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CN106565687B - 一种新型oled材料、制备方法及其应用 - Google Patents

一种新型oled材料、制备方法及其应用 Download PDF

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CN106565687B CN201610930707.1A CN201610930707A CN106565687B CN 106565687 B CN106565687 B CN 106565687B CN 201610930707 A CN201610930707 A CN 201610930707A CN 106565687 B CN106565687 B CN 106565687B
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Abstract

本发明公开了一种新型OLED材料、制备方法及其应用，属于有机光电材料领域。所述新型OLED材料具有通式一所示结构：通式一其中Ar1至少含有一个三嗪基团，Ar2至少含有吡咯、噻吩、呋喃基团中的一种或多种。本发明还公开了上述新型OLED材料的制备方法及其应用。本发明的OLED材料，以三嗪基团为吸电子基团、以吡咯和/或噻吩和/或呋喃及其衍生物为供电子基团，通过炔键连接，形成D‑π‑A结构，使其兼具空穴及电子传输性能，同时具备热致延迟荧光性能。另外，由于其具有较高的空穴及电子传输性能，可以被应用在有机电致发光领域，作为有机材料发光层及/或电子传输层及/或空穴传输层使用。

Description

一种新型OLED材料、制备方法及其应用
技术领域
本发明涉及一种新型OLED材料、制备方法及其应用，属于有机光电材料领域。
背景技术
有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。
有机发光二极管(OLEDs)在大面积平板显示和照明方面的应用引起了工业界和学术界的广泛关注。然而，传统有机荧光材料只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)。外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。尽管磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。但磷光材料存在价格昂贵，材料稳定性较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在OLEDs的应用。热激活延迟荧光(TADF)材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。该类材料一般具有小的单线态-三线态能级差(△EST)，三线态激子可以通过反系间窜越转变成单线态激子发光。这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子，器件的内量子效率可以达到100％。同时，材料结构可控，性质稳定，价格便宜无需贵重金属，在OLEDs领域的应用前景广阔。
虽然理论上TADF材料可以实现100％的激子利用率，但实际上存在如下问题：(1)设计分子的T1和S1态具有强的CT特征，非常小的S1-T1态能隙，虽然可以通过TADF过程实现高T1→S1态激子转化率，但同时导致低的S1态辐射跃迁速率，因此，难于兼具(或同时实现)高激子利用率和高荧光辐射效率；(2)即使已经采用掺杂器件减轻T激子浓度猝灭效应，大多数TADF材料的器件在高电流密度下效率滚降严重。
炔键作为有机共轭体系中共轭桥的连接臂,具有以下优点:(i)炔键的引入,可降低体系HOMO和LUMO能级,且LUMO能级降低更显著,体系能隙变小。由此推断，块键的引入可以增强材料的抗氧化能力和电子注入能力；因此可以采用不同结构单元和连接方式对此类化合物前线轨道能级以及能级差进行有效的调节,且不同的调节方式对HOMO和LUMO的影响程度也不相同。(ii)炔键的引入,使得多数化合物的电离能有所降低,而电子亲和能则显著的增加,电离能与电子亲和能的变化趋势与前线轨道能级变化趋势一致,进一步证实了炔键的引入可以显著的提高电子的注入能力；(iii)块键的引入,空穴和电子迁移率均有显著的增加,这是因为炔基的引入使空穴和电子重组能显著的降低；(iv)增加共轭体系的长度,化合物的空穴和电子迁移率也均有所提高。结果表明,炔键的引入及端基及共轭桥的改变均可有效的调节此类化合物的光电性能。
三嗪类衍生物是一类很好的吸电子基团，可用于有机电致发光领域，同时，三嗪类衍生物具有n-型导电性质，同时具有良好的热稳定性、机械性能和抗氧化性能等。吡咯及/或噻吩及/或呋喃及其衍生物在OLED材料中是较为常用且性能优良的供电子基团。若以三嗪基团作为吸电子基团和以吡咯及/或噻吩及/或呋喃及其衍生物作为供电子基团，以炔基作为有机共轭体系中共轭桥的连接臂，有望得到具有优良光电性能的有机光电材料。
发明内容
本发明的目的之一，是提供一种新型OLED材料。本发明的OLED材料，以三嗪基团为吸电子基团、以吡咯和/或噻吩和/或呋喃及其衍生物为供电子基团，通过炔键连接，形成D-π-A结构，使其兼具空穴及电子传输性能，同时具备热致延迟荧光性能。另外，由于其具有较高的空穴及电子传输性能，可以被应用在有机电致发光领域，作为有机材料发光层及/或电子传输层及/或空穴传输层使用。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种新型OLED材料，具有通式一所示结构：
其中Ar1至少含有一个三嗪基团，Ar2至少含有吡咯、噻吩、呋喃基团中的一种或多种。
本发明的OLED材料，以三嗪基团为吸电子基团、以吡咯和/或噻吩和/或呋喃及其衍生物为供电子基团，通过炔键连接，形成D-π-A结构，使其兼具空穴及电子传输性能，同时具备热致延迟荧光性能。另外，由于其具有较高的空穴及电子传输性能，可以被应用在有机电致发光领域，作为有机材料发光层及/或电子传输层及/或空穴传输层使用。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述Ar1为通式二或通式三中的一种：
其中，R1、R2选自氢基、碳原子数为1-12的烷基、碳原子数为6-20的芳基和碳原子数为10-60的多环芳基中的一种，R3选自碳原子数为6-20的芳基和碳原子数为10-60的多环芳基中的一种。
采用上述进一步的有益效果是：一是提高Ar1基团的吸电子能力，使产品的LUMO能级集中在Ar1上；二是增加产品的电子传输性能；三是与Ar2结合可提高炔基的稳定性。
更进一步，所述Ar1为式A1-A15中的一种：
采用上述更进一步的有益效果是：上述结构式具有较合适的分子间距及吸电子能力，与Ar2相结合可得到光电性能较好的产品。
进一步，所述Ar2为通式四-通式七中的一种：
其中X选自S、O、N中的一种，Y选自S、O中的一种；
其中R4、R6、R7选自氢基、碳原子数为1-12的烷基、碳原子数为6-20的芳基和碳原子数为10-60的多环芳基中的一种，R5选自碳原子数为6-20的芳基和碳原子数为10-60的多环芳基中的一种。
采用上述进一步的有益效果是：一是提高Ar2基团的供电子能力，使产品的HOMO能级集中在Ar2上；二是增加产品的空穴传输性能；三是与Ar1结合可提高炔基的稳定性。
更进一步，所述Ar2为式B1-B48中的一种：
采用上述更进一步的有益效果是：上述结构式具有较合适的分子间距及吸电子能力，与Ar2相结合可得到光电性能较好的产品。
进一步，所述新型OLED材料的结构为式1-式48中的一种：
本发明还提供了上述新型OLED材料的合成方法，按照下述合成路线实现：将溴带物Ar1-Br与2-甲基-3-炔基-2-丁醇进行sonogashira反应，制得中间体A；以中间体A为原料与氢氧化钾反应脱去丙酮制得末端炔中间体B；以中间体B与溴带物Ar2-Br进行sonogashira反应，制得产品。
本发明的目的之二，是提供上述新型OLED材料的制备方法。本发明的制备方法合成路线简单，反应均属于经典反应，反应难度较低。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种新型OLED材料的制备方法，包括如下步骤：
(1)中间体A的制备：
将Ar1-Br与2-甲基-3-炔基-2-丁醇混合，以二三苯基磷合氯化钯、碘化亚铜、DMAP为催化剂，以三乙胺为溶剂，回流反应，降温抽滤，滤液脱溶剂，得到中间体A；
(2)中间体B的制备：
将步骤(1)得到的中间体A与氢氧化钾混合，升温反应，反应完毕降温，加入水、甲苯，分出有机相，经柱层析得到中间体B；
(3)新型OLED材料的制备：
将Ar2-Br与中间体B混合，以二三苯基磷合氯化钯、碘化亚铜、DMAP为催化剂，以三乙胺为溶剂，回流反应，反应完毕后降温抽滤，滤液脱溶剂，得到粗品，经柱层析，即得到所述新型OLED材料。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，步骤(1)所述Ar1-Br与2-甲基-3-炔基-2-丁醇的摩尔比为1:1-3；所述Ar1-Br与二三苯基磷合氯化钯的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar1-Br与碘化亚铜的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar1-Br与DMAP的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar1-Br与三乙胺的质量比为1:2-10；所述回流反应时间为3.0-10.0小时。
进一步，步骤(2)所述中间体A与氢氧化钾的摩尔比为1:1-5；所述反应时间为5.0-20.0小时，反应温度为70.0-120.0℃。
进一步，步骤(3)所述Ar2-Br与中间体B的摩尔比为1:1-1.5；所述Ar2-Br与二三苯基磷合氯化钯的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar2-Br与碘化亚铜的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar2-Br与DMAP的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar2-Br与三乙胺的质量比为1:2-10；所述回流反应时间为3.0-10.0小时。
本发明的目的之三，是提供一种有机电致发光器件。本发明的有机电致发光器件，由上述新型OLED材料制成，可有效降低驱动电压，提高器件效率。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的透明基板层、ITO、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极反射电极层，相邻层之间以真空蒸镀的方式连接，所述空穴传输层、发光层、电子传输层中的一层或多层由上述新型OLED材料制成。
本发明的目的之四，是提供上述新型OLED材料的应用。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种新型OLED材料在有机电致发光领域的的应用，所述新型OLED材料作为有机材料发光层及/或电子传输层及/或空穴传输层使用。
以本发明所提供新型OLED材料作为发光层可有效提高器件的电流效率及功率效率；作为电子传输层及空穴传输层可有效降低器件驱动电压。
本发明的有益效果：
1.本发明的OLED材料，以三嗪基团为吸电子基团、以吡咯和/或噻吩和/或呋喃及其衍生物为供电子基团，通过炔键连接，形成D-π-A结构，使其兼具空穴及电子传输性能，同时具备热致延迟荧光性能。另外，由于其具有较高的空穴及电子传输性能，可以被应用在有机电致发光领域，作为有机材料发光层及/或电子传输层及/或空穴传输层使用。
2.本发明的制备方法合成路线简单，反应均属于经典反应，反应条件温和，反应难度较低。
3.本发明的有机电致发光器件，可有效降低驱动电压，提高电流效率。
4.以本发明所提供新型OLED材料作为发光层可有效提高器件的电流效率及功率效率；作为电子传输层及空穴传输层可有效降低器件驱动电压。
附图说明
图1为本发明的为本发明提供的一种有机电致发光器件的结构示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、透明基板层，2、ITO，3、空穴注入层，4、空穴传输/电子阻挡层，5、发光层，6、电子传输/空穴阻挡层，7、电子注入层，8、阴极反射电极层。
图2为器件实施例一在亮度4500cd/m2时的电致发光光谱图。
图3为器件实施例二在亮度5100cd/m2时的电致发光光谱图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
本发明合成的一种新型OLED材料的部分结构如下：
为方便引用，上述各化合物的结构式下用数字下标，并与制备实施例中的化合物对应，例如结构式一对应制备实施例一，结构式二对应实施例二，其余的以此类推。
本发明中所用到的2-甲基-3-炔基-2-丁醇、二三苯基磷合氯化钯、DMAP、三乙胺、氢氧化钾及中间体溴带物均可在国内化工市场买到。
以实施例一为例，合成路线如下：
实施例一
(1)中间体A的制备：
将11.9g(0.03mol)A1-Br与3.36g(0.04mol)2-甲基-3-炔基-2-丁醇混合，以0.65g(0.00092mol)二三苯基磷合氯化钯、0.18g(0.00092)碘化亚铜、0.11g(0.00092mol)DMAP为催化剂，以100.0g三乙胺为溶剂，回流反应8.0hr，降温抽滤，滤液脱溶剂得到11.5g中间体A。
(2)中间体B的制备：
将11.5g中间体A、2.23g(0.04mol)氢氧化钾混合，搭建蒸馏装置，升温至90℃反应，体系有丙酮蒸出，反应至无溶剂蒸出止，降温，加入20.0g水、50.0g甲苯，分出有机相，经过柱、脱溶剂得到6.8g中间体B。
(3)化合物结构式一的制备：
将9.4g(0.02mol)R2-Br与6.4g中间体B混合，以0.41g(0.00058mol)二三苯基磷合氯化钯、0.11g(0.00058mol)碘化亚铜、0.07g(0.00058mol)DMAP为催化剂，以100.0g三乙胺为溶剂，升温至90℃回流反应8.0hr，降温抽滤，滤液脱溶剂得到12.3g产品粗品，经柱层析得到10.5g化合物结构式一精品。使用HPLC-MS来识别该化合物，分子式C53H33N5，检测值[M+1]+＝741.15,计算值739.86。
化合物结构式一的升华，称取10.0g化合物结构式一的精品，于真空升华仪中，升华参数为升华真空度2×10-5Pa,升华三区温度为275℃，升华二区温度为180℃，升华一区温度为110℃，所设温度均为梯度升温，每15min升高50℃，升高至目标温度后，保温升华5.0hr，升华共得到精品8.3g，HPLC：99.9％，升华收率为83.0％。
实施例二
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式二。
实施例三
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式三。
实施例四
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式四。
实施例五
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式五。
实施例六
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式六。
实施例七
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式七。
实施例八
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式八。
实施例九
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式九。
实施例十
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式十。
实施例十一
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式十一。
实施例十二
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式十二。
实施例十三
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式十三。
实施例十四
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式十四。
实施例十五
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式十五。
实施例十六
实施例二的制备与实施例一相同，参照实施例一中料比及反应过程，将产品的制备一步中A1-Br、A2-Br换成
即可得到化合物结构式十六。
按照化合物样品制备的实施例1中所述的方法制备新型有机光电材料(结构式1-16)，相关化合物MS数据如下表1：
表1相关化合物MS数据
有机电致发光器件可按照本领域方法制备，具体方法为：在高真空条件下，在经过清洗的导电玻璃(氧化铟锡)衬底上依次蒸镀MoO3，空穴传输层，发光层，电子传输层，1nm的LiF和120nm的Al。用该方法制得如图1所示的器件，按照作为器件的不同功能层可分为：作为发光层的实施例1、实施例2；作为电子传输层的实施例3、实施例4、实施例5、实施例6、实施例7、实施例8；作为空穴传输层的实施例9、实施例10、实施例11、实施例12、实施例13、实施例14、实施例15、实施例16。
作为发光层的实施例
器件实施例1
ITO/MoO3(10nm)/NPB(50nm)/化合物结构式一：Ir(piq)2：(acac)(6wt％，30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。电致发光光谱是由美国Potoresearch公司的PR-705光谱器测量的，所有测量均在室温大气环境中完成，谱图见图2。
器件实施例2
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/化合物结构式二：Ir(piq)2：(acac)(6wt％，30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。电致发光光谱是由美国Potoresearch公司的PR-705光谱器测量的，所有测量均在室温大气环境中完成，谱图见图3。
作为电子传输层的实施例
器件实施例3
ITO/MoO3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构式三(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例4
ITO/MoO3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构式四(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例5
ITO/MoO3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构式五(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例6
ITO/MoO3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构式六(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例7
ITO/Mo O3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构式七(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例8
ITO/MoO3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/化合物结构式八(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
作为空穴传输层的实施例
器件实施例9
ITO/MoO3(10nm)/化合物结构式九(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例10
ITO/MoO3(10nm)/化合物结构式十(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例11
ITO/MoO3(10nm)/化合物结构式十一(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例12
ITO/MoO3(10nm)/化合物结构式十二(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例13
ITO/MoO3(10nm)/化合物结构式十三(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例14
ITO/MoO3(10nm)/化合物结构式十四(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例15
ITO/MoO3(10nm)/化合物结构式十五(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件实施例16
ITO/MoO3(10nm)/化合物结构式十六(30nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件比较例一
ITO/MoO3(10nm)/NPB(50nm)/Alq3(30nm)/BCP(10nm)/TPBI(30nm)/LiF(1nm)/Al(120nm)。
器件的电流-亮度-电压特性是由带有校正过的硅光电二极管的kei thley源测量系统(keithley236 source measure unit)完成的，器件的性能数据见表2。
表2器件的性能数据
以本发明的化合物作为主体材料所制得的器件实施例1与器件实施例2，均发射红光，最高电流效率达到8.4cd/A，最高亮度可达12370cd/m2,本发明的器件在亮度、效率等方面都有明显的优势。作为电子和/或空穴传输材料，能明显降低器件的驱动电压，提高器件效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种新型OLED材料，其特征在于，具有通式一所示结构：
其中所述Ar1为式A1-A15中的一种：
所述Ar2为式B1-B48中的一种：
2.根据权利要求1所述的一种新型OLED材料，其特征在于，所述新型OLED材料的结构为式1-式48中的一种：
3.一种如权利要求1所述的新型OLED材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)中间体A的制备：
将Ar1-Br与2-甲基-3-炔基-2-丁醇混合，以二三苯基磷合氯化钯、碘化亚铜、DMAP为催化剂，以三乙胺为溶剂，回流反应，降温抽滤，滤液脱溶剂，得到中间体A；
(2)中间体B的制备：
将步骤(1)得到的中间体A与氢氧化钾混合，升温反应，反应完毕降温，加入水、甲苯，分出有机相，经柱层析得到中间体B；
(3)新型OLED材料的制备：
将Ar2-Br与步骤(2)得到的中间体B混合，以二三苯基磷合氯化钯、碘化亚铜、DMAP为催化剂，以三乙胺为溶剂，回流反应，反应完毕后降温抽滤，滤液脱溶剂，得到粗品，经柱层析，即得到所述新型OLED材料，其中，上述Ar1、Ar2分别具有权利要求1给出的含义。
4.根据权利要求3所述的一种新型OLED材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述Ar1-Br与2-甲基-3-炔基-2-丁醇的摩尔比为1:1-3；所述Ar1-Br与二三苯基磷合氯化钯的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar1-Br与碘化亚铜的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar1-Br与DMAP的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar1-Br与三乙胺的质量比为1:2-10；所述回流反应时间为3.0-10.0小时。
5.根据权利要求3所述的一种新型OLED材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述中间体A与氢氧化钾的摩尔比为1:1-5；所述反应时间为5.0-20.0小时，反应温度为70.0-120.0℃。
6.根据权利要求3所述的一种新型OLED材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述Ar2-Br与中间体B的摩尔比为1:1-1.5；所述Ar2-Br与二三苯基磷合氯化钯的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar2-Br与碘化亚铜的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar2-Br与DMAP的摩尔比为1:1‰-1％；所述Ar2-Br与三乙胺的质量比为1:2-10；所述回流反应时间为3.0-10.0小时。
7.一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的透明基板层、ITO、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极反射电极层，相邻层之间以真空蒸镀的方式连接，其特征在于，所述空穴传输层、发光层、电子传输层中的一层或多层由权利要求1所述的新型OLED材料制成。
8.一种如权利要求1所述的新型OLED材料在有机电致发光领域的的应用，其特征在于，所述新型OLED材料作为有机材料发光层及/或电子传输层及/或空穴传输层使用。
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