CN106816359B - 晶片加工方法 - Google Patents
晶片加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106816359B CN106816359B CN201510870094.2A CN201510870094A CN106816359B CN 106816359 B CN106816359 B CN 106816359B CN 201510870094 A CN201510870094 A CN 201510870094A CN 106816359 B CN106816359 B CN 106816359B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- processing method
- reaction chamber
- channel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 42
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 76
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 11
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract description 9
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 75
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供的晶片加工方法，其使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，该半导体加工设备包括反应腔室，在该反应腔室内设置有用于承载晶片的承载装置；双通道进气喷嘴设置在反应腔室的顶部，且位于承载装置的上方，并且双通道进气喷嘴包括中心通道和环绕在中心通道周围的环形通道，晶片加工方法包括：工艺步骤，对晶片进行加工工艺，且在进行加工工艺时通过环形通道向反应腔室内输送工艺气体；吹扫步骤，在工艺步骤之前和/或之后，通过中心通道朝向晶片表面输送吹扫气体。本发明提供的晶片加工方法，其不仅可以有效去除在晶片表面上残留的冷凝颗粒，而且还可以去除反应腔室内产生的氢卤酸等的工艺残气。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体地，涉及一种晶片加工方法。
背景技术
等离子加工设备广泛地应用于集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中，其利用射频电源将工艺气体激发为高能等离子体，并与晶片表面进行反应，从而完成刻蚀工艺。
图1为现有的等离子体加工设备的结构示意图。请参阅图1，等离子体加工设备包括四个反应腔室(PM1～PM4)、传输腔室TM、两个过渡腔室(LLA和LLB)以及EFEM腔室。其中，四个反应腔室(PM1～PM4)用于先后或同时完成等离子体刻蚀工艺；传输腔室TM用于在各个腔室之间传递晶片；两个过渡腔室(LLA和LLB)用于完成晶片在大气与真空状态之间的转换，EFEM腔室用于存放晶片，同时为晶片提供微环境，使EFEM内部产生从上到下的均匀气流，从而避免晶片受到颗粒的污染。但是，由于四个反应腔室(PM1～PM4)处于大气环境中，其大气端零部件在工艺气体的作用下被氢卤酸腐蚀，并产生颗粒，这些颗粒若落在晶片表面上会导致晶片产生缺陷。此外，在刻蚀结束后，会有卤素元素的气体或化合物残留在晶片表面，并在大气中发生冷凝反应，形成呈水滴状的冷凝颗粒(Condensation defect)，其不规则地分布在晶圆表面，严重影响刻蚀产品的良率。
为此，现有的一种去除颗粒的方法是在刻蚀工艺前后，通过向反应腔室内通入N2或Ar等气体，对晶片表面进行吹扫，从而去除在传输或刻蚀过程中掉落在晶片表面上的颗粒(灰尘或刻蚀副产物)，从而可以避免颗粒对产品良率的影响。
但是，在实际应用中，上述方法仍存在以下问题：
其一，在对晶片表面进行吹扫时，由于通入反应腔室内的N2或Ar等气体会在气流的影响下随机飘动，无法有效地去除反应腔室内产生的氢卤酸等的工艺残气，从而仍然存在大气端零部件被氢卤酸腐蚀污染的问题，只能依靠频繁的清洁保养来减轻晶片因该问题产生的缺陷，从而造成设备的保养周期较短。
其二，上述方法无法有效地去除晶片表面上的冷凝颗粒，从而无法保证刻蚀产品的良率。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种晶片加工方法，其不仅可以有效去除在晶片表面上残留的冷凝颗粒，而且还可以去除反应腔室内产生的氢卤酸等的工艺残气，从而可以减少晶片缺陷，提高产品良率，同时延长半导体加工设备的保养周期。
为实现本发明的目的而提供一种晶片加工方法，使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，所述半导体加工设备包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载晶片的承载装置；所述双通道进气喷嘴设置在所述反应腔室的顶部，且位于所述承载装置的上方，并且所述双通道进气喷嘴包括中心通道和环绕在所述中心通道周围的环形通道，所述晶片加工方法包括：
工艺步骤，对晶片进行加工工艺，且在进行所述加工工艺时通过所述环形通道向所述反应腔室内输送工艺气体；
吹扫步骤，在所述工艺步骤之前和/或之后，通过所述中心通道朝向晶片表面输送吹扫气体。
优选的，所述中心通道包括一个或多个进气孔；通过设定所述进气孔的孔径而使经所述进气孔流入所述反应腔室内的吹扫气体的气流速度满足去除晶片表面上的颗粒的要求。
优选的，所述进气孔的孔径的取值范围在1～3mm。
优选的，所述半导体加工设备还包括至少三个顶针和顶针升降机构，其中，所述至少三个顶针用于支撑晶片；所述顶针升降机构用于驱动所述至少三个顶针上升至第一位置或下降至第二位置，所述第一位置为所述顶针的顶端高于所述承载装置用于承载晶片的承载面的位置；所述第二位置为所述顶针的顶端低于所述承载装置用于承载晶片的承载面的位置；所述晶片加工方法包括：
晶片升起步骤，在所述工艺步骤之前和/或之后，且在所述吹扫步骤之前，利用所述顶针升降机构驱动所述顶针上升至所述第一位置，以将置于所述承载装置上的晶片托起。
优选的，在所述吹扫步骤中，根据不同的加工工艺，设定所述吹扫气体的气体种类组合、气体流量、所述反应腔室的压力和吹扫时间中的至少一个参数，以有效去除晶片表面上的颗粒。
优选的，所述吹扫气体的气体种类组合包括一种惰性气体或者不同种惰性气体的组合。
优选的，所述惰性气体包括氮气或氩气。
优选的，所述气体流量的取值范围在100～200sccm。
优选的，所述反应腔室的压力的取值范围在40～150mT。
优选的，所述吹扫时间的取值范围在4～10s。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的晶片加工方法，其使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，且在工艺步骤之前和/或之后进行吹扫步骤，且该吹扫步骤是使双通道进气喷嘴的中心通道对晶片表面输送吹扫气体。由于双通道进气喷嘴的中心通道这一特殊结构，其可以提高吹扫气体的流速，从而可以有效去除在晶片表面上残留的冷凝颗粒，进而可以提高产品良率。而且，由于进入反应腔室内的吹扫气体不会出现随机流动情况，因此，可以实现高效地去除反应腔室内产生的氢卤酸等的工艺残气，进而可以缓解大气端零部件被氢卤酸腐蚀污染的问题，从而可以减少晶片缺陷，提高产品良率，同时延长半导体加工设备的保养周期。
附图说明
图1为现有的等离子体加工设备的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的晶片加工方法使用的半导体加工设备的剖视图；
图3为图2中半导体加工设备的双通道进气喷嘴的剖视图；以及
图4为本发明实施例提供的晶片加工方法的流程框图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的晶片加工方法进行详细描述。
本发明实施例提供的晶片加工方法，其使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备对晶片进行加工。图2为本发明实施例提供的晶片加工方法使用的半导体加工设备的剖视图。请参阅图2，半导体加工设备包括反应腔室1，且在反应腔室1内设置有用于承载晶片4的承载装置2，例如静电卡盘、机械卡盘或者基座等等。双通道进气喷嘴设置在反应腔室1的顶部，且位于承载装置2的上方，图3为图2中半导体加工设备的双通道进气喷嘴的剖视图，如图3所示，该进气喷嘴包括中心通道6和环绕在该中心通道6周围的环形通道5。中心通道6和环形通道5彼此间隔，可独立地向反应腔室1内输送气体。
图4为本发明实施例提供的晶片加工方法的流程框图。请参阅图4，在使用上述半导体加工设备的前提下，本发明实施例提供的晶片的加工方法包括：
工艺步骤，对晶片进行加工工艺，且在进行加工工艺时通过环形通道5和/或中心通道6向反应腔室1内输送工艺气体。
吹扫步骤，在完成工艺步骤之后，通过中心通道6朝向晶片表面输送吹扫气体。
在工艺步骤中，单独利用环形通道5向反应腔室1内输送工艺气体，这不仅可以获得更加均匀的等离子体分布，而且可以使工艺步骤和吹扫步骤分别使用不同的通道向反应腔室1内输送气体，切换过程简单，切换效率较高。在实际应用中，可以通过两个气动隔膜阀等的通断开关单独控制环形通道5和中心通道6的通断。
由图3可知，中心通道6采用细长孔结构，该结构可以使自其流出的气体具有较高的流速，而且该中心通道6的出气端位于晶片4的上方，可以自上而下地喷出气体，从而借助该中心通道6，可以使进入反应腔室1内的气体具有高速、方向性的特点。由此，通过在吹扫步骤中使用中心通道6，可以起到较好的吹扫效果，从而可以有效去除在晶片表面上残留的冷凝颗粒，进而可以提高产品良率。而且，由于进入反应腔室1内的吹扫气体不会出现随机流动情况，因此，可以实现高效地去除反应腔室1内产生的氢卤酸等的工艺残气，进而可以缓解大气端零部件被氢卤酸腐蚀污染的问题，从而可以减少晶片缺陷，提高产品良率，同时延长半导体加工设备的保养周期。上述吹扫气体的气体种类组合包括一种惰性气体或者不同种惰性气体的组合。其中，惰性气体包括氮气或氩气等等。
在本实施例中，中心通道6由单个进气孔构成，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，中心通道6还可以由多个进气孔构成，用以在吹扫步骤中同时向反应腔室内输送吹扫气体。而且，通过设定上述进气孔的孔径，可以对吹扫气体的气流速度进行调节，从而使经各个进气孔流入反应腔室1内的吹扫气体的气流速度满足去除晶片表面上的颗粒的要求。优选的，进气孔的孔径的取值范围在1～3mm。除此之外，在实际应用中，还可以通过在与双通道进气喷嘴连接的气体管路上设置MFC(质量流量器)，来控制流入中心通道6的吹扫气体的气体流量。
在吹扫步骤中，可以根据不同的加工工艺，设定吹扫气体的气体种类组合、气体流量、反应腔室的压力和吹扫时间中的至少一个参数，从而可以有针对性地去除完成不同的加工工艺之后，在晶片表面上残留的颗粒。例如，针对刻蚀工艺，在晶片表面上形成的呈水滴状的冷凝颗粒(Condensation defect)，以及因大气端零部件被氢卤酸腐蚀污染而在晶片表面上形成的氢卤酸颗粒。优选的，吹扫气体的气体流量的取值范围在100～200sccm。反应腔室的压力的取值范围在40～150mT。在该气体流量和腔室压力的条件下，不会对晶片产生影响。吹扫时间的取值范围在4～10s，在该范围内可以在保证产能的前提下，有效地去除晶片表面上的颗粒。
优选的，在本发明实施例提供的晶片加工方法中，还可以利用半导体加工设备中的顶针和顶针升降机构对晶片4的下表面进行吹扫。具体地，如图2所示，半导体加工设备还包括至少三个顶针3和顶针升降机构(图中未示出)，其中，至少三个顶针3用于支撑晶片4；顶针升降机构用于驱动至少三个顶针3上升至第一位置或下降至第二位置，其中，第一位置为顶针3的顶端高于承载装置2用于承载晶片的承载面的位置，如图2中顶针3的位置。第二位置为顶针3的顶端低于承载装置用于承载晶片的承载面的位置。
利用上述顶针和顶针升降机构，本发明实施例提供的晶片加工方法还包括：
晶片升起步骤，即，在工艺步骤之后，且在吹扫步骤之前，利用顶针升降机构驱动顶针3上升至第一位置，以将置于承载装置2上的晶片4托起。
这样，在后续进行吹扫步骤时，由于晶片4的下表面暴露在反应腔室1的环境中，反应腔室1中的气流会对晶片4的下表面进行吹扫，从而可以去除粘附在晶片4的下表面上的颗粒。
需要说明的是，在本实施例中，仅在完成工艺步骤之后，进行吹扫步骤，或者先后进行晶片升起步骤和吹扫步骤。但是本发明并不局限于此，在实际应用中，也可以仅在工艺步骤之前，进行吹扫步骤，或者先后进行晶片升起步骤和吹扫步骤。或者，还可以同时在工艺步骤之前和之后，均进行吹扫步骤，或者均先后进行晶片升起步骤和吹扫步骤。
还需要说明的是，本发明提供的晶片加工方法是利用现有的具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，除了根据不同加工工艺的需要，可以对中心通道6的进气孔数量和孔径进行调整之外，未对该设备进行硬件升级改造，从而可以在有效去除晶片表面颗粒的同时，节省硬件升级改造的成本。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种晶片加工方法，其特征在于，使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，所述半导体加工设备包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载晶片的承载装置；所述双通道进气喷嘴设置在所述反应腔室的顶部，且位于所述承载装置的上方，并且所述双通道进气喷嘴包括中心通道和环绕在所述中心通道周围的环形通道，所述晶片加工方法包括：
工艺步骤，对晶片进行加工工艺，且在进行所述加工工艺时通过所述环形通道向所述反应腔室内输送工艺气体；
吹扫步骤，在所述工艺步骤之前和/或之后，通过所述中心通道朝向晶片表面输送吹扫气体；其中，
所述中心通道包括一个或多个进气孔；通过设定所述进气孔的孔径而使经所述进气孔流入所述反应腔室内的吹扫气体的气流速度满足去除晶片表面上的颗粒的要求。
2.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，所述进气孔的孔径的取值范围在1～3mm。
3.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，所述半导体加工设备还包括至少三个顶针和顶针升降机构，其中，所述至少三个顶针用于支撑晶片；所述顶针升降机构用于驱动所述至少三个顶针上升至第一位置或下降至第二位置，所述第一位置为所述顶针的顶端高于所述承载装置用于承载晶片的承载面的位置；所述第二位置为所述顶针的顶端低于所述承载装置用于承载晶片的承载面的位置；
所述晶片加工方法包括：
晶片升起步骤，在所述工艺步骤之前和/或之后，且在所述吹扫步骤之前，利用所述顶针升降机构驱动所述顶针上升至所述第一位置，以将置于所述承载装置上的晶片托起。
4.根据权利要求1所述的晶片加工方法，其特征在于，在所述吹扫步骤中，根据不同的加工工艺，设定所述吹扫气体的气体种类组合、气体流量、所述反应腔室的压力和吹扫时间中的至少一个参数，以有效去除晶片表面上的颗粒。
5.根据权利要求4所述的晶片加工方法，其特征在于，所述吹扫气体的气体种类组合包括一种惰性气体或者不同种惰性气体的组合。
6.根据权利要求5所述的晶片加工方法，其特征在于，所述惰性气体包括氮气或氩气。
7.根据权利要求4所述的晶片加工方法，其特征在于，所述气体流量的取值范围在100～200sccm。
8.根据权利要求4所述的晶片加工方法，其特征在于，所述反应腔室的压力的取值范围在40～150mT。
9.根据权利要求4所述的晶片加工方法，其特征在于，所述吹扫时间的取值范围在4～10s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510870094.2A CN106816359B (zh) | 2015-12-02 | 2015-12-02 | 晶片加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510870094.2A CN106816359B (zh) | 2015-12-02 | 2015-12-02 | 晶片加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106816359A CN106816359A (zh) | 2017-06-09 |
| CN106816359B true CN106816359B (zh) | 2020-06-19 |
Family
ID=59107486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510870094.2A Active CN106816359B (zh) | 2015-12-02 | 2015-12-02 | 晶片加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106816359B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109107987A (zh) * | 2017-06-22 | 2019-01-01 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种吹扫方法 |
| KR102126466B1 (ko) * | 2018-09-27 | 2020-06-24 | 크린팩토메이션 주식회사 | 이에프이엠 |
| CN111952139B (zh) * | 2019-05-16 | 2023-11-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体制造设备及半导体制造方法 |
| CN112885745B (zh) * | 2021-01-19 | 2022-04-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 制程设备及制程方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101261929A (zh) * | 2007-01-30 | 2008-09-10 | 应用材料股份有限公司 | 利用晶圆前侧气体净化来去除晶圆后侧聚合物的工艺 |
| CN101728230A (zh) * | 2008-10-17 | 2010-06-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体基片加工方法 |
| JP2013207272A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN106133880A (zh) * | 2014-03-28 | 2016-11-16 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8100081B1 (en) * | 2006-06-30 | 2012-01-24 | Novellus Systems, Inc. | Edge removal of films using externally generated plasma species |
| CN101623680A (zh) * | 2008-07-09 | 2010-01-13 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备 |
-
2015
- 2015-12-02 CN CN201510870094.2A patent/CN106816359B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101261929A (zh) * | 2007-01-30 | 2008-09-10 | 应用材料股份有限公司 | 利用晶圆前侧气体净化来去除晶圆后侧聚合物的工艺 |
| CN101728230A (zh) * | 2008-10-17 | 2010-06-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体基片加工方法 |
| JP2013207272A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN106133880A (zh) * | 2014-03-28 | 2016-11-16 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106816359A (zh) | 2017-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101579507B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| CN106816359B (zh) | 晶片加工方法 | |
| KR101731003B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| CN105695936A (zh) | 预清洗腔室及等离子体加工设备 | |
| US20140000659A1 (en) | Method and apparatus for processing substrate | |
| KR101155535B1 (ko) | 진공처리시스템 | |
| JP2014197592A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP5329099B2 (ja) | プラズマ処理装置及びその運転方法 | |
| CN107424895B (zh) | 一种半导体设备前端处理装置 | |
| KR20100046798A (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법 | |
| CN101170050A (zh) | 反应腔室的清洁方法及保护膜的形成方法及保护用晶片 | |
| CN106191990A (zh) | 一种炉管的进气装置 | |
| CN109817545B (zh) | 半导体晶圆加工系统及加工半导体晶圆的方法 | |
| KR100442580B1 (ko) | 반도체 제조용 챔버의 배기시스템 | |
| CN108847390B (zh) | 一种等离子体刻蚀的方法 | |
| JP2012138540A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2005209668A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101395248B1 (ko) | 노즐 유닛 | |
| KR102119690B1 (ko) | 기판 가열 유닛 | |
| US20060137711A1 (en) | Single-wafer cleaning procedure | |
| KR102030038B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP2012169504A (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
| JP5436763B2 (ja) | 気密モジュール、及び該気密モジュールの排気方法 | |
| JP4987219B2 (ja) | エッチング装置 | |
| KR20140085726A (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 100176 No. 8 Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone Applicant after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, Wenchang Road, No. 8, No. Applicant before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |