CN106601782A - 一种阵列基板及amoled显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种阵列基板，包括：基板；驱动芯片，其位于所述基板上；多数条数据线，其依次排列在所述基板上，并纵向延伸到与所述驱动芯片电连接；多数条高电平线；面金属块，其位于所述基板上并与多数条所述高电平线电连接，以使多数条所述高电平线处于同一高电平；其中，多数条所述数据线经过所述面金属块所在区域与所述驱动芯片电连接，所述面金属块与多数条所述数据线之间存在绝缘层，所述面金属块与所述数据线重叠的位置设有挖空区以减少所述面金属块与所述数据线形成的寄生电容。本发明实施例还公开了一种AMOLED显示装置。采用本发明，具有降低阻容延迟的影响、减轻元器件损坏的优点。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体地讲，涉及一种阵列基板及AMOLED显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)显示装置和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)显示装置两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED显示装置具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括基板，请参见图1，所述基板上设有多数条扫描线SL’、多数条数据线DL’和多数条高电平线VL’，多数条所述扫描线SL’由所述基板的左侧横向延伸到右侧，多数条所述数据线DL’由基板的上侧纵向延伸到下侧，多数条所述高电平线VL’也由基板的上侧纵向延伸到下侧，多数条所述高电平线VL’的下端电连接有面金属块110，所述面金属块110电连接到基板下侧的驱动芯片120，多数条所述数据线DL’经过面金属块110也电连接到驱动芯片120，多数条所述数据线DL’与所述金属块层叠设置，例如所述面金属块110位于所述数据线DL’的上方，或者所述面金属块110位于所述数据线DL’的下方，所述面金属块110与多数条所述数据线DL’分别在基板上不同的层级，两者之间通过绝缘层隔开。
在使用上述AMOLED显示装置的过程中本发明的发明人发现，由于多数条所述数据线DL’经由面金属块110电连接到驱动电路，所述面金属块110与所述数据线DL’之间存在绝缘层，从而形成寄生电容，该寄生电容会对所述数据线DL’上信号的传递产生阻容延迟(RCDelay)的影响；而且，由于面金属块110面积比较大，在阵列基板的制造过程中会积累大量静电，静电释放(ESD)会造成AMOLED显示装置的元器件损坏。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种阵列基板及AMOLED显示装置。可提降低阻容延迟的影响，并可减轻静电释放对元器件的损坏。
为了解决上述技术问题，本发明第一方面提供了一种阵列基板，包括：
基板；
驱动芯片，其位于所述基板上；
多数条数据线，其依次排列在所述基板上，并纵向延伸到与所述驱动芯片电连接；
多数条高电平线，其依次排列在所述基板上，并在所述基板上纵向延伸；
面金属块，其位于所述基板上并与多数条所述高电平线电连接，以使多数条所述高电平线处于同一高电平；其中，
多数条所述数据线经过所述面金属块所在区域与所述驱动芯片电连接，所述面金属块与多数条所述数据线之间存在绝缘层，所述面金属块与所述数据线重叠的位置设有挖空区以减少所述面金属块与所述数据线形成的寄生电容。
在本发明第一方面一实施例中，所述挖空区为降容狭缝。
在本发明第一方面一实施例中，所述降容狭缝的数目为多条，多条所述降容狭缝包括第一类降容狭缝，所述第一类降容狭缝中的每一条分别对应一条所述数据线设置；
或者多条所述降容狭缝包括第二类降容狭缝，所述第二类降容狭缝中的至少两条对应同一条所述数据线设置；
或者多条所述降容狭缝包括第一类降容狭缝和第二类降容狭缝，所述第一类降容狭缝中的每一条分别对应一条所述数据线设置，所述第二类降容狭缝中的至少两条对应同一条所述数据线设置。
在本发明第一方面一实施例中，所述降容狭缝的宽度大于或等于对应所述数据线的宽度，所述降容狭缝遮盖住对应的所述数据线。
在本发明第一方面一实施例中，所述面金属块上还设有降静电狭缝，所述降静电狭缝位于多数条所述数据线以外的区域。
在本发明第一方面一实施例中，所述挖空区为开口，所述开口跨过至少两条所述数据线。
在本发明第一方面一实施例中，所述挖空区的面积与未设置所述挖空区的所述面金属块面积的比值范围为3/4-1/6。
在本发明第一方面一实施例中，多数条所述数据线由所述基板的上侧延伸到所述基板的下侧，多数条所述数据线包括竖直部、扇形部和连接部，所述面金属块与多数条所述数据线的所述扇形部重叠。
在本发明第一方面一实施例中，还包括多数条扫描线，多数条所述扫描线沿横向方向延伸，多数条所述扫描线与多数条所述数据线交叉限定出多数个像素单元，每个所述像素单元内设有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、有机发光二极管和所述电容，所述第一薄膜晶体管位于所述扫描线与所述数据线的交叉处，所述第一薄膜晶体管的栅极电连接所述扫描线，所述第一薄膜晶体管的输入端电连接所述数据线，所述第一薄膜晶体管的输出端电连接所述第二薄膜晶体管的栅极和所述电容的一端，所述第二薄膜晶体管的输入端和所述电容的另一端电连接所述高电平线，所述第二薄膜晶体管的输出端电连接所述有机发光二极管的阳极或者阴极。
本发明实施例第二方面提供了一种AMOLED显示装置，包括上述的阵列基板。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
由于多数条所述数据线经过所述面金属块所在区域与驱动芯片电连接，所述面金属块与多数条所述数据线之间存在绝缘层，所述面金属块与所述数据线重叠的位置设有挖空区以减少所述面金属块与所述数据线形成的寄生电容。从而，通过设有挖空区，使多数条所述数据线与所述面金属块的重叠面积减少，从而寄生电容得到了减少，从而本实施例相对现有技术可以降低对数据线上信号传递的影响；而且，由于所述面金属块上设有挖空区，面金属块的面积得到了减少，从而在制程过程中不容易积累静电，从而因为面金属块上的静电释放而造成AMOLED显示装置的元器件损坏的几率得到降低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术阵列基板的示意图；
图2是本发明第一实施阵列基板的示意图；
图3是图2椭圆形区域的放大图；
图4是本发明第一实施例像素单元的示意图；
图5是本发明第二实施例阵列基板的示意图；
图6是图5椭圆形区域的放大图；
图号说明：
110、210、310-面金属块；211-降容狭缝；212-降静电狭缝；120、220-驱动芯片；230-基板；311-开口；DL’、DL-数据线；SL’、SL-扫描线；VL’、VL-高电平线；PX-像素单元；T1-第一薄膜晶体管；T2-第二薄膜晶体管；C-电容；D-有机发光二极管；AA-显示区；NAA-非显示区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本申请说明书、权利要求书和附图中出现的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同的对象，而并非用于描述特定的顺序。
第一实施例
请参照图2-图4，本发明实施例提供的AMOLED(Active Matrix OLED，有源矩阵型有机发光二极管)显示装置，包括阵列基板和薄膜封装层，所述薄膜封装层位于所述阵列基板的上方。所述阵列基板包括基板230、驱动芯片220、多数条数据线DL、多数条高电平线VL和面金属块210。
所述基板230可以为硬性基板，例如为玻璃基板，也可以为柔性基板，例如为聚酰亚胺塑料基板。所述驱动芯片220位于所述基板230上，在本实施例中所述驱动芯片220位于所述基板230的下侧。多数条所述数据线DL依次排列在基板230上，并纵向延伸到与所述驱动芯片220电连接，在本实施例中多数条所述数据线DL由基板230的上侧纵向延伸到与驱动芯片220电连接，也即由基板230的上侧延伸到基板230的下侧。多数条所述数据线DL由基板230的上侧延伸到基板230的下侧包括竖直部、扇形部和连接部，多数条所述数据线DL的竖直部呈竖直设置，多数条所述数据线DL的扇形部呈倾斜设置，所述扇形部的倾斜角度为大于或等于30度且小于90度,例如为30度、40度、45度、50度、60度、70度、75度、80度、85度等读书。多数条所述数据线DL的连接部呈竖直设置，所述扇形部位于所述竖直部与连接部之间，所述连接部的下端电连接所述驱动芯片220。多数条所述高电平线VL也依次排列在基板230上，并在所述基板230上纵向延伸，在本实施例中多数条所述高电平线VL由基板230的上侧纵向延伸到下侧。多数条所述高电平线VL与多数条所述数据线DL在基板230上位于不同层，所述高电平线VL与所述数据线DL之间间隔第一绝缘层。所述面金属块210位于基板230上并与多数条所述高电平线VL电连接，以使多数条所述高电平线VL位于同一高电平，在本实施例中所述面金属块210是与多数条所述高电平线VL的下端电连接。所述面金属块210的数目在本实施例中为一个，也即面金属块210为一个大的金属块。但本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述面金属块的数目也可以为多个，相邻两个面金属块彼此电连接。在本实施例中，所述面金属块210与所述高电平线VL在基板230上位于同一金属层，在本发明的其他实施例中，所述面金属块与所述高电平线在基板上还可以位于不同的金属层。
在本实施例中，所述面金属块210位于所述驱动芯片220的上侧，多数条所述数据线DL经过面金属块210所在区域与驱动芯片220电连接，也即所述面金属块210要么位于所述数据线DL的上方，要么位于所述数据线DL的下方，所述面金属块210与多数条所述数据线DL之间存在第二绝缘层，在本实施例中，所述第一绝缘层和第二绝缘层为同一层的绝缘层，该绝缘层例如为SiOx，但本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述第一绝缘层和第二绝缘层还可以为在基板上的不同绝缘层。从而，多数条所述数据线DL与所述面金属块210重叠的区域形成寄生电容，具体在本实施例中所述数据线DL的扇形部与所述面金属块210重叠形成寄生电容，该寄生电容会对数据线DL上信号的传递产生阻容延迟(RC Delay)的影响，为了降低该影响，本实施例通过减少寄生电容来降低阻容延迟的影响，具体说来，所述面金属块210与所述数据线DL重叠的位置设有挖空区以减少所述面金属块210与所述数据线DL形成的寄生电容，所述挖空区为挖去了对应的金属部分，例如为一个通孔，或者一个通孔填充了非金属材料，从而挖空区不会与所述数据线DL形成寄生电容。
由于多数条所述数据线DL经过所述面金属块210所在区域与驱动芯片220电连接，所述面金属块210与多数条所述数据线DL之间存在绝缘层，所述面金属块210与所述数据线DL重叠的位置设有挖空区以减少所述面金属块210与所述数据线DL形成的寄生电容。从而，通过设有挖空区，使多数条所述数据线DL与所述面金属块210的重叠面积减少，从而寄生电容得到了减少，从而本实施例相对现有技术可以降低对数据线DL上信号传递的影响；而且，由于所述面金属块210上设有挖空区，面金属块210的面积得到了减少，从而在制程过程中不容易积累静电，从而因为面金属块210上的静电释放而造成AMOLED显示装置的元器件损坏的几率得到降低。
请参见图2和图3，在本实施例中，所述挖空区为降容狭缝211，所述降容狭缝211为一条狭长的开缝，所述降容狭缝211例如为长条形，所述降容狭缝211的长度大于其宽度，其长度例如为60微米-200微米，例如为60微米、70微米、80微米、90微米、95微米、100微米、105微米、110微米、120微米、150微米、200微米等尺寸，所述降容狭缝211的宽度例如为几微米到几十微米。
在本实施例中，所述降容狭缝211的数目为多条，例如为三条、四条、六条、十条、二十条、三十条等数目，在图3所示中所述降容狭缝211为10条，多条所述降容狭缝211包括第一类降容狭缝211和第二类降容狭缝211，所述第一类降容狭缝211中的每一条分别对应一条所述数据线DL设置，请参见图3中左右两侧靠面金属块210边缘处的各两条降容狭缝211，所述四条降容狭缝211中每一条分别对应一条数据线DL设置；所述第二类降容狭缝211中的至少两条对应一条所述数据线DL设置，请参见图3中靠近面金属块210中心的六条降容狭缝211，该六条降容狭缝211中每两条对应一条数据线DL，当然，在本发明的其他实施例中，所述第二降容狭缝还可以其中的三条、四条、五条等对应一条数据线设置。在此处，所述降容狭缝211对应所述数据线DL的意思为所述降容狭缝211与对应的所述数据线DL平行或者近似平行，也即所述数据线DL的正上方或者正下方设有所述降容狭缝211，从而在降容狭缝211处不会形成寄生电容，或者在降容狭缝211处寄生电容得到很大降低。另外，在本发明的其他实施例中，多数条所述降容狭缝还可以均为第一类降容狭缝，或者多数条所述降容狭缝均为第二类降容狭缝。另外，在本发明的其他实施例中，所述降容狭缝还可以不对应所述数据线设置，也即所述降容狭缝还可以不平行对应的所述数据线，例如，每一条所述降容狭缝可以横跨过几条数据线，此种降容狭缝的设计同样可以实现减少寄生电容的效果，但此种效果没有本实施例中的效果好。另外，在本发明的其他实施例中，所述降容狭缝的数目还可以为一条，一条所述降容狭缝对应一条数据线设置，也可以不对应一条数据线设置。
在本实施例中，为了减少寄生电容最大化，所述降容狭缝211对应所述数据线DL设置，所述降容狭缝211的宽度大于或等于对应所述数据线DL的宽度，较佳为大于对应所述数据线DL的宽度，所述降容狭缝211遮盖住对应的所述数据线DL，也即所述降容狭缝211在基板230上的投影遮盖住对应的数据线DL在基板230上的投影，所述降容狭缝211的宽度根据数据线DL的宽度和相邻数据线DL的宽度而定，在本实施例中，所述降容狭缝211的宽度范围例如为2μm-20μm，例如为2μm、5μm、8μm、10μm、20μm等。另外，在本发明的其他实施例中，所述降容狭缝的宽度还可以小于对应所述数据线的宽度。
在本实施例中，所述面金属块210上还设有降静电狭缝212，所述降静电狭缝212位于多数条所述数据线DL以外的区域，也即所述降静电狭缝212不与多数条所述数据线DL重叠，例如所述降静电狭缝212位于相邻两条数据线DL之间的区域，从而此种降静电狭缝212没有降低寄生电容的效果，但是由于该降静电狭缝212的存在，面金属块210的面积可以得到减少，从而面金属块210在制程过程中不容易积累静电。
在本实施例中，所述阵列基板包括显示区AA和非显示区NAA，多数条所述数据线DL的扇形部、连接部、驱动芯片220、面金属块210位于非显示区NAA，多数条所述数据线DL的竖直部、多数条所述高电平线VL的一部分位于显示区AA。
请参见图2和图4，在本实施例中，所述阵列基板还包括多数条扫描线SL，多数条所述扫描线SL沿横向方向延伸，多数条所述扫描线SL与多数条数据线DL在显示区AA交叉限定出多数个像素单元PX，每个所述像素单元PX内设有第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、有机发光二极管D和电容C，所述第一薄膜晶体管T1位于所述扫描线SL与所述数据线DL的交叉处，所述第一薄膜晶体管T1的栅极电连接扫描线SL，所述第一薄膜晶体管T1的输入端电连接所述数据线DL，所述第一薄膜晶体管T1的输出端电连接所述第二薄膜晶体管T2的栅极和所述电容C的一端，所述第二薄膜晶体管T2的输入端和所述电容C的另一端电连接所述高电平线VL，所述第二薄膜晶体管T2的输出端电连接所述有机发光二极管D的阳极或者阴极，所述有机发光二极管D的阴极或者阳极电性接地或者连接低电平线。
另外，在本实施例中，多数个所述薄膜晶体管的栅极位于同一金属层，多数个所述薄膜晶体管的输入端、输出端位于同一金属层，多数条所述数据线DL与所述薄膜晶体管的栅极位于同一层，多数条所述高电平线VL与所述薄膜晶体管的输入端、输出端位于同一层。另外，在本发明的其他实施例中，多数条所述高电平线与所述薄膜晶体管的栅极位于同一层，多数条所述数据线与所述薄膜晶体管的输入端、输出端位于同一层。
第二实施例
图5为本发明第二实施例提供的一种阵列基板，图5的结构与图2的结构相似，因此相同的元件符号代表相同的元件，本实施例与第一实施例的主要不同点为面金属块。
请参见图5和图6，在本实施例中，所述挖空区为一个大的开口311，所述开口311跨过至少两条所述数据线DL，例如所述开口311跨过两条所述数据线DL、三条所述数据线DL、四条所述数据线DL、五条所述数据线DL、六条所述数据线DL、十条所述数据线DL、二十条所述数据线DL、三十条所述数据线DL或者跨过所有的数据线DL。具体而言，在本实施例中，所述开口311为长方形，所述长方形开口311从面金属块310的左侧延伸到面金属块310的右侧，从面金属块310的上侧延伸到面金属块310的下侧，所述开口311的面积与未设置开口311的所述面金属块310面积的比值范围为3/4-1/6，例如比值为3/4、2/3、1/2、1/3、1/4、1/5、1/6等尺寸。所述开口311可以位于所述开口311的中部设置，也即所述面金属块310为中部挖空、周围彼此连接。另外，在本发明的其他实施例中，所述开口还可以为敞口，所述敞口较佳面向所述驱动芯片设计。
本实施例中所述挖空区为开口311，所述开口311跨过至少两条所述数据线DL设置，从而，开口311可以减少寄生电容，而且可以极大的降低静电的积累，极大的降低了由于面金属块310中的静电释放而导致的元器件损坏的几率。
需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
通过上述实施例的描述，本发明具有以下优点：
由于多数条所述数据线经过所述面金属块所在区域与驱动芯片电连接，所述面金属块与多数条所述数据线之间存在绝缘层，所述面金属块与所述数据线重叠的位置设有挖空区以减少所述面金属块与所述数据线形成的寄生电容。从而，通过设有挖空区，使多数条所述数据线与所述面金属块的重叠面积减少，从而寄生电容得到了减少，从而本实施例相对现有技术可以降低对数据线上信号传递的影响；而且，由于所述面金属块上设有挖空区，面金属块的面积得到了减少，从而在制程过程中不容易积累静电，从而因为面金属块上的静电释放而造成AMOLED显示装置的元器件损坏的几率得到降低。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
驱动芯片，其位于所述基板上；
多数条数据线，其依次排列在所述基板上，并纵向延伸到与所述驱动芯片电连接；
多数条高电平线，其依次排列在所述基板上，并在所述基板上纵向延伸；
面金属块，其位于所述基板上并与多数条所述高电平线电连接，以使多数条所述高电平线处于同一高电平；其中，
多数条所述数据线经过所述面金属块所在区域与所述驱动芯片电连接，所述面金属块与多数条所述数据线之间存在绝缘层，所述面金属块与所述数据线重叠的位置设有挖空区以减少所述面金属块与所述数据线形成的寄生电容。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述挖空区为降容狭缝。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述降容狭缝的数目为多条，多条所述降容狭缝包括第一类降容狭缝，所述第一类降容狭缝中的每一条分别对应一条所述数据线设置；
或者多条所述降容狭缝包括第二类降容狭缝，所述第二类降容狭缝中的至少两条对应同一条所述数据线设置；
或者多条所述降容狭缝包括第一类降容狭缝和第二类降容狭缝，所述第一类降容狭缝中的每一条分别对应一条所述数据线设置，所述第二类降容狭缝中的至少两条对应同一条所述数据线设置。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述降容狭缝的宽度大于或等于对应所述数据线的宽度，所述降容狭缝遮盖住对应的所述数据线。
5.如权利要求2-4任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述面金属块上还设有降静电狭缝，所述降静电狭缝位于多数条所述数据线以外的区域。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述挖空区为开口，所述开口跨过至少两条所述数据线。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述挖空区的面积与未设置所述挖空区的所述面金属块面积的比值范围为3/4-1/6。
8.如权利要求1-4、6、7任意一项所述的阵列基板，其特征在于，多数条所述数据线由所述基板的上侧延伸到所述基板的下侧，多数条所述数据线包括竖直部、扇形部和连接部，所述面金属块与多数条所述数据线的所述扇形部重叠。
9.如权利要求1-4、6、7任意一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括多数条扫描线，多数条所述扫描线沿横向方向延伸，多数条所述扫描线与多数条所述数据线交叉限定出多数个像素单元，每个所述像素单元内设有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、有机发光二极管和所述电容，所述第一薄膜晶体管位于所述扫描线与所述数据线的交叉处，所述第一薄膜晶体管的栅极电连接所述扫描线，所述第一薄膜晶体管的输入端电连接所述数据线，所述第一薄膜晶体管的输出端电连接所述第二薄膜晶体管的栅极和所述电容的一端，所述第二薄膜晶体管的输入端和所述电容的另一端电连接所述高电平线，所述第二薄膜晶体管的输出端电连接所述有机发光二极管的阳极或者阴极。
10.一种AMOLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任意一项所述的阵列基板。
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