN层62的层数，InN层41和第二InGaN层42的层数，在其他实施例中，第一InxGa(1-x)N层61和GaN层62的层数可以更多也可以更少，InN层41和第二InGaN层42的层数可以更多也可以更少。
实现时，衬底可以为蓝宝石衬底。
优选地，应力释放层包括多层InN层和多层第二InGaN层，InN层和第二InGaN层构成InN/InGaN超晶格结构，设置多个周期的InN层和第二InGaN层有利于逐渐释放外延片中的应力，降低外延片的翘曲程度。
可选地，InN层和第二InGaN层交替的周期数可以为30～50，若InN层和第二InGaN层交替的周期数过小则不足以完全抵消u型GaN层的翘曲，若InN层和第二InGaN层交替的周期数过大则可能导致最终形成的应力释放层的远离衬底的一面翘曲。
优选地，InN层的厚度可以为5～8nm。若InN层的厚度过小，则需要设置较多的周期才能消除u型GaN层的翘曲，会增加制作难度，降低生产效率。在第二InGaN层的厚度以及总层数一定的情况下，若InN层的厚度过大，则会导致应力释放层的总厚度过大，从而增大外延片的总厚度。
优选地，第二InGaN层的厚度可以为5～8nm。若第二InGaN层的厚度过小，则需要设置较多的周期才能消除u型GaN层的翘曲，会增加制作难度，降低生产效率。在InN层的厚度以及总层数一定的情况下，若第二InGaN层的厚度过大，则会导致应力释放层的总厚度过大，从而增大外延片的总厚度。
可选地，应力释放层的厚度可以为160～480nm。
在生长应力释放层时，应优先考虑第二InGaN层和InN层的厚度，在第二InGaN层和InN层的厚度确定的情况下，通过改变周期数逐渐消除外延片的翘曲。
需要说明的是，第二InGaN层和InN层的厚度可以相同也可以不同。
可选地，p型GaN层中，Mg的掺杂浓度可以为1E19cm-3～1E20cm-3。Mg的掺杂浓度降低可以有利于提高晶体质量，降低p型GaN层的电阻，且有利于空穴的传输，从而可以提高电子和空穴在发光层中的复合效率，使发光效率得到提高。但如果p型GaN层中Mg的掺杂浓度过低，则又会增大p型GaN层的电阻，不利于空穴的传输，还会增大正向工作电压。
可选地，p型GaN层的厚度可以为50～100nm。若p型GaN层过厚，p型GaN层的电阻会增大，导致正向电压升高，若p型GaN层的厚度过薄，则不利于电流的横向扩展，造成电流拥挤。
优选地，缓冲层的厚度可以为20nm～40nm，缓冲层的厚度不同，最终形成的外延层的质量也会不同，若缓冲层的厚度过薄，则会导致缓冲层的表面较为疏松和粗糙，不能为后续结构的生长提供一个好的模板，随着缓冲层厚度的增加，缓冲层的表面逐渐变得较为致密和光滑，有利于后续结构的生长，但是若缓冲层的厚度过厚，则会导致缓冲层的表面过于致密，同样不利于后续结构的生长，无法减少外延层中的晶格缺陷可以是缓冲层。
可选地，电子阻挡层可以是p型AlGaN电子阻挡层。
图2是本发明实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备方法的流程图，如图2所示，该制备方法包括：
S11：提供一衬底。
S12：在衬底上依次生长缓冲层、u型GaN层、应力释放层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层。
其中，缓冲层为AlN层，发光层包括交替层叠设置的第一InxGa(1-x)N层和GaN层，应力释放层包括交替层叠设置的InN层和第二InGaN层，InN层和第二InGaN层的层数相同，0＜x＜1。
本发明实施例提供通过在缓冲层为AlN层，发光层为第一InxGa(1-x)N层和GaN层交替的周期结构的外延片中设置应力释放层，应力释放层包括交替层叠设置的InN层和第二InGaN层，InN层和第二InGaN层的层数相同，由于InN层与u型GaN层之间存在晶格差异，InN层和第二InGaN层之间也存在一定晶格差异，在交替生长InN层和第二InGaN层时，应力释放层内会产生应力使应力释放层产生与u型GaN层相反方向的翘曲，由于应力释放层产生与u型GaN层相反的翘曲，两者之间相互抵消，因此应力释放层的表面会逐渐趋于平坦，从而确保在生长发光层时，发光层中第一InxGa(1-x)N层的In掺杂均匀，避免出现外延片上不同区域的发光波长和亮度会不同的问题，有利于提升LED的质量。
图3是本发明实施例提供的另一种发光二极管的外延片的制备方法的流程图，下面结合附图4～11对图3提供的制备方法进行详细说明：
S21：提供一衬底。
实现时，该衬底可以是蓝宝石衬底，蓝宝石衬底是一种常见的衬底，制备工艺较为成熟。
在步骤S21中，可以对蓝宝石衬底进行预处理，将蓝宝石衬底置于反应腔中，对蓝宝石衬底进行退火处理8～10分钟。
具体地，退火温度可以为1000～1100℃，退火压力可以为100～300mbar，进行退火处理时，向反应腔内以100L/min～130L/min的速度通入H2，以在氢气气氛下进行退火处理。
S22：在衬底上外延生长缓冲层。
如图4所示，在衬底10上生长AlN缓冲层20。
其中，AlN缓冲层20的厚度可以为20nm～40nm，生长的AlN缓冲层20的厚度不同，最终形成的外延层的质量也会不同，若AlN缓冲层20的厚度过薄，则会导致AlN缓冲层20的表面较为疏松和粗糙，不能为后续结构的生长提供一个好的模板，随着AlN缓冲层20厚度的增加，AlN缓冲层20的表面逐渐变得较为致密和光滑，有利于后续结构的生长，但是若AlN缓冲层20的厚度过厚，则会导致AlN缓冲层20的表面过于致密，同样不利于后续结构的生长，无法减少外延层中的晶格缺陷。
AlN缓冲层20的生长温度可以为1050～1200℃，生长压力可以为100～200mbar。
优选地，在步骤S22之后，还可以对AlN缓冲层20进行氮化处理。
具体地，可以调整反应腔内的温度到900～1200℃，保持反应腔内的压力为100～300mbar，控制NH3的流量为10000～20000sccm。
S23：在缓冲层上生长u型GaN层。
如图5所示，在AlN缓冲层20上生长u型GaN层30。
实现时，u型GaN层30的厚度可以为2μm～4μm，若u型GaN层30的厚度过薄，会增加后续生长的结构中的位错密度，u型GaN层30的厚度过厚，会增大外延片的正向电阻。
具体地，生长u型GaN层30时，可以控制NH3的流量为30000～40000sccm，三甲基镓的流量为200～400sccm，H2的流量为100～130L/min。
u型GaN层30的生长温度可以为900～1200℃，生长压力可以为300～600mbar。
S24：在u型GaN层上生长应力释放层。
如图6所示，在u型GaN层30上生长应力释放层40，其中应力释放层40包括交替层叠设置的多层InN层41和多层第二InGaN层42，多层InN层41和多层第二InGaN层42构成InN/InGaN超晶格结构。设置多个周期的InN层41和第二InGaN层42有利于逐渐释放外延片中的应力，降低外延片的翘曲程度。
步骤S24可以包括：
在u型GaN层30上生长InN层41。
在InN层41上生长第二InGaN层42。
在第二InGaN层42上生长InN层41。
交替重复生长第二InGaN层42和InN层41以构成InN/InGaN超晶格结构。
其中，InN层41的厚度可以为5～8nm。若InN层41的厚度过小，则需要设置较多的周期才能消除u型GaN层30的翘曲，若InN层41的厚度过大，则会导致应力释放层40的总厚度过大，从而增大外延片的总厚度。
进一步地，生长InN层41时，可以控制NH3的流量为30000～60000sccm，三甲基铟的流量为1000～1500sccm，N2的流量为100～130L/min。
InN层41的生长温度可以为800～900℃，生长压力可以为300～400mbar。
第二InGaN层42的厚度可以为5～8nm。若第二InGaN层42的厚度过小，则需要设置较多的周期才能消除u型GaN层30的翘曲，若第二InGaN层42的厚度过大，则会导致应力释放层40的总厚度过大，从而增大外延片的总厚度。
需要说明的是，第二InGaN层42和InN层41的厚度可以相同也可以不同。
进一步地，生长第二InGaN层42时，可以控制NH3的流量为30000～60000sccm，三甲基镓的流量为20～50sccm，三甲基铟的流量为1000～1500sccm，N2的流量为100～130L/min。
第二InGaN层42的生长温度可以为800～900℃，生长压力可以为300～400mbar。
实现时，可以交替生长InN层41和第二InGaN层42各30～50次，若InN层41和第二InGaN层42交替的周期数过小则不足以完全抵消u型GaN层60的翘曲，若InN层41和第二InGaN层42交替的周期数过大则可能导致最终形成的应力释放层40的远离衬底10的一面产生翘曲。
可选地，应力释放层40的总厚度可以为160～480nm。
需要说明的是，在生长应力释放层40时，可以在u型GaN层30上先生长InN层41，也可以在u型GaN层30上先生长第二InGaN层42。
S25：在应力释放层上生长n型GaN层。
如图7所示，在应力释放层40上生长n型GaN层50。
具体地，n型GaN层可以包括第一n型GaN子层51和第二n型GaN子层52。
步骤S25可以包括：
在应力释放层40上生长第一n型GaN子层51。
在第一n型GaN子层51上生长第二n型GaN子层52。
其中，第一n型GaN子层51的厚度可以为3～4μm。
进一步地，生长第一n型GaN子层51时，可以控制NH3的流量为30000～60000sccm，三甲基镓的流量为200～400sccm，H2的流量为100～130L/min，SiH4的流量为20～50sccm。
第一n型GaN子层51的生长温度可以为800～900℃，生长压力可以为300～400mbar。
可选地，第一n型GaN子层51中的Si掺杂浓度可以为5E18cm-3～1E19cm-3。
第二n型GaN子层52的厚度可以为200～400nm。
进一步地，生长第二n型GaN子层52时，可以控制NH3的流量为30000～60000sccm，三甲基镓的流量为200～400sccm，H2的流量为100～130L/min，SiH4的流量为2～10sccm。
第二n型GaN子层52的生长温度可以为800～900℃，生长压力可以为300～400mbar。
可选地，第二n型GaN子层52中的Si掺杂浓度可以为5E17cm-3～1E18cm-3。
S26：在n型GaN层上生长发光层。
如图8所示，在n型GaN层50上生长发光层60。
实现时，发光层60可以包括交替层叠的多层第一InxGa(1-x)N层61和多层GaN层62，其中0＜x＜1，优选0.2＜x＜0.25。第一InxGa(1-x)N层61和GaN层62交替层叠的周期数可以为7～15。
需要说明的是，图8中仅示出了发光层40中的部分结构，并不用于限制第一InxGa(1-x)N层61和GaN层62交替层叠的周期数，此外在生长发光层40时，也可以先在n型GaN层50上生长GaN层62。
具体地，生长第一InxGa(1-x)N层61时，可以控制NH3的流量为50000～70000sccm，三甲基镓的流量为20～40sccm，三甲基铟的流量为1500～2000sccm，N2的流量为100～130L/min。
可选地，第一InxGa(1-x)N层61的厚度可以为2.5～3.5nm。
第一InxGa(1-x)N层61的生长温度可以为700～750℃，生长压力可以为300～400mbar。
具体地，生长GaN层62时，可以控制NH3的流量为50000～70000sccm，三甲基镓的流量为20～100sccm，N2的流量为100～130L/min。
可选地，GaN层62的厚度可以为8～15nm。
GaN层62的生长温度可以为750～850℃，生长压力可以为300～400mbar。
图9是现有外延片在发光层生长完成后的截面示意图，图10是本发明实施例提供的一种外延片在发光层生长完成后的截面示意图，如图9所示的外延片，包括衬底10a、缓冲层20a、u型GaN层30a、n型GaN层50a和发光层60a，外延片的翘曲程度沿着生长的方向逐渐增大，对比图9和图10可知，本申请中的发光层60的翘曲程度得到了有效的降低。
S27：在发光层上生长电子阻挡层。
如图11所示，在发光层60上生长p型AlGaN电子阻挡层70。
实现时，p型AlGaN电子阻挡层70的厚度可以为50nm～100nm，若p型AlGaN电子阻挡层70的厚度过薄，会降低对电子的阻挡作用，若p型AlGaN电子阻挡层70的厚度过厚，则会增加p型AlGaN电子阻挡层70会光的吸收，从而导致LED的亮度降低。
具体地，生长p型AlGaN电子阻挡层70时，可以控制NH3的流量为50000～70000sccm，三甲基镓的流量为30～60sccm，H2的流量为100～130L/min，三甲基铝的流量为100～130sccm，二茂镁的流量为1000～1300sccm。
p型AlGaN电子阻挡层70的生长温度可以为900～950℃，生长压力可以为200～400mbar。
可选地，p型AlGaN电子阻挡层70中的Mg掺杂浓度可以为1E19cm-3～1E20cm-3，Al的浓度可以为1E20cm-3～3E20cm-3。
S28：在电子阻挡层上生长p型GaN层。
如图12所示，在p型AlGaN电子阻挡层70上生长p型GaN层80。
具体地，p型GaN层80的厚度可以为50nm～100nm。
具体地，生长p型GaN层80时，可以控制NH3的流量为50000～70000sccm，三甲基镓的流量为20～100sccm，H2的流量为100～130L/min，二茂镁的流量为1000～3000sccm。
p型GaN层80的生长温度可以为950～1000℃，生长压力可以为400～900mbar。
可选地，p型GaN层80中的Mg掺杂浓度可以为1E19cm-3～1E20cm-3。Mg的掺杂浓度降低可以有利于提高晶体质量，降低p型GaN层80的电阻，且有利于空穴的传输，从而可以提高电子和空穴在发光层中的复合效率，使发光效率得到提高。但如果p型GaN层中Mg的掺杂浓度过低，则又会增大p型GaN层的电阻，不利于空穴的传输，还会增大正向工作电压。
S29：将反应腔在650～680℃保温20～30min，之后关闭加热系统和给气系统，待反应腔温度降低至室温。
在完成透明导电层的制作后，可以对外延片进行后续制程，以制备LED。
图13是一种现有的LED的结构示意图，图14是一种采用本发明实施例中的外延片制备的LED的结构示意图，两种LED均采用2英寸外延片制成，两种LED中的透明导电层90均为150nm的氧化铟锡层，且制备工艺相同，两种LED中的电极110材料相同，均为Cr/Pt/Au电极，厚度均为1500nm，且制备工艺相同，两种LED中的保护层120均为100nm的SiO2，两种LED的尺寸相同，均为25mil×25mil，选取4片2英寸的本发明实施例中的外延片和4片2英寸现有的外延片，采用相同的切割工艺，在相同的封装工艺下封装成白光LED，在350mA电流下进行测试。下表1为现有的外延片和本发明的外延片的测试结果统计表，表2为现有的外延片制作的LED的测试结果和本发明的外延片制作的LED的测试结果统计表，外延片的测试为光致发光测试，LED的测试为电致发光测试，表2中的各项数值均为同一外延片制作的多个LED的平均值，例如1号外延片5011颗晶粒表示1号外延片被分割为5011颗晶粒并制作成5011颗LED进行测试，这5011颗LED的发光波长平均值为450.9nm。
由以上数据可知，采用本发明中的外延片制备的LED，波长集中度得到了改善，亮度也得到了一定的提升，有效提高了LED的质量。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、应力释放层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，其中，所述缓冲层为AlN层，所述发光层包括交替层叠设置的多层第一InxGa(1-x)N层和多层GaN层，所述应力释放层包括交替层叠设置的InN层和第二InGaN层，所述InN层和所述第二InGaN层的层数相同，0＜x＜1。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述InN层的厚度为5～8nm。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第二InGaN层的厚度为5～8nm。
4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述InN层的层数为30～50层。
5.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述应力释放层的厚度为160～480nm。
6.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、u型GaN层、应力释放层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，其中，所述缓冲层为AlN层，所述发光层包括交替层叠设置的第一InxGa(1-x)N层和GaN层，所述应力释放层包括交替层叠设置的InN层和第二InGaN层，所述InN层和所述第二InGaN层的层数相同，0＜x＜1。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述InN层的生长温度为800℃～900℃。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二InGaN层的生长温度为800℃～900℃。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述InN层的生长压力为300～400mbar。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二InGaN层的生长压力为300～400mbar。
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