CN105718985B - Rfid防伪电路 - Google Patents
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Abstract
RFID防伪电路，涉及RFID技术。本发明包括RFID单元，其特征在于，还包括静电击穿单元和检测放大单元；所述静电击穿单元包括击穿NMOS管和前置二极管保护电路、后置二极管保护电路，PAD端通过前置二极管保护电路连接击穿NMOS管的栅极，击穿NMOS管的栅极还通过后置二极管保护电路连接第一输出点；击穿NMOS管的源极和漏极接地；第一输出点通过检测放大单元接RFID单元。使芯片能通过静电击穿改变内部状态但又不至于损坏。在发生静电击穿后，即确保芯片无法被回收利用，又能确保原来的追溯信息能被正确读取。
Description
技术领域
本发明涉及RFID技术。
背景技术
RFID技术即无线射频识别技术，是一种非接触的自动识别技术，其基本原理是利用射频信号和空间耦合(电感或电磁耦合)或雷达反射的传输特性，实现对被识别物体的自动识别。目前RFID芯片已经开始用于物品的防伪，例如高档白酒的防伪。为了防止造假者回收利用RFID防伪标签，通常是利用防揭、易碎技术在适当的时机将RFID标签破坏掉，但RFID芯片理论上仍可以被取出标签后回收利用，这是一种“机械破坏”方式的防伪。还有一种“电路破坏”方式的防伪，例如中国发明专利“利用静电击穿原理破坏瓶盖中RFID芯片的方法”(201210037777.6)公开了一种方法，用静电击穿的方法直接将RFID芯片破坏掉，解决了上述RFID芯片可以被回收的问题。但是，RFID芯片一旦被破坏，里面的信息完全无法读出，在某些场合会形成不便，例如，首次验证皆在销售商处进行，在不能排除销售商恶意修改读卡设备的情形下，消费者无法自行进行二次查验。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够多次验证的RFID防伪电路。
本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，RFID防伪电路，包括RFID单元，其特征在于，还包括静电击穿单元和检测放大单元；
所述静电击穿单元包括击穿NMOS管NM0和前置二极管保护电路、后置二极管保护电路，PAD端通过前置二极管保护电路连接击穿NMOS管的栅极，击穿NMOS管的栅极还通过后置二极管保护电路连接第一输出点；击穿NMOS管的源极和漏极接地；
第一输出点通过检测放大单元接RFID单元。
进一步的，所述前置二极管保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管，
第一电阻、第二电阻、第三电阻顺次串联于PAD端和击穿NMOS管的栅极之间，
第一二极管正极接地，负极接PAD端；
第二二极管正极接地，负极接第一电阻和第二电阻的连接点；
第三二极管正极接地，负极接第二电阻和第三电阻的连接点。
所述后置二极管保护电路包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、第四二极管、第五二极管、第六二极管，
第四电阻、第五电阻、第六电阻顺次串联于击穿NMOS管的栅极和第一输出点之间，
第四二极管正极接地，负极接第四电阻和第五电阻的连接点；
第五二极管正极接地，负极接第五电阻和第六电阻的连接点；
第六二极管正极接地，负极接第一输出点。
本发明的有益效果是，使芯片能通过静电击穿改变内部状态但又不至于损坏。在发生静电击穿后，即确保芯片无法被回收利用，又能确保原来的追溯信息能被正确读取。本发明简单易行，成本低廉，不破坏RFID芯片本身，即发生静电击穿后芯片的基本功能不变，只是内部状态改变。
附图说明
图1是本发明的整体结构示意图。
图2是本发明静电击穿单元的电路图。
图3是本发明的检测放大单元的电路图。
具体实施方式
参见图1～3。
RFID防伪电路，包括RFID单元，还包括静电击穿单元和检测放大单元；
所述静电击穿单元包括击穿NMOS管NM0和前置二极管保护电路、后置二极管保护电路，PAD端通过前置二极管保护电路连接击穿NMOS管NM0的栅极，击穿NMOS管NM0的栅极还通过后置二极管保护电路连接第一输出点P0；击穿NMOS管NM0的源极和漏极接地；
第一输出点P0通过检测放大单元接RFID单元。
所述前置二极管保护电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3，
第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3顺次串联于PAD端和击穿NMOS管NM0的栅极之间，
第一二极管D1正极接地，负极接PAD端；
第二二极管D2正极接地，负极接第一电阻R1和第二电阻R2的连接点；
第三二极管D3正极接地，负极接第二电阻R2和第三电阻R3的连接点。
所述后置二极管保护电路包括第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第四二极管D4、第五二极管D5、第六二极管D6，
第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6顺次串联于击穿NMOS管NM0的栅极和第一输出点P0之间，
第四二极管D4正极接地，负极接第四电阻R4和第五电阻R5的连接点；
第五二极管D5正极接地，负极接第五电阻R5和第六电阻R6的连接点；
第六二极管D6正极接地，负极接第一输出点P0。
所述检测放大单元的结构为：
第一PMOS管PM1的源极接UNK端，栅极和漏极接第一连接点P1，BN端接第一连接点P1；
第二PMOS管PM2的源极接UNK端，栅极接第一连接点P1，漏极接第二连接点P2；
第三PMOS管PM3的栅极接第一连接点P1，源极接UNK端，漏极接第三连接点P3；
第一NMOS管NM1栅极和漏极接第一连接点P1，源极接地；
第二NMOS管NM2漏极接第二连接点P2，栅极和源极接地；
第三NMOS管NM3漏极和栅极接第二连接点P2，源极接地；
第四NMOS管NM4栅极接第二连接点P2，源极接地，漏极接第三连接点P3；
第一输出点P0通过电阻R0接第二连接点P2；
第四PMOS管PM4源极和衬底接VDD端，漏极接第五PMOS管PM5的源极，栅极接第三连接点P3；
第五PMOS管PM5的衬底接VDD端，漏极接第二输出点OUT，栅极接第三连接点P3；
第六PMOS管PM6的衬底接VDD端，漏极接地，栅极接第二输出点OUT，源极接第四PMOS管PM4的漏极；
第五NMOS管NM5衬底接地，漏极接第二输出点OUT，栅极接第三连接点P3；源极接第六NMOS管NM6的漏极；
第六NMOS管NM6源极和衬底接地，栅极接第三连接点P3；
第七NMOS管NM7的栅极接第二输出点OUT，漏极接VDD端，源极接第五NMOS管PM5的源极，衬底接地；
第二输出点OUT是检测放大单元向RFID单元的信号输出端。
所述UNK端为一电压高于VDD的电压源。
所述BN端为偏置电压源。
本发明在RFID芯片内增加一个静电击穿单元。当外界施加瞬时静电高压，该单元内特定电路发生可控的电击穿，状态发生物理性改变；该单元还通过内部连线与芯片内数字电路相连，因此数字电路可以识别出静电击穿器件的状态变化。整个RFID芯片是通过线圈从外界获得能量并传输信息的，当外界读卡机通过线圈读取RFID芯片内特定地址的数据时，RFID芯片根据静电击穿模块的状态反馈不同的信息。这样，只要发生过静电击穿，RFID就能记忆这个状态，并在读卡机读取特定地址的数据时返回的状态信息。
本发明在原有的RFID信息中增加了静电击穿状态检测信息，在射频卡读卡过程中通过线圈发送到读卡器，即可在读卡器一端反映出该防伪芯片是否曾经被击穿。具体到商品应用层面，消费者不但可通过读卡信息获知产品的生产出厂信息，还可以获知该芯片是否经过回收再处理，有效的防止了对防伪芯片进行再处理的制假行为。
说明书已经清楚的说明了本发明的必要技术内容，普通技术人员能够依据说明书实施本发明，故不再赘述更具体的技术细节。
Claims (3)
1.RFID防伪电路，包括RFID单元，其特征在于，还包括静电击穿单元和检测放大单元；
所述静电击穿单元包括击穿NMOS管(NM0)和前置二极管保护电路、后置二极管保护电路，PAD端通过前置二极管保护电路连接击穿NMOS管(NM0)的栅极，击穿NMOS管(NM0)的栅极还通过后置二极管保护电路连接第一输出点(P0)；击穿NMOS管(NM0)的源极和漏极接地；
第一输出点(P0)通过检测放大单元接RFID单元；
所述检测放大单元的结构为：
第一PMOS管(PM1)的源极接UNK端，栅极和漏极接第一连接点(P1)，BN端接第一连接点(P1)；
第二PMOS管(PM2)的源极接UNK端，栅极接第一连接点(P1)，漏极接第二连接点(P2)；
第三PMOS管(PM3)的栅极接第一连接点(P1)，源极接UNK端，漏极接第三连接点(P3)；
第一NMOS管(NM1)栅极和漏极接第一连接点(P1)，源极接地；
第二NMOS管(NM2)漏极接第二连接点(P2)，栅极和源极接地；
第三NMOS管(NM3)漏极和栅极接第二连接点(P2)，源极接地；
第四NMOS管(NM4)栅极接第二连接点(P2)，源极接地，漏极接第三连接点(P3)；
第一输出点(P0)通过电阻(R0)接第二连接点(P2)；
第四PMOS管(PM4)源极和衬底接VDD端，漏极接第五PMOS管(PM5)的源极，栅极接第三连接点(P3)；
第五PMOS管(PM5)的衬底接VDD端，漏极接第二输出点OUT，栅极接第三连接点(P3)；
第六PMOS管(PM6)的衬底接VDD端，漏极接地，栅极接第二输出点OUT，源极接第四PMOS管(PM4)的漏极；
第五NMOS管(NM5)衬底接地，漏极接第二输出点OUT，栅极接第三连接点(P3)；源极接第六NMOS管(NM6)的漏极；
第六NMOS管(NM6)源极和衬底接地，栅极接第三连接点(P3)；
第七NMOS管(NM7)的栅极接第二输出点OUT，漏极接VDD端，源极接第五NMOS管(PM5)的源极，衬底接地；
第二输出点OUT是检测放大单元向RFID单元的信号输出端；
所述UNK端为一电压高于VDD的电压源，所述BN端为偏置电压源。
2.如权利要求1所述的RFID防伪电路，其特征在于，所述前置二极管保护电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)，
第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)顺次串联于PAD端和击穿NMOS管(NM0)的栅极之间，
第一二极管(D1)正极接地，负极接PAD端；
第二二极管(D2)正极接地，负极接第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的连接点；
第三二极管(D3)正极接地，负极接第二电阻(R2)和第三电阻(R3)的连接点。
3.如权利要求1所述的RFID防伪电路，其特征在于，所述后置二极管保护电路包括第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第四二极管(D4)、第五二极管(D5)、第六二极管(D6)，
第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)顺次串联于击穿NMOS管(NM0)的栅极和第一输出点(P0)之间，
第四二极管(D4)正极接地，负极接第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的连接点；
第五二极管(D5)正极接地，负极接第五电阻(R5)和第六电阻(R6)的连接点；
第六二极管(D6)正极接地，负极接第一输出点(P0)。
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