CN107017279B - 显示设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及显示设备。一种显示设备包括：第一基板；面对第一基板布置的第二基板；布置在第一基板的面对第二基板的表面上的显示部分，显示部分包括多个发光区域；布置在第一基板和第二基板之间的密封构件，密封构件将第一基板与第二基板结合；以及布置在密封构件和第一基板之间的第一黑矩阵。

Description

显示设备

技术领域

示例实施方式涉及密封的显示设备。

背景技术

包含薄膜晶体管(TFT)的有机发光显示装置或液晶显示器已经被包括在用于诸如数码相机、摄像机、便携式摄像机、便携式信息终端或智能电话的移动装置的显示设备中。

这样的显示设备可以包括密封构件以保护显示装置免受外界影响。例如，密封构件可以被涂覆在多个基板之间并且通过从激光源发射的激光束硬化，从而结合所述基板。

然而，由于发射的激光束产生的热，辐射到多条导线被形成于该处的扇出区域中的激光可以引起导线之间的短路。增加导线之间的距离可以增大围绕显示区域的无效区。

本背景技术部分中披露的以上信息仅用于对本发明构思的背景技术的理解的增强，因此，它可以包含不形成现有技术的信息，所述现有技术在本国已经为本领域普通技术人员所知。

发明内容

示例实施方式提供具有减小尺寸的无效区的显示设备。

附加方面将在以下详细描述中被阐释，以及部分地，将因本公开而明显，或者可以通过对本发明构思的实践而被了解。

一示例实施方式公开一种显示设备，该显示设备包括：第一基板；面对第一基板布置的第二基板；布置在第一基板的面对第二基板的表面上的显示部分，该显示部分包括多个发光区域；布置在第一基板和第二基板之间的密封构件，该密封构件将第一基板与第二基板结合；布置在密封构件和第一基板之间的第一黑矩阵；以及布置在第一基板和第一黑矩阵之间的多条导线。

上述概括描述和以下详细描述是示例性的和解释性的，并且试图提供对所请求保护的主题的进一步解释。

附图说明

附图示出本发明构思的示例实施方式，并且与说明书一起用来解释本发明构思的原理，所述附图被包括以提供对本发明构思的进一步理解，并且被合并在本说明书中且构成本说明书的一部分。

图1是根据一个或更多个示例实施方式的显示设备的分解透视图。

图2是根据一个或更多个示例实施方式的，沿图1的剖切线(sectional line)I-I'截取的显示设备的剖视图。

图3是根据一个或更多个示例实施方式的非显示区域的剖视图。

图4是根据一个或更多个示例实施方式的非显示区域的剖视图。

具体实施方式

在以下描述中，为了解释的目的，许多具体细节被阐释以提供对多种示例实施方式的透彻理解。然而，显然，在没有这些具体细节的情况下或者使用一个或更多个等价布置，多种示例实施方式仍可以被实施。在另外的情形下，公知的结构和装置以框图形式示出，以避免不必要地使多种示例实施方式模糊不清。

在附图中，为了清晰和描述的目的，层、膜、板、区域等的尺寸和相对尺寸可以被夸大。此外，相同附图标记指代相同元件。

当一元件或层被称为“在”另外的元件或层“上”、或者“连接到”或“联接到”另外的元件或层时，它可以直接在所述另外的元件或层上、或者连接到或联接到所述另外的元件或层，或者居间元件或层可以存在。然而，当一元件或层被称为“直接在”另外的元件或层“上”、或“直接连接到”或“直接联接到”另外的元件或层时，则没有居间元件或层存在。对于本公开，“X、Y和Z中的至少一个”和“自X、Y和Z构成的组选出的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。相同附图标记始终指代相同元件。当在此处使用时，术语“和/或”包括相关所列项目中的一项或者更多项的任意和所有组合。

虽然术语第一、第二等可以在此被用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语被用来将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一元件、部件、区域、层和/或部分区分开。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层和/或部分能被称为第二元件、部件、区域、层和/或部分，而不背离本公开的教导。

空间关系术语，诸如“在……之下”、“在……下面”、“下部”、“在……之上”、“上部”等，可以在此被用于描述的目的，从而用来描述如图中示出的一个元件或特征的与另外的元件(们)或特征(们)的关系。除图中描绘的取向之外，空间关系术语还旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为“在”另外的元件或特征“下面”或“之下”的元件将取向“在”所述另外的元件或特征“之上”。因此，示例术语“在……下面”能涵盖上下取向两者。此外，设备可以被另外取向(例如旋转90度或处于另外的取向)，因此，此处使用的空间关系描述语可以被相应地解释。

此处使用的术语是为了描述具体实施方式且不打算成为限制。当在此处使用时，单数形式“一”和“该”也打算包括复数形式，除非上下文清楚地另行表示。此外，当在此说明书中使用时，术语“包含”和/或“包括”指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组群的存在，但不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组群的存在或添加。

在这里参考截面图示描述多种示例实施方式，所述截面图示是理想示例实施方式和/或中间结构的概要图示。因此，作为例如制造技术和/或公差的结果的相对于图示的形状的变化将被预料到。因此，此处公开的示例实施方式不应被解释为限于区域的特定的所示形状，而将包括由例如制造引起的形状上的偏离。例如，被示为矩形的注入区在其边缘通常将具有圆化或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样地，通过注入形成的埋入区可以在埋入区和注入通过其发生的表面之间的区域中导致一些注入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状且不旨在成为限制。

除非另有定义，否则此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。诸如通用词典中定义的术语的术语应被解释为具有与它们的在相关技术领域的背景下的含义一致的含义，并且将不在理想化或过度形式化的意义上被解释，除非此处明确地如此定义。

图1是根据一个或更多个示例实施方式的显示设备100的分解透视图。

图1示出显示设备100是有机发光显示装置(OLED)。然而，示例实施方式不限于此，显示设备100可以包括被配置为通过接收电力显示图像的任何显示设备，包括但不限于液晶显示装置(LCD)、场发射显示装置(FED)、电子纸显示装置(EPD)等。

参考图1，根据一个或更多个示例实施方式的显示设备100可以包括显示面板130，显示面板130包含第一基板110和布置在第一基板110上的第二基板120。

显示面板130可以包括具有用于显示图像的显示部分200(参考图2)的显示区域(DA)和布置在DA外面的非显示区域(NDA)。

第一基板110可以是诸如具有刚性的玻璃基板和/或聚合物基板的刚性基板，诸如膜和/或金属基板的柔性基板，或者它们的组合。

第二基板120可以是玻璃基板、聚合物树脂和/或具有柔性的膜。第二基板120可以通过交替堆叠有机膜和无机膜中的至少一个形成。

用于将DA与外界气密地隔绝的密封构件190可以被设置在第一基板110和第二基板120的彼此面对的表面之间。根据一个或更多个示例实施方式，密封构件190可以沿第一基板110和第二基板120的边缘设置。例如，密封构件190可以具有沿DA的边缘连续形成的线形状。密封构件190可以包括玻璃釉料。

形成在DA中的显示部分200可以包括至少一个TFT和电连接到所述TFT的有机发光器件(OLED)。

NDA可以包括扇出区域(FA)和焊盘区域(PA)，多条导线211被设置于扇出区域(FA)，多个焊盘220被布置于焊盘区域(PA)。

FA是设置在DA和PA之间的区域。FA包括源自DA的导线211，所述导线211包含例如栅线和/或数据线，电连接到焊盘220。

例如，在FA中，邻近于DA的导线211之间的距离可以大于邻近于PA的导线211之间的距离。因此，图1公开导线211可以被图案化为以某角度倾斜地布置，但是示例实施方式不限于此。

触摸屏面板160可以被设置在第二基板120之上。例如，触摸屏面板160可以是包括设置在第二基板120上的触摸屏图案的外嵌式触摸屏面板(on-cell touch screenpanel)。触摸屏面板160可以被整体地形成在第二基板120上，但是示例实施方式不限于此。

偏振片170可以被设置在触摸屏面板160之上。偏振片170可以减少或防止外部光从DA反射。

窗盖180可以被设置在偏振片170的顶表面上以保护显示面板130、触摸屏面板160和偏振片170。窗盖180可以包括但不限于具有刚性的玻璃。

电路板230被连接到焊盘220以接收外部信号。电路板230可以包括柔性膜231和布置在柔性膜231的一侧且被电连接到焊盘220的多个端子232。电路板230可以包括但不限于具有柔性的柔性印刷电路版(FPCB)。

图2是根据一个或更多个示例实施方式的，沿图1的剖切线I-I'截取的显示设备100的剖视图。

参考图2，包含用于显示图像的显示部分200的DA和布置在DA外侧的NDA可以被设置在第一基板110上。DA可以包括从平面观察按矩阵形式布置的多个像素。

所述多个像素可以显示多种颜色的可见光。例如，所述多个像素可以至少包括产生红光的红色像素Pr、产生绿光的绿色像素Pg和产生蓝光的蓝色像素Pb。

所述多个像素中的每个可以包括OLED。所述多个像素中的每个可以包括被电连接到OLED的电子器件。电子器件可以包括TFT和存储电容器中的至少一种。电子器件可以将各种类型的电信号传输到OLED以驱动OLED。

尽管图2示出了所述多个像素中的每个仅包括OLED和用于驱动OLED的驱动TFT，但是这仅是为了解释的方便，示例实施方式不限于此。所述多个像素中的每个可以进一步包括多个TFT、存储电容器和多条导线。

TFT可以是包括有源层102、栅电极104、源电极106a和漏电极106b的顶栅型。尽管根据图2的TFT示出了顶栅型TFT，但是示例实施方式不限于此，各种类型的TFT可以被包括。例如，根据示例实施方式的显示设备100可以包括底栅型TFT。

缓冲层101可以被设置在第一基板110的上表面上以提供平坦化并减少或防止杂质元素的侵入。缓冲层101可以通过各种沉积方法使用硅氧化物(SiO₂)和/或硅氮化物(SiN_x)来沉积，所述各种沉积方法包括但不限于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法、常压CVD(APCVD)法和低压CVD(LPCVD)法。如有必要，缓冲层101可以被省略。

有源层102可以被设置在缓冲层101上与每个像素相应的区域中。有源层102可以通过图案化横跨第一基板110的整个表面设置在缓冲层101上的硅、诸如氧化物半导体的无机半导体、或者有机半导体来形成。使用硅形成的有源层102可以包括非晶硅层。有源层102也可以包括通过晶化非晶硅形成的多晶硅层。

有源层102可以包括杂质被注入其中的源区和漏区，并且包括设置在源区和漏区之间的沟道区。

用于将有源层102与栅电极104绝缘的栅绝缘膜103被设置在有源层102上。栅绝缘膜103可以包括各种绝缘材料。例如，栅绝缘膜103可以包括氧化物和/或氮化物。

栅电极104可以被布置在栅绝缘膜103上位于对应于沟道区的区域中。栅电极104可以被连接到栅线，TFT开/关信号通过栅线被传输到TFT。

第一层间绝缘膜105被布置在栅电极104之上。源电极106a和漏电极106b中的每个经由接触孔接触有源层102的相应区域。例如，源电极106a和漏电极106b分别接触有源层102的源区和漏区。

钝化膜107可以覆盖TFT以保护TFT。钝化膜107可以使用无机绝缘膜和/或有机绝缘膜。无机绝缘膜可以包括SiO₂、SiN_x、硅氮氧化物(SiON)、铝氧化物(Al₂O₃)、二氧化钛(TiO₂)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、铪(IV)氧化物(HfO₂)、二氧化锆(ZrO₂)、钛酸锶钡(BST)和/或锆钛酸铅(PZT)中的至少一种，然而有机绝缘膜可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用型聚合物、具有基于苯酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯醛基的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于烯丙醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物和它们的组合。此外，钝化膜107可以由无机绝缘膜和有机绝缘膜的组合叠层形成。

OLED可以被布置在钝化膜107上位于发光区域中。

OLED可以包括布置在钝化膜107上的像素电极111、面对像素电极111布置的对电极112和布置在像素电极111和对电极112之间的中间层，中间层包括有机发光层。

根据光发射方向，显示设备100可以是底部发射型、顶部发射型和双面发射型。底部发射型显示设备可以包括被设置为光透射电极的像素电极111和被设置为反射电极的对电极112。顶部发射型显示设备可以包括被设置为反射电极的像素电极111和被设置为半透射电极的对电极112。图2所示的包含OLED的示例显示设备可以是其中光在朝向封装构件210的方向上发射的顶部发射型，但是不限于此。

像素电极111可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和它们的复合物的反射膜，以及包含具有高功函数的铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)和/或铟(III)氧化物(In₂O₃)的光透射膜。像素电极111可以被图案化成与每个像素对应的岛形。此外，像素电极111可以被连接到外部端子以起阳极电极的作用。

像素限定膜109被布置在像素电极111上覆盖像素电极111的边缘以形成暴露像素电极111的中心部分的开口。被配置为发射光的有机发光部分113被布置在由开口限定的区域中，于是限定发光区域。当发光区域由像素限定膜109中的开口限定时，高于发光区域的突出部分自然地形成在相邻发光区域之间。有机发光层不形成于其中的突出部分可以是非发光区域。

对电极112可以被设置为透射电极，并且可以是金属半透射膜，所述金属半透射膜包括具有低功函数的诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg和/或Ag的薄金属。包含ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的光透射导电膜可以被进一步布置在金属半透射膜上，归因于金属半透射膜的薄的厚度的高电阻可以被减小。对电极112可以横跨第一基板110的整个上表面形成，呈公共电极的形式。此外，对电极112可以被连接到外部端子以起阴极电极的作用。像素电极111和对电极112可以具有相反的极性。

中间层可以包括发射光的有机发光部分113。有机发光部分113可以包括低分子有机材料和/或聚合物有机材料。除有机发光部分113之外，中间层还可以包括空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种。在有机发光部分113和像素电极111之间可以仅包括由聚合物有机材料形成的HTL。使用聚-(2,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)通过喷墨打印法或旋涂法，聚合物HTL可以被设置在像素电极111上。

OLED可以通过像素电极111和对电极112的电驱动发射白光。OLED可以使用降频转换法和颜色混合法发射白光，在降频转换法中，蓝光或紫光被应用以激发荧光材料从而产生具有各种颜色的光并且通过混合从被激发的荧光材料发射的各种颜色产生具有宽且丰富的波谱的光，在颜色混合法中通过混合诸如蓝色和橙色的两种基本颜色或诸如红色、绿色和蓝色的三种基本颜色产生白色光线。然而，示例实施方式不限于此，并且各种材料和方法可以被使用以产生白光。此外，有机发光部分113不限于产生白光，多个像素中的每个可以被配置为产生红光、绿光和蓝光中的一种。

封装构件210可以被布置在第一基板110之上以覆盖显示部件DP。封装构件210可以包括多个堆叠的绝缘膜。例如，所述绝缘膜可以具有有机膜202和无机膜201和203交替堆叠的结构。

无机膜201和203可以包括金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物和它们的复合物。例如，无机膜201和203可以包括铝氧化物、硅氧化物和/或硅氮化物。无机膜201和203可以减少或防止外部湿气和氧气到OLED内的侵入。有机膜202可以包括高分子化合物，并且可以包括环氧树脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯中的至少一种。有机膜202可以减少或减轻无机膜201和203的内部应力和/或弥补无机膜201和203的缺陷以平坦化无机膜201和203。

第二黑矩阵212可以被布置在面对第一基板110的第二基板120之下。例如，第二黑矩阵212可以对应于非发光区域布置。第二黑矩阵212可以包括对应于发光区域的开口。第二黑矩阵212的形状不限于如图2所示的矩形截面，并且可以包括诸如梯形或倒梯形的各种形状。第二黑矩阵212可以减少或防止由相邻像素产生的或彼此影响的具有不同颜色的可见光的按异常方式的混合。第二黑矩阵212也可以保护TFT的构件以免被外部光损坏或防止TFT的构件被外部光损坏。

第二黑矩阵212可以包括各种各样的材料。例如，第二黑矩阵212可以使用与黑色颜料和/或铬氧化物(CrO_x)混合的黑色有机材料形成。此外，如以下所述，第二黑矩阵212可以过滤从发光区域发射的光的一部分以响应于OLED和第二基板120之间距离d的变化而改变视角。

根据形成第二黑矩阵212的材料，第二黑矩阵212可以以各种方式布置。包括铬和/或铬氧化物的第二黑矩阵212可以包括通过溅射或电子束沉积法形成的铬或铬氧化物的单层膜。包括铬和/或铬氧化物的第二黑矩阵212也可以包括包含铬和/或铬氧化物的2层膜或3层膜。

滤色片241可以对应于发光区域布置。滤色片241可以对应于第二黑矩阵212的开口布置。例如，滤色片241可以被布置为填充在相邻第二黑矩阵212之间对应于发光区域形成的开口。根据图2，滤色片241的至少一部分可以重叠部分第二黑矩阵212。然而，示例实施方式不限于此，滤色片241可以具有与第二黑矩阵212的厚度相同的厚度。

滤色片241可以包括有机材料和分散在有机材料中的着色材料。着色材料可以是通用型染料和/或颜料，有机材料可以是通用型分散剂。滤色片241可以选择性地仅透过由OLED发射的白光中诸如红色、绿色或蓝色的具有特定波长的光，并且吸收具有其它波长的光。因此，可以从每个像素发射红色、绿色和蓝色光线中的一种。因此，配置为产生红色、绿色和蓝色的滤色片241R、241G和241B可以对应于各发光区域布置，各发光区域可以发射红色、绿色和蓝色光线。

根据示例实施方式的NDA可以包括布置在第一基板110和第二基板120之间的密封构件190、布置在密封构件190下方的第一黑矩阵312以及布置在第一黑矩阵312下方的多条导线211。布置在NDA中的导线211和第一黑矩阵312被参考附图描述。

图3是根据一个或更多个示例实施方式的NDA的剖视图。

参考图3，根据示例实施方式的NDA可以包括布置在第一基板110上的缓冲层101、布置在缓冲层101上的栅绝缘膜103和布置在栅绝缘膜103上的第一层间绝缘膜105。布置在NDA中的第一基板110、缓冲层101、栅绝缘膜103和第一层间绝缘膜105与参考图2关于DA描述的第一基板110、缓冲层101、栅绝缘膜103和第一层间绝缘膜105实质上相同，为了解释的方便略去对它们的详细描述。

导线211可以包括第一导线211a、第二导线211b和第三导线211c，第一导线211a、第二导线211b和第三导线211c以例如等于或大于约2μm且等于或小于约4μm的距离T彼此间隔开。导线211可以包括与栅电极104的材料实质上相同的材料。例如，从驱动器IC到第一栅线的第一电信号可以通过第一导线211a传输，从驱动器IC到第二栅线的第二电信号可以通过第二导线211b传输，从驱动器IC到第三栅线的第三电信号可以通过第三导线211c传输。

第一导线211a、第二导线211b和第三导线211c可以被布置在栅绝缘膜103上，第一层间绝缘膜105可以被布置在第一导线211a、第二导线211b和第三导线211c之上。图3示出NDA包括例如包含缓冲层101、栅绝缘膜103和第一层间绝缘膜105的多个绝缘层。然而，示例实施方式不限于此，绝缘层叠层的结构可以具有其它各种配置。

密封构件190可以被布置在第一层间绝缘膜105上，并且可以如上所述地沿DA的边缘以线形状被连续地形成。激光束可以被辐射到布置在第一基板110和第二基板120之间的密封构件190上以使密封构件190与第一基板110和第二基板120熔合。

根据示例实施方式的密封构件190可以延伸以重叠彼此间隔开布置的导线211。因此，当在比较实施方式中激光束被辐射到密封构件190上时，密封构件190下方的导线211可以被激光束热损坏。例如，导线211可以被激光束的辐射加热，且热可以引起相邻导线211之间的短路。

此外，当在比较实施方式中激光束通过后曝光穿过第一基板110辐射时，导线211之间的距离T可以被增大以提供充足的距离来将激光束透射至密封构件190。因此，DA外侧的无效区可以增大。

根据一示例实施方式，第一黑矩阵312可以布置在密封构件190和导线211之间，因此可以阻挡激光束从第二基板120外部被辐射到导线211上。例如，第一黑矩阵312可以由与图2的第二黑矩阵212的材料和方法实质上相同的材料和方法形成。第一黑矩阵312可以具有厚度A1，例如约1μm或更小。例如，第一黑矩阵312的厚度A1可以小于图2的第二黑矩阵212的厚度A2。然而，示例实施方式不限于此，第一黑矩阵312的厚度A1可以与图2的第二黑矩阵212的厚度A2相同或大于图2的第二黑矩阵212的厚度A2。

根据一个或更多个示例实施方式，第一黑矩阵312可以被布置在密封构件190与导线211之间，例如第一层间绝缘膜105与密封构件190之间。第一黑矩阵312可以具有与密封构件190的宽度D基本相同或大于密封构件190的宽度D的宽度M以重叠密封构件190。此外，第一黑矩阵312的宽度M可以与导线211的宽度K基本相同或大于导线211的宽度K以重叠导线211。因此，第一黑矩阵312可以阻挡穿过密封构件190辐射到导线211上的激光束并且减少或防止导线211的损坏。此外，由于不需要提供充足的距离来透过激光束，所以导线211之间的距离T可以被减小，从而减小不必要的无效区。

图4是根据一个或更多个示例实施方式的NDA的剖视图。

尽管如图3所示导线211可以具有单层结构，但是第一导线211a、第二导线211b和第三导线211c可以具有多层结构，在所述多层结构中第一导线211a、第二导线211b和第三导线211c被交替地布置在不同的绝缘层上。根据图4，缓冲层101可以被布置在第一基板110上。第一栅绝缘膜103a可以被布置在缓冲层101上。第一导线211a和第三导线211c可以被布置在第一栅绝缘膜103a上，以某距离彼此间隔开。第二栅绝缘膜103b可以被布置在第一导线211a和第三导线211c上。第二导线211b可以被布置在第二栅绝缘膜103b上。第二导线211b可以被布置在第一导线211a和第三导线211c之间，以某距离与第一导线211a和第三导线211c间隔开。第一层间绝缘膜105可以被布置在第二导线211b上。由于第一导线211a和第三导线211c与第二导线211b通过插置在其间的第二栅绝缘膜103b彼此绝缘，所以第一导线211a、第二导线211b和第三导线211c之间的距离可以被进一步减小。

第一黑矩阵312可以布置在密封构件190和导线211之间，例如第一层间绝缘膜105和密封构件190之间。由于图4所示的第一黑矩阵312与图3的第一黑矩阵312实质上相同，为了解释的方便此处略去对第一黑矩阵312的描述。

由于第一黑矩阵312布置在密封构件190和导线211之间，第一黑矩阵312可以阻挡穿过密封构件190辐射到导线211上的激光束并减小或防止导线211的损坏。此外，由于不需提供充足的距离以透过激光束，导线211之间的距离T被减小，因此导线211可以被密集排列，从而减小不必要的无效区。

如以上所述，根据示例实施方式的显示设备可以包括布置在密封构件和第一基板之间的第一黑矩阵，并且通过减少或防止激光束引起的导线之间的短路，导线之间的距离T可以被减小，使得不必要的无效区可以被减小。

尽管已经在此描述了某些示例实施方式和实现方法，但由此描述，其它实施方式和变型将是明显的。因此，本发明构思不限于这样的实施方式，而是限于所提出的权利要求以及各种明显变型和等价布置的更宽的范围。

本申请要求享有2015年11月16日提交的韩国专利申请第10-2015-0160455号的优先权及利益，其特此通过引用被合并以用于所有目的如同在此被充分阐明那样。

Claims (10)

1.一种显示设备，包括：

第一基板；

面对所述第一基板布置的第二基板；

布置在所述第一基板的面对所述第二基板的表面上的显示部分，所述显示部分包括多个发光区域；

布置在所述多个发光区域中钝化膜上的有机发光显示装置(OLED)；

布置在所述第一基板和所述第二基板之间的密封构件，所述密封构件将所述第一基板与所述第二基板结合；

布置在所述密封构件和所述第一基板之间的第一黑矩阵；

布置在所述第一基板和所述第一黑矩阵之间的多条导线；

布置在所述多条导线和所述第一黑矩阵之间的层间绝缘膜，并且所述第一黑矩阵布置在包括所述层间绝缘膜的绝缘层和密封构件之间；以及

布置在所述第二基板的表面上的第二黑矩阵，所述第二黑矩阵响应于所述OLED和所述第二基板之间距离的变化而改变视角；

其中，所述第二黑矩阵包括与黑色颜料和/或铬氧化物(CrO_x)混合的黑色有机材料，并且所述第一黑矩阵和第二黑矩阵包括相同的材料，

其中，所述多条导线重叠所述第一黑矩阵和所述密封构件。

2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二黑矩阵重叠所述多个发光区域中的每个的周边区域。

3.如权利要求1所述的显示设备，其中所述多条导线被布置在绝缘层上。

4.如权利要求1所述的显示设备，其中所述多条导线被布置成在第一方向上以一距离彼此间隔开。

5.如权利要求4所述的显示设备，其中所述多条导线之间的所述距离等于或大于2μm且等于或小于4μm。

6.如权利要求1所述的显示设备，其中所述多条导线中相邻布置的导线被布置在不同绝缘层上。

7.如权利要求2所述的显示设备，其中所述第一黑矩阵的厚度小于所述第二黑矩阵的厚度。

8.如权利要求7所述的显示设备，其中所述第一黑矩阵的所述厚度等于或小于1μm。

9.如权利要求1所述的显示设备，其中所述密封构件沿着沿所述显示部分的边缘延伸的连续线布置。

10.如权利要求1所述的显示设备，其中所述显示部分包括：

薄膜晶体管；以及

电连接到所述薄膜晶体管的有机发光器件，所述有机发光器件包括第一电极、第二电极以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，所述中间层包括有机发光层。

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