CN106710567A - 一种显示驱动装置及方法、移位寄存器和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示驱动装置及方法、移位寄存器和显示装置，其中，所述显示驱动装置，包括时序控制器和移位寄存器，所述移位寄存器包括相连逻辑控制单元和电源切换单元，所述电源切换单元配置有一组以上的高压驱动时钟信号；所述逻辑控制单元用于根据所述时序控制器提供的当前驱动显示的子像素行位置和/或当前温度的信息，控制电源切换单元从所述一组以上的高压驱动时钟信号中选择一组输出，作为所述移位寄存器的高压驱动时钟信号。通过本发明实施例，可以针对不同情况选择合适的高压驱动时钟信号，避免由于充电不足导致的栅向线不良问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种显示驱动装置及方法、移位寄存器和显示装置。
背景技术
近年来，随着半导体科技的蓬勃发展，便携式电子产品及平面显示器产品也随之兴起。而且，薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)液晶显示器由于具有操作电压低、无辐射线散射、重量轻、以及体积小等优点，已逐渐成为各种数据产品的标准输出设备。TFT液晶显示器一般由水平和垂直两个方向排列的像素矩阵构成，TFT液晶显示器进行显示时，通过移位寄存器产生栅极输入信号，从第一行到最后一行依次扫描各行像素。在设计TFT液晶显示器时，需要设计适当的移位寄存器，以保证其稳定工作。
如图1所示，为典型的移位寄存器单元组成示意图，其中输入包括原始信号输入端INPUT、时钟信号CLK、高压驱动时钟信号(高电平为VGH，低电平为VGL)、复位信号RESET和低电压信号输入端VSS，栅极信号生成采用10个薄膜晶体管(M1、M2、M3、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11)和1个自举电容，输出包括一个信号输出端OUTPUT。
通常，移位寄存器是由多级移位寄存器单元串联构成，而前一集移位寄存器单元的输出信号作为后一级移位寄存器的输入信号，如图2所示。
如图3所示，为移位寄存器的内部逻辑示意图，其中，移位寄存器通常包括逻辑电路(Logic Circuit)、移位寄存单元(Shift Register)、电平转换单元(Level Shift)和输出缓存单元(Output Buffer)，其中，逻辑电路用于信号处理，根据起始脉冲信号(STV，如STV1和STV2)、时钟信号(CPV)、输出使能信号(OE)、左移或右移指示信号(L/R)等，控制移位寄存器依次输出各行栅线选通信号，移位寄存单元将串行信号转换为并行信号，电平转换单元将低电压信号转换为高电压信号，输出缓存单元用于输出放大，逐行输出到各行栅线(G1，G2，……Gn)中，从而依次选通/扫描各行栅线。
为了降低TFT液晶显示器的制作成本，业内厂商通过非晶硅工艺直接在面板的玻璃基板上制作多级非晶硅移位寄存器，借以取代公知所惯用的栅极驱动器，从而达到降低液晶显示器制作成本的目的。
随着液晶面板分辨率的提高，液晶面板消耗电量也显著提升，为了降低液晶面板的功耗进而延长系统的待机时间，各面板厂在设计中小尺寸液晶面板时均普遍采用列反转的驱动方式。
图4给出了列反转下源极输出电压信号示意图，从图中可以看出，在相邻帧进行转换时，源极输出信号的电压变化最大，根据电荷转移平衡原理Q＝delta U*C＝delta t*I可知，其相应的充电时间越长，可能会出现首行充电不足的问题，从而引起的栅向线不良。另外，低温条件下，由于液晶面板中的薄膜晶体管的开启电流降低，充电更加不充分，栅向线不良的问题更加严重。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示驱动装置及方法、移位寄存器和显示装置，以解决充电不足导致栅向线不良的问题。
本发明实施例提供了一种显示驱动装置，包括时序控制器和移位寄存器，所述移位寄存器包括相连逻辑控制单元和电源切换单元，其中：
所述电源切换单元配置有一组以上的高压驱动时钟信号；
所述逻辑控制单元用于根据所述时序控制器提供的当前驱动显示的子像素行位置和/或当前温度的信息，控制电源切换单元从所述一组以上的高压驱动时钟信号中选择一组输出，作为所述移位寄存器的高压驱动时钟信号。
可选地，每组高压驱动时钟信号均包括高电平信号和低电平信号，所述电源切换单元配置有两组高压驱动时钟信号，分别为第一高压驱动时钟信号组和第二高压驱动时钟信号组，其中，第一高压驱动时钟信号组中的高电平信号电压大于第二高压驱动时钟信号组的高电平信号电压且大于0伏，第一高压驱动时钟信号组中的低电平信号电压小于第二高压驱动时钟信号组的低电平信号电压且小于0伏。
可选地，所述逻辑控制单元进一步用于：根据所述时序控制器提供的当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，控制电源切换单元的输出为第一高压驱动时钟信号组；根据所述时序控制器提供的当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素时，控制电源切换单元的输出为第二高压驱动时钟信号组。
可选地，所述时序控制器包括温度检测单元；
所述温度检测单元用于输出当前温度小于等于温度阈值或大于温度阈值的信息；
所述逻辑控制单元进一步用于：根据所述温度检测单元提供的当前温度小于等于温度阈值的信息，控制电源切换单元的输出为第一高压驱动时钟信号组；根据所述温度检测单元提供的当前温度大于温度阈值的信息，控制电源切换单元的输出为第二高压驱动时钟信号组。
可选地，所述时序控制器包括相连的温度检测单元和选择单元，所述选择单元与所述逻辑控制单元相连；
所述温度检测单元用于输出当前温度小于等于温度阈值或大于温度阈值的信息至所述选择单元；
所述选择单元用于当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素，或当前温度小于等于温度阈值时，输出第一信号；当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素，且当前温度大于温度阈值时，输出第二信号；
所述逻辑控制单元进一步用于：接收到所述选择单元输出的第一信号时，控制电源切换单元的输出为第一高压驱动时钟信号组；接收到所述选择单元输出的第二信号时，控制电源切换单元的输出为第二高压驱动时钟信号组。
可选地，所述移位寄存器，包括多个级联的移位寄存器单元，其中，用于驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的开关薄膜晶体管TFT的W/L值大于用于驱动其它行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值，其中，所述W为TFT沟通宽度，L为TFT沟道长度，W/L表示TFT沟通宽度除以TFT沟道长度。
本发明实施例还提供了一种显示驱动方法，移位寄存器配置有一组以上的高压驱动时钟信号，所述方法包括：
所述移位寄存器驱动显示面板逐帧显示时，根据当前驱动显示的子像素行位置和/或根据当前温度，选择相对应的一组高压驱动时钟信号。
可选地，每组高压驱动时钟信号均包括高电平信号和低电平信号，所述移位寄存器配置有两组高压驱动时钟信号，分别为第一高压驱动时钟信号组和第二高压驱动时钟信号组，其中，第一高压驱动时钟信号组中的高电平信号电压大于第二高压驱动时钟信号组的高电平信号电压且大于0伏，第一高压驱动时钟信号组中的低电平信号电压小于第二高压驱动时钟信号组的低电平信号电压且小于0伏；
所述根据当前驱动显示的子像素行位置，选择相对应的一组高压驱动时钟信号组包括：当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，选择第一高压驱动时钟信号组；当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素时，选择第二高压驱动时钟信号组；
所述根据当前温度，选择相对应的一组高压驱动时钟信号组包括：当前温度小于等于温度阈值时，选择第一高压驱动时钟信号组；当前温度大于温度阈值时，选择第二高压驱动时钟信号组；
所述根据当前驱动显示的子像素行位置和根据当前温度，选择相对应的一组高压驱动时钟信号组包括：当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素，或当前温度小于等于温度阈值时，选择第一高压驱动时钟信号组；当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素，且当前温度大于温度阈值时，选择第二高压驱动时钟信号组。
本发明实施例还提供了一种移位寄存器，包括多个级联的移位寄存器单元，用于驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的开关薄膜晶体管TFT的W/L值大于用于驱动其它行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值，其中，所述W为TFT沟通宽度，L为TFT沟道长度，W/L表示TFT沟通宽度除以TFT沟道长度。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示驱动装置。
本发明实施例中，移位寄存器配置有一组以上的高压驱动时钟信号，可以根据当前驱动显示的子像素行位置和/或当前温度的信息，选择对应的高压驱动时钟信号，也即针对不同情况，可选择合适的高压驱动时钟信号，避免由于充电不足导致的栅向线不良问题。
进一步地，当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，选择第一高压驱动时钟信号组(高电平输入的高压驱动时钟信号组)，可以增大薄膜晶体管的开启电流，避免首行充电不足导致的栅极向线不良的问题。当前温度小于等于温度阈值，选择第一高压驱动时钟信号组(高电平输入的高压驱动时钟信号组)，增大薄膜晶体管的开启电流，避免由于低温驱动导致的栅向线不良的问题。
进一步地，通过增大驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值，从而增大薄膜晶体管的开启电流，避免首行充电不足导致的栅极向线不良的问题。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为典型的移位寄存器单元组成示意图；
图2为移位寄存器单元级联示意图；
图3为移位寄存器的内部逻辑示意图；
图4为列反转下源极输出电压信号示意图；
图5为本发明实施例的显示驱动装置示意图；
图6为移位寄存器配置有两组高压驱动时钟信号(VGHH和VGLH、VGHL和VGLL)的示意图；
图7为本发明实施例一的显示驱动装置示意图；
图8为本发明实施例一的显示驱动装置的组成示意图；
图9为本发明实施例二的显示驱动装置示意图；
图10为本发明实施例三的显示驱动装置示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
TCON(时序控制器)输出的低压逻辑时钟信号经过电平转换单元(Level shiftercircuit)后生成高压驱动时钟信号，其高电平为VGH，低电平为VGL。根据已有知识可知，VGH-VGL的差值越大，移位寄存器消耗的功耗越大，因此在产品设计时，VGH和VGL的电平需要在功耗和画面显示上寻找平衡点。
如图5所示，本发明实施例的显示驱动装置示意图，其中，显示驱动装置，包括时序控制器10和移位寄存器20，所述移位寄存器包括相连逻辑控制单元22和电源切换单元21，其中：
所述电源切换单元21配置有一组以上的高压驱动时钟信号；
所述逻辑控制单元22用于根据所述时序控制器10提供的当前驱动显示的子像素行位置和/或当前温度的信息，控制电源切换单元21从所述一组以上的高压驱动时钟信号中选择一组输出，作为移位寄存器的高压驱动时钟信号。
本发明实施例中，移位寄存器配置有一组以上的高压驱动时钟信号，可以根据当前驱动显示的子像素行位置和/或当前温度的信息，选择对应的高压驱动时钟信号，也即针对不同情况，可选择合适的高压驱动时钟信号，避免由于充电不足导致的栅向线不良问题。
其中，每组高压驱动时钟信号均包括两个时钟信号(高电平VGH和低电平VGL)。
需要说明的是，本发明实施例的移位寄存器同样包括如图3所示的逻辑电路、移位寄存单元、电平转换单元和输出缓存单元，本发明实施中的所述逻辑控制单元22和电源切换单元21可以单独设置在移位寄存器中，也可以全部或部分设置在电平转换单元和/或输出缓存单元中。
可选地，所述电源切换单元21配置有两组高压驱动时钟信号，分别为第一高压驱动时钟信号组和第二高压驱动时钟信号组，其中，第一高压驱动时钟信号组可称为高电平输入的高压驱动时钟信号组，包括VGHH(高电平输入VGH电压)和VGLH(高电平输入VGL电压)；第二高压驱动时钟信号组可称为低电平输入的高压驱动时钟信号组，包括VGHL(低电平输入VGH电压)和VGLL(低电平输入VGL电压)。其中，VGHH>VGHL>0V，VGLH<VGLL<0V。在通常情况下，VGHH/VGHL-VGLH/VGLL<40V，具体VGHH，VGHL，VGLL，VGLH的数值视不同面板特性有所不同。
如图6所示，为移位寄存器配置有两组高压驱动时钟信号(VGHH和VGLH、VGHL和VGLL)的示意图。其中，Vcmp为时序控制器输出的逻辑单元信号，用于表示当前驱动显示的子像素行位置和/或当前温度的信息。在该实施例中，逻辑控制单元和电源切换单元与电平转换单元和输出缓存单元设置在一起。
本发明实施例的显示驱动方法，移位寄存器配置有一组以上的高压驱动时钟信号，所述方法包括：
所述移位寄存器驱动显示面板逐帧显示时，根据当前驱动显示的子像素行位置和/或根据当前温度，选择相对应的一组高压驱动时钟信号。
本发明实施例中，移位寄存器配置有一组以上的高压驱动时钟信号，可以根据当前驱动显示的子像素行位置和/或当前温度的信息，选择对应的高压驱动时钟信号，也即针对不同情况，可选择合适的高压驱动时钟信号，避免由于充电不足导致的栅向线不良问题。
可选地，每组高压驱动时钟信号均包括高电平信号和低电平信号，所述移位寄存器配置有两组高压驱动时钟信号，分别为第一高压驱动时钟信号组和第二高压驱动时钟信号组，其中，第一高压驱动时钟信号组中的高电平信号电压大于第二高压驱动时钟信号组的高电平信号电压且大于0伏，第一高压驱动时钟信号组中的低电平信号电压小于第二高压驱动时钟信号组的低电平信号电压且小于0伏；
所述根据当前驱动显示的子像素行位置，选择相对应的一组高压驱动时钟信号组包括：当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，选择第一高压驱动时钟信号组；当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素时，选择第二高压驱动时钟信号组；
所述根据当前温度，选择相对应的一组高压驱动时钟信号组包括：当前温度小于等于温度阈值时，选择第一高压驱动时钟信号组；当前温度大于温度阈值时，选择第二高压驱动时钟信号组；
所述根据当前驱动显示的子像素行位置和根据当前温度，选择相对应的一组高压驱动时钟信号组包括：当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素，或当前温度小于等于温度阈值时，选择第一高压驱动时钟信号组；当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素，且当前温度大于温度阈值时，选择第二高压驱动时钟信号组。
当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，选择高电平输入的高压驱动时钟信号组，可以增大薄膜晶体管的开启电流，避免首行充电不足导致的栅极向线不良的问题。当前温度小于等于温度阈值，选择高电平输入的高压驱动时钟信号组，增大薄膜晶体管的开启电流，避免由于低温驱动导致的栅向线不良的问题。
下面以电源切换单元配置有两组高压驱动时钟信号为例进行说明，但本发明并不限于此，可以采用多于两组的高压驱动时钟信号。
实施例一
在本实施例中，根据当前驱动显示的子像素行位置和当前温度的信息，输出高压驱动时钟信号。
如图7所示，所述时序控制器10包括相连的温度检测单元11和选择单元12，所述选择单元12与所述逻辑控制单元22相连；
所述温度检测单元11用于输出当前温度小于等于温度阈值或大于温度阈值的信息至所述选择单元12；
所述选择单元12用于当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素，或当前温度小于等于温度阈值时，输出第一信号；当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素，且当前温度大于温度阈值时，输出第二信号；
所述逻辑控制单元22进一步用于：接收到所述选择单元12输出的第一信号时，控制电源切换单元21的输出为高电平输入的高压驱动时钟信号组；接收到所述选择单元12输出的第二信号时，控制电源切换单元21的输出为低电平输入的高压驱动时钟信号组。
当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，选择高电平输入的高压驱动时钟信号组，可以增大薄膜晶体管的开启电流，避免首行充电不足导致的栅极向线不良的问题。当前温度小于等于温度阈值，选择高电平输入的高压驱动时钟信号组，增大薄膜晶体管的开启电流，避免由于低温驱动导致的栅向线不良的问题。
下面以图8为例，进行详细说明。
如图8所示，温度检测单元11可包括温度传感器、电阻和比较器，选择单元12可包括或门电路，温度传感器在低温(即小于等于温度阈值如零下20度或零下10度，可以根据具体应用场景进行选择)时输出信号Vout_1大于参考电源Vref_1，则比较器输出电平Vout_2输出高电平与时序控制器输出信号Vtcocn(首行时该信号为高电平，非首行该信号为低电平)做或门OR Gate运算后输出逻辑控制信号Vcmp，即此时无论Vtcon输出或高或低信号，Vcmp均输出高电平；反之，若温度传感器在高温(即大于温度阈值)时，输出信号Vout_1小于参考电源Vref_1，则比较器输出电平Vout_2输出低电平其与时序控制器输出信号Vtcocn(首行时该信号为高电平，非首行该信号为低电平)做或门OR Gate运算后输出逻辑控制信号Vcmp，即此时Vcmp输出电平取决于Vtcon信号电平。
其中，时序控制器输出信号Vtcocn可由时序控制器根据设定的帧起始信号和blanking(空白区)信息输出，为已有信号。
下表给出了电源切换单元的工作逻辑。当逻辑控制单元输入Vcmp为高电平时，电源切换单元输出Input1的电源组配VGHH和VGLH，之后加载到移位寄存器的电源上，当逻辑控制单元输入低电平时，电源切换单元输出Input2的电源组配VGHL和VGLL，之后加载到移位寄存器的电源上，从而兼顾控制低温和只在首行实现较高的开启电流Ion，而其他行均采用较低的Ion，从而规避相邻帧极性反转时引入的充电不足问题。
表一电源切换单元的工作逻辑表
其中，电源切换单元21包括两组切换子单元，一组切换子单元由耗尽型PMOS管Q1和Q2组成，另一组由耗尽型NMOS管Q3和Q4组成，其中，根据逻辑控制单元21输出的控制信号，控制选择VGH1和VGH2中的一个输出，以及，选择VGL1和VGL2中的一个输出。
逻辑控制单元22控制Q1、Q2、Q3和Q4的通断，从而进行不同VGH和VGL的选择输出。逻辑控制单元22的输入信号为高电平1时，其输出GND电平给Q1，VGHL电平给Q2，GND电平给Q3，VGLL电平给Q4，从而控制Q1和Q3打开，Q2和Q4关闭，从而选择VGHH(VGH1)和VGLH(VGL1)输出；当逻辑控制单元22的输入信号为低电平0时，其输出VGHH电平给Q1，GND电平给Q2，VGLH电平给Q3，GND电平给Q4，从而控制Q2和Q4打开，Q1和Q3关闭，从而选择VGHL(VGH2)和VGLL(VGL2)输出。
实施例二
在本实施例中，根据当前驱动显示的子像素行位置，输出高压驱动时钟信号。
如图9所示，在本实施例中，所述逻辑控制单元22进一步用于：根据所述时序控制器10提供的当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，控制电源切换单元21的输出为高电平输入的高压驱动时钟信号组；根据所述时序控制器10提供的当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素时，控制电源切换单元21的输出为低电平输入的高压驱动时钟信号组。
当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，选择高电平输入的高压驱动时钟信号组，可以增大薄膜晶体管的开启电流，避免首行充电不足导致的栅极向线不良的问题。
时序控制器10提供的信号为Vtcocn，可由时序控制器根据设定的帧起始信号和blanking(空白区)信息输出，高电平为子像素行位置为第一行子像素，低电平为子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素，是已有信号。
电源切换单元21和逻辑控制单元22可参照实施例一的描述，此处不再赘述。
实施例三
在本实施例中，根据当前温度的信息，输出高压驱动时钟信号。
如图10所示，所述时序控制器10包括温度检测单元11；
所述温度检测单元11用于输出当前温度小于等于温度阈值或大于温度阈值的信息；
所述逻辑控制单元22进一步用于：根据所述温度检测单元11提供的当前温度小于等于温度阈值的信息，控制电源切换单元21的输出为高电平输入的高压驱动时钟信号组；根据所述温度检测单元11提供的当前温度大于温度阈值的信息，控制电源切换单元21的输出为低电平输入的高压驱动时钟信号组。
当前温度小于等于温度阈值，选择高电平输入的高压驱动时钟信号组，增大薄膜晶体管的开启电流，避免由于低温驱动导致的栅向线不良的问题。
其中，类似实施例一中的图8，温度检测单元11可包括温度传感器、电阻和比较器，温度传感器在低温(即小于等于温度阈值如零下20度或零下10度，可以根据具体应用场景进行选择)时输出信号Vout_1大于参考电源Vref_1，则比较器输出电平Vout_2输出高电平；反之，若温度传感器在高温(即大于温度阈值)时，输出信号Vout_1小于参考电源Vref_1，则比较器输出电平Vout_2输出低电平。
电源切换单元21和逻辑控制单元22可参照实施例一的描述，此处不再赘述。
实施例四
本实施例的移位寄存器，包括多个级联的移位寄存器单元，其中，用于驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值大于用于驱动其它行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值，其中，所述W为TFT沟通宽度，L为TFT沟道长度，W/L表示TFT沟通宽度除以TFT沟道长度。
根据TFT导通电流公式Ion＝1/2μC0(W/L)(Vgs-Vth)2，其中，W为TFT沟道宽度，L为TFT沟道长度，μ-载流子迁移率，由有源层(Active)的材料决定，C0为单位面积电容，由绝缘层(GI)材料的介电常数和厚度决定，Vgs为TFT的栅极电压和源极电压的电势差，Vth为TFT阈值电压。由于首行极性切换时源极的充电电压变化量是其他行的2倍左右，为了弥补该差异量，根据电荷转移守恒定律，Q＝ΔI*t＝C*ΔU，用于驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的充电电压变化量ΔU约是其他行的2倍，在相同充电时间和相同充电率条件下，首行的充电电流ΔI需要达到其他行的2倍，根据TFT导通电流公式，将用于驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值设置成大于用于驱动其它行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值，例如，将用于驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值设置成是其他行开关TFT的2～3倍(可将W/L值在2左右)，从而只在首行实现较高的开启电流Ion，而其他行均采用较低的Ion，从而规避相邻帧极性反转时引入的充电不足问题。
其中，开关TFT为位于时钟信号CLK和信号输出端OUTPUT之间，根据时钟信号CLK打开或关闭，从而输出信号的TFT。例如，参照图1，M3为开关TFT，源极连接时钟信号CLK，漏极连接信号输出端OUTPUT。可将用于驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的M3的W/L值设置为用于驱动其它行子像素的移位寄存器单元中的M3的W/L值的2～3倍。
实施例四可以单独使用，也可以与其它实施例结合使用，可以更好地避免首行充电不足而引起的栅向线不良的问题。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示驱动装置。该显示装置解决问题的原理与前述显示驱动装置相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示驱动装置的实施，重复之处在此不再赘述。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述移位寄存器。该显示装置解决问题的原理与前述移位寄存器相似，因此该显示装置的实施可以参见前述移位寄存器的实施，重复之处在此不再赘述。
在具体实施时，本发明实施例提供的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示驱动装置，包括时序控制器和移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器包括相连逻辑控制单元和电源切换单元，其中：
所述电源切换单元配置有一组以上的高压驱动时钟信号；
所述逻辑控制单元用于根据所述时序控制器提供的当前驱动显示的子像素行位置和/或当前温度的信息，控制电源切换单元从所述一组以上的高压驱动时钟信号中选择一组输出，作为所述移位寄存器的高压驱动时钟信号。
2.根据权利要求1所述的显示驱动装置，其特征在于，
每组高压驱动时钟信号均包括高电平信号和低电平信号，所述电源切换单元配置有两组高压驱动时钟信号，分别为第一高压驱动时钟信号组和第二高压驱动时钟信号组，其中，第一高压驱动时钟信号组中的高电平信号电压大于第二高压驱动时钟信号组的高电平信号电压且大于0伏，第一高压驱动时钟信号组中的低电平信号电压小于第二高压驱动时钟信号组的低电平信号电压且小于0伏。
3.根据权利要求2所述的显示驱动装置，其特征在于，
所述逻辑控制单元进一步用于：根据所述时序控制器提供的当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，控制电源切换单元的输出为第一高压驱动时钟信号组；根据所述时序控制器提供的当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素时，控制电源切换单元的输出为第二高压驱动时钟信号组。
4.根据权利要求2所述的显示驱动装置，其特征在于，所述时序控制器包括温度检测单元；
所述温度检测单元用于输出当前温度小于等于温度阈值或大于温度阈值的信息；
所述逻辑控制单元进一步用于：根据所述温度检测单元提供的当前温度小于等于温度阈值的信息，控制电源切换单元的输出为第一高压驱动时钟信号组；根据所述温度检测单元提供的当前温度大于温度阈值的信息，控制电源切换单元的输出为第二高压驱动时钟信号组。
5.根据权利要求2所述的显示驱动装置，其特征在于，所述时序控制器包括相连的温度检测单元和选择单元，所述选择单元与所述逻辑控制单元相连；
所述温度检测单元用于输出当前温度小于等于温度阈值或大于温度阈值的信息至所述选择单元；
所述选择单元用于当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素，或当前温度小于等于温度阈值时，输出第一信号；当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素，且当前温度大于温度阈值时，输出第二信号；
所述逻辑控制单元进一步用于：接收到所述选择单元输出的第一信号时，控制电源切换单元的输出为第一高压驱动时钟信号组；接收到所述选择单元输出的第二信号时，控制电源切换单元的输出为第二高压驱动时钟信号组。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的显示驱动装置，其特征在于，
所述移位寄存器，包括多个级联的移位寄存器单元，其中，用于驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的开关薄膜晶体管TFT的W/L值大于用于驱动其它行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值，其中，所述W为TFT沟通宽度，L为TFT沟道长度，W/L表示TFT沟通宽度除以TFT沟道长度。
7.一种显示驱动方法，其特征在于，移位寄存器配置有一组以上的高压驱动时钟信号，所述方法包括：
所述移位寄存器驱动显示面板逐帧显示时，根据当前驱动显示的子像素行位置和/或根据当前温度，选择相对应的一组高压驱动时钟信号。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
每组高压驱动时钟信号均包括高电平信号和低电平信号，所述移位寄存器配置有两组高压驱动时钟信号，分别为第一高压驱动时钟信号组和第二高压驱动时钟信号组，其中，第一高压驱动时钟信号组中的高电平信号电压大于第二高压驱动时钟信号组的高电平信号电压且大于0伏，第一高压驱动时钟信号组中的低电平信号电压小于第二高压驱动时钟信号组的低电平信号电压且小于0伏；
所述根据当前驱动显示的子像素行位置，选择相对应的一组高压驱动时钟信号组包括：当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素时，选择第一高压驱动时钟信号组；当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素时，选择第二高压驱动时钟信号组；
所述根据当前温度，选择相对应的一组高压驱动时钟信号组包括：当前温度小于等于温度阈值时，选择第一高压驱动时钟信号组；当前温度大于温度阈值时，选择第二高压驱动时钟信号组；
所述根据当前驱动显示的子像素行位置和根据当前温度，选择相对应的一组高压驱动时钟信号组包括：当前驱动显示的子像素行位置为第一行子像素，或当前温度小于等于温度阈值时，选择第一高压驱动时钟信号组；当前驱动显示的子像素行位置为除第一行子像素以外的其他行子像素，且当前温度大于温度阈值时，选择第二高压驱动时钟信号组。
9.一种移位寄存器，包括多个级联的移位寄存器单元，其特征在于，用于驱动第一行子像素的移位寄存器单元中的开关薄膜晶体管TFT的W/L值大于用于驱动其它行子像素的移位寄存器单元中的开关TFT的W/L值，其中，所述W为TFT沟通宽度，L为TFT沟道长度，W/L表示TFT沟通宽度除以TFT沟道长度。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的显示驱动装置。
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