CN106654068B - 一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置 - Google Patents
一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106654068B CN106654068B CN201710049227.9A CN201710049227A CN106654068B CN 106654068 B CN106654068 B CN 106654068B CN 201710049227 A CN201710049227 A CN 201710049227A CN 106654068 B CN106654068 B CN 106654068B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum dot
- layer
- light emitting
- organic
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 6
- -1 thus in baking Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical class COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002897 diene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract description 11
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置,用以解决目前量子点显示装置中量子点器件容易因团聚而发生自淬灭现象的问题。该方法包括:在基板上形成阳极,空穴注入层和空穴传输层;在空穴传输层上涂覆一整层包含有机半导体材料的量子点溶液;对涂覆的量子点溶液进行烘烤,使量子点核壳结构上的基团与有机半导体材料发生聚合反应,形成固态的量子点发光层;在量子点发光层上依次形成空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层和阴极。在量子点溶液中加入了与量子点核壳结构上的基团发生聚合反应的机半导体材料,因而在烘烤时,可以通过聚合将量子点均匀固定在发光层内部,从而减少因量子点团聚产生的淬灭现象,提高发光效率、延长使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示基板技术领域,尤其涉及一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置。
背景技术
量子点发光二极管显示装置是基于有机发光显示装置的基础上发展起来的一种新型显示技术,不同的是,其电致发光层采用的是量子点层。现有的量子点发光二极管显示装置的发光结构包括阳极,空穴注入层,空穴传输层、量子点发光层,空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层和阴极。与普通的有机发光二极管显示相比,量子点电致发光具有光峰宽、色彩饱和度高、色域宽等优点。
目前,量子点发光二极管显示装置依然存在一些问题,由于纳米粒子和溶剂之间的相互作用以及溶剂分子的挥发作用会导致量子点团聚,同时量子点的团聚还受量子点层厚度的影响,越厚越容易发生团聚,团聚之后会发生能量转移,能量以其他的形式损失掉,从而使量子点发生自淬灭现象,导致量子点器件效率下降,使用寿命变短。
综上所述,目前量子点发光二极管显示装置中量子点器件容易因团聚而发生自淬灭现象、光效低、寿命短。
发明内容
本发明实施例提供的一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置,用以解决目前量子点发光二极管显示装置中量子点器件容易因团聚而发生自淬灭现象、光效低、寿命短的问题。
本发明实施例提供的一种有机电致发光器件的制作方法,包括:
在基板上形成阳极,空穴注入层和空穴传输层;
在所述空穴传输层上涂覆一整层包含有机半导体材料的量子点溶液;
对涂覆的量子点溶液进行烘烤,使量子点核壳结构上的基团与所述有机半导体材料发生聚合反应,形成一整层固态的量子点发光层;
在所述量子点发光层上依次形成空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层和阴极。
本发明实施例提供的制作有机电致发光器件的方法,在量子点溶液中加入了能够与量子点核壳结构上的基团发生聚合反应的机半导体材料,因而在对涂覆到空穴传输层上的量子点溶液进行烘烤时,可以通过聚合的方式将量子点均匀固定在量子点发光层的内部,从而减少因量子点团聚产生的淬灭现象,提高发光效率、延长使用寿命。
较佳的,所述有机半导体材料中含有一个或多个可聚合的基团;
所述可聚合的基团包括下列基团中的一个或多个:
烯基或二烯官能团,炔基或二炔官能团,巯基,氨基。
较佳的,所述量子点溶液还包括:可溶解所述有机半导体材料的有机溶剂,以及引发剂。
较佳的,所述有机溶剂为芳香类的有机溶剂或醇类溶剂;
所述有机溶剂包括下列溶剂中的一种或多种:
苯甲酸甲酯,苯甲醚或环己基苯。
较佳的,所述量子点溶液中所述量子点的质量百分比为1%-20%;所述有机半导体材料的质量百分比为10%-30%;所述引发剂的质量百分比为0.1%-0.5%;剩余的为所述有机溶剂。
较佳的,通过下列方法涂覆量子点溶液:
旋涂法,喷墨打印,狭缝涂布或条形涂布。
较佳的,所述烘烤的温度不高于150℃;所述烘烤的时间不超过60min。
本发明实施例提供的一种有机电致发光器件,包括:依次设置在基板上的阳极,空穴注入层,空穴传输层,量子点发光层,空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层和阴极;
其中,所述量子点发光层由量子点核壳结构上的基团与有机半导体材料发生聚合反应形成。
较佳的,所述量子点发光层中的各个相邻量子点之间的距离为量子点直径的3-10倍。
本发明实施例提供的一种显示装置,所述显示装置包括本发明实施例提供的上述任一有机电致发光器件。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种有机电致发光器件的制作方法的步骤流程图;
图2为本发明实施例提供的一种有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
其中,附图中薄膜厚度和区域形状不反映其真实比例,目的只是示意说明本发明的内容。
本发明实施例提供的一种有机电致发光器件,是在现有的有机电致发光器件的基础上,对量子点发光层的改进。本发明在量子点溶液中加入了能够与量子点核壳结构上的基团发生聚合反应的机半导体材料,因而在对涂覆到空穴传输层上的量子点溶液进行烘烤时,可以通过聚合的方式将量子点均匀固定在量子点发光层的内部。
由于目前量子点发光二极管显示装置中量子点器件容易因团聚而发生自淬灭现象、光效低、寿命短,因而本发明实施例先介绍了一种有机电致发光器件的制作方法,再具体介绍采用该方法制作的有机电致发光器件的结构。下面首先对其具体制作方法进行详细的说明。
如图1所示,为本发明实施例提供的一种有机电致发光器件的制作方法的步骤流程图,具体可以采用如下步骤实现:
步骤101,在基板上形成阳极,空穴注入层和空穴传输层;
步骤102,在空穴传输层上涂覆一整层包含有机半导体材料的量子点溶液;
步骤103,对涂覆的量子点溶液进行烘烤,使量子点核壳结构上的基团与有机半导体材料发生聚合反应,形成一整层固态的量子点发光层;
步骤104,在量子点发光层上依次形成空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层和阴极。
目前,由于目前量子点发光二极管显示装置中量子点器件容易因团聚而发生自淬灭现象、光效低、寿命短。
基于此,本发明实施例提供的上述有机电致发光器件的制作方法,在量子点溶液中加入了能够与量子点核壳结构上的基团发生聚合反应的机半导体材料,因而在对涂覆到空穴传输层上的量子点溶液进行烘烤时,可以通过聚合的方式将量子点均匀固定在量子点发光层的内部,从而减少因量子点团聚产生的淬灭现象,提高发光效率、延长使用寿命。
在具体实施时,本发明实施例提供的有机电致发光器件的制作方法,可以通过任意方式制作阳极和阴极,在此并不做限定。本发明实施例主要是对量子点发光层的制作步骤进行改进。
具体的,在执行步骤102时,在基板上形成空穴传输层之后,再在空穴传输层上涂覆一整层包含有机半导体材料的量子点溶液;具体的涂覆量子点溶液的方式,可以根据实际需要进行选择,较佳的,通过下列方法涂覆量子点溶液:旋涂法,喷墨打印,狭缝涂布或条形涂布。
其中,有机半导体材料能够与量子点核壳结构上的基团发生聚合反应,具体的材料,可以根据实际需要进行选取。较佳的,有机半导体材料中含有一个或多个可聚合的基团;可聚合的基团包括下列基团中的一个或多个:烯基或二烯官能团,炔基或二炔官能团,巯基,氨基。
进一步的,在执行步骤103时,在空穴传输层上涂覆完量子点溶液之后,对涂覆的量子点溶液进行烘烤,以使量子点核壳结构上的基团与有机半导体材料发生聚合反应,目的是固定住量子点的位置,形成一整层固态的量子点发光层,防止量子点团聚发光淬灭现象。进行烘烤时,可以根据实际需要掌握烘烤的温度和时间,烘烤的温度一般不高于200℃;较佳的,烘烤的温度不高于150℃;烘烤的时间不超过60min。
在具体实施时,如图2所示,为本发明实施例提供的一种有机电致发光器件的结构示意图,本发明实施例制作的有机电致发光器件除了包括设置在基板201上的阳极202,空穴注入层203,空穴传输层204,量子点发光层205,空穴阻挡层206,电子传输层207,电子注入层208和阴极209。而除了量子点发光层外,其它膜层的具体制作方法,在此不做限定。
在具体实施时,用于制作量子点发光层的量子点溶液中,除了包括量子点和有机半导体材料外,较佳的,量子点溶液还包括:可溶解有机半导体材料的有机溶剂,以及引发剂。
其中,有机溶剂可以溶解有机半导体材料,但不能溶解其它的与其接触的膜层,较佳的,有机溶剂为芳香类的有机溶剂或醇类溶剂;有机溶剂包括下列溶剂中的一种或多种:苯甲酸甲酯,苯甲醚或环己基苯。
为了更好的使量子点溶液中的量子点核壳结构上的基团与有机半导体材料发生聚合反应,需要控制量子点溶液中有机半导体材料和量子点的比例,使量子点发光层中的各个相邻量子点之间的距离为量子点直径的3-10倍。较佳的,量子点溶液中量子点的质量百分比为1%-20%;有机半导体材料的质量百分比为10%-30%;引发剂的质量百分比为0.1%-0.5%;剩余的为有机溶剂。
具体的,在制备量子点溶液时,量子点溶液中包含有机半导体材料,有机溶剂,量子点和引发剂等,该溶液在使用前混合搅拌2-5h,转速范围为200-500rpmin。
在具体实施时,本发明实施例使用的量子点溶液中采用的量子点,其具有核壳结构,核壳结构的有机官能团包括烯基或二烯官能团、炔基或二炔官能团、巯基、氨基等;量子点的材料包括CdS,CdSe,CdTe,ZnS,ZnTe,HgSe,InAs,AlAs,AlP,AlSb,GaP和GaAs等中的一种或多种;而量子点的直径一般为1nm-10nm。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种通过上述方法制作的有机电致发光器件,由于该有机电致发光器件解决问题的原理与本发明实施例提供的有机电致发光器件的制作方法相似,因此该有机电致发光器件的实施可以参见方法的实施,重复之处不再赘述。
如图2所示,本发明实施例提供的有机电致发光器件包括:依次设置在基板201上的阳极202,空穴注入层203,空穴传输层204,量子点发光层205,空穴阻挡层206,电子传输层207,电子注入层208和阴极209;其中,量子点发光层205由量子点核壳结构上的基团与有机半导体材料发生聚合反应形成。
在具体实施时,较佳的,通过控制有机半导体材料与量子点物质的比例,量子点发光层中的各个相邻量子点之间的距离为量子点直径的3-10倍,可以防止量子点的团聚和自淬灭现象,得到较高的量子效率。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括本发明实施例提供的上述任一有机电致发光器件。由于该显示装置解决问题的原理与本发明实施例提供的有机电致发光器件相似,因此该显示装置的实施可以参见有机电致发光器件的实施,重复之处不再赘述。
综上所述,本发明实施例提供的制作有机电致发光器件的方法,在量子点溶液中加入了能够与量子点核壳结构上的基团发生聚合反应的机半导体材料,因而在对所述量子点溶液进行烘烤时,可以通过聚合的方式将量子点均匀固定在量子点发光层的内部,从而减少因量子点团聚产生的淬灭现象,提高发光效率、延长使用寿命。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种有机电致发光器件的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成阳极,空穴注入层和空穴传输层;
在所述空穴传输层上涂覆一整层包含有机半导体材料的量子点溶液;
对涂覆的量子点溶液进行烘烤,使量子点核壳结构上的基团与所述有机半导体材料发生聚合反应,形成一整层固态的量子点发光层;
在所述量子点发光层上依次形成空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层和阴极;
所述量子点发光层中的各个相邻量子点之间的距离为量子点直径的3-10倍。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述有机半导体材料中包含一个或多个可聚合的基团;
所述可聚合的基团包括下列基团中的一个或多个:
烯基或二烯官能团,炔基或二炔官能团,巯基,氨基。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述量子点溶液还包括:可溶解所述有机半导体材料的有机溶剂,以及引发剂。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述有机溶剂为芳香类的有机溶剂或醇类溶剂;
所述有机溶剂包括下列溶剂中的一种或多种:
苯甲酸甲酯,苯甲醚或环己基苯。
5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述量子点溶液中所述量子点的质量百分比为1%-20%;所述有机半导体材料的质量百分比为10%-30%;所述引发剂的质量百分比为0.1%-0.5%;剩余的溶液为有机溶剂。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过下列方法涂覆量子点溶液:
旋涂法,喷墨打印,狭缝涂布或条形涂布。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述烘烤的温度不高于150℃;所述烘烤的时间不超过60min。
8.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括:依次设置在基板上的阳极,空穴注入层,空穴传输层,量子点发光层,空穴阻挡层,电子传输层,电子注入层和阴极;
其中,所述量子点发光层由量子点核壳结构上的基团与有机半导体材料发生聚合反应形成;
所述量子点发光层中的各个相邻量子点之间的距离为量子点直径的3-10倍。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求8所述的有机电致发光器件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710049227.9A CN106654068B (zh) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710049227.9A CN106654068B (zh) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106654068A CN106654068A (zh) | 2017-05-10 |
CN106654068B true CN106654068B (zh) | 2018-10-02 |
Family
ID=58842068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710049227.9A Active CN106654068B (zh) | 2017-01-20 | 2017-01-20 | 一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106654068B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102554285B1 (ko) * | 2017-02-03 | 2023-07-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 양자점 분산액, 자발광 감광성 수지 조성물, 컬러필터 및 화상표시장치 |
CN109980096B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-09-11 | Tcl科技集团股份有限公司 | Qled器件及其制备方法 |
CN110600625B (zh) * | 2019-08-26 | 2020-12-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种发光器件及其制备方法 |
CN111952474B (zh) * | 2020-08-18 | 2023-11-03 | 福州大学 | 一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法 |
US11877461B2 (en) * | 2020-08-20 | 2024-01-16 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Light emitting diode device, display panel, display device, and manufacturing method |
CN114171693B (zh) * | 2021-11-30 | 2024-04-16 | 北京京东方技术开发有限公司 | 一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102903855A (zh) * | 2012-10-22 | 2013-01-30 | 东南大学 | 一种量子点电致发光器件及其制备方法 |
CN103293745A (zh) * | 2013-05-17 | 2013-09-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示屏、显示装置及单色量子点层的制备方法 |
CN106032468A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-10-19 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 可聚合的量子点及其应用 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4578131B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2010-11-10 | 三洋電機株式会社 | 発光素子用化合物およびそれを用いた有機発光素子 |
KR101462901B1 (ko) * | 2012-11-29 | 2014-11-20 | 성균관대학교산학협력단 | 그래핀 양자점을 이용한 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
-
2017
- 2017-01-20 CN CN201710049227.9A patent/CN106654068B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102903855A (zh) * | 2012-10-22 | 2013-01-30 | 东南大学 | 一种量子点电致发光器件及其制备方法 |
CN103293745A (zh) * | 2013-05-17 | 2013-09-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示屏、显示装置及单色量子点层的制备方法 |
CN106032468A (zh) * | 2015-12-31 | 2016-10-19 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 可聚合的量子点及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106654068A (zh) | 2017-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106654068B (zh) | 一种有机电致发光器件的制作方法及相应装置 | |
CN104157671B (zh) | 一种电致发光显示面板、其制备方法及显示装置 | |
CN105449110B (zh) | 基于有机无机复合传输层的量子点发光二极管及制备方法 | |
CN103500803B (zh) | 一种复合发光层及其制作方法、白光有机电致发光器件 | |
US11349093B2 (en) | Organic electroluminescent device and display apparatus | |
CN105185919B (zh) | 混合型qled及其制备方法 | |
CN106601923A (zh) | 一种有机、无机量子点杂化的全彩显示器件及其制备方法 | |
CN105304681A (zh) | 含有机/无机混合发光层的电致发光显示器及制备方法 | |
US20150243920A1 (en) | Method for manufacturing a light-emitting electrochemical cell | |
CN104377318A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 | |
CN106129263A (zh) | Oled显示器件及其制作方法 | |
CN107359256B (zh) | 抗蓝光衰减的显示器件及显示装置 | |
WO2023042352A1 (ja) | 発光素子、及び表示装置 | |
CN113782686B (zh) | 复合材料及其制备方法和发光二极管 | |
CN108666439A (zh) | 一种oled的封装结构及封装方法 | |
CN111244298A (zh) | 一种发光器件及显示器 | |
EP1576071B1 (en) | Electronic devices | |
KR102706471B1 (ko) | 전자 수송층, 이를 포함하는 양자점 발광 소자, 이러한 전자 수송층 평가를 위한 단일 전하 소자 및 그 제조 방법 | |
US8956911B2 (en) | LED phosphor and fabricating method thereof | |
TW201251166A (en) | Organic light-emitting diode device with efficiency roll-up property | |
CN107154463A (zh) | 有机电致发光器件、oled基板和显示装置 | |
CN108346748B (zh) | 电荷产生层、电致发光器件及其制备方法 | |
CN113555511B (zh) | 发光器件、显示面板和显示装置 | |
CN112885981B (zh) | 复合材料及其制备方法和发光二极管 | |
US11778843B2 (en) | Light-emitting device and manufacturing method of light-emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |