CN105789402B - 倒装led芯片的制作方法 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
- H10H20/835—Reflective materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
- H10H20/841—Reflective coatings, e.g. dielectric Bragg reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
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Abstract
本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。
Description
技术领域
本发明属于光电技术领域，具体涉及倒装LED芯片的制作方法。
背景技术
发光二极管（LED）具有寿命长、节能环保等显著优点，被认为是继白炽灯、荧光灯之后又一次照明技术的革命，是目前国际上半导体和照明领域研发和产业关注的焦点，拥有巨大的应用前景。以蓝宝石、AlN等作为绝缘衬底的LED芯片，由于衬底导热率比较低，因此横向结构LED的PN结温度比较高。为了解决散热的问题，芯片的倒装焊结构（FC-LED）被提出，发光效率和散热效果都有了改进。
倒装式芯片通过将二极管外延结构倒置，利用金属材料封装在导热性能较好的基板上，可有效率的将发光二极管内的热量排除，所以更适用于交通信号灯、照明等大电流、大功率型元件。ITO、GTO、ZTO等透明导电层易与P-GaN形成良好的欧姆接触，且具有较高透射率，而被广泛用于发光二极管中。且可通过GaN（折射率n=2.5）层、ITO层（n=2）与金属反射层形成全角反射镜（ODR）的复合叠层，对光具有较佳的反射效果，从而增强LED芯片的发光强度。然而常用的反射层金属Ag，Al等金属材料在ITO表面的浸润性很差，导致Ag在ITO表面的接触性差，很难形成稳定的接触膜层，导致器件稳定性能差。
发明内容
本发明的目的在于：提供一种倒装LED芯片的制作方法，解决习知倒装LED芯片结构反射层金属与ITO层接触性差的问题，同时提高LED芯片的出光效率。
倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、提供在基板上形成外延层的发光外延片；
S2、在所述外延层表面沉积ITO膜层；
S3、通过蚀刻流体对所述ITO膜层进行干法蚀刻处理，蚀刻时间为10~30s形成波动的粗化面，实现ITO膜层的表面清洁与氟化改善；
S4、在ITO膜层粗化面上沉积金属反射层薄膜，金属反射层薄膜、外延层表面膜层、ITO膜层形成全角度反射镜。
优选的，所述干法蚀刻采用的蚀刻流体为CF4、 SF6或二者组合。
优选的，ICP功率为100~200W，气体流量为100~500 mL/min。
优选的，所述金属反射层材料为Ag、Al、Rh或任意组合。
优选的，所述ITO膜层的厚度为20~60nm。
优选的，所述金属反射层的厚度为100~800nm。
另一方面，本发明还提供了另一种倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、提供在基板上形成外延层的发光外延片；
S2、在所述外延层表面沉积ITO膜层；
S3、通过蚀刻流体对所述ITO膜层进行湿法蚀刻处理，蚀刻时间为15~60s形成波动的粗化面，实现ITO膜层的表面清洁与氟化改善；
S4、在ITO膜层粗化面上沉积金属反射层薄膜，金属反射层薄膜、外延层表面膜层、ITO膜层形成全角度反射镜。
优选的，所述湿法蚀刻采用的蚀刻流体包括NH4F、HF 蚀刻液。
优选的，所述NH4F、HF 蚀刻液中NH4F为24~32份、HF为6~8份。
优选的，所述金属反射层材料为Ag、Al、Rh或任意组合。
优选的，所述ITO膜层的厚度为20~60nm。
优选的，所述金属反射层的厚度为100~800nm。
与现有技术相比，本发明的倒装LED芯片的制作方法，至少包括以下技术效果：本发明提出一种基于干法蚀刻或湿法蚀刻的方法针对ITO膜层表面做短时间的改善处理，其中干法蚀刻时间为10~30s、湿法蚀刻时间为15~60s，从而通过短时间的蚀刻，改善金属材料在ITO表面的浸润性，增强金属反射层与ITO之间的附着性，提升由金属反射层薄膜、外延层表面膜层、ITO膜层组成的ODR叠层的反射率，同时通过对ITO膜层表面态的氟化处理，有效改善以GaN/ITO/Ag形成的ODR叠层的反射率，从而提升LED芯片的光萃取特性，该方法操作简单，成本低廉，可广泛应用于生产。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1：实施例1~3制作到步骤1的剖面示意图；
图2：实施例1~3制作到步骤2的剖面示意图；
图3：实施例1~3制作到步骤3的剖面示意图；
图4：实施例1~3制作到步骤4的剖面示意图；
图5：实施例1~3制作到步骤5的剖面示意图。
图中各标号表示：1：基板，2：N型层，3：发光层，4：P型层，5：ITO薄膜，6：金属反射层，7a：P电极，7b：N电极。
具体实施方式
为了能彻底地了解本发明，将在下列的描述中提出详尽的步骤及其组成，另外，众所皆知的组成或步骤并未描述于细节中，以避免造成本发明不必要之限制。本发明的较佳实施例会详细描述如下，然而除了这些详细描述之外，本发明还可以广泛地施行在其它的实施例中，且本发明的范围不受限定，以专利权利范围为准。
本发明提出一适用于倒装LED芯片的制作方法，增加倒装LED芯片金属反射层与ITO之间的附着性、提升LED芯片的光萃取特性。
实施例1
本实施例所提出的倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、参看图1，提供一在基板1上形成外延层的发光外延片，外延层包含N型层2、发光层3和P型层4，并对外延层表面做清洁处理；
S2、参看图2，用磁控溅射的方法在清洁后的P型层4表面沉积一ITO膜层5，其中ITO膜层5的厚度为20~60nm；
S3、参看图3，通过对ITO膜层5进行蚀刻处理，形成波动的粗化面，并且实现ITO膜层5表面的清洁与氟化改善；
S4、参看图4，在ITO膜层5粗化面上沉积100~800nm厚度的金属反射层6薄膜，金属反射层6材料采用Ag或Al或Rh或任意组合，本实施例采用Ag，金属反射层6、外延层表面膜层、ITO膜层5形成全角度反射镜；
S5、参看图5，在金属反射层6薄膜上制作以Ni、Au为金属组合的P电极7a，同时在N型层2制作Cr、Al、Au等金属组合的N电极7b，形成P、N接触。
步骤3的蚀刻处理为干法蚀刻，优选采用CF4或SF6或二者组合的蚀刻气体，干蚀刻ICP的功率为100~200W， 气体流量为100~500 mL/min,，干法蚀刻的时间为10~30s，相比常规干法蚀刻，蚀刻时间短、改善金属材料在ITO表面的浸润性，增强金属反射层与ITO之间的附着性。
实施例2
本实施例所提出的倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、参看图1，提供一在基板1上形成外延层的发光外延片，外延层包含N型层2、发光层3和P型层4，并对外延层表面做清洁处理；
S2、参看图2，用磁控溅射的方法在清洁后的P型层表面沉积一ITO膜层5，其中ITO膜层5的厚度为20~60nm；
S3、参看图3，通过对ITO膜层5进行蚀刻处理，形成波动的粗化面，并且实现ITO膜层5表面的清洁与氟化改善；
S4、参看图4，在ITO膜层5粗化面上沉积100~800nm厚度的金属反射层6薄膜，金属反射层6材料采用Ag或Al或Rh或任意组合，本实施例采用Ag，金属反射层6、外延层表面膜层、ITO膜层5形成全角度反射镜；
S5、参看图5，在金属反射层6薄膜上制作以Ni、Au为金属组合的P电极7a，同时在N型层2制作Cr、Al、Au等金属组合的N电极7b，形成P、N接触。
步骤3的蚀刻处理为湿法蚀刻。湿法蚀刻的蚀刻流体为可与ITO发生缓慢反应的蚀刻液，优选为HNO3、HCL和H2O的混合液，其中HNO3为15~25份、HCL为8~12份、H2O为8~12份，本实施例优选的HNO3：HCL:H2O成分含量为2:1:1。湿法蚀刻的蚀刻流体也可以选择NH4F和HF的混合液，其中NH4F为24~32份、HF为6~8份，本实施例优选的NH4F:HF的成分含量为4:1，该比例下蚀刻溶液得到最佳的ITO膜层氟化效果，有效改善以GaN/ITO/Ag形成的ODR叠层的反射率，从而提升LED芯片的光萃取特性。湿法蚀刻的时间为15~60s，相比常规湿法蚀刻，本实施例的蚀刻时间短、改善金属材料在ITO表面的浸润性，增强金属反射层与ITO之间的附着性，同时避免过度蚀刻导致的性能下降。
实施例3
本实施例所提出的倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、参看图1，提供一在基板1上形成外延层的发光外延片，外延层包含N型层2、发光层3和P型层4，并对外延层表面做清洁处理；
S2、参看图2，用磁控溅射的方法在清洁后的P型层4表面沉积一ITO膜层5，其中ITO膜层5的厚度为20~60nm；
S3、参看图3，通过对ITO膜层5进行蚀刻处理，形成波动的粗化面，并且实现ITO膜层5表面的清洁与氟化改善；
S4、参看图4，在ITO膜层5粗化面上沉积100~800nm厚度的金属反射层6薄膜，金属反射层6材料采用Ag或Al或Rh或任意组合，本实施例采用Ag，金属反射层6、外延层表面膜层、ITO膜层5形成全角度反射镜；
S5、参看图5，在金属反射层6薄膜上制作以Ni、Au为金属组合的P电极7a，同时在N型层2制作Cr、Al、Au等金属组合的N电极7b，形成P、N接触。
步骤3采用蚀刻流体对ITO膜层5进行粗化蚀刻，蚀刻依次包括前段蚀刻和后段蚀刻，其中前段蚀刻为湿法蚀刻，后段蚀刻为干法蚀刻，可实现与ITO发生缓慢的反应与氟化反应。
湿法蚀刻的蚀刻流体，蚀刻流体为可与ITO发生缓慢反应的蚀刻液，优选为HNO3、HCL和H2O的混合液，其中HNO3为15~25份、HCL为8~12份、H2O为8~12份，本实施例优选的HNO3：HCL:H2O成分含量为2:1:1。湿法蚀刻的蚀刻流体也可以选择NH4F和HF的混合液，其中NH4F为24~32份、HF为6~8份，本实施例优选的NH4F:HF的成分含量为4:1，湿法蚀刻的时间为15~60s。
干法蚀刻的蚀刻流体，优选采用CF4或SF6或二者组合的蚀刻气体，干蚀刻ICP的功率为100~200W， 气体流量为100~500 mL/min,，干法蚀刻的时间为10~30s。
Claims (9)
1.倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、提供在基板上形成外延层的发光外延片；
S2、在所述外延层表面沉积ITO膜层；
S3、通过蚀刻流体对所述ITO膜层进行干法蚀刻处理，蚀刻时间为10~30s形成波动的粗化面，实现ITO膜层的表面清洁与氟化改善；
S4、在ITO膜层粗化面上沉积金属反射层薄膜，金属反射层薄膜、外延层表面膜层、ITO膜层形成全角度反射镜。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述干法蚀刻采用的蚀刻流体为CF4、 SF6或二者组合。
3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：ICP功率为100~200W，气体流量为100~500 mL/min。
4.倒装LED芯片的制作方法，包括步骤：
S1、提供在基板上形成外延层的发光外延片；
S2、在所述外延层表面沉积ITO膜层；
S3、通过蚀刻流体对所述ITO膜层进行湿法蚀刻处理，蚀刻时间为15~60s形成波动的粗化面，实现ITO膜层的表面清洁与氟化改善；
S4、在ITO膜层粗化面上沉积金属反射层薄膜，金属反射层薄膜、外延层表面膜层、ITO膜层形成全角度反射镜。
5.根据权利要求4所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述湿法蚀刻采用的蚀刻流体包括NH4F、HF 蚀刻液。
6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述NH4F、HF 蚀刻液中NH4F为24~32份、HF为6~8份。
7.根据权利要求1或4所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述金属反射层材料为Ag、Al、Rh或以上材料任意组合。
8.根据权利要求1或4所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述ITO膜层的厚度为20~60nm。
9.根据权利要求1或4所述的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于：所述金属反射层的厚度为100~800nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610325068.6A CN105789402B (zh) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 倒装led芯片的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610325068.6A CN105789402B (zh) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 倒装led芯片的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105789402A CN105789402A (zh) | 2016-07-20 |
| CN105789402B true CN105789402B (zh) | 2019-02-19 |
Family
ID=56378898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610325068.6A Active CN105789402B (zh) | 2016-05-17 | 2016-05-17 | 倒装led芯片的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105789402B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN109545936A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-03-29 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种面光源芯片及其发光二极管 |
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| CN103474343A (zh) * | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 昆山奥德鲁自动化技术有限公司 | 一种ito表面微纳米结构处理方法 |
| CN103789751A (zh) * | 2012-11-01 | 2014-05-14 | 南京华显高科有限公司 | Ito表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法 |
| CN105428485A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-23 | 扬州乾照光电有限公司 | GaP表面粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5788701B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-10-07 | 関東化学株式会社 | 透明導電膜用エッチング液組成物 |
-
2016
- 2016-05-17 CN CN201610325068.6A patent/CN105789402B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105789402A (zh) | 2016-07-20 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
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