[go: up one dir, main page]

CN106527969B - 一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法 - Google Patents

一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106527969B
CN106527969B CN201610838881.3A CN201610838881A CN106527969B CN 106527969 B CN106527969 B CN 106527969B CN 201610838881 A CN201610838881 A CN 201610838881A CN 106527969 B CN106527969 B CN 106527969B
Authority
CN
China
Prior art keywords
file
block
write
address
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201610838881.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106527969A (zh
Inventor
杨永友
陈文轩
王自力
底青云
张文秀
孙云涛
郑健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Geology and Geophysics of CAS
Original Assignee
Institute of Geology and Geophysics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Geology and Geophysics of CAS filed Critical Institute of Geology and Geophysics of CAS
Priority to CN201610838881.3A priority Critical patent/CN106527969B/zh
Publication of CN106527969A publication Critical patent/CN106527969A/zh
Priority to US15/699,763 priority patent/US10120795B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN106527969B publication Critical patent/CN106527969B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/061—Improving I/O performance
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/0292—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing using tables or multilevel address translation means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
    • G06F12/12—Replacement control
    • G06F12/121—Replacement control using replacement algorithms
    • G06F12/126—Replacement control using replacement algorithms with special data handling, e.g. priority of data or instructions, handling errors or pinning
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0638—Organizing or formatting or addressing of data
    • G06F3/064—Management of blocks
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
    • G06F3/0656—Data buffering arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7204—Capacity control, e.g. partitioning, end-of-life degradation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7207—Details relating to flash memory management management of metadata or control data
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7208—Multiple device management, e.g. distributing data over multiple flash devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7211—Wear leveling
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

本发明涉及一种大容量存储控制技术，具体地说是涉及一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法。该方法进行读写时，可识别坏块、躲避坏块、均衡写入，保证所有的块的写入次数一致，以保证整个存储器的寿命均衡的NandFlash存储器读写。由于采用上述技术方案，本发明的方法具有计算量小、需要内存小的特点，适合适用于同一时间单一文件操作的应用场合，对系统硬件、软件需求低，能为这种低成本、低功耗的嵌入式系统的操作提供完整的文件系统方案。

Description

一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法
技术领域
技术领域
本发明涉及一种大容量存储控制技术，具体地说是涉及一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法。
背景技术
现有绝大部分的Nandflash读写驱动，是为了适应通用的文件系统而设立的，如支持几乎无限制数量的文件写入到存储器中，文件读写格式也是准备格式，因此这类文件系统驱动通常要求软硬件资源较多，比如linux操作系统中的YAFFS文件系统，是一种公认优秀的能完善支持Nandflash存储器的文件系统，移植该系统需要RAM通常为存储器容量的百分之一，如Nandflash存储器容量为1GB，则RAM容量需要10MB，此外对CPU运算速度也有要求，否则无法适应对文件读写的速度要求。
有一类嵌入式系统组成的应用系统，如长时间数据数据采集记录仪器，其每次开机运行时间长，文件数量少，单个文件容量大。这类系统资源相对紧张，比如CPU运行速度几十MHz，RAM容量几十乃至几百KB，无法移植YAFFS这类标准文件驱动系统。大容量数据记录系统中通常将NandFlash作为的数据存储器。这种存储器写入以块（block）为基本单元，存在写入次数有限的缺点，如5000-10000次。在出厂时，就可能存在已经已做标记的坏块（有坏块的存储器的其他块仍然可以正常写入、读出），在写入过程中也会产生新的坏块。因此，对这种存储器进行读写时，需要识别坏块、躲避坏块、均衡写入（尽可能保证所有的块的写入次数一致），以保证整个存储器的寿命。
人们设计了多种文件系统，以支持对NandFlash的读写，其基本思路是建立一张映射表和一个数据缓冲区，定期更新写入次数记录和坏块记录，并依此调整数据写入的块位置。在数据写入开始时，先将数据缓存在缓冲区中，等前述判断完成后再写入NandFlash中。
发明内容
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种对存储器进行读写时，可识别坏块、躲避坏块、均衡写入，保证所有的块的写入次数一致，以保证整个存储器的寿命的寿命均衡的NandFlash存储器读写方法。
本发明的技术方案是：一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法，所述方法具体包括以下步骤：
写入步骤为：
第一步：在NandFlash地址空间内建立一张新的文件信息表,读取其他所有文件信息表，确定新的文件的写入起始地址；
第二步：判断文件写入起始地址是否正好处于一个块的起始地址，如果是则要对其擦除，判断擦除操作返回状态，如果返回错误，则表明该块为坏块，需要在交换区找出一个块来替换，并更新坏块登记表；
第三步：待写入的数据存入内存的数据缓冲区，若已存够一页内容，则写入存储器中（一次写满一页），判断写操作返回状态，如果返回错误，则表明该页所处的块为坏块，需要在交换区找出一个块来替换，更新坏块登记表，并将坏块当前页和它之前页的内容复制到新块中；
第四步：页写入成功后，更新文件信息表，包含文件存储起始和结束地址、文件大小、文件更新时间；
第五步，重复第三步，直到用户结束写操作，检查数据缓冲区中是否还有剩余数据，若有则将缓冲区中所有数据写入到存储器（缓冲区未填满的内容用特定字节填充）；
第六步：更新文件信息表，结束文件写入操作；
读取步骤为：
第一步：读取文件信息表，已确定文件存储的起始地址和结束地址；
第二步：判断起始地址是否为新的块地址，若是则执行第三步，否则执行第四步；
第三步：判断准备读入的块是否为坏块，若是，则查找其替换块的地址；
第四步：以页为单位读出，根据文件信息表判断文件是否读入完毕，若完毕则结束，否则继续；
第五步：判断块内容是否全部页都读出，若没有则将页地址加1，继续执行第四步，否则执行第六步；
第六步：将块地址加1，继续执行第三步。
进一步，所述方法还包括文件删除操作：文件删除操作是删除信息文件信息表，若被删除文件在数据区的起始地址之前尚存有文件，则将起始地址之前的文件依次复制，并存储到最后1个文件的末尾起始地址，即保证数据区中保存有文件内容的区域地址连贯。
进一步，所述方法还包括文件追加写入操作，即在文件的尾部继续写入，若被追加写入的文件后面没有其他文件，则直接继续写入即可，而如果该文件后面有其他文件，则先执行的文件移动过程，将被追加写入的文件移动到已用存储空间的最尾端，然后在文件尾部继续写入。
进一步，所述NandFlash地址空间分为存储信息区、文件信息区、数据区和交换区；
存储信息区，用于存储坏块登记交换表，位于文件信息区之后；所述存储信息区分成若干小块，每块可以存储一份完整存储信息，每个小块轮流使用；
文件信息区，用于存储坏文件信息表，位于存储器物理地址的前几个块；文件信息区内部分成若干小块，每块可以存储一份完整文件信息，每个小块轮流使用；
数据区，用于存储数据内容本身，位于存储器物理地址的中间部分；
交换区，用于对坏块的交换，位于存储器物理地址的最后若干个块，若数据区中某块无法写入，则将其用交换区中的块替换。
进一步，所述存储信息区和文件信息区均由若干相同大小的小块存储单元组成，每小块存储单元均存储一份完整存储信息，每小块存储单元轮流使用。
本发明的有益效果是：由于采用上述技术方案，本发明的方法具有计算量小、需要内存小的特点，适合适用于同一时间单一文件操作的应用场合，对系统硬件、软件需求低，能为这种低成本、低功耗的嵌入式系统的操作提供完整的文件系统方案。附图说明
图1为本发明的文件写入方法流程框图。
图2为本发明的文件读取方法流程框图。
图3为本发明的存储区结构示意图。
图4为本发明的文件移动逻辑框图。具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明的技术方案做进一步说明。
如图1和图2所示，本发明一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法，所述方法具体包括以下步骤：
写入步骤为：
第一步：在NandFlash地址空间内建立一张新的文件信息表,读取其他所有文件信息表，确定新的文件的写入起始地址；
第二步：判断文件写入起始地址是否正好处于一个块的起始地址，如果是则要对其擦除，判断擦除操作返回状态，如果返回错误，则表明该块为坏块，需要在交换区找出一个块来替换，并更新坏块登记表；
第三步：待写入的数据存入内存的数据缓冲区，若已存够一页内容，则写入存储器中（一次写满一页），判断写操作返回状态，如果返回错误，则表明该页所处的块为坏块，需要在交换区找出一个块来替换，更新坏块登记表，并将坏块当前页和它之前页的内容复制到新块中；
第四步：页写入成功后，更新文件信息表，包含文件存储起始和结束地址、文件大小、文件更新时间；
第五步，重复第三步，直到用户结束写操作，检查数据缓冲区中是否还有剩余数据，若有则将缓冲区中所有数据写入到存储器（缓冲区未填满的内容用字节填充，如十六进制字节AA）；
第六步：更新文件信息表，结束文件写入操作；
读取步骤为：
第一步：读取文件信息表，已确定文件存储的起始地址和结束地址；
第二步：判断起始地址是否为新的块地址，若是则执行第三步，否则执行第四步；
第三步：判断准备读入的块是否为坏块，若是，则查找其替换块的地址；
第四步：以页为单位读出，根据文件信息表判断文件是否读入完毕，若完毕则结束，否则继续；
第五步：判断块内容是否全部页都读出，若没有则将页地址加1，继续执行第四步，否则执行第六步；
第六步：将块地址加1，继续执行第三步。
如图3所示，本发明所述NandFlash地址空间分为存储信息区、文件信息区、数据区和交换区；
存储信息区，用于存储坏块登记交换表，位于文件信息区之后；所述存储信息区分成若干小块，每块可以存储一份完整存储信息，每个小块轮流使用；
文件信息区，用于存储坏文件信息表，位于存储器物理地址的前几个块；文件信息区内部分成若干小块，每块可以存储一份完整文件信息，每个小块轮流使用；
数据区，用于存储数据内容本身，位于存储器物理地址的中间部分；
交换区，用于对坏块的交换，位于存储器物理地址的最后若干个块，若数据区中某块无法写入，则将其用交换区中的块替换。
如图4（a）所示，所述方法还包括文件删除操作：文件删除操作是删除信息文件信息表，若被删除文件在数据区的起始地址之前尚存有文件，则将起始地址之前的文件依次复制，并存储到最后1个文件的末尾起始地址，即保证数据区中保存有文件内容的区域地址连贯。
如图4（b）所示，所述方法还包括文件追加写入操作，即在文件的尾部继续写入，若被追加写入的文件后面没有其他文件，则直接继续写入即可，而如果该文件后面有其他文件，则先执行的文件移动过程，将被追加写入的文件移动到已用存储空间的最尾端，然后在文件尾部继续写入。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。

Claims (5)

1.一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：
写入步骤为：
第一步：在NandFlash地址空间内建立一张新的文件信息表,读取其他所有文件信息表，确定新的文件的写入起始地址；
第二步：判断文件写入起始地址是否正好处于一个块的起始地址，如果是则要对其擦除，判断擦除操作返回状态，如果返回错误，则表明该块为坏块，需要在交换区找出一个块来替换，并更新坏块登记表；
第三步：待写入的数据存入内存的数据缓冲区，若已存够一页内容，则写入存储器中，一次写满一页，如果不够一页则继续写入；判断写操作返回状态，如果返回错误，则表明该页所处的块为坏块，需要在交换区找出一个块来替换，更新坏块登记表，并将坏块当前页和它之前页的内容复制到新块中；如果页写入成功，则进行第四步；
第四步：更新文件信息表，包含文件存储起始和结束地址、文件大小、文件更新时间；
第五步，重复第三步，直到用户结束写操作，检查数据缓冲区中是否还有剩余数据，若有则将缓冲区中所有数据写入到存储器， 缓冲区未填满的内容用字节填充；
第六步：更新文件信息表，结束文件写入操作；
读取步骤为：
第一步：读取文件信息表，已确定文件存储的起始地址和结束地址；
第二步：判断起始地址是否为新的块地址，若是则执行第三步，否则执行第四步；
第三步：判断准备读入的块是否为坏块，若是，则查找其替换块的地址；
第四步：以页为单位读出，根据文件信息表判断文件是否读入完毕，若完毕则结束，否则继续；
第五步：判断块内容是否全部页都读出，若没有则将页地址加1，继续执行第四步，否则执行第六步；
第六步：将块地址加1，继续执行第三步。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括文件删除操作：文件删除操作是删除信息文件信息表，若被删除文件在数据区的起始地址之前尚存有文件，则将起始地址之前的文件依次复制，并存储到最后1个文件的末尾起始地址，即保证数据区中保存有文件内容的区域地址连贯。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括文件追加写入操作，即在文件的尾部继续写入，若被追加写入的文件后面没有其他文件，则直接继续写入即可，而如果该文件后面有其他文件，则先执行的文件移动过程，将被追加写入的文件移动到已用存储空间的最尾端，然后在文件尾部继续写入。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NandFlash地址空间分为存储信息区、文件信息区、数据区和交换区；
存储信息区，用于存储坏块登记交换表，位于文件信息区之后；所述存储信息区分成若干小块，每块可以存储一份完整存储信息，每个小块轮流使用；
文件信息区，用于存储坏文件信息表，位于存储器物理地址的前几个块；文件信息区内部分成若干小块，每块可以存储一份完整文件信息，每个小块轮流使用；
数据区，用于存储数据内容本身，位于存储器物理地址的中间部分；
交换区，用于对坏块的交换，位于存储器物理地址的最后若干个块，若数据区中某块无法写入，则将其用交换区中的块替换。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述存储信息区和文件信息区均由若干相同大小的小块存储单元组成，每小块存储单元均存储一份完整存储信息，每小块存储单元轮流使用。
CN201610838881.3A 2016-09-21 2016-09-21 一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法 Expired - Fee Related CN106527969B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610838881.3A CN106527969B (zh) 2016-09-21 2016-09-21 一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法
US15/699,763 US10120795B2 (en) 2016-09-21 2017-09-08 Wear-leveling nandflash memory reading/writing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610838881.3A CN106527969B (zh) 2016-09-21 2016-09-21 一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106527969A CN106527969A (zh) 2017-03-22
CN106527969B true CN106527969B (zh) 2017-09-19

Family

ID=58344214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610838881.3A Expired - Fee Related CN106527969B (zh) 2016-09-21 2016-09-21 一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10120795B2 (zh)
CN (1) CN106527969B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113641630A (zh) * 2017-03-27 2021-11-12 珠海极海半导体有限公司 一种flash存储器
CN108664208B (zh) * 2017-03-27 2022-02-15 珠海极海半导体有限公司 基于flash存储器的文件追加写操作方法及装置
CN109634516B (zh) * 2017-10-09 2024-05-24 北京握奇智能科技有限公司 一种芯片存储器的读、写数据方法及系统
CN109254953A (zh) * 2018-08-24 2019-01-22 深圳市德名利电子有限公司 一种基于fat文件的数据删除方法、数据存储设备及系统
CN112181276B (zh) * 2019-07-03 2023-06-20 北京忆恒创源科技股份有限公司 提升存储设备服务质量的大块构造、分配方法及其存储设备
CN112068772B (zh) * 2020-08-19 2023-05-16 浙江华忆芯科技有限公司 数据存储方法、数据存储装置及存储装置
CN112131040B (zh) * 2020-09-30 2022-02-11 郑州信大捷安信息技术股份有限公司 一种智能卡掉电备份区的磨损均衡管理方法和系统
CN113157211B (zh) * 2021-04-20 2022-11-18 武汉卓目科技有限公司 一种嵌入式系统信息记录的存储方法
CN113434438B (zh) * 2021-06-15 2023-03-14 武汉天喻信息产业股份有限公司 一种提高智能卡flash写入寿命的方法
CN113568767B (zh) * 2021-06-30 2024-04-30 宁波三星医疗电气股份有限公司 适用于智能用电终端的数据写文件校验方法
CN113934371B (zh) * 2021-10-08 2024-04-12 福建星网视易信息系统有限公司 一种存储器及其数据管理方法和计算机存储介质
CN114546292B (zh) * 2022-02-28 2023-12-15 深圳市风云实业有限公司 一种nand flash坏块管理方法及系统

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5809558A (en) * 1994-09-29 1998-09-15 Intel Corporation Method and data storage system for storing data in blocks without file reallocation before erasure
US6402524B2 (en) 1997-10-14 2002-06-11 Tracto-Technik Paul Schimdt Spezialmaschinen Data transfer system
US7676640B2 (en) * 2000-01-06 2010-03-09 Super Talent Electronics, Inc. Flash memory controller controlling various flash memory cells
AU2001275969A1 (en) 2000-07-19 2002-01-30 Novatek Engineering Inc. Data transmission system for a string of downhole components
US7096313B1 (en) * 2002-10-28 2006-08-22 Sandisk Corporation Tracking the least frequently erased blocks in non-volatile memory systems
US7518528B2 (en) 2005-02-28 2009-04-14 Scientific Drilling International, Inc. Electric field communication for short range data transmission in a borehole
CN1740746B (zh) 2005-05-23 2010-08-04 清华大学 微小型动态载体姿态测量装置及其测量方法
CN2849164Y (zh) 2005-11-14 2006-12-20 郑州士奇测控技术有限公司 随钻近钻头井斜角测量装置
US20070143560A1 (en) * 2005-12-21 2007-06-21 Gorobets Sergey A Non-volatile memories with memory allocation for a directly mapped file storage system
CA2544457C (en) 2006-04-21 2009-07-07 Mostar Directional Technologies Inc. System and method for downhole telemetry
US20090023502A1 (en) 2007-07-18 2009-01-22 Diamond Back - Quantum Drilling Motors, L.L.C. Downhole shock absorber for torsional and axial loads
CN201221354Y (zh) 2008-06-11 2009-04-15 中国石油集团钻井工程技术研究院 一种近钻头地质导向探测系统
CN101289935B (zh) 2008-06-11 2012-02-08 中国石油集团钻井工程技术研究院 一种近钻头地质导向探测系统
CN101493008A (zh) 2009-02-17 2009-07-29 北京六合伟业科技有限公司 基于mems器件的捷联惯性导航陀螺测斜仪
US7762854B1 (en) 2009-05-19 2010-07-27 F Time Technology Industrial Co., Ltd. RF connector assembly
TWI425355B (zh) * 2010-03-17 2014-02-01 Phison Electronics Corp 資料存取方法、記憶體控制器與儲存系統
US9686021B2 (en) 2011-03-30 2017-06-20 Schlumberger Technology Corporation Wireless network discovery and path optimization algorithm and system
TWI443512B (zh) * 2011-07-13 2014-07-01 Phison Electronics Corp 區塊管理方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置
CN202187758U (zh) 2011-08-05 2012-04-11 北京六合伟业科技有限公司 一种旋挖钻机用测斜仪
CN103061755B (zh) 2011-10-19 2016-01-13 中国石油化工股份有限公司 一种井下近钻头无线电磁波信号短距离传输系统及方法
CN102418516B (zh) 2011-12-30 2014-12-17 中天启明石油技术有限公司 随钻近钻头定向参数测量装置
CA2901757A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-12 Charles I. Peddle High speed flash controllers
US9598951B2 (en) 2013-05-08 2017-03-21 Baker Hughes Incorporated Coupled electronic and power supply frames for use with borehole conduit connections
CN103577121B (zh) * 2013-11-05 2016-07-06 中船重工（武汉）凌久电子有限责任公司 一种基于Nand Flash的高可靠线性文件存取方法
CN204283400U (zh) 2014-09-26 2015-04-22 长江大学 一种基于cmos开关的声波发射电路
CN204283413U (zh) 2014-11-28 2015-04-22 北京六合伟业科技股份有限公司 近钻头随钻测斜仪
CN105353357B (zh) 2015-11-25 2019-01-29 中国石油集团钻井工程技术研究院 水平井随钻探层测距雷达单频调制脉冲信号源
CN105760113B (zh) * 2016-02-04 2019-03-22 西安科技大学 基于nand闪存的高速存储设备及文件管理方法
CN105804722A (zh) 2016-03-10 2016-07-27 太原理工大学 一种矿用钻孔测斜仪探管的校正方法
CN206299375U (zh) 2016-11-21 2017-07-04 中国科学院地质与地球物理研究所 一种适用于随钻方位声波测井的接收装置
CN206299372U (zh) 2016-11-21 2017-07-04 中国科学院地质与地球物理研究所 一种随钻方位声波信号接收换能器封装装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10120795B2 (en) 2018-11-06
CN106527969A (zh) 2017-03-22
US20180081797A1 (en) 2018-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106527969B (zh) 一种寿命均衡的NandFlash存储器读写方法
TWI398770B (zh) 用於快閃記憶體的資料存取方法、儲存系統與控制器
CN101493794B (zh) 一种闪存数据处理方法及装置
CN101727295B (zh) 一种基于虚拟块闪存地址映射的数据写入及读出方法
CN102779096B (zh) 一种基于页块面三维的闪存地址映射方法
JP2019020788A (ja) メモリシステムおよび制御方法
CN103838853B (zh) 一种基于不同存储介质的混合文件系统
CN107784121A (zh) 一种基于非易失内存的日志文件系统的小写优化方法
CN106354658B (zh) 一种降低混合映射算法中映射表内存资源占用的方法
TWI473100B (zh) Flash memory system and its operation method
CN106815152A (zh) 一种优化页级闪存转换层的方法
CN102355495B (zh) 数据处理方法、装置和系统
CN103365786A (zh) 数据存储方法、装置和系统
US20120110300A1 (en) Data management method, memory controller and memory storage apparatus
US20240354023A1 (en) Data processing method and system, device, storage system, and medium
CN112882650A (zh) 数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法
CN108710472A (zh) 用于存储单元内部的磨损均衡管理方法及分布式存储系统
CN102520885B (zh) 一种混合硬盘的数据管理系统
TWI556103B (zh) 記憶體裝置及其資料存取方法
CN102650972B (zh) 数据存储方法、装置及系统
CN113535089B (zh) 用于ssd的映射表的刷新方法
CN101625661B (zh) 用于闪存的数据管理方法、储存系统与控制器
CN110262980B (zh) 基于有限寿命存储介质的高速存储系统
CN106326135A (zh) 一种平移非易失性存储器nvm的数据的方法及装置
CN101093463A (zh) 一种实现闪存快速写入速度的新颖的闪存转换层算法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Yang Yongyou

Inventor after: Chen Wenxuan

Inventor after: Wang Zili

Inventor after: Di Qingyun

Inventor after: Zhang Wenxiu

Inventor after: Sun Yuntao

Inventor after: Zheng Jian

Inventor before: Yang Yongyou

Inventor before: Chen Wenxuan

Inventor before: Di Qingyun

Inventor before: Zhang Wenxiu

Inventor before: Sun Yuntao

Inventor before: Zheng Jian

CB03 Change of inventor or designer information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170919

Termination date: 20200921

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee