[go: up one dir, main page]

CN105706226A - 用于半导体衬底储存物体的清洁系统和方法 - Google Patents

用于半导体衬底储存物体的清洁系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105706226A
CN105706226A CN201480058724.XA CN201480058724A CN105706226A CN 105706226 A CN105706226 A CN 105706226A CN 201480058724 A CN201480058724 A CN 201480058724A CN 105706226 A CN105706226 A CN 105706226A
Authority
CN
China
Prior art keywords
opening
cleaning
contact point
gas
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480058724.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105706226B (zh
Inventor
卢茨·瑞布斯道克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Brooks CCS GmbH
Original Assignee
Brooks CCS GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Brooks CCS GmbH filed Critical Brooks CCS GmbH
Publication of CN105706226A publication Critical patent/CN105706226A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105706226B publication Critical patent/CN105706226B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B9/08Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/0821Handling or manipulating containers, e.g. moving or rotating containers in cleaning devices, conveying to or from cleaning devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B9/08Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/20Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought
    • B08B9/28Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought the apparatus cleaning by splash, spray, or jet application, with or without soaking
    • B08B9/283Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought the apparatus cleaning by splash, spray, or jet application, with or without soaking by gas jets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B9/08Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/20Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought
    • B08B9/28Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought the apparatus cleaning by splash, spray, or jet application, with or without soaking
    • B08B9/34Arrangements of conduits or nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67389Closed carriers characterised by atmosphere control

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

提供用于清洁各种半导体衬底储存物体,尤其是FOUP门的方法和系统。FOUP门和其它类似物体通常具有开口,该开口如果不覆盖的话可能会被清洁液体污染。所描述的清洁系统包括用于接合物体并覆盖这些开口的接触点。接触点还可用于支撑物体并用于通过气体给物体中的开口加压。气体可以通过一个或多个接触点供应,其避免液体进入开口,即使是在开口没有被完全密封的情况下。加压可以通过清洁工艺的整个湿部维持,当清洁和/或其他液体或气体通过喷洒喷嘴组分配时,物体可在清洁系统中旋转。喷洒喷嘴可以移动以增强对物体的清洁。

Description

用于半导体衬底储存物体的清洁系统和方法
技术领域
本申请要求于2013年10月23日提交的、题目为“用于半导体衬底储存物体的清洁系统和方法”、序列号为61/894,883的美国临时专利申请的优先权,在此通过引用将其并入本文。
背景技术
半导体装置的生产需要衬底以及用于储存和转移这些衬底的物体的清洁。微粒和其它污染物的存在会负面地影响成品率。半导体衬底的运输通常在特定物体中进行,或更具体地,在容器中,容器诸如盒,载体,托盘,前开口式晶元传送盒(FOUP),前开口装运箱(FOSB),标准机械界面(SMIF),MAC(多用途载体),舱和箱。例如,FOUP通常包括定位在壳体内部用于支撑衬底的一个或多个梳状引导结构。FOUP还包括门,其可以从壳体移除并允许处理衬底的机械人从壳体接近衬底。
用于储存和转移半导体衬底的FOUP和其它物体需要定期清洁,以防止衬底的污染,并保持衬底所需的清洁标准。FOUP和其他物体可以使用特定的清洁和干燥设备进行清洁。随着清洁要求变得愈加严格,清洁周期的数量以及每个周期的复杂性增加。例如,FOUP可能需要在每次单独使用后清洁,以防止交叉污染。
总体而言,期望的是缩短清洁用于储存和转移衬底的FOUP和其它物体所需的时间。同时,增加FOUP和其他物体的机械复杂性,以便适应新的衬底处理系统并执行新的功能。例如,使用设置有FOUP门的复杂的移动件组将FOUP门与FOUP主体接合。此外,FOUP门和主体可以包括用于使用例如衬底处理设备联接到这些部件和接合这些部件的多个开口。这些开口可能使诱捕的清洁和/或其它液体的干燥复杂化。
发明内容
在一些实施例中,本发明公开了用于清洁各种物体的方法和系统,物体诸如包括容器的半导体衬底储存物体,诸如FOUP容器门和主体。FOUP容器和其它类似物体通常具有开口,诸如空腔或间隙,其可以在清洁工艺过程中诱捕清洁液体。一些诱捕的液体可能不会在干燥工艺过程中移除,尤其是对于高纵横比开口。所描述的清洁系统可以包括防止液体进入难以干燥的开口中的工艺和部件,由此可以便于干燥工艺。
在一些实施例中,开口可以例如在湿式清洁工艺期间通过气态流保护。气态流可以使进入开口的液体最少化或可以防止液体进入开口,或可以从开口排空所有液体。气态流可以帮助清洁开口,例如,通过气态流或通过进入开口的液体和由气态流排出的液体的结合。
在一些实施例中,可以提供接触点,用于接合物体并部分或完全覆盖这些开口。接触点也可以用于支撑物体并用于通过气体给物体中的开口加压。气体可以通过一个或多个接触点供应。其防止液体进入开口,即使在开口没有完全密封的情况下。加压可以通过清洁工艺的整个湿部维持。当清洁和/或其他液体或气体通过喷洒喷嘴组分配时,物体可在清洁系统中旋转。喷洒喷嘴可以移动以增强对物体的清洁。
附图说明
图1A-1B示出了现有技术的清洁工艺。
图2示出了根据一些实施例的示意性清洁系统。
图3A-3F示出了根据一些实施例的用于清洁物体的各种构造。
图4A-4D示出了根据一些实施例的物体中的开口的各种构造。
图5示出了根据一些实施例的用于物体清洁的流程图。
图6A-图6B示出了根据一些实施例的旋转清洁系统。
图7示出了根据一些实施例的用于清洁物体的流程图。
图8A-图8B示出了根据一些实施例的FOUP容器的立体图。
图9A-9B示出了根据一些实施例的FOUP门的示意性图示。
图10A-10B示出了根据一些实施例的FOUP主体的示意性图示。
图11示出了根据一些实施例的示意性清洁系统。
图12A-12B示出了根据一些实施例的用于容器盖的示意性清洁工艺。
图13A-13D示出了根据一些实施例的支撑用于清洁的FOUP门的组件的示意图。
图14示出了根据一些实施例的支撑用于清洁的FOUP门的组件的示意图。
图15示出了根据一些实施例的用于支撑物体的驱动机构。
图16示出了根据一些实施例的另一示意性清洁系统。
图17A-17B示出了根据一些实施例的支撑用于清洁的FOUP门的另一组件的示意图。
图18和图19A-19C示出了根据一些实施例的用于在清洁工艺期间接合物体的各种接触点。
图20A-20D示出了根据一些实施例的用于清洁喷嘴的示意构造。
图21示出了根据一些实施例的用于清洁物体的流程图。
图22示出了根据一些实施例的用于清洁物体的另一流程图。
图23示出了根据一些实施例的在清洁前的FOUP门支撑件的一个示例。
图24示出了根据一些实施例的在清洁前的FOUP门支撑件的一个示例。
具体实施方式
在下面的描述中,阐述了多个具体的细节,以提供对所提出的概念的透彻理解。所提出的概念可以无需这些具体细节的部分或全部而实施。在其他实例中,公知的工艺操作未被详细描述,以便混淆所描述的概念。虽然一些概念会结合具体实施例进行描述,但是应当理解,这些实施例并不旨在进行限制。
在一些实施例中,本发明公开了用于清洁物体的系统和方法。清洁工艺可以包括湿式清洁,例如,用诸如清洁化学剂和水的液体进行清洁。清洁工艺可以包括将液体从物体表面去除的干燥步骤。物体可具有开口,诸如间隙,空腔,孔,围口、孔口、管孔或能够诱捕并保留液体的任何其他类型的开口。例如,开口可以包括穿过物体的狭长的孔。开口可以包括具有接收螺栓机构的小孔口的大空腔。该物体可以是构造为储存一个或多个诸如晶片或掩模的衬底的半导体容器。
在一些实施例中,清洁工艺可以保护开口在湿式清洁工艺期间免于诱捕和/或保留液体。该保护可以方便后续的干燥工艺,因为在难以干燥的区域中存在最少的液体或没有液体。该保护可以是气态流的形式,例如,从气体喷嘴朝向开口引导。该保护可以是阻挡部件的形式,其部分地或完全地覆盖开口,以尽量减少或防止液体进入开口。
在一些实施例中,本发明公开了用于清洁半导体衬底储存容器和诸如盒,保持件、FOUP和MAC的其它物体的方法和系统。虽然经常提及FOUP,但是本领域的普通技术人员可以理解,所描述的方法和系统也可应用到其他物体。在一些实施例中,多种不同的物体可使用相同的清洁设备一起清洁或相继清洁。例如,该清洁设备可用于清洁处于分解状态的FOUP单元的主体和门。FOUP单元可设置为在其组装状态进行清洁。该设备可以分解,清洁,干燥,并重新组装FOUP单元。此外,该设备可以包括特定的检查特征,以在清洁完成后检验物体的清洁。
图1A-1B说明了现有技术的清洁工艺。物体110可以例如通过喷嘴120递送清洁液体125而经受清洁工艺。物体110可在表面处具有开口,诸如通孔170,间隙175或空腔177。在液体清洁工艺期间,液滴130和135可以保持在物体的表面上,包括开口170,175和177的内表面上。对于具有高纵横比或堵塞的开口,液滴,例如液滴135,可被诱捕在开口中并可以在干燥物体的干燥工艺(例如,将液体从物体的表面去除)后保留。
在干燥工艺后仍保留在物体上的诱捕液体,例如,液滴,会污染物体。例如,液滴会从物体释放并污染衬底。或者,液滴会吸引微粒,这会污染物体。
在一些实施例中,本发明公开了一种方法和系统,该方法和系统用于清洁物体而没有液体保留在物体上或仅有最少量的液体保留在物体上,甚至是在诱捕液体的开口中。开口可以例如通过物理覆盖或通过气态流堵塞而被阻塞,以防止液滴被诱捕在开口中或防止液滴在干燥工艺之后被保持在开口中。
图2示出根据一些实施例的示意性清洁系统。物体210可以例如通过喷嘴220递送清洁液体225而经受清洁工艺。还可以使用其他清洁工艺,诸如将物体浸没到液池中,或使液体流动到物体,直到该物体被浸没在液体中。在以下的说明中,输送液体流的液体喷嘴示出为用于清洁物体,但本发明并不局限于此,并且可以包括其他液体清洁工艺,诸如将物体浸没到液池中,或流动超声波液体,或超声波处理物体。此外,清洁工艺可以包括清洁物体,以去除物体表面处的污染物或微粒。因此可使用化学洗涤或水冲洗。
物体210可在表面处具有开口,诸如通孔270,间隙275或空腔277。开口270,275和277可构造为阻挡液体225进入或保持在开口中。喷嘴250可放置在开口270附近,并且可以将气态流240递送到开口270。气态流240可以例如沿着液体流的大体方向定位在开口270的一端,以防止液体进入开口。气态流240可以例如沿着液体流的相反方向定位在开口270的另一端,以将所有的液体推离开口。气流240可以例如通过驱逐开口中的任何微粒而帮助清洁开口270,同时尽量减少或避免液体被诱捕在开口中,例如,在干燥工艺后还保持在开口中。
接触点可以用于阻挡开口,以避免液体进入开口。接触点257可用于阻挡开口277,将开口与液体环境阻隔。接触点255与气态流245一起可以被用于阻挡开口275。接触点255可以放置在开口275附近,完全或部分阻挡开口。气流245可以例如通过驱逐开口中的任何微粒而帮助清洁开口275,同时尽量减少或避免液体被诱捕在开口中,例如,在干燥工艺后还保持在开口中。因此,在清洁过程中,液滴230可以保持在物体的表面上,而没有液滴或只有很少量的液滴会留在开口270,275和277内部。开口内部没有液滴会显著简化随后的干燥工艺。
图3A-3F示出了根据一些实施例的用于清洁物体的各种构造。物体310可以具有开口370,其例如通过来自喷嘴320的液体流而经受清洁工艺。在图3A中,承受气流340的喷嘴350可被引导朝向开口。喷嘴350可垂直于开口放置,阻挡开口。在图3B中,喷嘴351可以与开口表面形成角度,在该开口处或附近递送气流341。在图3C中,接触点352部分地阻挡开口,与气流342一起在开口附近创建加压区域。接触点352的部分阻挡可以最大限度地减少由于接触表面产生的微粒。在图3D中,接触点353阻挡开口,与气流343一起在开口附近创建加压区域。在图3E中,具有曲面的接触点354可以用于部分地阻挡开口,其中气流344朝向开口径向流动。在图3F中,接触点355部分地阻挡开口,具有来自开口内部的可选的气流345。
图4A-4D根据一些实施例示出了物体中的开口的各种构造。总地来说,开口可以在湿式清洁工艺中捕获液滴,这些液滴在随后的干燥工艺过程不容易去除。例如,该开口可以具有小的孔口,例如,小于几毫米的间隙,诸如小于1或2毫米的间隙。开口可具有高纵横比,例如,大于10:1(例如,深度是开口尺寸的十倍),诸如大于20:1或50:1。
物体410可以具有穿过物体(例如从一个表面到相对表面)的孔的形式的开口470。开口470的尺寸可以是小的,或开口的纵横比可以是高的,这防止任何诱捕在开口中的液滴在干燥工艺的过程中被去除。物体412可具有开口472,其构造为包含螺栓482。螺栓482可以滑入和滑出开口472,以例如将物体412与配合物体锁定。螺栓和开口之间的间隙可以是小的,从而诱捕在开口的内部体积中的任何液滴会难以去除。物体414可以具有空腔形式的开口474,该空腔具有比空腔体积小的开口。通过小的孔口,诱捕的液滴可以被阻挡从该孔口处被去除。物体416可以具有在两个连接壁的交界处的开口476。开口476可以用于减轻物体在加强角部处的重量和材料。
图5示出了根据一些实施例的用于物体清洁的流程图。操作500提供了对象。该对象可以具有可诱捕液体的开口,例如,即使在干燥工艺后也可以保持液滴的开口。例如,开口可以包括高纵横比空腔或间隙。操作510使气体在开口附近流动,例如高纵横比空腔或间隙,以最小化进入开口的液体或将所有进入的液体推出。可替换地,该开口可以通过气体加压被阻挡,或者与流动的气体一起被部分或完全阻挡。操作520使液体朝向对象流动或用液体清洁对象。
在一些实施例中,本发明公开了用于清洁物体的系统和方法,包括用液体清洁,然后干燥对象。该物体可以在旋转的同时被清洁,以用于整个表面的清洁工艺。旋转机构可与用于支承物体的支撑件一起使用,与液体喷嘴一起用于将液体递送到物体。气体源可联接到旋转机构,以递送气流到物体,例如,在物体的需要被覆盖的开口处,以防止或最小化在难以干燥的开口处的润湿。
图6A-图6B示出了根据一些实施例的旋转清洁系统。转动机构645可以包括支撑件660,其可支承物体610或615。液体源620可递送液体流到物体,用于清洁或冲洗。气体源640可例如通过可旋转的密封件联接到旋转机构。气态喷嘴或接触点650和655可以联接到支撑件660,以阻挡开口670和675。气态喷嘴655可以递送气流至开口675。气态喷嘴650可与物体在开口670处形成接触点,用于在开口区域产生高流量的高压区,以防止液体进入开口。如图所示,清洁工艺是由液体喷嘴620执行。也可以使用其他清洁机构,诸如液池,或液体喷嘴620,其使液体流动,以形成用于浸没物体的液池。
图7示出了根据一些实施例的清洁物体的流程图。操作700提供待被清洁的对象,其中,该对象具有开口,诸如高纵横比空腔或间隙。操作710将对象安装至旋转机构。旋转机构可以接收气流,其可以引导至气体喷嘴。操作720使气体喷嘴与开口(例如,对象的高纵横比空腔或间隙)对齐。气体喷嘴可放置在开口附近,或气体喷嘴可以完全或部分地阻挡开口的入口。操作730使气体流向气体源,气体源将气体递送到气体喷嘴。操作740使液体朝向用于清洁的对象流动。操作750使对象旋转。
在一些实施例中,本发明公开了用于清洁半导体容器,诸如晶片容器或掩模容器的系统和方法。以下说明使用FOUP作为半导体容器的示例,但其他种类的容器可以同样适用。
提供FOUP容器的简要说明以更好阐述清洁设备的各种特征。如上所述,FOUP包括FOUP门,其与FOUP主体配合,以提供密封的、超洁净的内部环境,晶片可在该内部环境中被储存和转移。晶片被支撑在可插入主体内的盒中,或者被支撑到安装到主体内部的架上。
图8A-图8B示出了根据一些实施例的FOUP容器的立体图。图8A示出了从顶侧850观看时的立体图。图8B示出了从FOUP800的底侧855观看时的立体图。FOUP800可以包括联接到FOUP主体801的FOUP门802。FOUP可具有能够在清洁工艺过程中诱捕并保持液体的一些开口。所述开口可构造为使得其几乎不可能去除诱捕的液体或可能需要较长的干燥时间或特殊的干燥部件。例如,FOUP门802可具有用于将FOUP门802与FOUP主体801锁定的闩锁机构820。机构820可具有导向至容置锁定机构的内空腔的开口。该FOUP主体801可以具有一些通孔810。
图9A-9B示出根据一些实施例的FOUP门的示意性图示。图9A示出了示意性俯视图,图9B示出了FOUP门900的示意性侧视图,其中示出了FOUP门900内的各种开口。FOUP门900包括在开口908内滑动的多个闩锁板906。闩锁板906连接到控制闩锁板906的位置和移动的闩锁毂905。具体地,两个闩锁毂905示出在FOUP门900的内部空腔904内。每个闩锁毂905在此示例中构造为致动两个相对的闩锁板906。当闩锁毂905转动时,其移动在开口908内的闩锁板906。闩锁板906可延伸到开口908之外以与例如FOUP主体接合。为了使FOUP门900与FOUP壳脱离,闩锁板906缩回到开口中。闩锁板906可以比开口908稍小,使得闩锁板可滑动通过开口。开口908中的从闩锁板906到围绕闩锁板的FOUP门的材料的间隙可以很小,例如,小于闩锁板长度的10倍,小于20倍,或小于50倍。例如,该间隙可小于2毫米,小于1毫米,或小于0.5毫米。闩锁板可以大于50毫米,大于20毫米,或大于10毫米。
当FOUP门900被清洁液体喷洒或浸没到清洁液体中时,液体可进入开口908并最终进入内部空腔904。如果出现这种情况,会很难从内部空腔904和/或开口908中去除液体。同时,在所有的液体被去除之前使用FOUP门900是不期望的。在一些实施例中,当FOUP门900暴露于液体时开口908被保护。除了延伸到内部空腔904中的开口908之外,FOUP门900或一些其它类似物体可以包括外部空腔910,其也可以诱捕液体。对于本公开的目的,任何空腔,凹部,或能够诱捕液体的其他表面特征都被称为开口。
在一些实施例中,本发明公开了保护开口,其能够诱捕液体并在合理的干燥工艺之后保持液体。例如,开口908能够将液体诱捕到内部空腔904中。诱捕的液体即使是在漫长的干燥时间之后(诸如旋转干燥或加热干燥)也能够保持在空腔904内,因为开口908可具有高纵横比和小孔口尺寸,导致诱捕液体的低逸出概率。开口910也可诱捕液体,但由于纵横比小,诱捕的液体可在正常的干燥工艺中去除,干燥工艺诸如旋转干燥,真空干燥或加热干燥工艺。
一些或所有开口可以在该物体被清洁时由气流保护,或者通过接触点覆盖。相同的接触点可用于在清洁工艺期间支撑物体。或者,可以使用支撑点支撑物体,而接触点构造为保护开口。可以提供气流到接触点,以例如给开口和/或空腔加压,使得清洁液体不进入这些开口和/或空腔,即使是在接触点和物体之间没有形成完全的密封。在一些实施例中,开口相对于清洁腔室内部的压力可以加压至约1-100kpa之间。
应当注意的是,被清洁物体的任何开口都可以使用本文提供的方法和系统覆盖。例如,FOUP主体可具有用于减少FOUP重量的高纵横比的孔,其即使是在干燥工艺之后也可保持液体。这些孔可由接触点覆盖或由气流保护。
图10A-10B示出了根据一些实施例的FOUP主体的示意性图示。图10A示出了FOUP主体的立体图,图10B示出FOUP主体1010的截面图,其示出了FOUP主体1010内的各种开口。FOUP主体1010可以在FOUP主体的角部处具有通孔1070,其从顶面贯穿至底面。在FOUP主体的角部处,可以增加加强的特征以连接FOUP的侧壁。加强特征可以增强FOUP的结构,但是是以重量增加为代价。通孔1070可以减轻重量而不影响FOUP主体的结构完整性。在FOUP主体的清洁过程中,通孔1070可通过气流或接触点保护,以防止或最小化液体进入通孔,从而使干燥工艺简化。
图11示出根据一些实施例的示意性清洁系统。清洁系统1100包括清洁腔室1101和盖1103。盖1103可以在物体1104(诸如FOUP主体)和物体1105(诸如FOUP门)的装载和卸载期间从清洁腔室1101移除,以进行清洁。盖1103可定位在清洁腔室1101上,以使清洁腔室1101的内部环境在清洁过程中与外部环境隔离。这种隔离可以减少清洁和干燥的液体和气体的损耗,并总地,维持内部环境相对于外部环境的不同条件。密封件可设置在盖1103和清洁腔室1101之间的交界处。在一些实施例中,盖1103可以是可移动的,而清洁腔室1101可以保持静止。可替换地,盖1103可以是静止的,而清洁腔室1101可以是可移动的。在一些实施例中,盖1103和清洁腔室1101均是可移动的。总的来说,盖1103可以相对于清洁腔室1101在至少Z方向上移动,使得当盖1103在清洁腔室1101上升起和/或清洁腔室1101相对于盖1103降下时,外部物体处理系统(未示出)可以在清洁和/或定位用于清洁的新物体之后接近并移除物体1104和1105。
盖1103可以充当用于多个支撑臂1102A和1102B和/或驱动机构1106的支撑基座。在一些实施例中,驱动机构1106的主要部分定位在盖1103的外侧,而多个支撑臂1102A和1102B设置在盖1103的内侧。驱动机构1106的这种取向保护驱动机构1106免受清洁和/或液体,以及保护内部环境免受驱动机构1106可能导致的污染。在一些实施例中,驱动机构1106定位在盖的内侧,使得没有移动部通过盖伸出。
在一些实施例中,物体1104相对于喷洒喷嘴1112可移动。应当指出,物体1104相对于清洁腔室1101可以或不可以可移动。例如,喷洒喷嘴1112可以相对于清洁腔室1101和物体1104可移动,而物体1104可以相对于清洁腔室1101静止。替换地,喷洒喷嘴1112可以相对于清洁腔室1101静止,而物体1104可以相对于清洁腔室1101和喷洒喷嘴1112可移动。物体1104也可以被支撑臂1102A和1102B或一些其他的装置支撑并且在一些实施例中移动,这些其他的装置可以附接到支撑臂1102A和1102B,直接至驱动机构1106或一些其他驱动器的轴1107。
驱动机构1106可包括驱动轴1107,其附接到多个支撑臂1102A和1102B,以旋转清洁腔室1101内部的支撑臂1102A和1102B。驱动机构还可用于使多个支撑臂1102A和1102B相对于彼此移动,例如,当接合物体1105时。这种构造可称为可移动支撑臂。例如,支撑臂1102A和1102B可相对于驱动轴1107倾斜,以接合或脱离物体1105。可替换地,支撑臂1102A和1102B可在接合或脱离物体1105时保持静止。应当指出,这两种类型的支撑臂1102A和1102B(即,可移动和静止)在清洁物体1105的过程中均在腔室1101内旋转,使得物体1105的所有侧暴露于不同的喷洒喷嘴1112。
驱动机构1106可通过从系统控制器1108接收到的信号进行控制。控制器1108还可以构造为控制各种其它部件的操作,诸如喷洒喷嘴1112,气体递送线路,盖移动机构及其他。控制器1108可以包括一个或多个储存装置以及一个或多个处理器,其具有中央处理单元(CPU)或计算机,模拟和/或数字输入/输出连接器,步进马达控制器板等。在一些实施例中,控制器1108执行系统控制软件,其包括用于控制操作时间,温度和清洁流速和/或其它液体,温度和/或干燥气体的流速,超声波喷嘴操作,以及其他参数的指令集。储存在与控制器相关联的储存装置上的其他计算机程序和指令可以在一些实施例中采用。
如上所述,支撑臂1102A和1102B的旋转由驱动机构1106提供,驱动机构1106可以包括电机,气动马达,或一些其他类型的马达。马达可以联接到齿轮箱,以提供期望的旋转速度。在一些实施例中,旋转速度可在约1RPM和100RPM之间,或更具体地,在约5RPM和25RPM之间,例如,在8RPM和10RPM之间。
旋转可在物体1104与支撑臂1102A和1102B接合之后,或者更具体地在与附接到支撑臂1102和1102B的端部的接触点接合之后开始。在清洁液体和/或冲洗液体分配到物体1105上的过程中,并且在一些实施例中,在物体1105在清洁腔室1101内干燥的过程中,旋转继续。如上所述,该旋转允许将物体1105的不同部分暴露至设置在清洁腔室1101内的不同的喷洒喷嘴1112。另外,当清洁液体击打物体1105的表面时,旋转可用于提供附加的或不同的剪切力,这可以提供附加的清洁作用,并帮助驱逐表面的微粒。该旋转的另一功能涉及通过创建离心力去除来自物体的液滴。
附接到支撑臂1102A和1102B的端部的接触点接合物体1105,并且在一些实施例中,覆盖物体1105的一个或多个开口。以此方式,接触点用于防止液体进入开口。这可称为开口的密封。在一些实施例中,接触点包括柔性材料,以改善与物体1105的交界处的密封。此外,接触点的尺寸可大于开口的尺寸,以适应一些不对准的情况。
物体1105中的开口的污染还可通过对这些开口加压而避免。例如,接触点中的至少一个可以被用于将气体供应到物体1105的对应开口中。气体的这种供应可以对该开口加压,并且在一些实施例中,可以对其它开口加压,如果这些其它开口是内部联接,并且可以通过物体从面向气体供应接触点的开口接收气体。在一些实施例中,多个接触点,甚至与物体1105接合的所有的接触点都可以构造为供应气体。该气体可以通过设置在支撑臂内的一个或多个气流通路被供应到接触点。在一些实施例中,供应到接触点的气体也被用来相对于支撑臂的剩余部分移动该接触点。
当物体1104,在一些实施例中和物体1105被定位在清洁腔室中时,一组喷洒喷嘴1112可用于将清洁和/或其它液体引导在物体上。喷洒喷嘴1112可以递送清洁液体,冲洗液体(例如,去离子水),和设计为用于使物体清洁和去污的其他类型的液体(例如,表面活性剂和金属去除剂)。在一些实施例中,液体可以与气体(例如载气)混合并一起递送。液体和/或载气的量可仔细控制,以例如与载气一起形成细滴和气雾气泡。
在一些实施例中,喷洒喷嘴1112也可以用于递送干燥液体(例如,异丙醇)和干燥气体到物体的表面。例如,快速蒸发的液体,诸如酒精和其它低沸点温度和高蒸气压力的液体,也可用于清洁和/或吸附可能保留在物体的表面上的其它清洁液体。载气和/或干燥气体的一些示例包括氮气,空气,氩气和其他惰性气体。
在一些实施例中,载体和/或干燥液体和气体的温度可具体控制为帮助清洁和干燥,例如,从物体1104和1105的表面蒸发冲洗液体。例如温度可以在约40℃和80℃之间,例如约60℃。较低的温度可能在清洁和干燥上不太有效,而较高的温度可能会损坏正在被清洁的物体和/或清洁设备1100的部件。在一些实施例中,通过快速排气和低腔室压力,例如通过用干燥气体净化和/或在液体清洁循环过程中维持清洁腔室内部的真空压力,可将液体蒸气从清洁腔室移除。高流速可以用于有效清洁。在一些实施例中,通过每个喷嘴的流速可以在每分钟约0.1公升到每分钟约10公升之间。此外,可以使用超声波喷嘴用于附加的清洁效率。
在一些实施例中,喷洒喷嘴1112可定位为靠近物体1104和1105的表面,尤其靠近角部,诸如内角和外角。对于扁平的物体,诸如FOUP门,喷洒喷嘴可定位在平坦表面旁边和/或端部周围。对于部分封闭的物体,诸如FOUP壳体,喷洒喷嘴可定位在这些物体的内部和外部。在一些实施例中,部分封闭的物体可定位成使得它们的开口朝下,以允许清洁液体通过重力从容器中去除。
喷嘴的数量和喷嘴的位置设计为使设备的设计简化并使清洁效率最大化。具体地,喷洒喷嘴的数量和位置可以设计为将被分配的液体有效地分布到物体的表面上。例如,一些喷洒喷嘴可以位于较高位置,以总体向下喷洒,即,沿重力的方向喷洒。一些喷嘴可指向物体的角部,以进行有效清洁。
现在将呈现将物体1104和1105装载到清洁腔室1101中的过程的简要描述,以提供对清洁系统1100的各种特征和设计考虑的更好的理解。在一些实施例中,将物体1104和1105作为提前已被拆解的独立的部件提供到系统1100,例如,从FOUP壳体移除的FOUP盖。系统1100的盖1103可与支撑臂1102A和1102B以及其他部件一起升起。可替换地,或者除了升起盖1103之外,腔室1101可以相对于盖1103降下。然后转移系统可将物体1104装载到设置在清洁腔室1101内的支撑件(未示出)上。在一些实施例中,这些支撑件可以从清洁腔室1101内移除,以便于装载。如上所述,支撑件可附接到支撑臂1102A和1102B或驱动机构1106的其它部件。
物体1105可以相对于支撑臂1102A和1102B对准,使得只需支撑臂1102A和1102B的最小行程来与物体1105接合。这种对准会涉及在物体1105(在一些实施例中,为物体1104)与支撑臂1102A和1102B接合之前支撑此物体的转移系统的移动和/或盖1103的移动。盖1103可在Z方向上移动,并且在一些实施例中,在X和Y方向上移动。该过程继续,使物体1105与支撑臂1102A和1102B接合,这会涉及在X方向上移动支撑臂1102A和1102B的部分。在这点上,转移系统可脱离并恢复。然后盖1103可下降到腔室1101上和/或腔室1101上升到盖1103。盖1103可相对于腔室1101在这一点上密封,以防止清洁液体和气体逸出。
然后该过程继续,在清洁腔室1101内部清洁物体1104和1105。具体地,清洁物体1104和1105可相对于喷洒喷嘴1112移动,同时喷洒喷嘴1112将清洁液体递送到物体1104和1105上。该过程还可涉及在盖1103从清洁腔室1101脱离之前冲洗和干燥物体1104和1105。盖1103相对于清洁腔室1101提升,以接近物体1104和1105。在一些实施例中,一个或两个物体1104和1105与盖1103一起被提升。为将物体1105从支撑臂1102A和1102B脱离,支撑臂1102A和1102B的至少部分在X方向移动。盖1103然后可放置在清洁腔室1101上。
在一些实施例中,支撑臂1102A和1102B可以为架的形式,架可形成用于保持物体1104和1105的一个或多个支撑平面。每个支撑平面可以由一个或多个部件形成。在这些实施例中,支撑臂1102A和1102B可以是静止的,至少物体1104和1105接合过程中可以通过转移系统滑入架中。然而,支撑臂1102A和1102B可相对于喷洒喷嘴在由X轴和Y轴形成的平面内旋转并且还沿Z轴旋转。
图12A-12B示出了根据一些实施例的用于容器盖的示意性清洁工艺。图12A示出了喷嘴构造1220的示意性图示,喷嘴构造包括在此物体的清洁和/或干燥过程中定位在物体1222的角部处的两个喷洒喷嘴1224和1226。具体地,喷洒喷嘴1224的中心线1223示出为与角部1223一致,使得从喷嘴1224排出的液体流或气流可以分开在物体1222的两个不同的表面之间。总体上,将喷嘴1224和1226定位在物体1222的角部处允许每个喷嘴覆盖物体1222的两个不同的表面的至少部分。此外,角部趋向于比例如平坦表面更容易出现污染并可能更难清洁,如果喷嘴导向到一个表面而不导向到另一个的话。在一些实施例中,喷嘴1224和1226可枢转,以确保在某点其中心线(例如喷洒喷嘴1224的中心线1223)将通过角部(例如角部1223)。
图12B示出了根据一些实施例的另一喷嘴构造1230的示意性图示,其包括四个喷洒喷嘴1234A-B和1236A-B。所有的四个喷洒喷嘴1234A-B和1236A-B连接至歧管1238,该歧管1238可用于支撑所有喷嘴并将液体和/或气体递送到所有喷嘴。歧管1238可相对于物体1232定位在不同距离和角度处。例如,歧管1238可以平行于物体的表面延伸。在一些实施例中,歧管1238可垂直定位,以改善从歧管1238排出的液体。在一些实施例中,一个或多个喷嘴可以相对于支撑歧管枢转。
喷洒喷嘴可分布在歧管上,以覆盖不同的角部和表面。例如,两个喷洒喷嘴1234A和1234B定位在物体1232的角部处,而另外两个喷洒喷嘴1236A和1236B导向到此物体的一个表面处。喷嘴可以被定位为对表面提供完全覆盖,并确保表面的完全清洁。在一些实施例中,物体和喷嘴相对于彼此移动,以确保表面的完全覆盖,并且在一些实施例中,以不同角度引导液体和/或气体至表面。
在一些实施例中,喷嘴以除了相对于表面垂直之外的角度递送液体和/或气体(即,提供角度流),这导致在表面上的剪切力,以将颗粒和其它污染物从表面驱逐。此外,角度流可提供更大的表面覆盖。在一些实施例中,喷嘴可相对于正在被清洁的表面转动,以覆盖更多的表面区域和/或用不同的剪切力和其它力清洁表面。
通过喷嘴供应的清洁液体可包括添加剂,如表面活性剂,洗涤剂,或污染/金属去除剂。这些添加剂可以例如通过抽吸或泵送被添加到水或其它液体。污染/金属去除剂可以是金属去除剂,如螯合剂。高碱性洗涤剂可以代替表面活性剂而使用。可以添加例如UV光,以帮助去除污染。在完成清洁和/或污染物的去除之后,然后使用冲洗液体(诸如去离子水)冲洗该物体。可以进行循环清洁/冲洗工艺以有效的清洁。清洁液体可以收集回收。
在一些实施例中,喷嘴分配小的液滴以在随后的干燥工艺中提供帮助。此外,可以提供净化气体或液体喷射以将液滴打破成甚至更小的液滴。在液体趋于合并的区域(诸如底部)中,可以提供气体或液体喷射以将大的液体聚集物打破成较小的液滴,诸如将液体吹走。
此外,该喷嘴可用于递送干燥空气,惰性或非活性气体。例如,在装载物体后,处理腔室内的空气可以抽走,并用工艺气体代替,诸如惰性气体(例如,氩气)或非活性气体(例如,氮)。在一些实施例中,腔室在液体清洁过程中是净化的。该腔室可以密封并保持在低于大气压的压力,以例如帮助去除处理腔室环境中的液体蒸气。减小的压力可以小于100托,例如小于10托,甚至低于1托。在一些实施例中,通过喷嘴供应的液体或气体可以加热,以增加挥发性。加热的液体可以再循环,以减少能源消耗。此外,物体和处理腔室也可以例如通过IR或UV灯加热。
清洁之后,该容器可以被冲洗。可选的气体净化,如热空气流,可以被用于进一步减少在容器表面上的液体残留量。喷嘴还可以构造为提供液体用于清洁,提供液体用于冲洗,提供气体用于将液体推离容器表面。
在一些实施例中,清洁系统可以包括用于在物体被清洁时移动和/或支撑、旋转所述物体的组件。该组件可以包括可旋转的密封件,以接收静止气体源入口,同时递送旋转气流至旋转物体。
图13A-13D示出了根据一些实施例的支撑用于清洁的FOUP门的组件的示意图。图13A示出了用于清洁FOUP门的组件1300的示意性侧视图。此组件1300可以用于支撑FOUP门1301和/或一些其它物体,例如,FOUP主体。该组件的构造可以根据被支撑的物体而变化。
组件1300可以包括盖1303,驱动机构1306和使用驱动轴1307连接到驱动机构1306的多个支撑臂1302A和1302B。组件1300可称为盖总成,因为盖1303可用于支撑所有的其他部件。驱动机构1306可以包括用于旋转驱动轴1307和滑动支撑件1316(例如,轴承)的马达1304,滑动支撑件用于相对于非移动部分,诸如盖1303或驱动机构1306的壳支撑驱动轴1307。在一些实施例中,驱动轴1307具有延伸到一个或多个支撑臂(例如,支撑臂1302A)中的气流通路1302。该气体可以从静止气体供应线1310供应到气流通路1302,静止气体供应线1310可以使用滑动联轴器1308连接到气流通路1302。应当注意的是,气流通路1302与连接到喷洒喷嘴的通路不同。
每个支撑臂包括用于与物体接合的接触点。支撑臂1302A包括接触点1306A,而支撑臂1302B包括接触点1306B。还可以使用其它支撑臂和接触点。两个相对的接触点1306A和1306B被构造为相对于彼此至少沿X轴移动。当提供物体1301并使其与接触点1306A和1306B对准时,与当接触点1306A和1306B接合物体1301时相比,接触点1306A和1306B进一步远离彼此。这可被称为接触点1306A和1306B的打开和关闭位置。接触点1306A和1306B的打开和关闭位置之间的行程可以在大约10毫米和100毫米之间。
通过相对于接触点1306A和1306B的支撑臂1302A和1302B移动接触点1306A和1306B的一个或两个和/或通过相对于例如驱动轴1307移动支撑臂1302A和1302B可以使接触点1306A和1306B相对于彼此移动。例如,支撑臂1302A和1302B可相对驱动轴1307枢转,产生类似剪刀的动作。在相同或其他实施例中,支撑臂1302A和1302B的端部包括一个或多个致动器,用于相对于支撑臂1302A和1302B移动接触点1306A和1306B的一个或两个。致动器可以气动,液压,或电力驱动。
接触点1306A和1306B的数量可通过被清洁的物体中的开口的数量限定。在一些实施例中,每个开口具有相应的接触点。例如,FOUP门可具有四个开口,每个具有独立的闩锁板。用于支持该FOUP门的组件可以包括四个接触点,每个与单独的开口对准并接合。在其它实施例中,一个接触点可用于覆盖多个开口。一些接触点可以是承载接触点(即,支撑正被清洁的物体的重量),而其他接触点可以用于覆盖开口而不支撑物体的任何重量。
图13B-13D示出了根据一些实施例的不同组件的示意俯视图,每个组件包括驱动器和多个支撑臂。具体而言,图13B示出了其中接触点1326A-1326D的每个附接到单独的支撑臂的构造1320,即,接触点1326A附接到支撑臂1324A,接触点1326B附接到支撑臂1324B,接触点1326C附接到支撑臂1324C,和接触点1326D附接到支撑臂1324D。此外,从物体接合的角度来看,接触点1326A和接触点1326B是彼此相反的,接触点1326C和接触点1326D也是如此。在这种构造中,接触点1326A被构造为相对于接触点1326B移动,而接触点1326C构造为相对于接触点1326D移动,以接合物体1321。在一些实施例中,接触点1326A可以相对于接触点1326C移动到例如使这些接触点1326A和1326C相对于物体1321中的开口对准。以类似的方式,接触点1326C可相对于接触点1326D移动。
支撑臂1324A-1324D可以附接到一对横杆1322A和1322B。具体地,支撑臂1324A和1324B可以附接到横杆1322A,而支撑臂1324C和1324D可以附接到横杆1322B。在一些实施例中,横杆1322A和1322B的移动确定接触点1326A-1326D在Y方向的移动,其可以用于使物体1321中的开口与接触点1326A-1326D对准。在相同或不同的实施例中,支撑臂1324A和1324B可相对于横杆1322A移动,确定接触点1326A和1326B在X方向的移动,并且支撑臂1324C和1324D可相对于横杆1322B移动,确定接触点1326C和1326D在X方向的移动。在其他实施例中,横杆1322A和1322B不相对于驱动轴移动和/或支撑臂1324A-1324D不相对于横杆1322A和1322B移动。
图13C示出根据特定实施例的包括两个支撑臂1334A和1334B的构造1330,每个支撑臂附接到两个接触点。具体地,接触点1336A和1336C附接到支撑臂器1334A,而接触点1336B和1336D附接到支撑臂1334B。支撑臂1334A由横杆1332A附接到驱动轴1337,而支撑臂1334B由横杆1332B附接到驱动轴。横杆1332A和1332B相对于驱动轴的倾斜可以被用于移动支撑臂1334A和1334B,并因此在X方向上移动接触点1336A-1336D,以例如接合和释放物体1331。
图13D示出了又一构造1340,其中,每个支撑臂直接附接到驱动轴1347,并支撑单独的接触点。具体来说,接触点1346A附接到支撑臂1344A,接触点1346B附接到支撑臂1344B,接触点1346C附接到支撑臂1344C,而接触点1346D附接到支撑臂1344D。支撑臂1344A-1344D可以相对于驱动轴倾斜,以在X方向上移动接触点1346A-1346D,以例如接合和释放物体1341。
图14示出根据一些实施例的支撑用于清洁的FOUP主体的组件的示意图。组件1400可以用于支撑FOUP主体1401。组件的构造可以取决于被支撑的物体而改变。组件1400可包括盖,驱动机构1406,和使用驱动轴连接到驱动机构1406的多个支撑臂。驱动机构1406可以包括马达,马达用于旋转驱动轴和滑动支撑件(例如,轴承),滑动支撑件用于相对于非移动部分支撑驱动轴。在一些实施例中,驱动轴具有延伸到一个或多个支撑臂中的气流通路1402。该气体可以从静止气体供应线1410供应到气流通路1402,静止气体供应线1410可以使用滑动联轴器连接到气流通路1402。应当注意的是,气流通路1402与连接到喷洒喷嘴的通路不同。支撑臂包括用于与所述物体的开口1499接合的接触点1406。
图15示出了根据一些实施例的用于支撑物体的驱动机构。该驱动机构可以包括马达,其用于旋转物体以及用于接收来自气体源的气流的静止气体入口。可以包括旋转密封件,诸如滑环,以例如在物体的开口处将气流递送至旋转物体。
图16示出根据一些实施例的另一示意性清洁系统。清洁系统可以包括支撑臂1670,用于保持用于清洁的FOUP主体1610和FOUP门1615。支撑臂1670可联接到驱动机构1645,其可以接收气体源入口1640。FOUP主体1610和门1615可以相对于喷洒喷嘴1690可移动。气体喷嘴或接触点1620和1625可联接到FOUP门1615和主体1610,用于保护主体1610和FOUP门1615中的开口。
图17A-17B示出了根据一些实施例的支撑用于清洁的FOUP门的另一组件的示意图。图17A示出了示意性侧视图,图17B示出了用于清洁FOUP门1701的组件的示意性俯视图。
该组件可以包括盖1703,驱动机构1706,和使用驱动轴连接到驱动机构1706的多个支撑臂。驱动轴1707具有延伸到支撑FOUP门的一个或多个支撑臂中的气流通路1702。该气体可以从静止气体供应线1710供应到气流通路1702,静止气体供应线1710可以使用滑动联轴器连接到气流通路1702。
支撑臂包括用于与物体接合的支撑点1726A和1726B。支撑臂可以包括用于保护FOUP门中的开口的接触点1706A和1706B。
图18和图19A-19C示出了根据一些实施例的用于在清洁工艺中接合物体的各种接触点。图18是根据一些实施例的在物体1820的清洁和干燥过程中接合物体1820的接触点1800的示意性截面图。接触点1800包括附接到支撑臂(未示出)和主体1804的杆1802。主体1804可相对于杆1802在Y-Z平面中扩展,以提供更大的覆盖区,并且能够覆盖更大的开口。同时,杆1802在Y-Z平面中的较小轮廓使清洁腔室中的干涉最小化。
主体1804可以包括实际上与物体1820接触的密封构件1806。密封构件1806限定了密封区域1807,其在物体1820中典型地为较大的开口1822。在一些实施例中,密封区域1807的最大尺寸(例如,矩形的对角线或椭圆形的较大直径)大于开口1822的相应最大尺寸的至少约1.5倍。在一些实施例中,该比率至少为约2且甚至至少约4。大的密封区域简化了对准过程,同时确保密封。同时,物体的由这些较大密封件覆盖的部分不用清洁。
密封构件1806可以由合适的软聚合物制成,软聚合物可在接触点接合时压缩。这种材料的一些示例包括丁基,三元乙丙橡胶(EPDM),氯丁橡胶,腈,丁苯橡胶(SBR),硅胶,乙烯基和氟橡胶(VITON)(TM)。在一些实施例中,当与物体1820接合时,密封部件1806应该提供足够的摩擦使得物体1820不会滑出。同时,用于密封部件1806的材料不应该产生微粒并作为污染源。
如上所述,如果不是所有的接触点也存在一些接触点可以是气体供应接触点。图18示出气体供应接触点1800的示例。杆1802可以包括用于将气体递送到主体1804的气流通路1803。主体1804可以具有用于使此气体在物体的开口1822中均匀分布的扩散板1808。均匀分布可以防止附加污染。与清洁的腔室环境相比,该气流可以在开口1822内以及在物体1820内创建加压环境。在一些实施例中,压力差为约1千帕至100千帕之间。此压力差在例如密封是不完全时会有助于防止液体进入密封区域1807。
非气体供应接触点的接触点还可以包括杆,主体,和如上所述的密封构件。然而,非气体供应接触点可以不具有气流通路或扩散板。例如当物体可以允许气体从一个开口穿过物体的内部空腔流到另一个开口时,气体供应接触点可以与非气体供应接触点结合使用。在一些实施例中,接触点包括用于将密封构件与开口对准的对准装置(未示出)。
一些接触点可以气动地致动。图19A-19C示出了根据一些实施例的接触点1900的示意性截面图,接触点1900通过气体的供应可相对于它的支撑臂1910可移动。实际上,用于致动接触点1900的气体也可用于使正在由接触点1900接合的物体1920中的开口1922加压。
接触点1900可以包括杆1902,主体1904和弹簧1906。杆1902可以沿X方向在主体1904之内滑动。此外,杆1902可以在支撑臂1910内滑动。杆1902相对于主体1904和支撑臂1910的位置由弹簧1906和供应的气体的压力施加的力的平衡来确定。例如,弹簧1906控制杆1902在主体1904的空腔1905中的延伸。当杆1902内的压力低时,弹簧1906在X方向的相反方向上将杆1902推出空腔1905。随着杆1902内的压力增加,由此压力引起的力克服弹簧1906的力,且杆1902开始延伸到空腔1905中。杆1902可以包括气体释放孔口1908,它在孔口1908延伸到空腔1905中时允许气体从杆1902逸出,例如如图19C所示。另一方面,当杆1902缩回,且气体释放孔口1908由主体1904阻挡时,则气体不能从杆1902逸出。杆1902的不同位置和接触点的操作现在将更详细地描述。
图19A中示出的位置可以成为缩回位置。在该位置,杆1902的止动部1903与支撑臂1910接触,而杆1902缩回到主体1904中,使得气体释放孔口1908由主体1904阻挡。杆1902内部的气体压力可以是此位置中最低的。实际上,杆1902内部的压力可以减少到杆1902外部的压力之下,以例如使杆1902缩回到支撑臂1910中。
由于杆1902内部建立了压力,杆1902可以稍微从支撑臂1910推出,直到主体1904接合物体1920。物体1920有效地充当主体1904的正向止动部。主体1904接合物体1920的力取决于杆1902内部的压力(相对于杆1902外部的压力)和杆在YZ平面中的截面积。接触点1900的此位置可称为部分延伸位置,并在图19B中示出。在这个位置上,来自杆的气体可能不会供应到空腔1905,因为气体释放孔口1908仍然由主体1904阻挡。在此阶段杆1902内部的压力仍然不足以克服弹簧1906的力,杆1902不能充分地延伸到空腔1905内部用于气体逸出。
该工艺可以通过建立杆1902内部的压力继续,并且,在某些时候,杆1902延伸到腔中足够远,使得气体可以从气体释放孔口1908逸出并进入空腔1905。杆1902内部的气体的压力应足以克服弹簧1906的力,且弹簧在该工艺的这部分过程中被压缩。该位置示出在图19C中且可被称为完全延伸位置。在这个位置上,气体释放孔口1908不由主体1904阻挡,其允许气体从杆1902逸出并进入空腔1905中。这样,用于致动接触点1900的气体也用于加压物体1920内的开口1922。
取决于气体释放孔口1908的尺寸和气流,接触点1900可以在供应气体时停留在完全延伸位置。在一些实施例中,气体释放孔口1908可以部分地通过主体1904阻挡,使得气体仅通过气体释放孔口1908的一部分逸出。该位置可以称为平衡位置,在该平衡位置,弹簧1906的压缩(对应于气体释放孔口1908的部分阻挡)通过杆1902内的压力平衡。气流的任何变化都可以将杆1902移动到新的平衡位置,即,当流量增加时对应于更加打开的气体释放孔口1908以及当流量减少时对应于较少打开的气体释放孔口1908。这样,开口1922内部的接合力和加压可以由通过杆1902和支撑臂1910的气流控制。应当指出的是,平衡位置还可以由开口内的加压影响,加压可能试图将杆1902推回主体中。
从完全延伸位置返回到部分延伸位置并最终进入缩回位置的过程通过减少通过支撑臂1910和杆1902的气流和/或压力而完成。当杆1902内部的压力不能克服由压缩弹簧1906施加的力时,弹簧1906扩展(如从图19C至图19B的过渡示出)并将杆1902从空腔1905拉回。为了将杆1902缩回到支撑臂中(如从图19BB至图19A的过渡示出),杆1902内部的压力可以进一步降低,使得整个接触点1900远离物体1920移位。
图20A-20D示出了根据一些实施例的用于清洁喷嘴的示意性构造。当对象绕轴线旋转时,它的最外点(即,离轴线最远的点)限定圆形旋转边界。该边界只与围绕它们的中心轴线旋转的圆柱形对象的外表面一致。所有其他类型的对象和/或离轴旋转具有远离这些对象的外表面延伸的边界。这样,将喷洒喷嘴定位在圆形旋转边界之外可能会导致物体的某些部分的清洁不足,如图20A-20B所示。具体地,图20A-20B示出FOUP门2002,其绕其自身中心2004旋转,使得角部2008限定圆形旋转边界2006。喷洒喷嘴2010被定位在该边界2006的外侧。如图20A所示,当FOUP门2002的角部2008面向喷洒喷嘴2010时,角部2008和喷洒喷嘴2010之间的距离较小。然而,当FOUP门2002转动,且FOUP门2002的侧边2009面向喷洒喷嘴2010时,侧边2009和喷洒喷嘴2010之间的距离显著较大。因此,相比于角部2008,侧边2009可能会效率不高地清洁。
静止对象不能定位在旋转边界内,因为这些对象会被旋转的物体撞上。然而,对象可以在物体的旋转期间移动进出旋转边界而不会彼此撞上。返回到上述的示例,当角部2008经过喷洒喷嘴2010时,喷嘴2010可以开始朝向边界2006移动,甚至进入边界2006,例如如图20C所示。喷嘴2010的移动与FOUP门2002的旋转同步。行程量可取决于正在旋转的物体的形状。在一些实施例中,喷洒喷嘴2010和喷洒喷嘴导向至其的FOUP门2002上的点之间的距离在FOUP门2002的旋转期间保持基本上相同。因此,如果FOUP门2002以恒定速度旋转,则喷洒喷嘴2010可以以可变的速度移动,反之亦然。
一旦喷洒喷嘴2010伸入2006边界中,其需要在物体的旋转期间从边界缩回至少一次。在一些实施例中,喷洒喷嘴2010可以在一次旋转期间从边界缩回并插回到边界中多次。例如,FOUP门2002具有四个角部,且喷洒喷嘴2010必须在每次新的角部经过喷洒喷嘴2010时从边界缩回(假定围绕FOUP门2002的中心旋转)。图20D示出了当角部2012经过喷嘴2010时缩回的喷洒喷嘴2010。然后在角部2012已经经过喷嘴2010之后,喷洒喷嘴2010可延伸到边界2006中。
在一些实施例中,旋转物体可以由围绕物体的多个喷洒喷嘴围绕。一个或多个这些喷嘴被构造为相对于旋转轴线移动进出。在一些实施例中,所有喷嘴都相对于旋转轴线可移动。喷嘴也可以沿其它方向移动,例如,平行于旋转轴线。在一些实施例中,喷洒喷嘴可以相对于它们的附接点转动。
图21示出了根据一些实施例的用于清洁物体的流程图。操作2100将容器主体和盖装载到清洁腔室。操作2120使气体喷嘴和盖和/或主体的一部分对齐。气体喷嘴可设置在该部分附近。气体喷嘴可以全部或部分地阻挡盖和/或主体的该部分。操作2130使气体流向气体喷嘴。操作2140使液体流向主体和盖,用于进行清洁。操作2150使主体和盖在清洁过程中旋转。
图22示出了根据一些实施例的用于清洁物体的另一流程图。例如,该清洁系统可用于清洁FOUP门。方法2200可以开始于在操作2202期间提供物体到清洁系统中。物体和清洁系统的各种实施例如上所述。该物体可与同一腔室内被清洁的其它物体分离。例如,FOUP盖可以与FOUP壳体分离。可以使用转移系统提供该物体,或者更具体地,将该物体定位在清洁系统内。该清洁系统可以处于打开状态。例如,盖可以相对于清洁腔室升起,使得转移系统能够接近支撑臂和系统的其它部件。物体可以由转移系统支撑,直到操作2206,在操作2206期间,接触点与物体接合。
方法2200可以继续,在操作2204期间使至少一个接触点与物体上的至少一个开口对准。在一些实施例中,每个接触点与单独的开口对齐。此外,一个接触点可用于覆盖物体中的多个开口。操作2204可以涉及使接触点相对于彼此移动和/或相对于物体移动。
方法2200可以继续,在操作2206期间使接触点与物体接合。如上所述,此操作可涉及使接触点相对于支撑臂移动和/或使支撑臂相对于驱动轴移动。操作2206之后,物体由接触点支撑,且外部处理系统可以从清洁系统恢复。
方法2200然后继续,在操作2208期间使物体相对于喷洒喷嘴组旋转。在一些实施例中,喷洒喷嘴组是静止的,而物体是可移动的。在其他实施例中,物体是静止的,而喷洒喷嘴是可移动的。此外,物体和喷洒喷嘴均可以是可移动的。
在接合接触点之后的某点,可以开始清洁液体的分配,如由操作2210所反映的。液体的分配可以在物体的旋转开始之前或之后开始。总体来说,操作2208和2210并行一段时间。操作2210还涉及将气体供应到物体中的开口中,从而为这些开口加压,并且在一些实施例中为其它开口加压。加压有助于防止液体进入开口。操作2210还可以涉及冲洗液体的分配。冲洗液体可以以类似于清洁液体的方式进行分配。
清洁和/或清洁液体的分配完成后,方法2200可以继续,在操作2212期间使物体干燥。在此操作期间物体仍然可以旋转。实际上,操作2212可以涉及旋转干燥,使得物体以比例如先前操作期间更快的速度旋转。在一些实施例中,操作2212涉及使干燥气体流入清洁腔室。干燥气体可以流动通过用于清洁液体的喷洒喷嘴。
一旦物体充分干燥,在操作2214期间接触点可与物体脱离。气体至物体的供应也可以在此时停止,因为存在任何液体进入物体中的低风险。这样,物体的开口通过清洁工艺的整个湿部被有效地密封。
此时,物体可以由外部处理机构支撑,外部处理机构可以延伸到清洁腔室中。操作2202-2212可以重复用于另一物体,如由决定框2216所反映的。
图23示出根据一些实施例的在清洁前的FOUP门支撑件的示例。FOUP门2310可安装到支撑框架2390,支撑框架2390可被放置在清洁腔室中。接触点2350可以放置在FOUP门的开口附近,例如,在闩锁机构的闩锁板处。接触点2350可以保护开口,使其免于将液体诱捕并保持在开口中,由此可以简化干燥过程。相对元件2355可以用于支撑FOUP门或用于保护相对的闩锁板。例如,相对元件可以是类似于接触点2350的接触点。相对元件可以是支撑点,或不同类型的接触点。
图24示出了根据一些实施例的在清洁前的FOUP主体支撑件的示例。主体2410可以安装到支撑框架2490,支撑框架2490可被放置在清洁腔室中。接触点2450可以放置在FOUP主体的开口附近,例如,在FOUP主体的角部处的通孔处。接触点2450可以保护开口,使其免于将液体诱捕并保持在开口中,由此可以简化干燥过程。
在一些实施例中,本发明公开了用于清洁半导体衬底储存容器的系统。该系统可以包括清洁腔室。该系统还可以包括定位在清洁腔室中的多个支撑臂。该系统还可以包括用于在物体的清洁过程中支撑物体和接合物体的多个接触点。物体可以是前开口式晶元传送盒(FOUP)门。所述多个接触点中的至少一个可附接到支撑臂。多个接触点可包括气体供应接触点。至少一个接触点构造为相对于物体移动,用于接合物体。至少一个接触点附接到可移动支撑臂。可移动支撑臂可相对于所述物体移动,用于使物体与至少一个接触点接合。至少一个接触点附接到静止支撑臂。至少一个接触点可以相对于静止支撑臂可移动,用于使物体与至少一个接触点接合。所述至少一个接触点可以是气体供应接触点。至少两个接触点构造为相对于物体移动,用于接合物体。接触点可以包括用于接合物体的密封件。接触点可以是气体供应接触点。气体供应接触点可以构造为与物体中的开口对准。气体供应接触点可以包括用于供应气体至物体中的开口的气流通路。气体供应接触点可以由通过气流通路供应的气体驱动。气流通路可以延伸通过附接到气体供应接触点的支撑臂。气流通路可以延伸通过驱动轴,其中驱动机构包括滑动联轴器,其用于将驱动轴中的气流通路连接至外部气体源。
该系统还可以包括驱动机构,其可以包括附接到多个支撑臂的驱动轴。该驱动机构可构造为使多个支撑臂在清洁腔室中旋转。驱动机构可构造为使多个支撑臂以约5RPM和25RPM之间的旋转速度旋转。
该系统还可以包括一组喷洒喷嘴,用于将清洁液体分配在物体上。喷洒喷嘴组中的至少一个喷洒喷嘴可构造为相对于驱动轴移动进出。至少一个喷洒喷嘴的移动可以与多个支撑臂在清洁腔室中的旋转同步。至少一个喷洒喷嘴的移动可以构造为使至少一个喷洒喷嘴和物体维持基本上恒定的距离。
该系统还可以包括在物体清洁期间定位在清洁腔室上并闭合清洁腔室的盖。盖可以支撑驱动机构和多个支撑臂。
该系统还可以包括用于FOUP主体的支撑件,该FOUP主体和FOUP门一起用于清洁。用于FOUP主体的支撑件可以附接到多个支撑臂。
该系统还可以包括系统控制器,其可以包括指令集,其用于使至少气体供应接触点与物体中的开口对准;使每个接触点与物体接合;相对于喷洒喷嘴组旋转物体;当将气体供应到物体的开口中时从喷洒喷嘴组分配清洁液体。
在一些实施例中,本发明公开了用于清洁半导体容器的系统。该系统可以包括清洁腔室,支撑结构,接触点,以及喷洒喷嘴组。支撑结构构造为支撑容器门,其中,支撑结构构造为定位在清洁腔室内。接触点可以构造为用于保护容器门的闩锁开口。接触点可以构造为与闩锁开口接合。接触点可以包括构造为使气体流到闩锁开口的气体通路。该喷洒喷嘴组可以构造为用于将清洁液体分配到容器门上。
支撑结构可以构造为支撑容器主体。该系统可以包括用于保护容器主体的开口的第二接触点。第二接触点可以构造为与所述容器主体的开口接合。第二接触点可以包括构造为使气体流到容器主体的开口的第二气体通路。该系统可以包括第二喷洒喷嘴组,用于将清洁液体分配到容器主体上。
气流通路可延伸通过驱动轴。驱动机构可以包括滑动联轴器,用于将驱动轴中的气流通路连接到外部气体源。接触点可以联接到支撑结构。接触点可以包括气体入口,用于接收气体至气体通路。
该系统可以包括驱动机构,其包括附接到支撑结构的驱动轴。驱动机构可构造为使支撑结构在清洁腔室中旋转。驱动机构可构造为使支撑结构以约5RPM和25RPM之间的旋转速度旋转。喷洒喷嘴组中的至少一个喷洒喷嘴构造为相对于驱动轴移动进出。至少一个喷洒喷嘴的移动可以与多个支撑臂在清洁腔室中的旋转同步。至少一个喷洒喷嘴的移动可以构造为使至少一个喷洒喷嘴和物体维持基本上恒定的距离。
该系统可以包括气体导管。气体导管可联接到驱动机构处的气体源。气体导管可联接到接触点的气体入口。该系统可以包括在物体清洁期间定位在清洁腔室上并闭合清洁腔室的盖。盖可以支撑驱动机构和支撑结构。接触点可以构造为相对于容器门移动,用于接合容器门。接触点可附接到支撑臂,其中,可移动支撑臂相对于接触点可移动,用于使接触点与容器门接合。接触点可以包括用于接合物体的密封件。
在一些实施例中,本发明公开了用于清洁具有开口的半导体衬底储存容器的方法。该清洁系统可以包括多个支撑臂,多个接触点,以及喷洒喷嘴组。多个接触点中的至少一个附接到多个支撑臂的每个。接触点可以包括气体供应接触点。气体供应接触点可以包括用于将气体供应至物体中的开口的气流通路。
该方法可以包括提供物体到清洁系统中;使气体供应接触点与物体的开口对准;将每个接触点与物体接合;相对于喷洒喷嘴组旋转物体;以及当将气体供应到物体中的开口中时,从喷洒喷嘴组分配清洁液体。
在一些实施例中,本发明公开了一种用于清洁物体的方法。该方法可以包括通过气流保护物体的开口;以及用液体清洁物体。该方法可以进一步包括旋转所述物体。该方法还可以包括将物体装载在清洁腔室,并使气流与开口对准。该方法还可以包括使接触点与物体的开口对准;以及使接触点与物体接合。
开口可以包括空腔。空腔在物体的表面可以具有孔口。孔口的尺寸可以小于空腔的尺寸。开口可以包括对象。该对象可以构造为在开口中可滑动。对象可以与开口具有间隙地定位在开口中,其中,对象的长度大于间隙的至少10倍,20倍,或50倍。开口可以包括孔。该孔在物体的表面可以具有孔口。该孔可具有深度。深度和孔口的尺寸的比例可以大于10:1,20:1,或高于50:1。
保护开口可以包括将气流供应到开口中。保护开口可以包括朝向开口施加气流,以最小化进入开口的液体。保护开口可包括阻挡开口,使其免于暴露于液体。保护开口可以包括用气流给开口加压。保护开口可包括将接触点施加在开口处,以及将气流施加到接触点。
清洁物体可包括使液体朝向物体流动。清洁物体可包括将物体浸没在液体中。
在一些实施例中,本发明公开了一种用于清洁半导体容器的方法。该方法可以包括将容器门装载到清洁腔室;通过接触点保护容器门的闩锁开口;当将气流供应到接触点的气体入口中时,使液体朝向容器门流动。接触点可以构造为将气体从气体入口引导到闩锁开口。该方法可以进一步包括旋转容器门,使接触点与开口对准并接合,和/或将液体从清洁腔室排出。
清洁容器主体可包括当通过气流保护容器主体的开口时使液体朝向容器主体流动。闩锁开口可包括闩锁元件。闩锁元件可构造为在闩锁开口中可滑动。闩锁元件可与开口具有间隙地定位在开口中。锁定元件的长度可以大于间隙的至少10倍,20倍,或50倍。
保护闩锁开口可包括通过接触点密封闩锁开口。保护闩锁开口可包括将接触点施加在闩锁开口附近而不触碰容器门。保护开口可以用气流给接触点加压。
虽然为了清楚地理解,已经对前述的概念进行了详细的描述,但是应该理解,可在所附权利要求的范围内实施某些改变和变型。应当注意,存在实施该工艺,系统,和设备的许多替代方式。因此,本实施例应被认为是说明性的而不是限制性的。

Claims (20)

1.用于清洁物体的方法,所述方法包括
用气流保护所述物体的开口;
用液体清洁所述物体。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括
将所述气流与所述开口对准。
3.根据权利要求1所述的方法,
其中所述开口包括对象,其中所述对象构造为在所述开口中可滑动,或者
其中所述开口包括对象,其中所述对象与所述开口具有间隙地定位在所述开口中,其中所述对象的长度比所述间隙大至少10倍。
4.根据权利要求1所述的方法,
其中所述开口包括空腔,其中所述空腔在所述物体的表面处具有孔口,其中所述孔口的尺寸小于所述空腔的尺寸,或者
其中所述开口包括孔,其中所述孔在所述物体的表面处具有孔口,其中所述孔具有深度,其中所述深度和所述孔口的尺寸的比大于20:1。
5.根据权利要求1所述的方法,
其中保护所述开口包括将所述气流供应到所述开口中,或者
其中保护所述开口包括朝向所述开口施加所述气流,以使进入所述开口的液体最少化,或者
其中保护所述开口包括阻挡所述开口使其免于暴露于所述液体,或者
其中保护所述开口包括用气流给所述开口加压,或者
其中保护所述开口包括将接触点施加至所述开口处,并将气流施加至所述接触点。
6.根据权利要求1所述的方法,
其中清洁所述物体包括使液体朝向所述物体流动,或者
其中清洁所述物体包括将所述物体浸没在液体中。
7.用于清洁半导体容器的方法,所述方法包括
将容器门装载至清洁腔室;
用接触点保护所述容器门的闩锁开口,其中所述接触点构造为将气体从气体入口引导到所述闩锁开口;
当将气流供应至接触点的气体入口时,使液体朝向所述容器门流动。
8.根据权利要求7所述的方法,其中清洁容器主体包括
当用气流保护所述容器主体的开口时,使液体朝向所述容器主体流动。
9.根据权利要求7所述的方法,进一步包括
旋转所述容器门。
10.根据权利要求7所述的方法,进一步包括
使所述接触点与所述开口对准并接合。
11.根据权利要求7所述的方法,进一步包括
将液体从所述清洁腔室排出。
12.根据权利要求7述的方法,
其中所述闩锁开口包括闩锁元件,其中所述闩锁元件构造为在所述闩锁开口中可滑动。
13.根据权利要求7所述的方法,
其中所述闩锁开口包括闩锁元件,其中所述闩锁元件与所述开口具有间隙地定位在所述开口中,其中所述闩锁元件的长度比所述间隙大至少10倍。
14.根据权利要求7所述的方法,
其中所述闩锁开口包括闩锁元件,其中所述闩锁元件与所述开口具有间隙地定位在所述开口中,其中所述闩锁元件的长度比所述间隙大至少20倍。
15.根据权利要求7所述的方法,
其中保护所述闩锁开口包括用所述接触点密封所述闩锁开口。
16.根据权利要求7所述的方法,
其中保护所述闩锁开口包括将所述接触点施加至所述闩锁开口的附近而不触碰所述容器门。
17.根据权利要求7所述的方法,
其中保护所述开口包括用所述气流对所述接触点加压。
18.用于清洁半导体容器的设备,所述设备包括:
清洁腔室;
支撑结构,其中所述支撑结构构造为支撑容器门,其中所述支撑结构构造为定位在所述清洁腔室中;
接触点,所述接触点用于保护所述容器门的闩锁开口,其中所述接触点构造为与所述闩锁开口接合,其中所述接触点包括构造为使气体流向所述闩锁开口的气体通路;
喷洒喷嘴组,用于将清洁液体分配在所述容器门上。
19.根据权利要求18所述的设备,其中所述支撑结构进一步构造为支撑容器主体,其中所述设备进一步包括
第二接触点,用于保护所述容器主体的开口,其中所述第二接触点构造为与所述容器主体的开口接合,其中所述第二接触点包括第二气体通路,所述第二气体通路构造为使气体流向所述容器主体的开口;
第二喷洒喷嘴组,用于将清洁液体分配在所述容器主体上。
20.根据权利要求18所述的设备,
其中所述接触点联接至所述支撑结构,
其中所述接触点包括气体入口,所述气体入口用于接收气体至所述气体通路,
其中所述气体入口联接到气体导管,所述气体导管联接到气体源。
CN201480058724.XA 2013-10-23 2014-10-20 用于半导体衬底储存物体的清洁系统和方法 Active CN105706226B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361894883P 2013-10-23 2013-10-23
US61/894,883 2013-10-23
PCT/IB2014/065458 WO2015059615A1 (en) 2013-10-23 2014-10-20 Cleaning systems and methods for semiconductor substrate storage articles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105706226A true CN105706226A (zh) 2016-06-22
CN105706226B CN105706226B (zh) 2019-01-15

Family

ID=51945954

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480058724.XA Active CN105706226B (zh) 2013-10-23 2014-10-20 用于半导体衬底储存物体的清洁系统和方法

Country Status (7)

Country Link
US (4) US20160303622A1 (zh)
EP (2) EP3926667A1 (zh)
JP (1) JP6571671B2 (zh)
KR (1) KR102314033B1 (zh)
CN (1) CN105706226B (zh)
TW (1) TWI587424B (zh)
WO (1) WO2015059615A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108500013A (zh) * 2018-02-28 2018-09-07 湖南三德科技股份有限公司 一种煤样样瓶清扫装置
CN109141494A (zh) * 2017-06-15 2019-01-04 福特全球技术公司 传感器设备
CN110238143A (zh) * 2019-06-14 2019-09-17 德淮半导体有限公司 Foup清洗装置
TWI790842B (zh) * 2021-02-18 2023-01-21 日商Sumco股份有限公司 晶圓收納容器的清洗裝置及晶圓收納容器的清洗方法
CN116494648A (zh) * 2023-04-26 2023-07-28 超音速人工智能科技股份有限公司 一种喷墨装置
TWI820947B (zh) * 2022-10-03 2023-11-01 台銨科技股份有限公司 晶圓容器清洗機

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107710388B (zh) * 2015-06-15 2021-08-24 株式会社Jet 基板处理装置
KR101976360B1 (ko) * 2017-05-16 2019-08-29 주식회사 아이에스티이 복수개의 캐리어를 세정하기 위한 세정장치 및 이를 이용한 세정방법
KR102067752B1 (ko) * 2018-02-09 2020-01-17 (주)에스티아이 풉 세정 장치 및 풉 세정 방법
US11488848B2 (en) 2018-07-31 2022-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated semiconductor die vessel processing workstations
US11318506B2 (en) * 2018-08-16 2022-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus for cleaning semiconductor equipment
FR3101001B1 (fr) * 2019-09-25 2022-05-27 Pfeiffer Vacuum Station et procédé de nettoyage d’une enceinte de transport pour le convoyage et le stockage atmosphérique de substrats semi-conducteurs
WO2021207311A1 (en) * 2020-04-08 2021-10-14 Pintek Solutions Corporation Sample carrier cleaner
DE102020129469B4 (de) * 2020-11-09 2024-05-29 Gsec German Semiconductor Equipment Company Gmbh Vorrichtung zum Reinigen von topfförmigen Hohlkörpern, insbesondere von Transportbehältern für Halbleiterwafer oder für EUV-Lithografie-Masken
KR102593653B1 (ko) * 2020-11-16 2023-10-26 (주)에스티아이 포드 세정장치
US20230182181A1 (en) * 2021-03-11 2023-06-15 Pintek Solutions Corporation System and Method for Cleaning Carrier
CN113020080A (zh) * 2021-03-30 2021-06-25 苏州阿洛斯环境发生器有限公司 一种定向线性双流体清洗方法及装置
CN113020079A (zh) * 2021-03-30 2021-06-25 苏州阿洛斯环境发生器有限公司 一种定向双流体清洗方法
CN113751416B (zh) * 2021-08-23 2022-08-30 东安美弘智能科技有限公司 一种高效型超声波清洗机
WO2023213457A1 (de) * 2022-05-06 2023-11-09 Gsec German Semiconductor Equipment Company Gmbh Vorrichtung zum reinigen von topfförmigen hohlkörpern, insbesondere von transportbehältern für halbleiterwafer oder für euv-lithografie-masken
DE102022116177A1 (de) * 2022-06-29 2024-01-04 Gsec German Semiconductor Equipment Company Gmbh Vorrichtung zum Reinigen von topfförmigen Hohlkörpern, insbesondere von Transportbehältern für Halbleiterwafer oder für Lithografie-Masken
US12237186B2 (en) * 2022-09-15 2025-02-25 Applied Materials, Inc. On-board cleaning of tooling parts in hybrid bonding tool
DE102022124334A1 (de) * 2022-09-22 2024-03-28 Gsec German Semiconductor Equipment Company Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von topfförmigen Hohlkörpern, insbesondere von Transportbehältern für Halbleiterwafer oder für EUV-Lithografie-Masken
DE102023100730B4 (de) * 2023-01-13 2024-09-19 Gsec German Semiconductor Equipment Company Gmbh Verfahren zum Reinigen von topfförmigen Hohlkörpern, insbesondere von Transportbehältern für Halbleiterwafer oder für Lithografie-Masken mit einer entsprechenden Vorrichtung

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4571850A (en) * 1984-05-17 1986-02-25 The Fluorocarbon Company Centrifugal wafer processor
US6248177B1 (en) * 1998-01-09 2001-06-19 Fluoroware, Inc. Method of cleaning a wafer carrier
US20040084066A1 (en) * 2002-11-01 2004-05-06 Semitool, Inc. Wafer container cleaning system
CN102804332A (zh) * 2009-06-17 2012-11-28 动力微系统公司 集成式清洁器和干燥器系统
CN103170469A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于清洗和干燥晶圆盒的装置及方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5224503A (en) * 1992-06-15 1993-07-06 Semitool, Inc. Centrifugal wafer carrier cleaning apparatus
US5616208A (en) * 1993-09-17 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus
US5603342A (en) * 1995-06-29 1997-02-18 Coulter Corporation Apparatus for cleaning a fluid sample probe
CA2223345A1 (en) * 1997-12-03 1999-06-03 Bombardier Inc. Full face helmet with breathing mask
US7216655B2 (en) * 1998-01-09 2007-05-15 Entegris, Inc. Wafer container washing apparatus
US6904920B2 (en) * 1998-07-10 2005-06-14 Semitool, Inc. Method and apparatus for cleaning containers
JP3352978B2 (ja) * 1999-06-16 2002-12-03 株式会社半導体先端テクノロジーズ ウェーハキャリア
US20060033222A1 (en) * 2004-08-11 2006-02-16 Godfrey Scott A Devices for introducing a gas into a liquid and methods of using the same
JP4278699B1 (ja) * 2008-03-27 2009-06-17 Tdk株式会社 密閉容器及び該密閉容器の蓋開閉システム、ウエハ搬送システム、及び密閉容器の蓋閉鎖方法
JP4568356B2 (ja) * 2008-08-29 2010-10-27 株式会社コンタクト フープ洗浄乾燥装置
DE102010029221A1 (de) * 2010-05-21 2011-11-24 Meiko Maschinenbau Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Reinigung von Atemgeräten

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4571850A (en) * 1984-05-17 1986-02-25 The Fluorocarbon Company Centrifugal wafer processor
US4571850B1 (zh) * 1984-05-17 1992-01-21 Verteq Inc
US6248177B1 (en) * 1998-01-09 2001-06-19 Fluoroware, Inc. Method of cleaning a wafer carrier
US20040084066A1 (en) * 2002-11-01 2004-05-06 Semitool, Inc. Wafer container cleaning system
CN102804332A (zh) * 2009-06-17 2012-11-28 动力微系统公司 集成式清洁器和干燥器系统
CN103170469A (zh) * 2011-12-22 2013-06-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于清洗和干燥晶圆盒的装置及方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109141494A (zh) * 2017-06-15 2019-01-04 福特全球技术公司 传感器设备
CN108500013A (zh) * 2018-02-28 2018-09-07 湖南三德科技股份有限公司 一种煤样样瓶清扫装置
CN110238143A (zh) * 2019-06-14 2019-09-17 德淮半导体有限公司 Foup清洗装置
TWI790842B (zh) * 2021-02-18 2023-01-21 日商Sumco股份有限公司 晶圓收納容器的清洗裝置及晶圓收納容器的清洗方法
TWI820947B (zh) * 2022-10-03 2023-11-01 台銨科技股份有限公司 晶圓容器清洗機
CN116494648A (zh) * 2023-04-26 2023-07-28 超音速人工智能科技股份有限公司 一种喷墨装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160098198A (ko) 2016-08-18
US11167322B2 (en) 2021-11-09
CN105706226B (zh) 2019-01-15
US20160303622A1 (en) 2016-10-20
TW201528406A (zh) 2015-07-16
EP3926667A1 (en) 2021-12-22
US20180369885A1 (en) 2018-12-27
US20160271658A1 (en) 2016-09-22
KR102314033B1 (ko) 2021-10-18
EP3061126A1 (en) 2016-08-31
JP2016541126A (ja) 2016-12-28
JP6571671B2 (ja) 2019-09-04
US20230135865A1 (en) 2023-05-04
TWI587424B (zh) 2017-06-11
EP3061126B1 (en) 2021-08-11
US10065222B2 (en) 2018-09-04
WO2015059615A1 (en) 2015-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230135865A1 (en) Cleaning systems and methods for semiconductor substrate storage articles
US11735437B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
JP5730297B2 (ja) 統合されたクリーナ及びドライヤシステム
TWI483334B (zh) 用以處理基板之裝置及方法
US20130028690A1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20130134996A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2011507237A (ja) 半導体ウエハの洗浄方法及び装置
KR102064552B1 (ko) 기판 처리 장치
CN111095512A (zh) 清洗半导体硅片的方法及装置
JP5497114B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR101373730B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
US12046466B2 (en) Method and apparatus for treating substrate
JP3992488B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
TWI390618B (zh) 用於清洗半導體晶片的方法和裝置
JP2001223194A (ja) 枚葉式基板洗浄装置および基板洗浄システム
KR20190005256A (ko) 웨이퍼 프로세서 도어 인터페이스
JP2002231678A (ja) 液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant