CN106920828B - 一种有机电致发光显示面板及制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 8
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004699 Ultra-high molecular weight polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000008206 lipophilic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920000785 ultra high molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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Abstract
本申请提供了一种有机电致发光显示面板及制备方法,用以在不改变现有喷墨打印设备的前提下提高OLED产品的分辨率,本申请提供的一种有机电致发光显示面板,包括:基板,设置在所述基板上的像素界定层和发光层,所述像素界定层包括:设置在所述基板上的第一像素界定层,和设置在所述第一像素界定层上的第二像素界定层;其中,所述第一像素界定层包括界定子像素发光区域的多个第一开口区域,所述发光层设置在所述第一开口区域;所述第二像素界定层包括界定虚拟像素区域的多个第二开口区域,所述虚拟像素区域包括至少两个相邻同色子像素发光区域。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机电致发光显示面板及制备方法。
背景技术
有机电致发光显示面板(Organic Electroluminesecent Display,OLED)相对于液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD),具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。
目前,OLED成膜方式主要有蒸镀方式和喷墨打印方式。采用蒸镀方式成膜在小尺寸OLED应用较为成熟,目前该技术已经应用于量产中,而采用喷墨打印方式成膜由于其成膜速率快、材料利用率较高、可以实现大尺寸化,被认为是大尺寸OLED实现量产的重要方式。通常在制作发光层时,需要在基板上制作像素界定层以限定各子像素发光区域的位置,之后在像素界定层中对应各子像素发光区域的开口区域采用喷墨打印方式制作发光层。但由于现有喷墨打印设备的喷头规格一般为10pL和35pL,使得墨滴体积受到限制,造成形成的子像素的尺寸也将受到限制,因此,在不改变现有喷墨打印设备的前提下,无法实现高分辨率的OLED产品。
基于此,如何在不改变现有喷墨打印设备的前提下提高OLED产品的分辨率,是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种有机电致发光显示面板及制备方法,用以在不改变现有喷墨打印设备的前提下提高OLED产品的分辨率。
本申请实施例提供的一种有机电致发光显示面板,包括:基板,设置在所述基板上的像素界定层和发光层,所述像素界定层包括:设置在所述基板上的第一像素界定层,和设置在所述第一像素界定层上的第二像素界定层;其中,所述第一像素界定层包括界定子像素发光区域的多个第一开口区域,所述发光层设置在所述第一开口区域;所述第二像素界定层包括界定虚拟像素区域的多个第二开口区域,所述虚拟像素区域包括至少两个相邻同色子像素发光区域。
本申请实施例提供的有机电致发光显示面板,在制作发光层时,可以通过喷墨打印设备将墨水打印在第二开口区域(即虚拟像素区域)内,之后墨水经过干燥过程在第一像素界定层的第一开口区域(即子像素发光区域内)形成发光层,而虚拟像素区域包括至少两个相连同色子像素发光区域,在喷头规格相同的前提下,与将墨水打印在子像素发光区域内形成发光层的现有方式相比,形成的子像素的数量更多、尺寸更小,因此,可以在不改变现有喷墨打印设备的前提下提高OLED产品的分辨率。
较佳地,所述第一像素界定层的材料为亲液性材料,所述第二像素界定层的材料为疏液性材料。
由于第一像素界定层的材料为亲液性材料,可以使得之后打印的发光层材料均匀地填充在子像素发光区域内,以及第二像素界定层的材料为疏液性材料,可以使得之后打印的发光层材料不易残留在第二像素界定层的表面,便于发光层材料与第二像素界定层的分离。
较佳地,所述第一像素界定层的厚度为400~600nm。
较佳地,所述第二像素界定层的厚度为800~2200nm。
较佳地,在所述第一像素界定层与所述第二像素界定层之间还设有第三像素界定层;其中,所述第三像素界定层包括与所述第一开口区域一一对应的多个第三开口区域,所述第三开口区域不大于所述第一开口区域,所述第三像素界定层的材料为亲液性材料,所述第一像素界定层的材料的亲液性优于所述第三像素界定层的材料的亲液性。
由于将第三开口区域设置成不大于所述第一开口区域,且第一像素界定层的材料的亲液性优于第三像素界定层的材料的亲液性,这样在制作发光层时可以抑制墨水攀爬。
较佳地,所述第一开口区域和所述第三开口区域的侧壁呈斜坡状,且所述斜坡状侧壁的倾斜角为锐角。
由于第一开口区域和第三开口区域的侧壁呈斜坡状,且该斜坡状侧壁的倾斜角为锐角,这种结构的像素界定层可以进一步抑制墨水攀爬。
较佳地,所述第三像素界定层的厚度为100~200nm。
较佳地,所述虚拟像素区域包括四个同色子像素发光区域,所述四个同色子像素发光区域呈两行两列分布。
本申请实施例还提供了一种有机电致发光显示面板的制备方法,该方法包括:
在基板上形成第一像素界定层;其中,所述第一像素界定层包括界定子像素发光区域的多个第一开口区域;
在形成有所述第一像素界定层的基板上形成第二像素界定层;其中,所述第二像素界定层包括界定虚拟像素区域的多个第二开口区域,所述虚拟像素区域包括至少两个相邻同色子像素发光区域;
通过喷墨打印设备将包含发光层材料的墨水打印在所述第二开口区域内;
所述墨水经过干燥过程在所述第一开口区域形成发光层。
采用该方法制备有机电致发光显示面板,在制作发光层时,可以通过喷墨打印设备将墨水打印在第二开口区域(即虚拟像素区域)内,之后墨水经过干燥过程在第一像素界定层的第一开口区域(即子像素发光区域内)形成发光层,而虚拟像素区域包括至少两个相连同色子像素发光区域,在喷头规格相同的前提下,与将墨水打印在子像素发光区域内形成发光层的现有方式相比,形成的子像素的数量更多、尺寸更小,因此,可以在不改变现有喷墨打印设备的前提下提高OLED产品的分辨率。
较佳地,所述在基板上形成第一像素界定层,具体包括:
在基板上沉积第一像素界定层薄膜;其中,所述第一像素界定层薄膜的材料为亲液性材料;
针对所述第一像素界定层薄膜通过构图工艺形成第一像素界定层。
采用亲液性材料制作第一像素界定层,可以使得之后打印的发光层材料均匀地填充在子像素发光区域内。
较佳地,所述在形成有所述第一像素界定层的基板上形成第二像素界定层,具体包括:
在形成有所述第一像素界定层的基板上形成第二像素界定层薄膜;其中,所述第二像素界定层薄膜的材料为疏液性材料;
针对所述第二像素界定层薄膜通过构图工艺形成第二像素界定层。
采用疏液性材料制作第二像素界定层,可以使得之后打印的发光层材料不易残留在第二像素界定层的表面,便于发光层材料与第二像素界定层的分离。
较佳地,在沉积第一像素界定层薄膜之后,且在形成第一像素界定层之前,该方法还包括:
在所述第一像素界定层薄膜上沉积第三像素界定层薄膜;其中,所述第三像素界定层薄膜的材料为亲液性材料,所述第一像素界定层薄膜的材料的亲液性优于所述第三像素界定层薄膜的材料的亲液性;
所述针对所述第一像素界定层薄膜通过构图工艺形成第一像素界定层,具体包括:
针对所述第三像素界定层薄膜和所述第一像素界定层薄通过干法刻蚀分别形成第三像素界定层和第一像素界定层;其中,所述第三像素界定层包括与所述第一开口区域一一对应的多个第三开口区域,所述第一像素界定层薄膜/所述第三像素界定层薄膜的刻蚀选择比大于1。
由于第一像素界定层薄膜/第三像素界定层薄膜的刻蚀选择比大于1,因此刻蚀出的第三开口区域不大于第一开口区域,并且由于第一像素界定层的材料的亲液性优于第三像素界定层的材料的亲液性,这样在制作发光层时可以抑制墨水攀爬。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种有机电致发光显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的有机电致发光显示面板中第一种像素结构示意图;
图3为本申请实施例提供的有机电致发光显示面板中第二种像素结构示意图;
图4为本申请实施例提供的有机电致发光显示面板的制备方法的流程示意图;
图5(a)~图5(g)为本申请实施例提供的有机电致发光显示面板的制备工艺流程示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种有机电致发光显示面板及制备方法,用以在不改变现有喷墨打印设备的前提下提高OLED产品的分辨率。
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,本申请附图中各层的厚度和形状不反映真实比例,目的只是示意说明本申请内容。
参见图1,本申请实施例提供的一种有机电致发光显示面板,包括:基板1,设置在基板1上的像素界定层2和发光层3,像素界定层2包括:设置在基板1上的第一像素界定层21,和设置在第一像素界定层21上的第二像素界定层22;其中,第一像素界定层21包括界定子像素发光区域的多个第一开口区域211(如图1中虚线框所示),发光层3设置在第一开口区域211;第二像素界定层22包括界定虚拟像素区域的多个第二开口区域221,虚拟像素区域包括至少两个相邻同色子像素发光区域。第一像素界定层21定义了各子像素的发光区域,虚拟像素区域定义了颜色相同且相邻的子像素的墨水沉积区域。
在一较佳实施方式中,第一像素界定层21的材料为亲液性材料,第二像素界定层22的材料为疏液性材料,亲液性的第一像素界定层21,保证了喷墨打印工艺墨水沉积后能够在子像素发光区域内具有良好的铺展性,从而形成均匀的膜层,疏液性的第二像素界定层22,可以使得之后打印的发光层材料不易残留在第二像素界定层的表面,便于发光层材料与第二像素界定层的分离。
其中,亲液性材料指两种材料的极性相反,具有相吸的特性,若墨水为水性墨水,则第一像素界定层21的材料为亲水性材料,例如氮化硅(SiNx)材料,若墨水为油性墨水,则第一像素界定层21的材料为亲油性材料。
相应地,疏液性材料指两种材料的极性相同,具有相斥的特性,若墨水为水性墨水,则第二像素界定层22的材料为疏水性材料,例如超高分子量聚乙烯树脂(AGC)材料,若墨水为油性墨水,则第二像素界定层22的材料为疏油性材料。
第一像素界定层21的厚度可以根据发光器件的厚度进行设定,在一较佳实施方式中,第一像素界定层21的厚度设置为400~600nm。
第二像素界定层22的厚度可以根据OLED器件的结构进行设定,在一较佳实施方式中,第二像素界定层22的厚度为800~2200nm。
在一较佳实施方式中,为了在制作发光层时抑制墨水攀爬,如图1所示,在第一像素界定层21与第二像素界定层22之间还设有第三像素界定层23;其中,第三像素界定层23包括与第一开口区域211一一对应的多个第三开口区域231,第三开口区域231不大于第一开口区域211,第三像素界定层23的材料为亲液性材料,第一像素界定层21的材料的亲液性优于第三像素界定层23的材料的亲液性。若墨水为水性墨水,则第三像素界定层23的材料为亲水性材料,例如氧化硅(SiO2)材料。优选地,第三像素界定层23的厚度为100~200nm。
由于将第三开口区域设置成不大于所述第一开口区域,且第一像素界定层的材料的亲液性优于第三像素界定层的材料的亲液性,这样在制作发光层时可以抑制墨水攀爬。
在一较佳实施方式中,为了在制作发光层时进一步抑制墨水攀爬,如图1所示,第一开口区域211和第三开口区域231的侧壁呈斜坡状,且斜坡状侧壁的倾斜角为锐角,即斜坡状侧壁向外倾斜。可以通过选择合适的刻蚀参数,以形成上述的开口区域形状。
在一较佳实施方式中,虚拟像素区域31(如图2中虚线框所示)包括四个同色子像素发光区域32,所述四个同色子像素发光区域32呈两行两列分布,其像素结构示意图如图2所示。虚拟像素区域31(如图3中虚线框所示)也可以包括两个同色子像素发光区域32,其像素结构示意图如图3所示。当然,虚拟像素区域31包括的同色子像素发光区域32的数量还可以为其它值,本申请实施例对此并不进行限定。
基于同一发明构思,如图4所示,本申请实施例还提供了一种有机电致发光显示面板的制备方法,该方法包括如下步骤:
S101、在基板上形成第一像素界定层;其中,所述第一像素界定层包括界定子像素发光区域的多个第一开口区域;
S102、在形成有所述第一像素界定层的基板上形成第二像素界定层;其中,所述第二像素界定层包括界定虚拟像素区域的多个第二开口区域,所述虚拟像素区域包括至少两个相邻同色子像素发光区域;
S103、通过喷墨打印设备将包含发光层材料的墨水打印在所述第二开口区域内;
S104、所述墨水经过干燥过程在所述第一开口区域形成发光层。
在一较佳实施方式中,S101中在基板上形成第一像素界定层,具体包括:
在基板上沉积第一像素界定层薄膜;其中,所述第一像素界定层薄膜的材料为亲液性材料;
针对所述第一像素界定层薄膜通过构图工艺形成第一像素界定层。
在一较佳实施方式中,S102中在形成有所述第一像素界定层的基板上形成第二像素界定层,具体包括:
在形成有所述第一像素界定层的基板上形成第二像素界定层薄膜;其中,所述第二像素界定层薄膜的材料为疏液性材料;
针对所述第二像素界定层薄膜通过构图工艺形成第二像素界定层。
在一较佳实施方式中,在沉积第一像素界定层薄膜之后,且在形成第一像素界定层之前,该方法还包括:
在所述第一像素界定层薄膜上沉积第三像素界定层薄膜;其中,所述第三像素界定层薄膜的材料为亲液性材料,所述第一像素界定层薄膜的材料的亲液性优于所述第三像素界定层薄膜的材料的亲液性;
上述针对所述第一像素界定层薄膜通过构图工艺形成第一像素界定层,具体包括:
针对所述第三像素界定层薄膜和所述第一像素界定层薄通过干法刻蚀分别形成第三像素界定层和第一像素界定层;其中,所述第三像素界定层包括与所述第一开口区域一一对应的多个第三开口区域,所述第一像素界定层薄膜/所述第三像素界定层薄膜的刻蚀选择比大于1(例如:第一像素界定层薄膜/第三像素界定层薄膜的刻蚀选择比为5:1)。
需要指出的是,上述方法中第三像素界定层和第一像素界定层是一起形成的,由于第一像素界定层薄膜第三像素界定层薄膜的刻蚀选择比大于1,这样可以使得形成的第三开口区域不大于形成的第一开口区域。
下面以虚拟像素区域包括四个同色子像素发光区域,像素界定层具有三层,墨水为水性墨水为例,结合附图5(a)~5(g)来具体说明本申请实施例提供的有机电致发光显示面板的制备工艺流程。
步骤一、参见图5(a),在基板41上沉积400nm厚的SiNx薄膜42;
步骤二、参见图5(b),在SiNx薄膜42上沉积100nm厚的SiO2薄膜43;
其中,SiNx薄膜42的亲液性优于SiO2薄膜43的亲液性。
步骤三、参见图5(c),针对SiO2薄膜43和SiNx薄膜42通过干法刻蚀分别形成第三像素界定层44和第一像素界定层45;
其中,第一像素界定层45包括界定子像素发光区域的多个第一开口区域;第三像素界定层44包括与第一开口区域一一对应的多个第三开口区域,第一开口区域和第三开口区域的侧壁呈斜坡状,且斜坡状侧壁的倾斜角为锐角,即斜坡状侧壁向外倾斜,SiNx薄膜/SiO2薄膜的刻蚀选择比为5:1,由于SiNx薄膜/SiO2薄膜的刻蚀选择比大于1,这样可以使得形成的第三开口区域不大于形成的第一开口区域。
步骤四、参见图5(d),在形成有第一像素界定层45和第三像素界定层44的基板41上形成1500nm厚的AGC薄膜46;
步骤五、参见图5(e),针对AGC薄膜46通过构图工艺形成第二像素界定层47;例如:针对AGC薄膜46通过曝光、显影等形成第二像素界定层47;
其中,第二像素界定层47包括界定虚拟像素区域的多个第二开口区域,虚拟像素区域包括四个相邻同色子像素发光区域,四个同色子像素发光区域呈两行两列分布,其像素结构示意图如图2所示。
步骤六、参见图5(f),通过喷墨打印设备将包含发光层材料的墨水48打印在第二开口区域内;
步骤七、参见图5(g),墨水48经过干燥过程在第一开口区域形成发光层49。
综上所述,本申请实施例提供的技术方案中,在制作发光层时,可以通过喷墨打印设备将墨水打印在第二开口区域(即虚拟像素区域)内,之后墨水经过干燥过程在第一像素界定层的第一开口区域(即子像素发光区域内)形成发光层,而虚拟像素区域包括至少两个相连同色子像素发光区域,在喷头规格相同的前提下,与将墨水打印在子像素发光区域内形成发光层的现有方式相比,形成的子像素的数量更多、尺寸更小,因此,可以在不改变现有喷墨打印设备的前提下提高OLED产品的分辨率。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种有机电致发光显示面板,包括:基板,设置在所述基板上的像素界定层和发光层,其特征在于,所述像素界定层包括:设置在所述基板上的第一像素界定层,和设置在所述第一像素界定层上的第二像素界定层;其中,所述第一像素界定层包括界定子像素发光区域的多个第一开口区域,所述发光层设置在所述第一开口区域;所述第二像素界定层包括界定虚拟像素区域的多个第二开口区域,所述虚拟像素区域包括至少两个相邻同色子像素发光区域;
在所述第一像素界定层与所述第二像素界定层之间还设有第三像素界定层;其中,所述第三像素界定层包括与所述第一开口区域一一对应的多个第三开口区域,所述第三开口区域不大于所述第一开口区域,所述第三像素界定层的材料为亲液性材料,所述第一像素界定层的材料的亲液性优于所述第三像素界定层的材料的亲液性。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第一像素界定层的材料为亲液性材料,所述第二像素界定层的材料为疏液性材料。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第一像素界定层的厚度为400~600nm。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第二像素界定层的厚度为800~2200nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第一开口区域和所述第三开口区域的侧壁呈斜坡状,所述斜坡状侧壁的倾斜角为锐角。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第三像素界定层的厚度为100~200nm。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述虚拟像素区域包括四个同色子像素发光区域,所述四个同色子像素发光区域呈两行两列分布。
8.一种有机电致发光显示面板的制备方法,其特征在于,该方法包括:
在基板上形成第一像素界定层;其中,所述第一像素界定层包括界定子像素发光区域的多个第一开口区域;
在形成有所述第一像素界定层的基板上形成第二像素界定层;其中,所述第二像素界定层包括界定虚拟像素区域的多个第二开口区域,所述虚拟像素区域包括至少两个相邻同色子像素发光区域;
通过喷墨打印设备将包含发光层材料的墨水打印在所述第二开口区域内;
所述墨水经过干燥过程在所述第一开口区域形成发光层;
所述在基板上形成第一像素界定层,具体包括:
在基板上沉积第一像素界定层薄膜;其中,所述第一像素界定层薄膜的材料为亲液性材料;
针对所述第一像素界定层薄膜通过构图工艺形成第一像素界定层;
在沉积第一像素界定层薄膜之后,且在形成第一像素界定层之前,该方法还包括:
在所述第一像素界定层薄膜上沉积第三像素界定层薄膜;其中,所述第三像素界定层薄膜的材料为亲液性材料,所述第一像素界定层薄膜的材料的亲液性优于所述第三像素界定层薄膜的材料的亲液性;
所述针对所述第一像素界定层薄膜通过构图工艺形成第一像素界定层,具体包括:
针对所述第三像素界定层薄膜和所述第一像素界定层薄通过干法刻蚀分别形成第三像素界定层和第一像素界定层;其中,所述第三像素界定层包括与所述第一开口区域一一对应的多个第三开口区域,所述第一像素界定层薄膜/所述第三像素界定层薄膜的刻蚀选择比大于1。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述第一像素界定层的基板上形成第二像素界定层,具体包括:
在形成有所述第一像素界定层的基板上形成第二像素界定层薄膜;其中,所述第二像素界定层薄膜的材料为疏液性材料;
针对所述第二像素界定层薄膜通过构图工艺形成第二像素界定层。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710197847.7A CN106920828B (zh) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 一种有机电致发光显示面板及制备方法 |
US15/816,264 US10461137B2 (en) | 2017-03-29 | 2017-11-17 | Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710197847.7A CN106920828B (zh) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 一种有机电致发光显示面板及制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106920828A CN106920828A (zh) | 2017-07-04 |
CN106920828B true CN106920828B (zh) | 2019-11-05 |
Family
ID=59461571
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710197847.7A Active CN106920828B (zh) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 一种有机电致发光显示面板及制备方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10461137B2 (zh) |
CN (1) | CN106920828B (zh) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108346680B (zh) * | 2017-09-07 | 2019-06-11 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示面板、显示装置及其制作方法 |
CN107706317A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板的制备方法 |
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CN108962936B (zh) * | 2017-12-11 | 2021-03-30 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素界定结构及其制作方法、显示面板 |
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CN110112320B (zh) | 2018-06-22 | 2022-04-26 | 友达光电股份有限公司 | 发光元件 |
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-
2017
- 2017-03-29 CN CN201710197847.7A patent/CN106920828B/zh active Active
- 2017-11-17 US US15/816,264 patent/US10461137B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106920828A (zh) | 2017-07-04 |
US10461137B2 (en) | 2019-10-29 |
US20180286934A1 (en) | 2018-10-04 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |