CN106256924A - 沉积装置 - Google Patents
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Abstract
沉积装置包括腔室、沉积源、两个以上的角度限制板以及捕集器，其中，腔室供衬底提供至其内部，并且腔室包括在所述衬底上执行沉积工艺的沉积区域和设置于所述沉积区域的至少一侧处的待机区域，沉积源设置于所述腔室内部并且排放沉积材料，两个以上的角度限制板布置成与所述沉积源相邻并且限制所述沉积材料的排放方向角度，捕集器覆盖所述沉积源的上方并且捕集未沉积到所述衬底上的多余的沉积材料。所述捕集器设置于所述待机区域。
Description
技术领域
本发明涉及沉积装置，具体地，涉及用于制造显示装置的沉积装置。
背景技术
有机电致发光显示装置作为自发光型显示装置，其不仅具有宽视角和优秀的对比度，而且还具有响应速度快的优点，因此作为下一代显示装置而备受瞩目。
设置于有机电致发光显示装置中的有机电致发光器件由彼此相对的两个电极以及形成于所述电极之间的中间层构成，并且所述中间层中可设置有各种层，例如，各种层可为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层或电子注入层等。
在制造具有如上所述结构的有机电致发光器件时，形成于衬底上的所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层或所述电子注入层等的薄膜或者电极可通过使用沉积装置的沉积(deposition)方法来形成。
发明内容
本发明的目的在于提供最大限度地降低沉积材料的损失的沉积装置。
根据本发明一实施方式的沉积装置包括腔室、沉积源、两个以上的角度限制板以及捕集器，其中，腔室供衬底提供至其内部，并且腔室包括在所述衬底上执行沉积工艺的沉积区域和设置于所述沉积区域的至少一侧处的待机区域，沉积源设置于所述腔室内部并且排放沉积材料，两个以上的角度限制板布置成与所述沉积源相邻并且限制所述沉积材料的排放方向角度，捕集器覆盖所述沉积源的上方并且捕集未沉积到所述衬底上的多余的沉积材料。所述捕集器设置于所述待机区域。
在本发明一实施方式中，所述捕集器可包括覆盖部和侧壁，其中，覆盖部面对所述沉积源，侧壁从所述覆盖部在朝着所述沉积源的方向上延伸。所述侧壁可布置成与所述角度限制板相对应。
在本发明一实施方式中，所述沉积源可设置为多个并且彼此并排地排列。
在本发明一实施方式中，所述角度限制板可设置于彼此相邻的所述沉积源之间以及所述沉积源的排列方向上的两端部处。
在本发明一实施方式中，所述角度限制板的高度均可相同，或者所述角度限制板中的至少一个可具有与其他角度限制板的高度不同的高度。所述侧壁可与所述角度限制板一一对应，并且各个侧壁可设置于相对应的各个角度限制板的上方。在这种情况下，每对彼此相对应的角度限制板与侧壁的高度之和可相等。
在本发明一实施方式中，所述沉积装置还可包括使所述捕集器竖直移动的移动装置。
在本发明一实施方式中，所述捕集器可设置为多个。
在本发明一实施方式中，所述待机区域包括隔着所述沉积区域布置的第一待机区域和第二待机区域，所述沉积源能够从所述第一待机区域经过所述沉积区域移动至所述第二待机区域。所述捕集器可包括设置于所述第一待机区域的第一捕集器和设置于所述第二待机区域的第二捕集器。
在本发明一实施方式中，所述腔室可包括彼此相邻布置的第一腔室和第二腔室，所述第一腔室可包括依次相邻布置的第一待机区域、第一沉积区域和第二待机区域，所述第二腔室可包括依次相邻布置的第一待机区域、第二沉积区域和第二待机区域。所述第一腔室和所述第二腔室还可包括设置于所述第一腔室的第二待机区域与所述第二腔室的待机区域之间的摆动区域，所述第一腔室和所述第二腔室可共享所述摆动区域。此时，沉积装置所述捕集器还可包括设置于所述摆动区域的第三捕集器。
在本发明一实施方式中，所述沉积装置还可包括附接于所述捕集器以对所述捕集器进行冷却的冷却器。
在本发明一实施方式中，所述沉积装置的上表面可为网状形状。
附图说明
图1是示意性示出根据本发明一实施方式的沉积装置的结构的平面图。
图2是沿着沉积源的移动路径示意性示出根据本发明一实施方式的沉积装置的结构的截面图。
图3是示意性示出根据本发明的一实施方式的沉积装置的构件中的沉积源、角度限制板以及第一捕集器的立体图。
图4是示意性示出沉积系统的一部分的平面图，其中，该沉积系统设置有根据本发明实施方式的沉积装置作为沉积部。
具体实施方式
本发明可实施多种变形并且可具有各种形态，并且在附图中示出了特定实施方式且在说明书中详细说明了特定实施方式。但是应理解，这并不旨在将本发明限制为特定公开形态，而是包括本发明的思想和技术范围中所包含的所有变更、等同物及替代物。
在说明各个附图时，相似的附图标记用于相似的构成要素。在附图中，为了本发明的明确性，结构物的尺寸比实际尺寸放大示出。虽然第一、第二等的措辞可用于说明多种构成要素，但是所述构成要素并不受所述措辞限制。所述措辞仅用于将一个构成要素与其他构成要素区分开。例如，在不背离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可称为第二构成要素，相似地，第二构成要素也可称为第一构成要素。除非上下文中另有明确的相反指示，否则单数表述包括复数表述。
应理解，在本申请中，“包括”或“具有”等的措辞指示说明书中记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或它们的组合的存在，而不是提前排除一个或多个其他特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或它们的组合的存在或附加。
下面，将参照附图对本发明优选实施方式进行更加详细的说明。
图1是示意性示出根据本发明一实施方式的沉积装置的结构的平面图。图2是沿着沉积源的移动路径示意性示出根据本发明一实施方式的沉积装置的结构的截面图。图3是示意性示出根据本发明一实施方式的沉积装置的构成要素中的沉积源、角度限制板以及第一捕集器的立体图。
参照图1至图3，根据本发明实施方式的沉积装置包括使衬底(例如，第一衬底SUB1和第二衬底SUB2)提供至其内部的腔室CHM、设置在所述腔室CHM内部的沉积源SC、与所述沉积源SC相邻地布置的角度限制板(例如，第一角度限制板AC1、第二角度限制板AC2和第三角度限制AC3)、以及设置在所述沉积源SC上方的捕集器(例如，第一捕集器CLT1、CLT1'、第二捕集器CLT2、CLT2'和第三捕集器CLT3)。
所述沉积装置是利用沉积在衬底上形成薄膜的装置。
所述衬底设置成板状。所述衬底可根据在其上表面形成何种器件而由各种材料构成。例如，所述衬底在其上表面设置显示器件的情况下可由玻璃、石英、塑料等绝缘性物质构成。或者，所述衬底在其上表面设置存储器件的情况下可为由硅构成的晶片。
所述腔室CHM是在所述衬底上执行成膜工艺的空间。
所述腔室CHM可设置为单个，也可如图1中所示设置为多个。各个腔室CHM中可提供有所述衬底以在所述衬底上执行成膜工艺。
例如，图2示出了所述腔室CHM包括彼此相邻的第一腔室CHM1和第二腔室CHM2，其中所述第一腔室CHM1中设置有第一衬底SUB1并且所述第二腔室CHM2中设置有第二衬底SUB2。下面，将对本发明一实施方式中具有彼此相邻的两个腔室CHM1、CHM2的例子进行说明。
所述第一腔室CHM1和所述第二腔室CHM2分别为在所述第一衬底SUB1和第二衬底SUB2上执行成膜工艺的空间。所述第一腔室CHM1和所述第二腔室CHM2可分别连接有真空泵(未示出)，并且可利用所述真空泵使所述第一腔室CHM1和所述第二腔室CHM2各自的内部维持真空。
所述第一腔室CHM1和所述第二腔室CHM2各自包括在所述衬底上实质性地执行沉积工艺的沉积区域、以及设置于所述沉积区域的至少一侧处的待机区域。例如，所述第一腔室CHM1包括第一沉积区域DPA1、第一待机区域WTA1和第二待机区域WTA2，其中，第一沉积区域DPA1供所述第一衬底SUB1提供至其中并且执行对于所述第一衬底SUB1的沉积工艺，第一待机区域WTA1设置于所述第一沉积区域DPA1的一侧处，并且第二待机区域WTA2设置于所述第一沉积区域DPA1另一侧处。所述第二腔室CHM2包括第二沉积区域DPA2、第一待机区域WTA1'和第二待机区域WTA2'，其中，第二沉积区域DPA2供所述第二衬底SUB2提供至其中并且执行对于所述第二衬底SUB2的沉积工艺，第一待机区域WTA1'设置于所述第二沉积区域DPA2的一侧处，并且第二待机区域WTA2'设置于所述第二沉积区域DPA2的另一侧处。
所述第一腔室CHM1和所述第二腔室CHM2还包括设置于所述第一腔室CHM1的第二待机区域WTA2与所述第二腔室CHM2的第二待机区域WTA2'之间的摆动区域SWZ。所述第一腔室CHM1和所述第二腔室CHM2共享所述摆动区域SWZ。
所述沉积源SC将沉积材料提供至所述衬底上。所述沉积源SC包括本体BD和至少一个喷嘴，其中，本体BD在其内部容纳所述沉积材料，并且至少一个喷嘴布置在与所述衬底相对的所述本体BD上并且在朝着所述衬底的方向上排放沉积材料。
所述本体BD只要能够容纳沉积材料即可，并不受特殊限定，例如，所述本体BD可由陶瓷材料形成。所述本体BD的外部还可设置有用于加热所述沉积材料以使得所述沉积材料汽化或升华的加热器。
所述喷嘴在朝着所述衬底的方向上喷射所述本体BD内部的沉积材料。所述喷嘴可在所述本体BD上设置为多个，并且可具有多种形状和排列。在本发明一实施方式中公开了在一个方向上线性排列的示例。
在本发明一实施方式中，所述沉积源SC可设置为仅一个，也可设置为多个。在所述衬底上沉积薄膜时如果使用各种沉积材料，则所述沉积源SC可设置为两个以上。所述多个沉积源SC可被并排地排列。图3中示出了两个沉积源SC被并排设置的示例，并且沉积源SC中分别设置有第一喷嘴NZ1和第二喷嘴NZ2。
所述沉积源SC中设置有移动装置MM，其中，移动装置MM在所述腔室CHM内以及在两个相邻的腔室(如：CHM1、CHM2)之间移动所述沉积源SC。
在本发明一实施方式中，所述沉积源SC可在所述第一腔室CHM1内经由所述第一沉积区域DPA1在所述第一待机区域WTA1与所述第二待机区域WTA2之间进行移动。当将连接所述第一待机区域WTA1、所述第一沉积区域DPA1和所述第二待机区域WTA2的路径称为第一路径PTH1时，所述沉积源SC可沿着所述第一路径PTH1进行移动。当不在所述第一衬底SUB1上执行成膜工艺时，所述沉积源SC位于所述第一待机区域WTA1或所述第二待机区域WTA2。当在所述第一衬底SUB1上执行成膜工艺时，所述沉积源SC可在所述第一沉积区域DPA1内沿着所述第一路径PTH1多次往返于与所述第一衬底SUB1的两端相对应的位置而向所述第一衬底SUB1提供沉积物质。此处，为了确保沉积到所述第一衬底SUB1上的薄膜的均匀性(uniformity)，所述沉积源SC可通过在完全脱离所述第一衬底SUB1的端部之后再次以相反方向行进的方式进行往返运动。
所述沉积源SC可在所述第一腔室CHM1的沉积工艺之后移动至所述第二腔室CHM2。所述沉积源SC可从所述第一腔室CHM1的第二待机区域WTA2经过摆动区域SWZ并移动至所述第二腔室CHM2的第二待机区域WTA2'。当将连接所述第一腔室CHM1的第二待机区域WTA2、所述摆动区域SWZ和所述第二腔室CHM2的所述第二待机区域WTA2'的路径称为第二路径PTH2时，所述沉积源SC可沿着所述第二路径PTH2进行移动。虽然在本发明一实施方式中所述第二路径PTH2的形状被示出为直线，但并不限于此，在本发明的其他实施方式中所述第二路径PTH2的形状可为曲线，例如，弧形。
移动至所述第二腔室CHM2的沉积源SC可经由所述第二沉积区域DPA2在所述第二腔室CHM2的第二待机区域WTA2'与第一待机区域WTA1'之间进行移动。当将连接所述第一待机区域WTA1'、所述第二沉积区域DPA2和所述第二待机区域WTA2'的路径称为第三路径PTH3时，所述沉积源SC可沿着所述第三路径PTH3进行移动。
与在所述第一腔室CHM1中的情况相同，当不在所述第二衬底SUB2上执行成膜工艺时，所述沉积源SC位于所述第一待机区域WTA1'或所述第二待机区域WTA2'，当在所述第二衬底SUB2上执行成膜工艺时，所述沉积源SC可在所述第二沉积区域DPA2内沿着所述第三路径PTH3多次往返于与所述第二衬底SUB2的两端相对应的位置而向所述第二衬底SUB2提供沉积物质。
所述衬底和所述沉积源SC布置成彼此相对且相隔开。
虽然在本发明一实施方式中说明为在所述沉积源SC通过所述移动装置运动的同时执行沉积，但并不限于此。可在所述沉积源SC和所述衬底彼此相对移动的同时执行沉积工艺。即，可在固定所述衬底并且仅使得所述沉积源SC运动的同时执行沉积，或者可在将所述沉积源SC布置在所述沉积区域内并且使得所述衬底运动的同时执行沉积，或者可在使得所述沉积源SC和所述衬底均进行运动的同时执行沉积。
此外，所述衬底和所述沉积源SC的位置可根据方向以不同的方式设置。即，在本发明一实施方式中，如图2所示，所述衬底和所述沉积源SC可布置在竖直方向上，而在本发明其他实施方式中，所述衬底和所述沉积源可布置在水平方向上或其他方向上。
所述角度限制板布置成与所述沉积源SC相邻。所述角度限制板例如可设置在彼此相邻的所述沉积源SC之间以及所述沉积源SC的延伸方向上的两端部处。所述角度限制板限制所述沉积材料的排放方向角度。
所述角度限制板可布置在所述沉积源SC上的所述喷嘴的两侧处，并且在所述沉积源SC设置为多个时，可在两侧彼此共享设置于彼此相邻的沉积源SC之间的角度限制板。
所述角度限制板可包括第一角度限制板AC1至第三角度限制板AC3。所述第一角度限制板AC1和所述第三角度限制板AC3布置在所述沉积源SC的外侧处，所述第二角度限制板AC2布置在两个沉积源SC之间。换言之，所述第一喷嘴NZ1的两侧处设置有第一角度限制板AC1和第二角度限制板AC2，而所述第二喷嘴NZ2的两侧处设置有第二角度限制板AC2和第三角度限制板AC3。
所述沉积材料并不是在排放方向上以一条直线飞出，而是在排放方向上朝着前方以大面积扩散的方式被喷散。因此，所排放的所述沉积材料的放射角度可在所述喷嘴的两侧处根据所述角度限制板的高度来限制。
所述角度限制板可布置在所述沉积源SC的本体BD中与所述衬底相对的上表面上。
所述角度限制板具有从所述本体BD的上表面延伸的预定高度。在本发明一实施方式中，所述角度限制板可具有彼此相同的高度。
在本发明一实施方式中，所述角度限制板可不具有彼此相同的高度。例如，所述角度限制板中的至少一个可具有与其他角度限制板的高度不同的高度。
在所述第一角度限制板AC1至第三角度限制板AC3中，所述第一角度限制板AC1和所述第三角度限制板AC3可具有相同的高度，而所述第二角度限制板AC2可具有比所述第一角度限制板AC1和所述第三角度限制板AC3的高度小的高度。在本发明一实施方式中，所述第一角度限制板AC1至第三角度限制板AC3的高度并不限于此，并且也可设置得不同于此。
所述角度限制板可与所述喷嘴的排列方向相对应并且可与所述排列方向平行地延伸。
所述捕集器用于捕集未沉积到所述衬底上的多余的沉积材料，其可设置于各个腔室的待机区域。所述捕集器用于最大限度地降低沉积材料的损失，其覆盖所述沉积源SC和所述角度限制板上方。
所述捕集器中可设置有能够使所述捕集器竖直移动的移动装置。当所述沉积源SC移动至沉积区域而不在待机区域或摆动区域时，所述捕集器可移动至原来的位置，即，可以向上方向移动。
所述捕集器可设置为多个。在本发明一实施方式中，所述第一腔室CHM1的第一待机区域WTA1中可设置有第一捕集器CLT1，而所述第二腔室CHM2的第一待机区域WTA1'中可设置有第一捕集器CLT1'。此外，所述第一腔室CHM1的第二待机区域WTA2中可设置有第二捕集器CLT2，而所述第二腔室CHM2的第二待机区域WTA2'中可设置有第二捕集器CLT2'。设置于所述第一腔室CHM1的第二待机区域WTA2与所述第二腔室CHM2的第二待机区域WTA2'之间的摆动区域SWZ中可设置有第三捕集器CLT3。
所述第一至第三捕集器CLT1、CLT1'、CLT2、CLT2'、CLT3具有实质上相同的结构，并且在下文中将参照图3对设置于所述第一腔室CHM1的第一待机区域WTA1中的第一捕集器CLT1进行说明。
所述第一至第三捕集器CLT1、CLT2、CLT3具有实质上相同的结构，因此，下面将参照图3对第一捕集器CLT1进行说明。
所述第一捕集器CLT1包括覆盖部CV和侧壁，其中，覆盖部CV面对所述沉积源SC中布置有第一喷嘴NZ1和第二喷嘴NZ2的上表面，侧壁从所述覆盖部CV在朝着所述沉积源SC的方向上延伸。
所述覆盖部CV与所述沉积源SC和所述角度限制板相隔开。所述覆盖部CV可设置成与所述沉积源SC的上表面实质性地平行，但并不限于此。
所述侧壁从所述覆盖部CV在朝着所述沉积源SC的方向上延伸。所述侧壁与所述角度限制板一一对应。即，所述侧壁的数量与所述角度限制板的数量相同，各个侧壁的位置与各自相对应的角度限制板的位置匹配并被布置在角度限制板的上方。
在本发明一实施方式中，所述侧壁可包括第一侧壁WL1、第二侧壁WL2和第三侧壁WL3。所述第一侧壁WL1对应于所述第一角度限制板AC1，所述第二侧壁WL2对应于第二角度限制板AC2，并且所述第三侧壁WL3对应于所述第三角度限制板AC3。所述第一至第三侧壁WL1、WL2、WL3形成为具有与所述第一角度限制板AC1至第三角度限制板AC3的高度逆向相对的高度。例如，在第二角度限制板AC2的高度最小的图3的实施方式中，对应于所述第二角度限制板AC2的第二侧壁WL2的高度最大。由此，所述第一角度限制板AC1与第一侧壁WL1的高度之和、所述第二角度限制板AC2与所述第二侧壁WL2的高度之和、以及所述第三角度限制板AC3与第三侧壁WL3的高度之和都可相同。
当所述沉积源SC位于所述第一腔室CHM1的第一待机区域WTA1'和第二待机区域WTA2'时，所述第一捕集器CLT1以向下方向移动并覆盖所述沉积源SC的上方。此时，所述第一至第三侧壁WL1、WL2、WL3与相对应的第一至第三角度限制板AC1、AC2、AC3接触并关闭所述沉积源SC的上部空间，从而使得从所述沉积源SC放射的沉积材料不会泄漏到第一腔室CHM1。由此，所述放射的沉积材料堆积在所述第一捕集器CLT1的下表面上。
所述第二捕集器CLT2和所述第三捕集器CLT3也通过相同的方式在所述摆动区域SWZ和所述第二腔室CHM2内捕集沉积材料。
在根据本发明一实施方式的沉积装置的情况下，可通过所述捕集器捕集以前在不执行沉积工艺时会被丢弃的沉积材料。所述沉积材料可被回收并在沉积工艺中重新使用。此外，通过所述捕集器的各个侧壁最大限度地降低了彼此不同的沉积材料的混合。
在本发明一实施方式中，在将所述衬底装载至沉积装置中并对其进行对齐时将消耗预定时间，因此通过布置多个腔室，可以通过在一侧腔室中装载并对齐衬底期间在另一侧腔室中执行沉积的方式来减少待机时间。在这种情况下也可能发生摆动区中的材料损失，但是根据本发明一实施方式，通过在摆动区域设置捕集器最大限度地降低了摆动区域中的材料损失。
虽然在本发明一实施方式中示出了所述捕集器设置在各个腔室的待机区域以及摆动区域，但是所述捕集器的设置位置并不限于此。所述捕集器也可附加地设置在所述沉积区域内的、沉积源往返运动时改变运动方向的位置处，即，沉积源的转向位置处。
在本发明一实施方式中，所述捕集器中还可包括对所述捕集器进行冷却的冷却器。所述冷却器将所述捕集器维持在比所述腔室内的温度低的温度，从而使得所述腔室内的沉积材料容易被捕集。
在本发明一实施方式中，所述捕集器中面对所述沉积源的表面可具有网状(mesh)形状。在所述捕集器的表面呈网状形状的情况下，沉积物质可更将容易地附着至所述捕集器。
图4示意性示出沉积系统的一部分的平面图，其中，该沉积系统设置有根据本发明实施方式的沉积装置作为沉积部。此处，图4的沉积系统采用图1至图3中所示的沉积装置。
参照图4，根据本发明实施方式的沉积系统DPD构成为包括沉积部、转移腔室以及装锁腔室LDC1、LDC2的簇(cluster)形式，其中，沉积部包括执行沉积工艺的多个腔室CHM、CHM'，转移腔室共通地连接所述多个腔室CHM、CHM'，并且装锁腔室LDC1、LDC2对通过所述转移腔室向所述腔室CHM、CHM'内部投入的衬底执行装载和/或卸载。此外，所述转移腔室的一侧处可附加地设置有荫罩单元SMU，其中，荫罩单元SMU设置有在所述腔室中的沉积工艺时所使用的荫罩。
所述沉积部作为进行沉积工艺的地方，其可包括对两个衬底SUB1、SUB2执行沉积工艺的腔室CHM以及对一个衬底SUB3执行沉积工艺的腔室CHM'。对于所述沉积部而言，腔室的构成并不限于此，也可以仅由对两个衬底执行沉积工艺的腔室构成。
所述转移腔室包括具有用于移送衬底的移送空间的本体部BDP以及设置于所述本体部BDP内的机械臂RBA。所述机械臂RBA将设置到装锁腔室LDC1、LDC2中的衬底移送到腔室CHM、CHM'，或者将通过腔室CHM、CHM'执行完沉积的衬底移送和返送到其他腔室CHM、CHM'或装锁腔室LDC1、LDC2。所述机械臂RBA可设置为多个(例如，两个)，并且可利用所述机械臂同时移送多个衬底。
所述装锁腔室LDC1、LDC2对投入到所述沉积系统DPD内部的衬底执行装载和/或卸载。
此外，所述转移腔室与腔室CHM、CHM'、装锁腔室LDC1、LDC2以及荫罩单元SMU连接。此时，所述各个腔室CHM、CHM'中设置有供衬底出入的贯通部。
根据本发明实施方式的簇形式的沉积系统实现为腔室的长度彼此不同的多角形桶形态，因此，相比于现有的沉积系统，能够缩小所述沉积系统所占的面积。此外，由于设置有多个腔室，因此具有能够同时处理多个衬底的优点。
如上所述的各个腔室可分别将独立的沉积材料沉积到衬底上，也可将相同的材料沉积到衬底上。
虽然已在上文中参照本发明优选实施方式进行了说明，但是本发明所属技术领域的从业人员或者本发明所属技术领域的技术人员应理解，本发明可进行各种修改和变更、而不背离随附的权利要求书中所记载的本发明的思想和技术领域。
因此，本发明的技术范围应当仅由权利要求书来限定，而不是由说明书的详细说明中所记载的内容来限定。
附图标记说明
AC1、AC2、AC3：第一、第二、第三角度限制板
BD：本体 CHM1、CHM2：第一、第二腔室
CLT1、CLT1'：第一捕集器 CLT2、CLT2'：第二捕集器
CLT3：第三捕集器 SC：沉积源
CV：覆盖部 DPA1、DPA2：第一、第二沉积区域
PTH1、PTH2、PTH3：第一、第二、第三路径
SUB1、SUB2：第一、第二衬底
SWZ：摆动区域
WL1、WL2、WL3：第一、第二、第三侧壁
WTA1、WTA1'：第一待机区域
WTA2、WTA2'：第二待机区域
Claims (10)
1.一种沉积装置，包括：
腔室，所述腔室供衬底提供至其内部，并且包括在所述衬底上执行沉积工艺的沉积区域和设置于所述沉积区域的至少一侧处的待机区域；
沉积源，所述沉积源设置于所述腔室内部并且排放沉积材料；
两个以上的角度限制板，所述两个以上的角度限制板布置成与所述沉积源相邻并且限制所述沉积材料的排放方向角度；以及
捕集器，所述捕集器覆盖所述沉积源的上方并且捕集未沉积到所述衬底上的多余的沉积材料，
其中，所述捕集器设置于所述待机区域。
2.如权利要求1所述的沉积装置，其中，所述捕集器包括：
覆盖部，所述覆盖部面对所述沉积源；以及
侧壁，所述侧壁从所述覆盖部在朝着所述沉积源的方向上延伸，
其中，所述侧壁布置成与所述角度限制板相对应。
3.如权利要求2所述的沉积装置，其中，所述沉积源设置为多个并且彼此并排地排列。
4.如权利要求3所述的沉积装置，其中，所述角度限制板设置于彼此相邻的所述沉积源之间以及所述沉积源的排列方向上的两端部处。
5.如权利要求3所述的沉积装置，其中所述角度限制板中的至少一个具有与其他角度限制板的高度彼此不同的高度。
6.如权利要求5所述的沉积装置，其中，所述侧壁与所述角度限制板一一对应，并且各个侧壁设置于相对应的各个角度限制板的上方。
7.如权利要求6所述的沉积装置，其中，每对彼此相对应的角度限制板与侧壁的高度之和相等。
8.如权利要求1所述的沉积装置，其中，所述待机区域包括隔着所述沉积区域布置的第一待机区域和第二待机区域，所述沉积源能够从所述第一待机区域经过所述沉积区域移动至所述第二待机区域。
9.如权利要求8所述的沉积装置，其中，所述捕集器包括：
第一捕集器，设置于所述第一待机区域；以及
第二捕集器，设置于所述第二待机区域。
10.如权利要求9所述的沉积装置，其中，
所述腔室包括彼此相邻布置的第一腔室和第二腔室，
所述第一腔室包括依次相邻布置的第一待机区域、第一沉积区域和第二待机区域，
所述第二腔室包括依次相邻布置的第一待机区域、第二沉积区域和第二待机区域。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1723741A (zh) * | 2002-12-12 | 2006-01-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法 |
| US8091505B2 (en) * | 2007-02-01 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Secondary battery, method and device for testing the negative electrode, and method and device for producing negative electrode thereof |
| CN103119194A (zh) * | 2010-03-19 | 2013-05-22 | 安东尼奥·安德烈·真蒂莱和萨尔瓦托雷·莫德奥Mrs普通合伙公司 | 用来收集和回收沉积材料的薄膜沉积设备的栅板系统 |
| CN103540896A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、制造有机发光显示设备的方法及显示设备 |
| CN104073761A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、有机发光显示设备及其制造方法 |
| CN104120386A (zh) * | 2013-04-26 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 沉积装置和制造有机发光二极管显示器的方法 |
| CN104167511A (zh) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 三星显示有限公司 | 有机层沉积设备和用其制造有机发光显示设备的方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101117721B1 (ko) * | 2009-07-06 | 2012-03-07 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법 |
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| KR101942471B1 (ko) * | 2012-06-15 | 2019-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
| KR20140006499A (ko) * | 2012-07-05 | 2014-01-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 |
-
2015
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-
2016
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1723741A (zh) * | 2002-12-12 | 2006-01-18 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法 |
| US8091505B2 (en) * | 2007-02-01 | 2012-01-10 | Panasonic Corporation | Secondary battery, method and device for testing the negative electrode, and method and device for producing negative electrode thereof |
| CN103119194A (zh) * | 2010-03-19 | 2013-05-22 | 安东尼奥·安德烈·真蒂莱和萨尔瓦托雷·莫德奥Mrs普通合伙公司 | 用来收集和回收沉积材料的薄膜沉积设备的栅板系统 |
| CN103540896A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、制造有机发光显示设备的方法及显示设备 |
| CN104073761A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 三星显示有限公司 | 沉积设备、有机发光显示设备及其制造方法 |
| CN104120386A (zh) * | 2013-04-26 | 2014-10-29 | 三星显示有限公司 | 沉积装置和制造有机发光二极管显示器的方法 |
| CN104167511A (zh) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 三星显示有限公司 | 有机层沉积设备和用其制造有机发光显示设备的方法 |
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