[go: up one dir, main page]

CN106876331B - Oled显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Oled显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106876331B
CN106876331B CN201710124008.2A CN201710124008A CN106876331B CN 106876331 B CN106876331 B CN 106876331B CN 201710124008 A CN201710124008 A CN 201710124008A CN 106876331 B CN106876331 B CN 106876331B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pixel
common layer
display panel
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710124008.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106876331A (zh
Inventor
杨杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201710124008.2A priority Critical patent/CN106876331B/zh
Priority to US15/520,837 priority patent/US10504973B2/en
Priority to PCT/CN2017/077317 priority patent/WO2018157421A1/zh
Publication of CN106876331A publication Critical patent/CN106876331A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106876331B publication Critical patent/CN106876331B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种OLED显示面板,包括TFT阵列基板以及阵列设置在该TFT阵列基板上的多个阳极,所述TFT阵列基板上覆设有像素定义层,所述像素定义层包括暴露出所述阳极的开口部和用于间隔相邻两个所述阳极的间隔部,所述间隔部中设置有上部开口的凹槽,每一所述开口部对应于一个子像素区域;其中,所述像素定义层上依次设置有第一公共层、第二公共层和阴极层,所述第一公共层和所述第二公共层之间对应于每一子像素区域分别设置有一发光材料单元;所述第一公共层、第二公共层和阴极层在对应于所述凹槽的位置分别具有间隙。本发明还公开了如上所述OLED显示面板的制备方法以及包含该OLED显示面板的显示装置。

Description

OLED显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及其制备方法,还涉及包含该OLED显示面板的显示装置。
背景技术
OLED(有机电致发光二极管)显示装置具有自发光、广视角、发光效率高、功耗低、响应时间快、低温特性好、制造工艺简单、成本低等特性。柔性OLED显示装置以其重量轻、可弯曲、便于携带的优点,给可穿戴式设备的应用带来深远的影响,未来柔性OLED显示装置将随着个人智能终端的不断渗透而得到更加广泛的应用。
OLED显示装置的核心部件是OLED显示面板,OLED显示面板的结构通常包括:TFT阵列基板以及依次制作于TFT基板上的阳极层、像素定义层、第一公共层、发光层、第二公共层以及阴极层。阳极层包括多个阵列排布的阳极,像素定义层包含多个与阳极一一对应的像素开口;第一公共层将像素定义层和阳极层完全覆盖(在结构层内连续一整面覆盖),第一公共层可以包含多个子功能层;发光层包含多个与像素开口一一对应的发光单元,发光单元位于像素开口内;第二公共层将发光层和第一公共层完全覆盖(在结构层内连续一整面覆盖),第一公共层可以包含多个子功能层;阴极层覆盖于第二公共层之上。
OLED显示面板的工作原理是在阳极和阴极之间电场的作用下,空穴通过第一公共层传输到发光层,电子通过第二公共层传输到发光层,空穴和电子在发光层之内复合进而发光。OLED显示面板通常是由R、G、B三原色的混合来实现不同色彩的显示效果,因此OLED显示面板的一个像素通常包含R、G、B三个发光单元,通常地,每一个像素的R、G、B三个发光单元能够通过驱动电路单独控制,具体地,R、G、B三个发光单元的阴极层是共用的,阳极则是相互独立的,通过控制每一发光单元对应的阳极,可以实现每一发光单元的单独驱动。
随着显示面板分辨率的提高,单位面积内发光单元的个数也在不断增加,导致发光单元之间的间隔距离不断减小,R、G、B三个发光单元的发光层材料不同,其启亮电压也有差异。如上所述的现有的OLED显示面板的结构中,由于相邻的发光单元的第一公共层连通,并且为了提高分辨率,发光单元之间距离很小,当点亮其中一个发光单元(目标发光单元)时,少量空穴可以通过第一公共层注入到相邻的发光单元中,在相邻的发光单元中与电子复合进而发光,由此导致目标发光单元的发光不纯,这种发光现象称为泄露发光现象,少量空穴泄漏形成的电流叫泄露电流。
当在高电流下点亮目标发光单元时,有少量的空穴能够使得相邻的发光单元发光,但亮度相对很弱,会被目标发光单元发出的强光掩盖,人眼无法识别,此时漏光现象的影响较小。但是在低电流下点亮目标发光单元时,由于目标发光单元发出的光也较弱,此时漏光现象的表现比较明显,由此降低了OLED显示面板的显示效果。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足,本发明提供了一种OLED显示面板及其制备方法,该OLED显示面板可以有效地消除相邻两个子像素之间的漏光现象,提高OLED显示面板的显示品质。
为了达到上述的目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种OLED显示面板,包括TFT阵列基板以及阵列设置在该TFT阵列基板上的多个阳极,其中,所述TFT阵列基板上覆设有像素定义层,所述像素定义层包括暴露出所述阳极的开口部和用于间隔相邻两个所述阳极的间隔部,所述间隔部中设置有上部开口的凹槽,每一所述开口部对应于一个子像素区域;其中,所述像素定义层上依次设置有第一公共层、第二公共层和阴极层,所述第一公共层和所述第二公共层之间对应于每一子像素区域分别设置有一发光材料单元;所述第一公共层、第二公共层和阴极层在对应于所述凹槽的位置分别具有间隙,以使所述第一公共层、第二公共层和阴极层在相邻的两个子像素区域之间被隔断。
其中,所述凹槽的上部开口的宽度为2μm以上。
其中,所述凹槽的深度大于所述第一公共层、第二公共层以及阴极层的总厚度。
其中,所述凹槽的截面为梯形,所述凹槽的上部开口的宽度小于底面的宽度。
其中,所述像素定义层的材料为不导电的有机材料或无机材料。
其中,每一子像素区域分别对应于红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素,所述红色子像素中的发光材料单元为可发出红色光的发光材料单元,所述绿色子像素中的发光材料单元为可发出绿色光的发光材料单元,所述蓝色子像素中的发光材料单元为可发出蓝色光的发光材料单元。
其中,所述第一公共层包括按照远离所述阳极的方向依次设置的空穴注入层和空穴传输层,所述第二公共层包括按照远离所述阴极层的方向依次设置的电子注入层和电子传输层。
本发明还提供了如上所述的OLED显示面板的制备方法,其包括:提供一TFT阵列基板并在该TFT阵列基板上制备阵列分布的多个阳极;在所述TFT阵列基板上制备像素定义层薄膜;应用刻蚀工艺,将所述像素定义层薄膜刻蚀形成具有开口部和间隔部以及在间隔部中形成凹槽的像素定义层;在所述像素定义层上依次沉积第一公共层、发光材料单元、第二公共层以及阴极层;其中,在对应于所述凹槽的位置,所述第一公共层、第二公共层以及阴极层沉积在所述凹槽内,所述第一公共层、第二公共层和阴极层在对应于所述凹槽的位置分别形成间隙。
其中,应用真空蒸镀工艺在所述像素定义层上依次沉积第一公共层、发光材料层、第二公共层以及阴极层。
本发明的另一方面是提供一种显示装置,其包括驱动单元和如上所述的OLED显示面板,所述驱动单元向所述OLED显示面板提供驱动信号以使所述OLED显示面板显示画面。
相比于现有技术,本发明实施例提供的OLED显示面板及其制备方法,该OLED显示面板中,相邻的两个子像素区域之间具有间隙,减小了空穴在相邻的两个子像素区域之间相互泄漏,可以有效地消除相邻两个子像素之间的漏光现象,提高OLED显示面板的显示品质。
附图说明
图1是本发明实施例提供的OLED显示面板的结构示意图;
图2是本发明实施例中的位于TFT阵列基板上的像素定义层的结构示意图;
图3是本发明实施例中的第一公共层的结构示意图;
图4是本发明实施例中的第二公共层的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的OLED显示面板的制备方法的工艺流程图;
图6是本发明实施例提供的制备方法中,在沉积第一公共层、第二公共层以及阴极层后得到的器件结构的示例性图示;
图7是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。这些优选实施方式的示例在附图中进行了例示。附图中所示和根据附图描述的本发明的实施方式仅仅是示例性的,并且本发明并不限于这些实施方式。
在此,还需要说明的是,为了避免因不必要的细节而模糊了本发明,在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤,而省略了与本发明关系不大的其他细节。
本实施例首先提供了一种OLED显示面板,如图1所示,所述OLED显示面板包括TFT阵列基板1以及依次设置在TFT阵列基板1上的多个功能层,这些功能层包括阳极层(包括阵列设置的多个阳极2)、像素定义层3、第一公共层4、发光材料层(Emissive Layer,EML,如图1中包括一一对应位于每一个阳极2上方发光材料单元5)、第二公共层6以及阴极层7。
其中,参阅图1和图2,所述像素定义层3覆设在所述TFT阵列基板1上,所述像素定义层3包括暴露出所述阳极2的开口部31和用于间隔相邻两个所述阳极2的间隔部32,所述间隔部32中设置有上部开口的凹槽321,每一所述开口部31对应于一个子像素区域R、G、B。所述第一公共层4、第二公共层6和阴极层7在对应于所述凹槽321的位置分别具有间隙8,以使所述第一公共层4、第二公共层6和阴极层7在相邻的两个子像素区域之间(例如子像素区域R和G之间)被隔断。由此,由于相邻两个子像素之间存在间隙8,第一公共层4被隔断,其减小了空穴在相邻的两个子像素区域之间相互泄漏,可以有效地消除相邻两个子像素之间的漏光现象,提高OLED显示面板的显示品质。
其中,如图2所示,为了更好地阻止空穴在相邻的两个子像素区域之间相互泄漏,所述凹槽321的上部开口的宽度D1优选为2μm以上。进一步地,在本实施例中,所述凹槽321的截面为梯形,所述凹槽321的上部开口的宽度D1小于底面的宽度D2。
其中,所述凹槽321的深度设置为大于所述第一公共层4、第二公共层6以及阴极层7的总厚度。由此,在沉积制备第一公共层4、第二公共层6以及阴极层7的工艺过程中,对应所述凹槽321位置的第一公共层4、第二公共层6以及阴极层7可以完全掉落到所述凹槽321中,使得第一公共层4可以更好地被隔断,更好地阻止空穴在相邻的两个子像素区域之间相互泄漏。
具体地,在所述OLED显示面板中,如图1所示,每一子像素区域分别对应于红色子像素R、绿色子像素G或蓝色子像素B,依次排列的红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B构成一个像素单元。其中,所述红色子像素R中的发光材料单元5为可发出红色光的发光材料单元,所述绿色子像素G中的发光材料单元5为可发出绿色光的发光材料单元,所述蓝色子像素B中的发光材料单元5为可发出蓝色光的发光材料单元。每个像素单元由红色子像素R、绿色子像素G和蓝色子像素B发出的R、G、B三原色的混合来实现不同色彩的显示效果。
其中,所述第一公共层4和所述第二公共层6可以是由一层材料层构成,也可以是两层或以上的材料层构成。具体地,本实施例中,如图4所示,所述第一公共层4包括空穴注入层41和空穴传输层42,所述空穴注入层41和空穴传输层42按照远离所述阳极2的方向依次叠层设置,所述空穴注入层41和空穴传输层42的功能相近,可以统称为空穴传输功能层(Hole Transport Layer,HTL)。如图5所示,所述第二公共层6包括电子注入层61和电子传输层62,所述电子注入层61和电子传输层62按照远离所述阴极层7的方向依次叠层设置,所述电子注入层61和电子传输层62的功能相近,可以统称为电子传输功能层(ElectronTransport Layer,ETL)。
下面介绍图上所述的OLED显示面板的制备方法,如图6所示,该方法包括步骤:
S1、提供一TFT阵列基板1并在该TFT阵列基板1上制备阵列分布的多个阳极3。
S2、在所述TFT阵列基板1上制备像素定义层薄膜。所述像素定义层薄膜连续地覆盖TFT阵列基板1以及TFT阵列基板上的多个阳极2。所述像素定义层薄膜采用不导电材料制备获得,可以是不导电的有机材料或无机材料。
S3、应用刻蚀工艺,将所述像素定义层薄膜刻蚀形成具有开口部31和间隔部32以及在间隔部32中形成凹槽321的像素定义层3。其中,对应于每一个阳极2设置有一个开口部31,所述阳极2从所述开口部31暴露出;所述间隔部32用于间隔相邻两个所述阳极2。
S4、在所述像素定义层3上依次沉积第一公共层4、发光材料单元5、第二公共层6以及阴极层7。其中,参阅图7,在对应于所述凹槽321的位置,所述第一公共层4、第二公共层6以及阴极层7沉积在所述凹槽321内,由此,所述第一公共层4、第二公共层6和阴极层7在对应于所述凹槽321的位置分别形成间隙8。具体地,可以应用真空蒸镀工艺在所述像素定义层3上依次沉积第一公共层4、发光材料层5、第二公共层6以及阴极层7。需要说明的是,所述第一公共层4、第二公共层6以及阴极层7沉积在所述凹槽321内的部分,可以是直接保留在所述凹槽321内,也可以通过其他的一些工艺去除。在另外的一些实施例中,还可以向所述间隙8和所述凹槽321填充绝缘材料。
本实施例还提供了一种显示装置,如图7所示,所述显示装置包括驱动单元200和显示面板100,所述驱动单元200向所述显示面板100提供驱动信号以使所述显示面板100显示画面。其中,所述显示面板100采用了本发明如上实施例所提供的OLED显示面板。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种OLED显示面板,包括TFT阵列基板以及阵列设置在该TFT阵列基板上的多个阳极,其特征在于,所述TFT阵列基板上覆设有像素定义层,所述像素定义层包括暴露出所述阳极的开口部和用于间隔相邻两个所述阳极的间隔部,所述间隔部中设置有上部开口的凹槽,每一所述开口部对应于一个子像素区域;其中,
所述像素定义层上依次设置有第一公共层、第二公共层和阴极层,所述第一公共层和所述第二公共层之间对应于每一子像素区域分别设置有一发光材料单元;
所述第一公共层、第二公共层和阴极层在对应于所述凹槽的位置分别具有间隙,以使所述第一公共层、第二公共层和阴极层在相邻的两个子像素区域之间被隔断,所述凹槽的截面为梯形,所述凹槽的上部开口的宽度小于底面的宽度。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽的上部开口的宽度为2μm以上。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述凹槽的深度大于所述第一公共层、第二公共层以及阴极层的总厚度。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述像素定义层的材料为不导电的有机材料或无机材料。
5.根据权利要求1-4任一所述的OLED显示面板,其特征在于,每一子像素区域分别对应于红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素,所述红色子像素中的发光材料单元为可发出红色光的发光材料单元,所述绿色子像素中的发光材料单元为可发出绿色光的发光材料单元,所述蓝色子像素中的发光材料单元为可发出蓝色光的发光材料单元。
6.根据权利要求1-4任一所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一公共层包括按照远离所述阳极的方向依次设置的空穴注入层和空穴传输层,所述第二公共层包括按照远离所述阴极层的方向依次设置的电子注入层和电子传输层。
7.一种如权利要求1-6任一所述OLED显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一TFT阵列基板并在该TFT阵列基板上制备阵列分布的多个阳极;
在所述TFT阵列基板上制备像素定义层薄膜;
应用刻蚀工艺,将所述像素定义层薄膜刻蚀形成具有开口部和间隔部以及在间隔部中形成凹槽的像素定义层;
在所述像素定义层上依次沉积第一公共层、发光材料单元、第二公共层以及阴极层;其中,在对应于所述凹槽的位置,所述第一公共层、第二公共层以及阴极层沉积在所述凹槽内,所述第一公共层、第二公共层和阴极层在对应于所述凹槽的位置分别形成间隙。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,应用真空蒸镀工艺在所述像素定义层上依次沉积第一公共层、发光材料单元、第二公共层以及阴极层。
9.一种显示装置,其特征在于,包括驱动单元和如权利要求1-6任一所述OLED显示面板,所述驱动单元向所述OLED显示面板提供驱动信号以使所述OLED显示面板显示画面。
CN201710124008.2A 2017-03-03 2017-03-03 Oled显示面板及其制备方法、显示装置 Active CN106876331B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710124008.2A CN106876331B (zh) 2017-03-03 2017-03-03 Oled显示面板及其制备方法、显示装置
US15/520,837 US10504973B2 (en) 2017-03-03 2017-03-20 OLED display panel and manufacturing method and display device thereof
PCT/CN2017/077317 WO2018157421A1 (zh) 2017-03-03 2017-03-20 Oled显示面板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710124008.2A CN106876331B (zh) 2017-03-03 2017-03-03 Oled显示面板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106876331A CN106876331A (zh) 2017-06-20
CN106876331B true CN106876331B (zh) 2019-11-22

Family

ID=59170985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710124008.2A Active CN106876331B (zh) 2017-03-03 2017-03-03 Oled显示面板及其制备方法、显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10504973B2 (zh)
CN (1) CN106876331B (zh)
WO (1) WO2018157421A1 (zh)

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10651412B2 (en) 2017-06-21 2020-05-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel to reduce light leakage and method for manufacturing the same, and display device
CN107293572B (zh) * 2017-06-21 2020-09-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN107346778A (zh) * 2017-07-07 2017-11-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Woled显示面板以及显示装置
CN112242494A (zh) 2017-07-12 2021-01-19 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
CN107331791B (zh) 2017-07-20 2019-01-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制备方法、有机发光显示装置
KR101948898B1 (ko) * 2017-09-29 2019-02-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102010803B1 (ko) * 2017-12-29 2019-09-20 엘지디스플레이 주식회사 발광 디스플레이 장치
CN108258147B (zh) 2018-01-17 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 Oled基板及其封装方法、显示装置
CN108231861B (zh) * 2018-01-29 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN108305891A (zh) * 2018-02-12 2018-07-20 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
FR3079909B1 (fr) * 2018-04-05 2022-10-14 Microoled Dispositif electroluminescent a resolution et fiabilite ameliorees
CN110164909B (zh) * 2018-04-24 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN108649057B (zh) * 2018-05-14 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN109994648B (zh) * 2018-06-22 2021-06-04 友达光电股份有限公司 显示面板及其制作方法
CN108878491B (zh) 2018-06-29 2021-04-20 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其有机发光显示装置
CN108807494B (zh) 2018-07-06 2021-09-14 云谷(固安)科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN108962954B (zh) * 2018-07-23 2021-01-26 云谷(固安)科技有限公司 有机发光显示屏及其制作方法、以及显示装置
CN109065596B (zh) * 2018-08-17 2022-07-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN109166900B (zh) 2018-09-04 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法
CN109616580B (zh) 2018-10-23 2020-06-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102625413B1 (ko) * 2018-10-29 2024-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102757186B1 (ko) * 2018-10-29 2025-01-17 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
KR102793800B1 (ko) * 2019-01-21 2025-04-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020150925A1 (zh) * 2019-01-23 2020-07-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN110085553B (zh) * 2019-04-22 2021-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled阵列基板及其制作方法
CN209626221U (zh) * 2019-05-17 2019-11-12 北京京东方技术开发有限公司 一种oled显示面板及显示装置
CN110212111B (zh) * 2019-05-30 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制作方法、显示面板、显示装置
CN110379839B (zh) * 2019-07-24 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示基板的制作方法及显示装置
CN110783382A (zh) * 2019-08-30 2020-02-11 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110649078B (zh) * 2019-09-30 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示用基板及显示装置
CN110993658A (zh) * 2019-11-28 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 双面oled显示面板及制备方法
CN110890477B (zh) * 2019-11-29 2022-04-19 昆山国显光电有限公司 透光显示面板及其制作方法、显示面板
CN112928139A (zh) * 2019-12-05 2021-06-08 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN111192904A (zh) * 2020-01-06 2020-05-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板
CN111463356B (zh) * 2020-04-20 2022-08-09 昆山国显光电有限公司 一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置
CN111599851B (zh) * 2020-06-02 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20210152058A (ko) * 2020-06-04 2021-12-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN111710704B (zh) * 2020-06-29 2022-11-15 云谷(固安)科技有限公司 显示面板以及显示装置
CN111710792B (zh) * 2020-06-30 2023-05-02 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
CN111722761A (zh) * 2020-07-14 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示装置
KR20220020166A (ko) * 2020-08-11 2022-02-18 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112002817B (zh) * 2020-08-25 2022-09-09 视涯科技股份有限公司 一种有机发光显示面板
CN111930264B (zh) * 2020-09-15 2023-12-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种触控显示面板和触控显示装置
CN112349760B (zh) * 2020-10-27 2023-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN114698400A (zh) 2020-10-29 2022-07-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112397668A (zh) * 2020-11-17 2021-02-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
JP7657597B2 (ja) 2021-01-21 2025-04-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN112838173B (zh) * 2021-01-25 2022-08-26 合肥京东方卓印科技有限公司 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法
CN117280870A (zh) * 2021-03-08 2023-12-22 株式会社日本显示器 显示装置
CN113053975A (zh) * 2021-03-11 2021-06-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113314579B (zh) * 2021-05-26 2022-11-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN113421904B (zh) * 2021-06-18 2024-02-13 合肥维信诺科技有限公司 显示面板及其制作方法
CN113540194B (zh) * 2021-07-12 2022-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113629214B (zh) * 2021-08-06 2023-12-26 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN113644211B (zh) * 2021-08-12 2023-10-31 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113903782A (zh) * 2021-09-29 2022-01-07 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN114121899B (zh) * 2021-11-01 2025-02-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板和oled显示装置
US20240251633A1 (en) * 2022-01-14 2024-07-25 Yunnan Invensight Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display apparatus
CN114639712B (zh) * 2022-03-31 2024-12-06 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及其制作方法及电子设备
WO2023226028A1 (zh) * 2022-05-27 2023-11-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN115498126A (zh) * 2022-09-14 2022-12-20 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示面板制备方法
CN115666173A (zh) * 2022-11-15 2023-01-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN115915848A (zh) * 2022-11-30 2023-04-04 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR20240100544A (ko) * 2022-12-22 2024-07-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
US20240315086A1 (en) * 2023-03-16 2024-09-19 Applied Materials, Inc. Oled panel with separate overhangs
CN117460280A (zh) * 2023-04-19 2024-01-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN117082914B (zh) * 2023-08-31 2024-07-19 惠科股份有限公司 显示面板、显示面板的制造方法及电子装置
CN117170127A (zh) * 2023-08-31 2023-12-05 惠科股份有限公司 显示模组及显示装置
CN117812947B (zh) * 2023-12-27 2024-11-22 惠科股份有限公司 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1868239A (zh) * 2003-10-16 2006-11-22 先锋株式会社 有机电致发光显示板
CN104659070A (zh) * 2015-03-13 2015-05-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100943948B1 (ko) * 2008-01-08 2010-02-26 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치
JP4991634B2 (ja) * 2008-06-09 2012-08-01 キヤノン株式会社 有機el発光装置
KR20140143629A (ko) * 2013-06-07 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102105077B1 (ko) * 2013-07-01 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN103413819B (zh) * 2013-07-22 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板、像素界定层及其制作方法
KR102109741B1 (ko) * 2013-10-02 2020-05-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
CN104638016A (zh) * 2015-01-28 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
KR102418009B1 (ko) * 2015-06-25 2022-07-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102351378B1 (ko) * 2015-07-20 2022-01-20 삼성디스플레이 주식회사 점착제 조성물 및 표시장치
KR102404648B1 (ko) * 2015-09-21 2022-05-31 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN105895664B (zh) 2016-05-31 2019-08-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、制作方法以及电子设备
CN105968104A (zh) * 2016-07-20 2016-09-28 深圳市华星光电技术有限公司 发光材料及其制备方法与使用该发光材料的有机发光二极管

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1868239A (zh) * 2003-10-16 2006-11-22 先锋株式会社 有机电致发光显示板
CN104659070A (zh) * 2015-03-13 2015-05-27 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10504973B2 (en) 2019-12-10
US20180301521A1 (en) 2018-10-18
CN106876331A (zh) 2017-06-20
WO2018157421A1 (zh) 2018-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106876331B (zh) Oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN107293572B (zh) Oled显示面板及其制备方法
EP3229223B1 (en) Organic light emitting display device
EP3236463B1 (en) Organic light emitting display device
KR101663564B1 (ko) 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
KR100823511B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR101826432B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US11239282B2 (en) Pixel structure and fabrication method thereof, display substrate and display apparatus
US20070024183A1 (en) Full-color organic electroluminescence panel with high resolution
JP2010262920A (ja) 有機発光ディスプレイ装置
EP3279944B1 (en) Electroluminescent display and display device
US10651412B2 (en) OLED display panel to reduce light leakage and method for manufacturing the same, and display device
KR20090017910A (ko) 쉐도우 마스크 및 이를 이용한 유기 전계발광소자의제조방법
WO2018188153A1 (zh) Woled显示装置
WO2014203632A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP5410618B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US20100252841A1 (en) Oled device having improved lifetime and resolution
CN105161511B (zh) 一种有机发光显示器件和其制造方法
CN110246871A (zh) 一种显示面板、显示设备及其制备方法
US10930711B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, display device
CN108878495B (zh) 显示面板、其制造方法及显示装置
CN110600519B (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN112701237A (zh) 显示面板及其制备方法
KR20170042415A (ko) 유기발광소자 표시장치
US20220006047A1 (en) Oled panel

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant