CN106987718B - 一种铜铟镓硒物料的回收方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 39
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 22
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims abstract description 23
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 21
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 18
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 14
- 229910021513 gallium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- DNUARHPNFXVKEI-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ga+3] DNUARHPNFXVKEI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 13
- IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K indium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[In+3] IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 11
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- FZHLWVUAICIIPW-UHFFFAOYSA-M sodium gallate Chemical compound [Na+].OC1=CC(C([O-])=O)=CC(O)=C1O FZHLWVUAICIIPW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 claims description 3
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 claims description 3
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 9
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N gallium(ii) selenide Chemical compound [Se]=[Ga] QNWMNMIVDYETIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 abstract 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000658 coextraction Methods 0.000 description 1
- UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N copper;selanylideneindium Chemical compound [Cu].[In]=[Se] UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000011978 dissolution method Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B7/00—Working up raw materials other than ores, e.g. scrap, to produce non-ferrous metals and compounds thereof; Methods of a general interest or applied to the winning of more than two metals
- C22B7/006—Wet processes
- C22B7/007—Wet processes by acid leaching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/02—Elemental selenium or tellurium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B15/00—Obtaining copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B15/00—Obtaining copper
- C22B15/0063—Hydrometallurgy
- C22B15/0065—Leaching or slurrying
- C22B15/0067—Leaching or slurrying with acids or salts thereof
- C22B15/0071—Leaching or slurrying with acids or salts thereof containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B15/00—Obtaining copper
- C22B15/0063—Hydrometallurgy
- C22B15/0084—Treating solutions
- C22B15/0089—Treating solutions by chemical methods
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B58/00—Obtaining gallium or indium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
- C22B7/00—Working up raw materials other than ores, e.g. scrap, to produce non-ferrous metals and compounds thereof; Methods of a general interest or applied to the winning of more than two metals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
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Abstract
本发明公开一种铜铟镓硒物料的回收方法，其主要包括硫酸+双氧水浸出、二氧化硫还原硒、水解分铜、碱分铟镓、置换铟、水解镓等步骤。本发明的铜铟镓硒物料的回收方法采用硫酸配合双氧水浸出，浸出率大大提高，且减少酸气污染；利用金属离子水解PH差分铜，成本低；另外，本发明采用碱性分镓，只需要调节溶液PH值，即可实现铟镓分离，分离效果好，所得到的铟、镓产品纯度较高。
Description
技术领域
本发明涉及一种铜铟镓硒光伏组件的回收方法，尤其涉及一种铜铟镓硒物料的回收方法。
背景技术
铜铟镓硒薄膜太阳能电池具备众多优势而备受市场青睐，其是最近几年薄膜太阳能电池研发、规模生产、应用的最大热点。铜铟镓硒太阳能电池的吸收层由铜、铟、镓、硒四种元素按照最佳比例组成黄铜矿结构，可吸收光谱波长范围广，除了非晶硅太阳能电池可吸收光的可见光谱范围，还可以涵盖波长在700～2000nm之间的近红外区，即一天内发电的时间最长，铜铟镓硒薄膜太阳能电池与同一瓦数级别的晶硅太阳能电池相比，每天可以超出20%比例的总发电量。晶硅电池本质上有光致衰减的特性，经过阳光的长时间暴晒，其发电效能会逐渐减退。而铜铟镓硒太阳能电池则没有光致衰减特性，发电稳定性高。晶硅太阳能电池经过较长一段时间发电后存在热斑现象，导致发电量小，增加维护费用。而铜铟镓硒太阳能电池能采用内部连接结构，可避免此现象的发生，较晶体硅太阳能电池比所需的维护费用低。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制作方式有真空溅镀法、蒸馏法和非真空涂布法，无论采用哪种制作方法，其制作过程中都会产生一些铜铟镓硒的物料，而这些物料中除含重金属铜之外，还含有铟、镓和硒等稀有金属。为有利于铟、镓和硒等稀有金属和重金属铜的持续利用，需要将其进行分离并分别回收，以方便进一步地循环利用，以保证铜铟镓硒薄膜太阳能电池材料的可持续发展。现有技术中，铜铟镓硒物料的回收方法主要有酸溶解法、萃取法、氧化蒸馏法等湿法或火法精炼组合方法。
公开号为CN102296178A的中国专利申请中公开了一种铜铟镓硒的回收方法，具体公开了利用盐酸与过氧化氢的混合液来溶解包含有铜铟镓硒金属粉体的方法。该方法使用肼还原硒，以铟金属置换铜，并通过支撑式液膜结合分散反萃液将铟与镓分离。
公开号为CN103184388A的中国专利申请中公开了一种铜铟镓硒的回收方法，该方法首先破碎所述铜铟镓硒薄膜太阳能板成碎片，而后利用浸泡工序将所述碎片用规定温度的硫酸与过氧化氢的混合体系浸泡规定时间得到浸泡液，随后利用萃取，反萃取，电解等工艺回收铟、镓、硒元素。
美国专利号US5779877公开了一种铜铟硒太阳能电池物料的回收方法。所述方法主要包括破碎、硝酸浸出，两电极电解分离铜、硒和铟，然后蒸发分解得到铟和锌的氧化物的混合物，氧化蒸馏分离铜和硒。
在上述现有技术术中，使用盐酸和过氧化氢浸出会消耗大量的氧化剂，且盐酸易挥发，在浸出反应过程中是放热反应，造成盐酸大量挥发，污染较为严重。同时，萃取铟时使用的萃取剂对镓产生共萃现象，造成铟、镓分离困难，从而降低了镓的回收率。另一方面采用铟置换铜处理方法，生产成本过于高昂。
发明内容
为解决现有技术中的上述缺陷，本发明的目的在于提供一种能够减少环境污染，且铟回收率高，生产成本较低的铜铟镓硒物料的回收方法。
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法采用硫酸配合双氧水浸出，浸出率大大提高，且减少酸气污染；还原硒后液利用金属离子水解PH差，精细化调整PH值可以先分出铜，操作简单，且成本较低；另一方面，本发明采用碱性分镓，只需要调节溶液PH值，即可实现铟镓分离，分离效果好，所得到的铟、镓产品纯度较高。
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法，包括如下步骤：
步骤A，将铜铟镓硒物料放置于球磨机中进行球磨。
步骤B，将浓硫酸稀释，将步骤A中球磨后的合金粉末与稀释后的浓硫酸混合，升温后通入双氧水进行浸出，浸出结束后滤出残渣，即可得到纯净浸出液。其所包括的反应如下：
Cu+H2SO4+H2O2 CuSO4+H2O
In+H2SO4+H2O2 In2(SO4)3+H2O
Ga+H2SO4+H2O2 Ga2(SO4)3+H2O
Se+O2+H2OH2SeO3
H2SeO3+O2 H2SeO4
步骤C，将浸出液升温后通入二氧化硫气体，还原硒过程中会看到容器内有砖红色沉淀生成，逐渐变成黑色，过滤后得到黑硒。其包括的反应如下：
H2O+H2SeO4+SO2 H2SO4+Se
步骤D，除硒后液直接加入氢氧化钠溶液调节PH值，常温搅拌后静置，随后抽取上清液，直接过滤得到氢氧化镓和氢氧化铟沉淀，以及硫酸铜上清液。其包括的反应如下：
6NaOH+ In2(SO4)3→3Na2SO4+2In(OH)3
6NaOH+ Ga2(SO4)3→3Na2SO4+2Ga(OH)3
步骤E，硫酸铜上清液直接蒸发结晶即可得到五水硫酸铜。
步骤F，将氢氧化镓和氢氧化铟沉淀加入氢氧化钠溶液加热，恒温搅拌后静置，随后抽取上清液，直接过滤得到氢氧化铟沉淀和镓酸钠溶液。其包括的反应如下：
Ga(OH)3+ OH-→GaO2 -+2H2O
步骤G，镓酸钠溶液直接水解，即可得到氢氧化钾沉淀。
更具体地，可加入硫酸溶液调节PH值至中性，加入稀释后的聚丙烯酰胺，恒温搅拌进行絮凝沉淀，沉淀后抽取上清液，直接过滤得到氢氧化镓沉淀。其包括的反应如下：
GaO2 -+H++H2O→2Ga(OH)3
步骤H，将氢氧化铟沉淀用盐酸反溶，升温后恒温搅拌，用4N锌板进行置换，置换后洗涤过滤即可得到海绵铟。其包括的反应如下：
In（OH）3+3HCl→InCl3+3H2O
3Zn+2InCl3→3ZnCl2+2In
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤A中的铜铟镓硒物料球磨成40目以下的粉末，球磨后在100℃下烘干4小时。
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤B中将浓硫酸稀释至25%，将200g烘干料与25%浓硫酸按照固液比1：5混合，将温度升至90℃，按8ml/min速率通入双氧水，搅拌速率600r/min，恒温浸出3h。
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤C中将浸出液升温至65℃后，通入二氧化硫气体，速率10L/min，恒温10h。
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤D中除硒后液直接加入8mol/L氢氧化钠溶液调节PH值至4.5，常温搅拌20min，搅拌速率200r/min，静置2h后抽取上清液，反复洗涤抽取三次，每次洗涤水用水量不超过800ml。
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤F中氢氧化镓和氢氧化铟沉淀加入8mol/L氢氧化钠溶液加热至80℃，搅拌速率200r/min，恒温搅拌20min后，静置2h后抽取上清液，反复洗涤抽取三次，每次洗涤用水量不超过800ml。
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤G中镓酸钠溶液加入1mol/L硫酸溶液调节PH值至中性，加入稀释后10%聚丙烯酰胺20ml，恒温80℃，搅拌速率200r/min，恒温搅拌10min进行絮凝沉淀，沉淀后抽取上清液，反复洗涤沉降三次后抽取上清液，每次洗涤水用量不超过800mL，最后直接过滤得到氢氧化镓沉淀，氢氧化镓放在干燥箱中恒温80℃，干燥8h以上即可得到氢氧化镓。
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤H中将氢氧化铟沉淀用10%盐酸600ml反溶，溶解后调节PH值至1.5，升温至55℃时恒温搅拌，搅拌速率200r/min。
本发明的铜铟镓硒物料的回收方法，球磨制样后，采用稀释后的浓硫酸配合适量过氧化氢浸出，浸出率非常高，可达到95%以上；通入二氧化硫气体或者加入亚硫酸钠还原硒，对除硒后的溶液加入适量的氢氧化钠调pH值至4.5~4.7，进行洗涤过滤，得到的硫酸铜上清液可直接蒸发结晶得到硫酸铜；得到的氢氧化铟、氢氧化镓沉淀直接调pH大于13，随后静置分离，上清液为镓酸钠溶液，可直接水解、过滤得到氢氧化镓，氢氧化铟沉淀直接用盐酸溶解后，锌板置换，得到海绵铟。采用本发明方法，硒回收率96%、铜回收率92%、铟、镓回收率92%以上；利用镓的两性，直接调节PH值分离铟、镓，成本低，操作简单。
附图说明
图1是本发明实施例的铜铟镓硒物料的回收方法的流程示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明实施方式做进一步阐述。
如图1所示，本发明实施例的铜铟镓硒物料的回收方法包括如下主要步骤：
步骤A，将200g铜铟镓硒物料放置于球磨机中，球磨至40目以下的粉末，100℃下烘干4小时。
步骤B，将浓硫酸稀释至25%，将200g烘干料与25%浓硫酸按照固液比1：5混合，将温度升至90℃，按8ml/min速率通入双氧水，搅拌速率600r/min，恒温浸出3h，浸出结束后滤出残渣，即可得到铜铟镓硒浸出液。
步骤C，将浸出液升温至65℃后，通入二氧化硫气体，速率10L/min，恒温10h，还原硒过程中会看到容器内有砖红色沉淀生成，逐渐变成黑色，过滤后得到黑硒。
步骤D，除硒后液直接加入8mol/L氢氧化钠溶液调节PH值至4.5~4.7，常温搅拌20min，搅拌速率200r/min，静置2h后抽取上清液，反复洗涤抽取三次，每次洗涤水用水量不超过800ml，最后直接过滤得到氢氧化镓和氢氧化铟沉淀，以及硫酸铜上清液。
步骤E，硫酸铜上清液直接蒸发结晶即可得到五水硫酸铜。
步骤F，氢氧化镓和氢氧化铟沉淀加入8mol/L氢氧化钠溶液加热至80℃，搅拌速率200r/min，恒温搅拌20min后，静置2h后抽取上清液，反复洗涤抽取三次，每次洗涤用水量不超过800ml，最后直接过滤得到氢氧化铟沉淀和镓酸钠溶液。
步骤G，对镓酸钠溶液加入1mol/L硫酸溶液调节PH值至中性，加入稀释后10%聚丙烯酰胺20ml，恒温80℃，搅拌速率200r/min，恒温搅拌10min进行絮凝沉淀，沉淀后抽取上清液，同步骤F，反复洗涤沉降三次后抽取上清液，每次洗涤水用量不超过800mL，最后直接过滤得到氢氧化镓沉淀，氢氧化镓放在干燥箱中恒温80℃，干燥8h以上即可得到氢氧化镓。
步骤H，将氢氧化铟沉淀用10%盐酸600ml反溶，溶解后调节PH值至1.5，升温至55℃时恒温搅拌，搅拌速率200r/min，用4N锌板进行置换，置换时间6h，置换后洗涤过滤即可得到海绵铟。
以上实施例仅用于对本发明进行具体说明，其并不对本发明的保护范围起到任何限定作用，本发明的保护范围由权利要求确定。根据本领域的公知技术和本发明所公开的技术方案，可以推导或联想出许多变型方案，所有这些变型方案，也应认为是本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种铜铟镓硒物料的回收方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤A，将铜铟镓硒物料放置于球磨机中进行球磨；
步骤B，将步骤A中球磨后的合金粉末与稀释后的浓硫酸混合，升温后通入双氧水进行浸出，浸出结束后滤出残渣，得到浸出液；
步骤C，将浸出液升温后通入二氧化硫气体，进行还原硒；
步骤D，过滤除硒后的余液直接加入氢氧化钠溶液，常温搅拌后静置，随后抽取上清液，过滤得到氢氧化镓和氢氧化铟沉淀，以及硫酸铜上清液；
步骤E，硫酸铜上清液直接蒸发结晶得到五水硫酸铜；
步骤F，将步骤D中得到的氢氧化镓和氢氧化铟沉淀加入氢氧化钠溶液并加热，恒温搅拌后静置，随后抽取上清液，直接过滤得到氢氧化铟沉淀和镓酸钠溶液；
步骤G，对镓酸钠溶液直接水解，得到氢氧化镓沉淀；
步骤H，将氢氧化铟沉淀用盐酸反溶，升温后恒温搅拌，用4N锌板进行置换，得到海绵铟。
2.如权利要求1所述的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤A中的铜铟镓硒物料球磨成40目以下的粉末，球磨后在100℃下烘干4小时。
3.如权利要求1所述的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤B中将浓硫酸稀释至25％，将200g烘干料与25％浓硫酸按照固液比1：5进行混合，将温度升至90℃，按8mL/min速率通入双氧水，搅拌速率600r/min，恒温浸出3h。
4.如权利要求1所述的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤C中将浸出液升温至65℃后，以10L/min速率通入二氧化硫气体，恒温10h，进行还原硒。
5.如权利要求1所述的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤D中除硒后余液直接加入8mol/L氢氧化钠溶液调节pH值至4.5，常温搅拌20min，搅拌速率200r/min，静置2h后抽取上清液，反复洗涤抽取三次，每次洗涤水用水量不超过800mL。
6.如权利要求1所述的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤F中氢氧化镓和氢氧化铟沉淀加入8mol/L氢氧化钠溶液加热至80℃，搅拌速率200r/min，恒温搅拌20min后，静置2h后抽取上清液，反复洗涤抽取三次，每次洗涤用水量不超过800mL。
7.如权利要求1所述的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤G中镓酸钠溶液加入1mol/L硫酸溶液调节pH值至中性，加入10％聚丙烯酰胺20mL，恒温80℃，搅拌速率200r/min，恒温搅拌10min进行絮凝沉淀，沉淀后抽取上清液，反复洗涤沉降三次后抽取上清液，每次洗涤水用量不超过800mL，直接过滤得到氢氧化镓沉淀。
8.如权利要求1或7所述的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤G中氢氧化镓沉淀放在干燥箱中恒温80℃，干燥8h以上即可得到氢氧化镓。
9.如权利要求1所述的铜铟镓硒物料的回收方法，还包括，步骤H中将氢氧化铟沉淀用600mL10％盐酸反溶，溶解后调节pH值至1.5，升温至55℃时恒温搅拌，搅拌速率200r/min。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610039561.1A CN106987718B (zh) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | 一种铜铟镓硒物料的回收方法 |
| PCT/CN2016/112147 WO2017124892A1 (zh) | 2016-01-21 | 2016-12-26 | 一种铜铟镓硒物料的回收方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610039561.1A CN106987718B (zh) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | 一种铜铟镓硒物料的回收方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106987718A CN106987718A (zh) | 2017-07-28 |
| CN106987718B true CN106987718B (zh) | 2018-11-30 |
Family
ID=59361472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610039561.1A Active CN106987718B (zh) | 2016-01-21 | 2016-01-21 | 一种铜铟镓硒物料的回收方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106987718B (zh) |
| WO (1) | WO2017124892A1 (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108359801B (zh) * | 2018-03-16 | 2019-10-22 | 北京科技大学 | 从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法 |
| CN108359802B (zh) * | 2018-03-16 | 2019-09-10 | 北京科技大学 | 从铜铟镓硒太阳能薄膜电池废料中回收铜铟镓硒的方法 |
| CN108425016B (zh) * | 2018-03-16 | 2019-09-10 | 北京科技大学 | 从cigs太阳能薄膜电池腔室废料中回收有价金属的方法 |
| CN108425017B (zh) * | 2018-03-16 | 2019-10-18 | 北京科技大学 | 从铜铟镓硒废电池芯片中回收有价金属的方法 |
| CN108441637B (zh) * | 2018-03-16 | 2019-09-10 | 北京科技大学 | 从铜铟镓硒太阳能薄膜电池废芯片中回收有价金属的方法 |
| CN108425015B (zh) * | 2018-03-16 | 2019-11-29 | 北京科技大学 | 从铜铟镓硒太阳能薄膜电池腔室废料回收有价金属的方法 |
| CN108715933A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-10-30 | 汉能新材料科技有限公司 | 处理含铜铟镓硒废料的方法 |
| CN108728651A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-02 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种硒的回收方法 |
| CN108624758A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-10-09 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种含有铜铟镓硒的物料的回收方法 |
| CN108821329A (zh) * | 2018-07-10 | 2018-11-16 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种高纯氧化镓的制备方法 |
| CN110938754A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 日立金属株式会社 | 镓的回收方法 |
| CN109802005A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-05-24 | 汉能新材料科技有限公司 | 薄膜太阳能电池芯片的回收方法 |
| CN114715932A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-08 | 珠海经济特区方源有限公司 | 一种海绵镓制备高纯硫酸镓的方法 |
| CN114715931A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-08 | 珠海经济特区方源有限公司 | 一种海绵镓制备高纯硝酸镓的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103184338A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 广东先导稀材股份有限公司 | 铜铟镓硒薄膜太阳能板回收方法 |
| CN104017995A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-03 | 株洲冶炼集团股份有限公司 | 一种从含铜铟镓硒废料中回收铜铟镓硒的方法 |
| CN104018186A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-03 | 株洲冶炼集团股份有限公司 | 一种铜铟镓硒的回收方法 |
| CN105087935A (zh) * | 2014-05-22 | 2015-11-25 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种从铜铟镓废靶材中分别回收铜、铟和镓的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2721518C (en) * | 2010-11-26 | 2013-02-05 | Neo Material Technologies Inc. | Treatment of indium gallium alloys and recovery of indium and gallium |
| TWI458834B (zh) * | 2012-12-27 | 2014-11-01 | Univ Nat Cheng Kung | Recovery method of copper indium gallium selenium residual target |
-
2016
- 2016-01-21 CN CN201610039561.1A patent/CN106987718B/zh active Active
- 2016-12-26 WO PCT/CN2016/112147 patent/WO2017124892A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103184338A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 广东先导稀材股份有限公司 | 铜铟镓硒薄膜太阳能板回收方法 |
| CN105087935A (zh) * | 2014-05-22 | 2015-11-25 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种从铜铟镓废靶材中分别回收铜、铟和镓的方法 |
| CN104017995A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-03 | 株洲冶炼集团股份有限公司 | 一种从含铜铟镓硒废料中回收铜铟镓硒的方法 |
| CN104018186A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-09-03 | 株洲冶炼集团股份有限公司 | 一种铜铟镓硒的回收方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017124892A1 (zh) | 2017-07-27 |
| CN106987718A (zh) | 2017-07-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170829 Address after: 100101, No. 14, building 1, 7, 101, 0801, 3, building 8, building No. 2, West Beichen Road, Chaoyang District, Beijing Applicant after: HANERGY CO-INNO MOBILE ENERGY INVESTMENT Co.,Ltd. Address before: 100101 Beijing, Beichen West Road, No. 8, Beichen Century Center, block B, floor 10, Applicant before: HANERGY NEW MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
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|
| PP01 | Preservation of patent right | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
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