CN105914269A - 一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法 - Google Patents
一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105914269A CN105914269A CN201610409890.0A CN201610409890A CN105914269A CN 105914269 A CN105914269 A CN 105914269A CN 201610409890 A CN201610409890 A CN 201610409890A CN 105914269 A CN105914269 A CN 105914269A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- ohmic contact
- emitting diode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 109
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 17
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
- H10H20/856—Reflecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括永久衬底、外延发光层和背电极，外延发光层中的N‑GaAs欧姆接触层进行图形化处理，在永久衬底的背面设有背电极，在永久衬底的上面、永久衬底通过第一金属键合层和第二金属键合层同外延发光层相连接，在第二金属键合层和外延发光层之间还设有镜面反射层和介质膜层，由透明材料制成的扩展电极包覆整个外延发光层中的粗化层和N‑GaAs欧姆接触层，并同N‑GaAs欧姆接触层上的图形形成电学接触，在扩展电极上设有主电极。本发明具有可以避免电极遮光、增加电流扩展均匀性、提升发光效率、提升电极的可靠性、不易受到破坏、可靠性好、适合大批量生产的优点。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光二极管制造技术领域，尤其是涉及一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法。
背景技术
四元系
AlGaInP
是一种具有直接宽带隙的半导体材料，已广泛应用于多种光电子器件的制备。由于
AlGaInP
材料发光波段可以覆盖可见光的红光到黄绿波段，由此制成的可见光高亮度发光二极管受到广泛关注。四元系
AlGaInP
红光高亮度发光二极管已大量用于户外显示、交通灯、汽车灯等许多方面。相对于普通结构的
AlGaInP LED
芯片，高亮度
AlGaInP
芯片采用键合工艺实现衬底置换，用到热性能好的硅衬底（硅的热导率约为
1.5W/K.cm
）代替砷化镓衬底（砷化镓的热导率约为
0.8W/K.cm
），
AlGaInP LED
芯片具有更低热阻值，散热性能更好，有利于提高可靠性。另外，在
P-GaP
上镀反射层，比普通红光外延层中生长
DBR
反射镜出光效率更高。为了克服光在
AlGaInP LED
芯片与封装材料界面处的全反射而降低取光效率，还在
AlGaInP LED
芯片制作一些表面纹理结构。
由于经过衬底转置后，
N
型外延层反转向上，需要在
N-AlGaInP
电流扩展层上制作
N
型扩展电极，
N
型扩展电极一般为金属材料，通过
N-GaAs
欧姆接触层和
N-AlGaInP
电流扩展层连接。由于
N-AlGaInP
电流扩展能力差，往往需要设计较大面积的图形作为扩展电极均匀分布于
N
型表面，但这样就存在金属扩展电极遮光问题，造成亮度降低。此外扩展电极本身线宽设计较窄，且暴露在
N-AlGaInP
电流扩展层上，在进行化学腐蚀
N-GaAs
欧姆层和进行
N-AlGaInP
粗化时会造成扩展电极侧蚀刻，易脱落，严重时造成电压升高，亮度降低，严重影响产品质量。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供一种可避免金属电极的遮光、提升发光效率、提升电极的可靠性、适合大批量生产的具有透明扩展电极结构的发光二极管。
本发明的第二个目的在于提供一种具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，它能改善带有转置结构的高亮度的红光
AlGaInP
发光二极管扩展电极遮光且易受破坏脱落问题。
本发明的第一个目的是这样实现的：
一种具有透明扩展电极结构的发光二极管，包括永久衬底、外延发光层和背电极，外延发光层包括：
P-GaP
电流扩展层、缓冲层、
P-AlGaInP
限制层、多量子阱（
MQW
）有源层、
N-AlGaInP
限制层、
N-AlGaInP
电流扩展层、粗化层和
N-GaAs
欧姆接触层，
N-GaAs
欧姆接触层进行图形化处理，在永久衬底的背面设有背电极，特征是：还包括第一金属键合层、第二金属键合层、镜面反射层、介质膜层、主电极和由透明材料制成的扩展电极，在永久衬底的上面、永久衬底通过第一金属键合层和第二金属键合层同外延发光层相连接，在第二金属键合层和外延发光层之间还设有镜面反射层和介质膜层，扩展电极包覆整个粗化层和
N-GaAs
欧姆接触层，并同
N-GaAs
欧姆接触层上的图形形成电学接触，在扩展电极上设有主电极。
欧姆接触层的厚度在
50
±
10nm
，图形化后面积占发光区总面积比例在
20%-40%
。
本发明的第二个目的是这样实现的：
一种具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，其特征在于
:
包括以下步骤：
（
1
）、利用
MOCVD
设备在临时衬底上依次外延生长缓冲层、截止层、
N-GaAs
欧姆接触层、粗化层、
N-AlGaInP
电流扩展层、
N-AlGaInP
限制层、多量子阱（
MQW
）有源层、
P-AlGaInP
限制层、过渡层、
P-GaP
电流扩展层，形成完整结构的外延发光层；
（
2
）、在
P-GaP
电流扩展层上制作镜面反射层和金属键合层，在永久衬底上蒸镀金属键合层，通过金属键合层将临时衬底和永久衬底进行键合；
（
3
）、通过物理研磨和化学腐蚀方法去除临时衬底以及缓冲层和截止层，漏出
N-GaAs
欧姆接触层；
（
4
）、利用
N-GaAs
蚀刻液将
N-GaAs
欧姆接触层腐蚀出图形，将除
GaAs
外其他区域进行化学溶液粗化处理；
（
5
）、在图形化的
GaAs
区域和粗化层上制作透明扩展电极，通过退火工艺使透明扩展电极和
GaAs
形成电学连接；
（
6
）、在透明扩展电极上通过负胶剥离方式制作主电极；
（
7
）、在永久衬底的背面制作背电极。
在步骤（
1
）中，临时衬底为
GaAs
衬底。
在步骤（
2
）中，镜面反射层由
100nm
的
SiO2
和
100-400nm
的
AuBe
组成，在
SiO2
上制作出导电孔，用于
AuBe
和
GaP
形成电学接触；将临时衬底和永久衬底粘结在一起的粘结层为
600--1000nm
的
Au
。
在步骤（
3
）中，物理研磨方式为砂轮研磨，化学腐蚀采用
NH4OH
和
H2O2
的水溶液，缓冲层为
GaAs
，截止层为
GaInP
。
在步骤（
4
）中，
N-GaAs
蚀刻液为
H3PO4
和
H2O2
的水溶液，粗化液为
HF
、
HCl
、
H2SO4
、
H3PO4
、
HNO3
、
HBr
、
I2
、
CH3COOH
中的一种或多种组合。
在步骤（
5
）中，透明的扩展电极为铟锡氧化物，厚度
300
±
50nm
，折射率
1.9-2.1
，经过
300--400
℃
N2
氛围下退火工艺，铟锡氧化物同
N-GaAs
欧姆接触层形成良好的电学接触。
在步骤（
6
）中，主电极是厚度
3-5
μ
m
的
Au
。
本发明由于扩展电极为透明材料，可整个覆盖
N
面发光区，既保证了
N-GaAs
欧姆层同扩展电极的良好接触，也对
N-GaAs
欧姆层有很好的保护作用，同时作为增透膜层，提升发光效率。
同传统的金属扩展电极相比，本发明具有可以避免电极遮光、增加电流扩展均匀性、提升发光效率、提升电极的可靠性、不易受到破坏、可靠性好、适合大批量生产的优点。
附图说明
图
1
为实施例中步骤
1-3
的制作过程示意图；
图
2
为实施例中在永久衬底制作第二金属键合层和背电极的示意图；
图
3
为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例并对照附图对本发明作进一步详细说明。
一种具有透明扩展电极结构的发光二极管，包括永久衬底
201
、第一金属键合层
202
、第二金属键合层
114
、镜面反射层
113
、介质膜层
112
、外延发光层、扩展电极
203
、主电极
204
和背电极
205
，在永久衬底
201
的上面、永久衬底
201
通过第一金属键合层
202
和第二金属键合层
114
同外延发光层相连接，在第二金属键合层
114
和外延发光层之间还设有镜面反射层
113
和介质膜层
112
，外延发光层从下至上包括：
P-GaP
电流扩展层
111
、缓冲层
110
、
P-AlGaInP
限制层
109
、多量子阱（
MQW
）有源层
108
、
N-AlGaInP
限制层
107
、
N-AlGaInP
电流扩展层
106
、粗化层
105
和
N-GaAs
欧姆接触层
104
，
N-GaAs
欧姆接触层
104
进行图形化处理，由透明材料制成的扩展电极
203
包覆整个粗化层
105
和
N-GaAs
欧姆接触层
104
，并同
N-GaAs
欧姆接触层
104
上的图形形成电学接触，在扩展电极
203
上设有主电极
204
，在永久衬底
201
的背面设有背电极
205
。
欧姆接触层
104
的厚度在
50
±
10nm
，图形化后面积占发光区总面积比例在
20%-40%
。
一种具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
1
、如图
1
所示，利用
MOCVD
设备在一临时的
GaAs
衬底
101
上生长外延层发光层，外延层发光层包括缓冲层
102
、
N-GaInP
截止层
103
、
N-GaAs
欧姆接触层
104
、
N-AlGaInP
粗化层
105
、
N-AlGaInP
电流扩展层
106
、
N-AlGaInP
限制层
107
、多量子阱（
MQW
）有源层
108
、
P-AlGaInP
限制层
109
、缓冲层
110
、
P-GaP
电流扩展层
111
；其中：
N-GaAs
欧姆接触层
104
优选厚度
60nm
，掺杂浓度在
1
×
1019cm-3
以上，以保证
N
面有良好的电流扩展能力，
P-GaP
电流扩展层
111
优选厚度
3000nm
，掺杂浓度在
3
×
1018cm-3
以上，以保证
P
面有良好的电流扩展能力；
2
、利用
511
清洗液清洗
P-GaP
电流扩展层
111
，在
P-GaP
电流扩展层
111
上沉积
SiO2
介质膜层
112
，通过光刻蚀刻工艺蚀刻出
SiO2
导电孔，采用电子束蒸镀方式制作厚度为
200nm
的
AuBe
和
500nm
的
Au
镜面反射层
113
，同时
SiO2
导电孔中
AuBe
和
P-GaP
经过
440
℃退火
10min
形成良好的电学接触；
3
、在制作好的镜面反射层
113
上采用电子束蒸镀方式制作厚度为
1000nm
的
Au
作为第一金属键合层
114
；
4
、如图
2
所示，在
Si
衬底
201
（即永久衬底
201
）上采用电子束蒸镀方式制作厚度为
1000nm
的
Au
作为第二金属键合层
202
；
5
、将制作好键合层的
GaAs
衬底
101
和
Si
衬底
201
浸入丙酮溶液进行超声清洗
10min
，在
300
℃，
5000kgf
作用下
20min
将两者键合到一起；
6
、利用机械研磨方式先将
GaAs
衬底
101
去除剩余约
20
μ
m
，再用体积比为
1
：
5
的
NH4OH: H2O2
溶液反应
10min
，化学腐蚀停止在
GaInP
截止层
103
上；
7
、通过在
N-GaAs
欧姆接触层
104
上旋涂正胶，经过光刻显影后，再浸入体积比为
1
：
2
：
2
的
H3PO4
：
H2O2
：
H2O
混合溶液，蚀刻出
N-GaAs
图形，然后采用体积比为
1
：
1
：
7
的
H3PO4
：
H2SO4
：
CH3COOH
混合溶液湿法粗化
N-AIGaInP
粗化层
105
；
8
、在制作好图形的
N-GaAs
欧姆接触层
104
上采用电子束蒸镀的方式蒸镀厚度为
300nm
的铟锡氧化物薄膜，通过
350
℃氮气氛围退火炉进行退火
10min
处理，使铟锡氧化物薄膜同
N-GaAs
欧姆接触层形成良好的电学接触，得到透明的扩展电极
203
；
9
、将制作好透明的扩展电极
203
后浸入丙酮溶液超声清洗
10min
，然后进行光刻流程，旋涂负性光刻胶、光刻、显影、旋干，然后进行等离子打胶，采用电子束冷蒸的方式将
4
μ
m
的
Au
镀在透明扩展电极
203
上，剥离后形成主电极
204
，主电极
204
的图形为半径为
70
μ
m
的圆；
10
、在
Si
衬底
201
背面采用电子束热蒸镀的方式分别蒸镀厚度为
20nm
和
100nm
的
Ti
、
Au
作为背电极
205
，完成器件的制作。
Claims (9)
1.一种具有透明扩展电极结构的发光二极管，包括永久衬底、外延发光层和背电极，外延发光层包括：P-GaP电流扩展层、缓冲层、P-AlGaInP限制层、多量子阱有源层、N-AlGaInP限制层、N-AlGaInP电流扩展层、粗化层和N-GaAs欧姆接触层，N-GaAs欧姆接触层进行图形化处理，在永久衬底的背面设有背电极，其特征在于：还包括第一金属键合层、第二金属键合层、镜面反射层、介质膜层、主电极和由透明材料制成的扩展电极，在永久衬底的上面、永久衬底通过第一金属键合层和第二金属键合层同外延发光层相连接，在第二金属键合层和外延发光层之间还设有镜面反射层和介质膜层，扩展电极包覆整个粗化层和N-GaAs欧姆接触层，并同N-GaAs欧姆接触层上的图形形成电学接触，在扩展电极上设有主电极。
2.根据权利要求1所述的具有透明扩展电极结构的发光二极管，其特征在于：N-GaAs欧姆接触层的厚度在50±10nm，图形化后面积占发光区总面积比例在20%-40%。
3.一种具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，其特征在于:包括以下步骤：
（1）、利用MOCVD设备在临时衬底上依次外延生长缓冲层、截止层、N-GaAs欧姆接触层、粗化层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlGaInP限制层、多量子阱有源层、P-AlGaInP限制层、过渡层、P-GaP电流扩展层，形成完整结构的外延发光层；
（2）、在P-GaP电流扩展层上制作镜面反射层和金属键合层，在永久衬底上蒸镀金属键合层，通过金属键合层将临时衬底和永久衬底进行键合；
（3）、通过物理研磨和化学腐蚀方法去除临时衬底以及缓冲层和截止层，漏出N-GaAs欧姆接触层；
（4）、利用N-GaAs蚀刻液将N-GaAs欧姆接触层腐蚀出图形，将除GaAs外其他区域进行化学溶液粗化处理；
（5）、在图形化的GaAs区域和粗化层上制作透明扩展电极，通过退火工艺使透明扩展电极和GaAs形成电学连接；
（6）、在透明扩展电极上通过负胶剥离方式制作主电极；
（7）、在永久衬底的背面制作背电极。
4.根据权利要求3所述的具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（1）中，临时衬底为GaAs衬底。
5.根据权利要求3所述的具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中，镜面反射层由100nm的SiO2和100--400nm的AuBe组成，在SiO2上制作出导电孔，用于AuBe和GaP形成电学接触；将临时衬底和永久衬底粘结在一起的粘结层为600--1000nm的Au。
6.根据权利要求3所述的具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（3）中，物理研磨方式为砂轮研磨，化学腐蚀采用NH4OH和H2O2的水溶液，缓冲层为GaAs，截止层为GaInP。
7.根据权利要求3所述的具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（4）中，N-GaAs蚀刻液为H3PO4和H2O2的水溶液，粗化液为HF、HCl、H2SO4、H3PO4、HNO3、HBr、I2、CH3COOH中的一种或多种组合。
8.根据权利要求3所述的具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（5）中，透明的扩展电极为铟锡氧化物，厚度300±50nm，折射率1.9-2.1，经过300--400℃N2氛围下退火工艺，铟锡氧化物同N-GaAs欧姆接触层形成良好的电学接触。
9.根据权利要求3所述的具有透明扩展电极结构的发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（6）中，主电极是厚度3-5μm的Au。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610409890.0A CN105914269A (zh) | 2016-06-13 | 2016-06-13 | 一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610409890.0A CN105914269A (zh) | 2016-06-13 | 2016-06-13 | 一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105914269A true CN105914269A (zh) | 2016-08-31 |
Family
ID=56749847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610409890.0A Pending CN105914269A (zh) | 2016-06-13 | 2016-06-13 | 一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105914269A (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409994A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-02-15 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN106449923A (zh) * | 2016-10-25 | 2017-02-22 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种SiC或Si图案衬底上生长的粗化倒装GaAs基LED外延片及其制备方法 |
| CN108010996A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-08 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种AlGaInP发光二极管及其制作方法 |
| CN108538998A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-14 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
| CN110379898A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-10-25 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN110783436A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-11 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管及制作方法 |
| CN111200042A (zh) * | 2018-11-19 | 2020-05-26 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种AlGaInP四元LED芯片制备方法 |
| CN111883625A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-11-03 | 扬州乾照光电有限公司 | Led芯片结构及其制备方法 |
| CN113314648A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-27 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种led芯片及其制备方法 |
| CN113421953A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-21 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 深紫外发光二极管及其制作方法 |
| CN113948615A (zh) * | 2020-07-16 | 2022-01-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种易于曝光对位的反极性红外发光二极管的制备方法 |
| CN115332418A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-11-11 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 提升亮度的发光二极管及其制备方法 |
| CN115863466A (zh) * | 2023-03-02 | 2023-03-28 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | 一种砷化镓太阳电池芯片及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040227151A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-18 | Hitachi Cable, Ltd. | Light emitting diode |
| CN200983371Y (zh) * | 2006-11-24 | 2007-11-28 | 北京工业大学 | 低压降高取光led电极 |
| CN101714600A (zh) * | 2009-11-16 | 2010-05-26 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 倒装铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法 |
| CN104916752A (zh) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | 山东华光光电子有限公司 | 一种窗口层覆盖有氧化铟锡的反极性AlGaInP发光二极管结构 |
-
2016
- 2016-06-13 CN CN201610409890.0A patent/CN105914269A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040227151A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-18 | Hitachi Cable, Ltd. | Light emitting diode |
| CN200983371Y (zh) * | 2006-11-24 | 2007-11-28 | 北京工业大学 | 低压降高取光led电极 |
| CN101714600A (zh) * | 2009-11-16 | 2010-05-26 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 倒装铝镓铟磷基发光二极管及其制作方法 |
| CN104916752A (zh) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | 山东华光光电子有限公司 | 一种窗口层覆盖有氧化铟锡的反极性AlGaInP发光二极管结构 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449923A (zh) * | 2016-10-25 | 2017-02-22 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种SiC或Si图案衬底上生长的粗化倒装GaAs基LED外延片及其制备方法 |
| CN106449923B (zh) * | 2016-10-25 | 2018-08-17 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种SiC或Si图案衬底上生长的粗化倒装GaAs基LED外延片及其制备方法 |
| CN106409994A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-02-15 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN106409994B (zh) * | 2016-10-28 | 2019-05-14 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN108010996A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-05-08 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种AlGaInP发光二极管及其制作方法 |
| CN108538998A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-14 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种led芯片及其制作方法 |
| CN111200042A (zh) * | 2018-11-19 | 2020-05-26 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种AlGaInP四元LED芯片制备方法 |
| CN110379898A (zh) * | 2019-05-22 | 2019-10-25 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其生长方法 |
| CN110783436A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-11 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管及制作方法 |
| CN110783436B (zh) * | 2019-11-08 | 2020-11-24 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管及制作方法 |
| CN111883625A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-11-03 | 扬州乾照光电有限公司 | Led芯片结构及其制备方法 |
| CN113948615A (zh) * | 2020-07-16 | 2022-01-18 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种易于曝光对位的反极性红外发光二极管的制备方法 |
| CN113948615B (zh) * | 2020-07-16 | 2024-06-04 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种易于曝光对位的反极性红外发光二极管的制备方法 |
| CN113314648A (zh) * | 2021-05-27 | 2021-08-27 | 厦门乾照半导体科技有限公司 | 一种led芯片及其制备方法 |
| CN113421953A (zh) * | 2021-06-24 | 2021-09-21 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 深紫外发光二极管及其制作方法 |
| CN113421953B (zh) * | 2021-06-24 | 2022-12-13 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 深紫外发光二极管及其制作方法 |
| CN115332418A (zh) * | 2022-08-02 | 2022-11-11 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 提升亮度的发光二极管及其制备方法 |
| CN115863466A (zh) * | 2023-03-02 | 2023-03-28 | 南昌凯迅光电股份有限公司 | 一种砷化镓太阳电池芯片及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105914269A (zh) | 一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法 | |
| CN104300059B (zh) | 具有分布式导电孔结构的发光二极管及其制造方法 | |
| CN104167477B (zh) | 一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法 | |
| CN105185883B (zh) | 侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 | |
| CN104300065B (zh) | 具有新型扩展电极结构的发光二极管及其制造方法 | |
| CN109119436B (zh) | 表面粗化的纳米孔led阵列芯片及其制备方法 | |
| CN105957938B (zh) | 一种高亮度反极性的AlGaInP基发光二极管晶圆及其制造方法 | |
| CN102017193B (zh) | 具有双面钝化的半导体发光器件 | |
| CN104617195B (zh) | 一种近红外发光二极管及其生产方法 | |
| CN112018223B (zh) | 粘合层转印的薄膜倒装结构Micro-LED芯片及其制备方法 | |
| CN205723599U (zh) | 表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED | |
| CN106129224B (zh) | 一种水平电极倒装红光led芯片及其制备方法 | |
| CN105702820A (zh) | 表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基LED及其制造方法 | |
| CN104241489A (zh) | 全覆盖式扩展电极结构的发光二极管及其制造方法 | |
| CN106340571A (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| KR100648136B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| CN106409994A (zh) | 一种AlGaInP基发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN105895771B (zh) | 一种带ito薄膜结构的led芯片及其制备方法 | |
| KR101018280B1 (ko) | 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| CN108198923A (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN106129205B (zh) | 一种具有ito薄膜结构的led芯片及其制备方法 | |
| CN204991747U (zh) | 侧壁粗化的AlGaInP基LED | |
| CN204189818U (zh) | 具有分布式导电孔结构的发光二极管 | |
| CN106129211A (zh) | 具有嵌入式透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法 | |
| CN105720144A (zh) | 一种硅衬底氮化物紫外led芯片结构及其实现方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160831 |