[go: up one dir, main page]

CN106024638A - 薄膜晶体管及其制作方法 - Google Patents

薄膜晶体管及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106024638A
CN106024638A CN201610576516.XA CN201610576516A CN106024638A CN 106024638 A CN106024638 A CN 106024638A CN 201610576516 A CN201610576516 A CN 201610576516A CN 106024638 A CN106024638 A CN 106024638A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
film transistor
active layer
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610576516.XA
Other languages
English (en)
Inventor
刘洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201610576516.XA priority Critical patent/CN106024638A/zh
Priority to PCT/CN2016/098572 priority patent/WO2018014441A1/zh
Priority to US15/310,430 priority patent/US20180182869A1/en
Publication of CN106024638A publication Critical patent/CN106024638A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/021—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET]
    • H10D30/031—Manufacture or treatment of FETs having insulated gates [IGFET] of thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02244—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of a metallic layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02258—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by anodic treatment, e.g. anodic oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/18, H10D48/04 and H10D48/07, with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6729—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes
    • H10D30/6737—Thin-film transistors [TFT] characterised by the electrodes characterised by the electrode materials
    • H10D30/6739—Conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/674—Thin-film transistors [TFT] characterised by the active materials
    • H10D30/6755—Oxide semiconductors, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide or cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • H10D30/6758—Thin-film transistors [TFT] characterised by the insulating substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板(10)上形成有源层(20)；在基板(10)上同时形成与有源层(20)的两端分别接触的源极(30)和漏极(40)以及覆盖有源层(20)、源极(30)和漏极(40)的绝缘层(50)；在绝缘层(50)上同时形成栅极(60)以及覆盖栅极(60)的钝化层(70)。本发明还提供了一种利用该制作方法制作的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管可以在常温下进行，从而实现不耐高温的柔性基板上制备薄膜晶体管的目的，甚至不需要PECVD等昂贵的设备，能够大大降低柔性显示制造的工艺成本。

Description

薄膜晶体管及其制作方法
技术领域
本发明属于电子元器件制作技术领域，具体地讲，涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。
背景技术
柔性显示具有轻、薄、可弯曲、可折叠等特点，其相比传统的硬质基板(诸如玻璃基板)的平板显示，具有广阔的应用前景。
在传统的平板显示中，尤其在薄膜晶体管的制作过程中，由于制作工艺温度特别是PECVD工艺温度较高，对基板的温度要求较高。然后柔性基板一般采用有机高分子材料，其很难承受较高的温度，如果直接应用传统的制作工艺(诸如PECVD工艺)将阻碍柔性显示技术的发展。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种采用阳极氧化处理工艺的薄膜晶体管及其制作方法。
根据本发明的一方面，提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在基板上形成有源层；在基板上同时形成与有源层的两端分别接触的源极和漏极以及覆盖有源层、源极和漏极的绝缘层；在绝缘层上同时形成栅极以及覆盖栅极的钝化层。
进一步地，利用金属氧化物半导体材料在基板上形成有源层。
进一步地，在基板上同时形成与有源层的两端分别接触的源极和漏极以及覆盖有源层、源极和漏极的绝缘层的具体方法包括：在基板上形成覆盖有源层的金属层；在金属层上形成与将要形成源极和漏极的区域相对的光刻胶层；对金属层进行阳极氧化处理，其中，未被光刻胶层覆盖的金属层被氧化，被光刻胶层覆盖的金属层未被氧化；剥离光刻胶层，继续对金属层进行阳极氧化处理，使未被氧化的金属层的表面被氧化，从而与未被光刻胶层覆盖而被氧化的金属层形成绝缘层，经继续阳极氧化处理后未被氧化的金属层形成源极和漏极。
进一步地，在绝缘层上同时形成栅极以及覆盖栅极的钝化层的具体方法包括：在绝缘层上形成金属层；在金属层上形成与将要形成栅极的区域相对的光刻胶层；对金属层进行阳极氧化处理，其中，未被光刻胶层覆盖的金属层被氧化，被光刻胶层覆盖的金属层未被氧化；剥离光刻胶层，继续对金属层进行阳极氧化处理，使未被氧化的金属层的表面被氧化，从而与未被光刻胶层覆盖而被氧化的金属层形成钝化层，经继续阳极氧化处理后未被氧化的金属层形成栅极。
根据本发明的另一方面，还提供了一种薄膜晶体管，其包括：在基板上的有源层；在基板上且与有源层的两端分别接触的源极和漏极；在基板上覆盖有源层、源极和漏极的绝缘层；在绝缘层上的栅极；在绝缘层上且覆盖栅极的钝化层。
进一步地，所述有源层由金属氧化物半导体材料形成。
进一步地，所述基板为柔性基板或硬质基板。
进一步地，利用阳极氧化处理的方法同时形成所述源极、所述漏极及所述绝缘层。
进一步地，利用阳极氧化处理的方法同时形成所述栅极和所述钝化层。
本发明的有益效果：本发明将金属氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)的制备工艺与阳极氧化技术相结合，整个制备过程在常温下进行，从而实现不耐高温的柔性基板上制备薄膜晶体管，甚至不需要PECVD等昂贵的设备，能够大大降低柔性显示制造的工艺成本。
附图说明
通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：
图1示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管的结构示意图；
图2A至图2H示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管的制作方法的流程图。
具体实施方式
以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在附图中始终表示相同的元件。
图1示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管的结构示意图。
参照图1，根据本发明的实施例的薄膜晶体管具有顶栅结构，其包括：在基板10上的有源层20；在基板10上且与有源层20的两端分别接触的源极30和漏极40；在基板10上覆盖有源层20、源极30和漏极40的绝缘层50；在绝缘层50上的栅极60；在绝缘层50上且覆盖栅极60的钝化层70。
优选地，基板10可以为柔性基板，其采用柔性材料制成，但本发明并不限制于此，例如基板10也可以是玻璃基板或者其他的硬质基板。
可选地，有源层20由金属氧化物半导体材料制成，诸如二氧化锌(ZnO)、三氧化二铟(In2O3)、二氧化锡(SnO2)等。
可选地，源极30、漏极40和栅极60可以由金属材料或者合金材料制成，例如铝、镁、钛等金属及其合金材料。
可选地，可以利用阳极氧化处理工艺同时形成源极30、漏极40和绝缘层50。其中，绝缘层50可以由形成源极30和漏极40的金属材料或合金材料的氧化物形成。
可选地，可以利用阳极氧化处理工艺同时形成栅极60和钝化层70。其中，钝化层70可以由形成栅极60的金属材料或合金材料的氧化物形成。
图2A至图2H示出了根据本发明的实施例的薄膜晶体管的制作方法的流程图。
参照图2A，在基板10上形成有源层20。具体地，首先，在基板10上沉积金属氧化物半导体材料层；接着，对金属氧化物半导体材料层进行曝光、刻蚀，以形成有源层20。
参照图2B，在基板10上形成覆盖有源层20的金属层M1。具体地，可利用合适的沉积方法在基板10上沉积覆盖有源层20的金属层M1。
参照图2C，在金属层M1上形成与将要形成源极和漏极的区域(即有源层20的两端区域)相对的光刻胶层PR1。这里，在金属层M1上形成两个光刻胶层PR，其中一个相对于将要形成源极的区域，其中另一个相对于将要形成漏极的区域。
参照图2D，对金属层M1进行阳极氧化处理，其中，未被光刻胶层覆盖的金属层被氧化，以形成氧化金属层MO，被光刻胶层覆盖的金属层M1未被氧化。
参照图2E，剥离光刻胶层PR1，继续对未被氧化的金属层M1进行阳极氧化处理，使未被氧化的金属层M1的表面被氧化，从而与未被光刻胶层覆盖而被氧化的金属层(即图2D中的MO)形成绝缘层50，经继续阳极氧化处理后未被氧化的金属层形成源极30和漏极40。
参照图2F，在绝缘层50上形成金属层M2。具体地，可利用合适的沉积方法在绝缘层50上沉积金属层M2。
参照图2G，在金属层M2上形成与将要形成栅极的区域相对的光刻胶层PR2。
参照图2H，经曝光、刻蚀处理后，将未被光刻胶层PR2覆盖的金属层M2去除。
返回参照图1，剥离光刻胶层PR2，并对剩余的金属层M2进行阳极氧化处理，使剩余的金属层M2的表面被氧化，以形成钝化层70，未被氧化的金属层形成栅极60。
综上所述，根据本发明的实施例的薄膜晶体管及其制作方法，其将金属氧化物半导体(TOS)薄膜晶体管(TFT)的制备工艺与阳极氧化技术相结合，整个制备过程在常温下进行，从而实现不耐高温的柔性基板上制备薄膜晶体管，甚至不需要PECVD等昂贵的设备，能够大大降低柔性显示制造的工艺成本。
虽然已经参照特定实施例示出并描述了本发明，但是本领域的技术人员将理解：在不脱离由权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可在此进行形式和细节上的各种变化。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板(10)上形成有源层(20)；
在基板(10)上同时形成与有源层(20)的两端分别接触的源极(30)和漏极(40)以及覆盖有源层(20)、源极(30)和漏极(40)的绝缘层(50)；
在绝缘层(50)上同时形成栅极(60)以及覆盖栅极(60)的钝化层(70)。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，利用金属氧化物半导体材料在基板(10)上形成有源层(20)。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在基板(10)上同时形成与有源层(20)的两端分别接触的源极(30)和漏极(40)以及覆盖有源层(20)、源极(30)和漏极(40)的绝缘层(50)的具体方法包括：
在基板(10)上形成覆盖有源层(20)的金属层；
在金属层上形成与将要形成源极(30)和漏极(40)的区域相对的光刻胶层；
对金属层进行阳极氧化处理，其中，未被光刻胶层覆盖的金属层被氧化，被光刻胶层覆盖的金属层未被氧化；
剥离光刻胶层，继续对金属层进行阳极氧化处理，使未被氧化的金属层的表面被氧化，从而与未被光刻胶层覆盖而被氧化的金属层形成绝缘层(50)，经继续阳极氧化处理后未被氧化的金属层形成源极(30)和漏极(40)。
4.根据权利要求1或3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在绝缘层(50)上同时形成栅极(60)以及覆盖栅极(60)的钝化层(70)的具体方法包括：
在绝缘层(50)上形成金属层；
在金属层上形成与将要形成栅极(60)的区域相对的光刻胶层；
将未被光刻胶层覆盖的金属层去除；
剥离光刻胶层，并对剩余的金属层进行阳极氧化处理，使剩余的金属层的表面被氧化以形成钝化层(70)，未被氧化的金属层形成栅极(60)。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述基板(10)为柔性基板或硬质基板。
6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
在基板(10)上的有源层(20)；
在基板(10)上且与有源层(20)的两端分别接触的源极(30)和漏极(40)；
在基板(10)上覆盖有源层(20)、源极(30)和漏极(40)的绝缘层(50)；
在绝缘层(50)上的栅极(60)；
在绝缘层(50)上且覆盖栅极(60)的钝化层(70)。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层(20)由金属氧化物半导体材料形成。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板(10)为柔性基板或硬质基板。
9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，利用阳极氧化处理的方法同时形成所述源极(30)、所述漏极(40)及所述绝缘层(50)。
10.根据权利要求6或9所述的薄膜晶体管，其特征在于，利用阳极氧化处理的方法同时形成所述栅极(60)和所述钝化层(70)。
CN201610576516.XA 2016-07-20 2016-07-20 薄膜晶体管及其制作方法 Pending CN106024638A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610576516.XA CN106024638A (zh) 2016-07-20 2016-07-20 薄膜晶体管及其制作方法
PCT/CN2016/098572 WO2018014441A1 (zh) 2016-07-20 2016-09-09 薄膜晶体管及其制作方法
US15/310,430 US20180182869A1 (en) 2016-07-20 2016-09-09 Thin film transistor and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610576516.XA CN106024638A (zh) 2016-07-20 2016-07-20 薄膜晶体管及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106024638A true CN106024638A (zh) 2016-10-12

Family

ID=57116921

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610576516.XA Pending CN106024638A (zh) 2016-07-20 2016-07-20 薄膜晶体管及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180182869A1 (zh)
CN (1) CN106024638A (zh)
WO (1) WO2018014441A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107256878A (zh) * 2017-06-09 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0513592A1 (de) * 1991-05-11 1992-11-19 Continental Aktiengesellschaft Faltenbalg aus elastomerem Werkstoff
CN1832194A (zh) * 2006-02-28 2006-09-13 友达光电股份有限公司 有机电致发光显示单元
CN103076703A (zh) * 2012-12-28 2013-05-01 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板及其制造方法
CN105374748A (zh) * 2015-10-13 2016-03-02 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管基板的制作方法及制得的薄膜晶体管基板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3277548B2 (ja) * 1991-05-08 2002-04-22 セイコーエプソン株式会社 ディスプレイ基板
KR101623958B1 (ko) * 2008-10-01 2016-05-25 삼성전자주식회사 인버터 및 그의 동작방법과 인버터를 포함하는 논리회로
JP5676326B2 (ja) * 2011-03-18 2015-02-25 富士フイルム株式会社 電界効果型トランジスタ
CN102332404A (zh) * 2011-09-21 2012-01-25 华南理工大学 基于阳极氧化绝缘层的薄膜晶体管的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0513592A1 (de) * 1991-05-11 1992-11-19 Continental Aktiengesellschaft Faltenbalg aus elastomerem Werkstoff
CN1832194A (zh) * 2006-02-28 2006-09-13 友达光电股份有限公司 有机电致发光显示单元
CN103076703A (zh) * 2012-12-28 2013-05-01 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板及其制造方法
CN105374748A (zh) * 2015-10-13 2016-03-02 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管基板的制作方法及制得的薄膜晶体管基板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107256878A (zh) * 2017-06-09 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板及其制备方法
US11387428B2 (en) 2017-06-09 2022-07-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent display panel including selectively oxidized protection layer and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018014441A1 (zh) 2018-01-25
US20180182869A1 (en) 2018-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017063292A1 (zh) 薄膜晶体管基板的制作方法及制得的薄膜晶体管基板
CN105304478A (zh) 图案化金属膜层的方法、晶体管和阵列基板的制备方法
WO2016206236A1 (zh) 低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件
WO2017185838A1 (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2015143745A1 (zh) 一种阵列基板的制造方法
US20200035774A1 (en) Organic thin film transistor array substrate and manufacture method thereof, display device
CN107799466B (zh) Tft基板及其制作方法
CN105633170A (zh) 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置
US20150311345A1 (en) Thin film transistor and method of fabricating the same, display substrate and display device
WO2017020480A1 (zh) 薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
WO2017024612A1 (zh) 氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构
WO2013181915A1 (zh) Tft阵列基板及其制造方法和显示装置
WO2016123979A1 (zh) 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
WO2015043008A1 (zh) 薄膜晶体管阵列基板的制造方法
TWI546850B (zh) 顯示面板之製備方法
CN106920753B (zh) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示器
CN105990332B (zh) 薄膜晶体管基板及其显示面板
CN103560088B (zh) 阵列基板的制作方法
JP2008085313A5 (zh)
JP5960626B2 (ja) 薄膜トランジスタを備えた半導体装置の製造方法
US11296174B2 (en) Method of manufacturing display panel and display panel
CN104966674A (zh) 薄膜晶体管和阵列基板的制备方法及相关装置
CN106024638A (zh) 薄膜晶体管及其制作方法
CN100530551C (zh) 薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法
CN106449519A (zh) 一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20161012

RJ01 Rejection of invention patent application after publication