[go: up one dir, main page]

CN105655435A - 光电转换器、探测器及扫描设备 - Google Patents

光电转换器、探测器及扫描设备 Download PDF

Info

Publication number
CN105655435A
CN105655435A CN201410648328.4A CN201410648328A CN105655435A CN 105655435 A CN105655435 A CN 105655435A CN 201410648328 A CN201410648328 A CN 201410648328A CN 105655435 A CN105655435 A CN 105655435A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon photomultiplier
detector
optical
pet
electrical converter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410648328.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105655435B (zh
Inventor
谢庆国
朱俊
牛明
王璐瑶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huazhong University of Science and Technology
Original Assignee
Huazhong University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huazhong University of Science and Technology filed Critical Huazhong University of Science and Technology
Priority to CN201410648328.4A priority Critical patent/CN105655435B/zh
Priority to US15/525,266 priority patent/US11022703B2/en
Priority to PCT/CN2015/092833 priority patent/WO2016074560A1/zh
Priority to JP2017525003A priority patent/JP7043258B2/ja
Priority to EP15859308.7A priority patent/EP3220425B1/en
Publication of CN105655435A publication Critical patent/CN105655435A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105655435B publication Critical patent/CN105655435B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
    • G01T1/164—Scintigraphy
    • G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
    • G01T1/1642—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using a scintillation crystal and position sensing photodetector arrays, e.g. ANGER cameras
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/248—Silicon photomultipliers [SiPM], e.g. an avalanche photodiode [APD] array on a common Si substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/225—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Nuclear Medicine (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

一种光电转换器，其包括硅光电倍增管阵列及与硅光电倍增管阵列耦合的光导，硅光电倍增管阵列为i×j个硅光电倍增管在水平面上拼接而成，i和j都是大于或等于2的整数。一种探测器，其包括闪烁晶体、电子学系统、光导、硅光电倍增管。一种扫描设备，其包括探测装置和机架，所述探测装置包括探测器，所述探测器包括所述的光电转换器。本发明主要采用硅光电倍增管的光电转换方案，因为硅光电倍增管体积小巧，排列紧实，适当尺寸与个数的硅光电倍增管搭配适合形状的光导后，可搭建高空间分辨率的PET探测器，最终提高整个PET系统的空间分辨率，并且很适合搭建具有DOI和TOF性能的PET探测器，能用于PET/MRI、成本低廉。

Description

光电转换器、探测器及扫描设备
技术领域
本发明涉及核医学成像技术领域，特别是涉及一种光电转换器、具有该光电转换器的探测器及具有该探测器的扫描设备。
背景技术
正电子发射断层成像(PositronEmissionTomography，以下简称PET)探测器是PET成像设备中的关键装置，其主要功能是获得PET系统中γ光子沉积时的位置、时间和能量信息。PET探测器的性能直接决定了整个PET成像系统的性能，为了提高系统成像性能，希望所使用的正电子发射断层成像探测器具有高空间分辨率、好的时间分辨率、好的能量分辨率、高计数率等特性。
PET探测器中光电转换器的功能是将前端闪烁晶体输出的闪烁光子转化为对应的电脉冲，并进行倍增放大得到电子学系统可以处理的电脉冲信号。现有的PET探测器，其中光电转换器件通常采用光电倍增管、雪崩光电二极管、位置敏感型光电倍增管。
光电倍增管一般通过光电面将闪烁光子转化为光电子，然后通过多个倍增极对光电子进行倍增，最后从阳极输出电脉冲信号，光电倍增管增益一般为106左右。光电倍增管具有高增益、低噪声、快的时间响应等优点，这造就了大部分的临床PET光电转换器件均选择了光电倍增管。但其体积一般较大，这可能限制PET探测器的空间分辨率以及PET系统结构设计的灵活性；光电倍增管无法在磁场中正常工作，难以作为PET/MRI双模成像系统的光电转换器件。
雪崩光电二极管首先通过光阴极将闪烁光子转化为光电子，利用光电二极管的雪崩效应来对光电子进行倍增得到电脉冲信号，雪崩光电二极管可以在磁场中正常工作，在PET/MRI双模成像中系统表现出一定的潜力。雪崩光电二极管体积较小，可以用来设计空间分辨率更好的PET探测器，已经有人通过雪崩光电二极管来设计对空间分辨率要求更高的小动物PET(MélanieBergeron，JulesCadorette,，Jean-Beaudoin，MartinD.Lepage，GhislainRobert，VitaliSelivanov，Marc-AndréTétrault，NicolasViscogliosi，JeffreyP.Norenberg，RéjeanFontaine，andRogerLecomte，“PerformanceEvaluationoftheLabPETAPD-BasedDigitalPETScanner，”IEEETRANSACTIONSONNUCLEARSCIENCE,VOL.56,NO.1,FEBRUARY2009)。但是雪崩光电二极管有着天然的缺陷，增益不够高，大概104，噪声较大，会影响PET探测器的性能。
位置敏感型光电倍增管具备所有光电倍增管的优点，而且能够实现较高的空间分辨率，有研究组已经通过位置敏感型光电倍增管实现了对空间分辨率要求更高的小动物PET(QingguoXie,YuanbaoChen,JunZhu,JingjingLiu,XiWang,XinChen,MingNiu,ZhongyiWu,DaomingXi,LuyaoWang,PengXiao,Chin-TuChen,Chien-MinKao“ImplementationofLYSO-PSPMTBlockDetectorwithanAll-DigitalDAQSystem,”inIEEETransactionsonNuclearScience,pp.1487-1494,2013)，并达到了较好的系统性能。但是位置敏感型光电倍增管价格十分昂贵，会增加PET系统的成本。
近年来，一种成本低廉的硅光电倍增管引起了人们的注意，硅光电倍增管由运行在盖革模式下的雪崩光电二极管微像素单元阵列组成，增益为106，该增益与光电倍增管媲美，噪声较低，体积小，对磁场不敏感，且其时间性能良好，大量生产时价格低廉，适合用来搭建PET探测器(QingguoXie,RobertG.Wagner,GaryDrake,PatrickDeLurgio,YunDong,Chin-TuChen,Chien-MinKao,“PerformanceEvaluationofMulti-PixelPhotonCountersforPETImaging,”inConferenceRecordofthe2007IEEENuclearScienceSymposium,vol.2,pp.969-974,2007)。采用硅光电倍增管作为光电转换器件，对比传统体积较大光电倍增管，硅光电倍增管体积小巧，排列紧实，适合搭建高空间分辨率PET探测器，最终提高整个PET系统的空间分辨率；硅光电倍增管体积小巧，很方便搭建多种探测器结构，并且很适合搭建具有沉积深度(DepthofInteraction，简称DOI)探测能力的PET探测器，相对于体积较大的光电倍增管，大大提高了PET系统结构搭建的灵活性；硅光电倍增管具有良好的时间性能，可以搭建具有飞行时间(Time-of-Flight，简称TOF)能力的PET探测器，提高PET图像质量；硅光电倍增管增益高，工作状态不受磁场影响，是PET/MRI方案中核心光电转换器件的最佳选择。光电倍增管尤其是位置敏感型光电倍增管成本一直居高不下，硅光电倍增管大量生产时价格低廉，可大幅度降低PET系统的成本。
硅光电倍增管具有与光电倍增管媲美的增益，又具有雪崩光电二极管体积小、对磁场的不敏感的优点，且其时间性能良好。硅光电倍增管兼具了光电倍增管和雪崩光电二极管的优点，如果正电子发射断层成像探测器利用硅光电倍增管作为光电转换器件并能够较好的实现位置分辨，便可以基于硅光电倍增管设计并搭建空间分辨率更高的、具有DOI和TOF性能的、能用于PET/MRI的、成本低廉的正电子发射断层成像探测器。
因此，有必要提供一种新型的应用硅光电倍增管的光电转换器，以克服现有技术中探测器的缺陷。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种空间分辨率更高的光电转换器、具有该光电转换器的探测器及具有该探测器的扫描设备。
本发明一个目的在于提供一种空间分辨率更高的光电转换器，其包括硅光电倍增管阵列，所述硅光电倍增管阵列为i×j个硅光电倍增管在水平面上拼接成，所述i为水平面上长度方向的硅光电倍增管个数，所述j为水平面上宽度方向的硅光电倍增管个数，所述i和j都是大于或等于2的整数。
本发明另一个目的在于提供一种具有该光电转换器的探测器，该探测器包括闪烁晶体、电子学系统，所述探测器具有所述的光电转换器，所述闪烁晶体、光导、硅光电倍增管阵列依次按顺序通过光学耦合剂进行耦合。
本发明另一个目的在于提供一种具有该探测器的扫描设备，该扫描设备包括探测装置和机架，所述探测装置安装于所述机架上，所述探测装置包括所述的探测器。
从上述技术方案可以看出，本发明主要采用硅光电倍增管的光电探测方案，因为硅光电倍增管体积小巧，排列紧实，适当尺寸与个数的硅光电倍增管搭配适合形状的光导后，使闪烁晶体的光子在光导产生扩散，利用丰富的空间信息，可搭建高空间分辨率PET探测器，最终提高整个PET系统的空间分辨率，并且很适合搭建具有DOI和TOF性能的PET探测器，能用于PET/MRI、成本低廉。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、采用硅光电倍增管的光电探测系统方案，对比传统较大体积光电倍增管的方案，硅光电倍增管体积小巧，排列紧实，适当尺寸与个数的硅光电倍增管搭配适合形状的光导后，可搭建固有空间分辨率很高的PET探测器，最终提高整个PET系统的空间分辨率。
2、硅光电倍增管具有与光电倍增管媲美的增益(106)可以接受的噪声，对比传统的光电转换器件雪崩光二极管，其增益只有104，噪声较大，使得由雪崩光电二极管组成的PET探测器性能较低。
3、硅光电倍增管体积小巧，很方便搭建多种探测器结构，并且很适合搭建具有DOI探测能力的PET探测器，相对于体积较大的光电倍增管，大大提高了PET探测器结构搭建的灵活性。
4、硅光电倍增管具有良好的时间性能，可以搭建具有TOF能力的PET探测器，提高PET图像质量。
5、传统PET探测器中广泛使用的光电倍增管无法在磁场中正常工作，使得研发PET/MRI双模成像系统存在光电转换器件困难，硅光电倍增管增益高，工作状态不受磁场影响，是PET/MRI方案中核心光电转换器件的最佳选择。
6、光电倍增管尤其是位置敏感型光电倍增管由于生产过程过于复杂，成本一直居高不下，硅光电倍增管大量生产时价格低廉，可大幅度降低搭建PET系统的成本。
7、采用三种电子学预处理电路既可以有效的减少基于硅光电倍增管搭建的PET探测器的通道数，又不丢失γ光子沉积的位置、能量、时间信息，使得基于硅光电倍增管搭建的PET探测器更易于工程实现。
附图说明
图1为本发明光电转换器第一实施例的立体示意图；
图2为本发明光电转换器第二实施例的立体示意图；
图3为本发明光电转换器第三实施例的立体示意图；
图4为本发明4个通道的硅光电倍增管信号通过电阻网络如何最后产生4路加权信号的示意图；
图5为本发明16个通道的硅光电倍增管信号通过更加简单明了的电阻网络如何最后产生4路加权信号的示意图；
图6为本发明16个通道的硅光电倍增管信号通过同时取硅光电倍增管的阴极和阳极信号如何最后产生8路加权信号的示意图。
具体实施方式
硅光电倍增管具有与光电倍增管媲美的增益，又具有雪崩光电二极管体积小、对磁场的不敏感的优点，且其时间性能良好、大量生产时价格低廉。硅光电倍增管兼具了光电倍增管和雪崩光电二极管的优点，充分利用这些优点，配合相应的光导设计，使闪烁晶体的光子在光导中产生扩散，利用这丰富的空间分布信息，配合后端的电子学设计以及位置读出算法，可以更加准确的获得γ光子沉积位置信息，使PET探测器空间分辨率突破硅光电倍增管尺寸限制。
基于以上分析，本发明公开了一种空间分辨率更高、具有DOI和TOF性能、能用于PET/MRI、成本低廉的光电转换器、具有该光电转换器的探测器及具有该探测器的扫描设备。
所述扫描设备包括探测装置和机架，所述探测装置安装于所述机架上，所述探测装置包括探测器。
所述探测器包括闪烁晶体、电子学系统、光电转换器，所述光电转换器包括硅光电倍增管阵列及与硅光电倍增管阵列耦合的光导，所述闪烁晶体、光导、硅光电倍增管阵列依次按顺序通过光学耦合剂进行耦合。硅光电倍增管体积小巧，很方便搭建多种探测器结构，并且很适合搭建具有DOI探测能力的PET探测器，相对于体积较大的光电倍增管，大大提高了PET探测器结构搭建的灵活性，且硅光电倍增管具有良好的时间性能，可以搭建具有TOF能力的PET探测器，提高PET图像质量。
所述硅光电倍增管阵列为i×j个硅光电倍增管在水平面上拼接成，所述i和j都是大于或等于2的整数，所述闪烁晶体、光导、硅光电倍增管阵列依次按顺序通过光学耦合剂进行耦合。来自于闪烁晶体的闪烁光子经由光导时，发生光扩散，根据耦合在光导下各个硅光电倍增管收到的数目的光子的分布，结合位置算法，可以准确的获得γ光子在闪烁晶体中沉积的位置。通过采用硅光电倍增管的光电探测系统方案，对比传统较大体积光电倍增管的方案，硅光电倍增管体积小巧，价格低廉、排列紧实，搭建PET探测器时，可以提高探测器的空间分辨率，最终可以提高系统的成像质量；同时，硅光电倍增管具有与光电倍增管媲美的增益(106)可以接受的噪声，对比传统的光电转换器件雪崩光二极管，其增益只有104，噪声较大，使得由雪崩光电二极管组成的PET探测器性能较低。
如图1所示，该探测器包含将γ光子转化为闪烁光子的闪烁晶体1、将闪烁光子转换为电脉冲信号的光电转换器2以及根据电脉冲信号来计算γ光子的沉积位置、能量、时间信号的电子学系统3。其中，光电转换器2包括光导4及与光导4耦合硅光电倍增管阵列5，闪烁晶体1、光导4、硅光电倍增管阵列5依次按顺序通过光学耦合剂进行耦合。光学耦合剂可以是光学胶水。
所述光导为光纤或完全切割的透明元件或不完全切割的透明元件或连续的透明元件。所述透明元件的材料为普通无机玻璃或有机玻璃或闪烁晶体。
所述闪烁晶体包括单个晶体条组成的阵列晶体，或者未完全切割的阵列晶体，或者未切割的连续晶体，或者连续晶体与阵列晶体组合的多层晶体。
所述闪烁晶体为无机闪烁晶体，其材料为锗酸铋、硅酸镥、溴化镧、硅酸钇镥、硅酸钇、氟化钡、碘化钠、碘化铯。
现有技术中，不同厂商对自己公司生产的硅光电倍增管都有各自不同的命名，大致有如下几种叫法：硅光电倍增器(siliconphotomultiplier，SiPM)、多像素光子计数器(multi-pixelphotoncounter，MPPC)、盖革模式雪崩光电二极管(Geiger-modeavalanchephotodiode，G-APD)、数字硅光电倍增器(digitalsiliconphotomultiplier，dSiPM)，虽然叫法不同，但是实际上他们均是指本发明所述的硅光电倍增管，其原理功能均相同。本发明描述的硅光电倍增管只是一个统称，本发明的保护范围并不会因为叫法的不同而出现不同的保护范围，即他人不可以主观上认为改变命名就与本发明属于不同的发明创造。本发明所揭示的硅光电倍增管的实际保护的范围囊括现有技术中各大厂商对硅光电倍增管的不同叫法所指定的产品。
所述单颗硅光电倍增管探测面积在1×1mm2至6×6mm2之间，微像素单元面积在25×25um2至100×100um2之间。
所述光导的形状包括圆锥体、圆柱体，长方体、正方体及类锥形多面体，当然光导也可以是其他形状，在此不再一一进行列举。所述光导包括光纤、完全切割的透明元件、不完全切割的透明元件、连续的透明元件或其他透明元件，所述透明元件的材料包括普通无机玻璃、有机玻璃、闪烁晶体。所述的光导包括P层，所述P的范围在0至4层之间，所有光导加起来的厚度在0.1mm至50mm之间。如图1至图2所示，图中仅显示了光导层数m均等于1，均为连续的透明元件的情况。
所述光电转换器包括i×j硅光电倍增管在水平面上拼接成的硅光电倍增管阵列，其中i为水平面上长度方向的硅光电倍增管个数，i为大于或等于2的整数，j为水平面上宽度方向的硅光电倍增管个数，j为大于或等于2的整数；对于一次γ光子沉积事件，光电转换器将会产生k路电脉冲信号，其中k为大于或等于4的整数。所述电子学系统通过处理k路电脉冲信号获得γ光子能量、位置、时间信息。所述处理电信号得到γ光子的位置、能量及时间信息的电子学系统对于k路电脉冲信号不做预处理，直接对k路电脉冲信号一对一读出，使用最大似然估计法、人工神经网络定位算法计算γ光子沉积位置。
所述处理电信号得到γ光子的位置、能量及时间信息的电子学系统对于k路电脉冲信号也可以进行预处理，减少电子学通道数，预处理电路包括：Anger电路，离散正比(discretizedproportionalcounter，DPC)电路，十字交叉(cross-wire)电路，得到m路电脉冲信号，m为大于或等于4，小于或等于k的整数。如图4至图6所示，图中仅分别显示了Anger电路，DPC电路，cross-wire电路的情况。采用三种电子学预处理电路既可以有效的减少基于硅光电倍增管搭建的PET探测器的通道数，又不丢失γ光子沉积的位置、能量、时间信息，使得基于硅光电倍增管搭建的PET探测器更易于工程实现。
所述电子学系统采用位置算法根据m个电脉冲信号计算出γ光子沉积位置，所述位置算法包括重心法、Anger-Logic法、最大似然估计法、人工神经网络定位算法。
所述电子学系统也可以采用时间算法根据m个电脉冲信号计算出γ光子沉积时间，所述时间算法为将m个电脉冲信号加和或者加权后加和获得一个加和电脉冲信号，提取加和电脉冲信号的时间信息作为γ光子的沉积时间。
所述求取时间的具体方法包括恒比甄别器(constantfractiondiscrimination，CFD)方法、边沿触发(leadingedgediscrimination，LED)方法、多电压阈值(multi-voltagethreshold，MVT)方法、周期时间采样(regular-timesampling，RTS)方法。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行详细地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
如图1所示：探测器包括闪烁晶体1、光电转换器2、电子学系统3。其中闪烁晶体1为由12×12个相同尺寸的闪烁晶体条在水平面拼接构成。闪烁晶体1的底面直接与光导4的顶面耦合，硅光电倍增管阵列5由4×4个相同尺寸的硅光电倍增管，其中光导仅有一层，外形为长方体，材料为玻璃，厚度13mm。电子学系统3中，首先采用DPC电路，将通道数从16降至4，然后采用Anger-Logic算法获得γ光子沉积位置；获取γ光子沉积时间信息的方法为将DPC电路输出的4路信号加和，提取加和信号的时间为γ光子的沉积时间。
实施例二：
如图2所示：探测器包括闪烁晶体1、光电转换器2、电子学系统3。其中闪烁晶体1为由12×12个相同尺寸的闪烁晶体条在水平面拼接构成。闪烁晶体1的底面直接与光导4的顶面耦合，硅光电倍增管阵列5由4×4个相同尺寸的硅光电倍增管，其中光导仅为一层，外形为类锥形六面体，上下面表面均为正方形，四个侧面为梯形，上下表面正方形面积并不相同，厚度13mm。电子学系统3中，首先采用cross-wire电路，将通道数从16降至8，然后采用最大似然估计法获得γ光子沉积位置；获取γ光子沉积时间信息的方法为将cross-wire电路输出的一个方向的4路信号加和，提取加和信号的时间为γ光子的沉积时间。
实施例三：
如图3所示：基于硅光电倍增管的位置敏感PET探测器包括闪烁晶体1、光电转换器2、电子学系统3。其中闪烁晶体1为由12×12个相同尺寸的闪烁晶体条在水平面拼接构成。闪烁晶体1的底面直接与光导4的顶面耦合，硅光电倍增管阵列5由4×4个相同尺寸的硅光电倍增管，其中光导仅为一层，外形为类锥形十面体，即一个长方体加上一个六面体(中间为连续光导)，整个十面体上下两个表面为正方形，表面面积并不相同，侧面是四个长方形加四个梯形，总厚度13mm。电子学系统3中，首先采用cross-wire电路，将通道数从16降至8，然后采用最大似然估计法获得γ光子沉积位置；获取γ光子沉积时间信息的方法为将cross-wire电路输出的一个方向的4路信号加和，提取加和信号的时间为γ光子的沉积时间。
如图4所示：Anger电路示意图，此处示意了4个通道的硅光电倍增管信号通过电阻网络如何最后产生4路加权信号，在每一个方向上通过不同电阻值配比对每个通道信号进行加权，然后利用重心法计算硅光电倍增管信号产生位置。按照该原理可以在不付出创造性劳动的情况下，扩展到16、64通道如何最后产生4路加权新号。
如图5所示：DPC电路示意图，此处示意了16个通道的硅光电倍增管信号通过更加简单明了的电阻网络如何最后产生4路加权信号，显然，在该电路中，每一路不同位置的硅光电倍增管信号都有不同的加权值，然后利用Anger-Logic算法产生位置。显然，该电路中电阻值仅仅是示意，按照该原理可以在不付出创造性劳动的情况下，仅仅改变部分电阻值或改变电阻的个数，便可以扩展到其它x×y路的硅光电倍增管通道信号如何最后产生4路加权新号的情况，x和y均为大于或等于2的整数。
如图6所示：cross-wire电路示意图，此处示意了16个通道的硅光电倍增管信号通过同时去硅光电倍增管的阴极和阳极信号如何最后产生8路加权信号，显然，该电路可以使x×y路的硅光电倍增管信号减少到x+y路，x和y均为大于或等于2的整数，然后利用最大似然估计法或者人工神经网络算法产生位置。显然，按照该原理可以在不付出创造性劳动的情况下，便可以扩展到其它x×y路的硅光电倍增管的情况，x和y均为大于或等于2的整数。
综上所述，与现有技术相比，本发明的有益效果包括：
1、采用硅光电倍增管的光电探测系统方案，对比传统较大体积光电倍增管的方案，硅光电倍增管体积小巧，排列紧实，适当尺寸与个数的硅光电倍增管搭配适合形状的光导后，可搭建固有空间分辨率很高的PET探测器，最终提高整个PET系统的空间分辨率。
2.硅光电倍增管具有与光电倍增管媲美的增益(106)可以接受的噪声，对比传统的光电转换器件雪崩光二极管，其增益只有104，噪声较大，使得由雪崩光电二极管组成的PET探测器性能较低。
3.硅光电倍增管体积小巧，很方便搭建多种探测器结构，并且很适合搭建具有DOI探测能力的PET探测器，相对于体积较大的光电倍增管，大大提高了PET探测器结构搭建的灵活性。
4.硅光电倍增管具有良好的时间性能，可以搭建具有TOF能力的PET探测器，提高PET图像质量。
5.传统PET探测器中广泛使用的光电倍增管无法在磁场中正常工作，使得研发PET/MRI双模成像系统存在光电转换器件困难，硅光电倍增管增益高，工作状态不受磁场影响，是PET/MRI方案中核心光电转换器件的最佳选择。
6.光电倍增管由于生产过程过于复杂，成本一直居高不下，硅光电倍增管大量生产时价格低廉，可大幅度降低搭建PET系统的成本。
7、采用三种电子学预处理电路既可以有效的减少基于硅光电倍增管搭建的PET探测器的通道数，又不丢失γ光子沉积的位置、能量、时间信息，使得基于硅光电倍增管搭建的PET探测器更易于工程实现。

Claims (15)

1.一种光电转换器，其特征在于：所述光电转换器包括硅光电倍增管阵列，所述硅光电倍增管阵列为i×j个硅光电倍增管在水平面上拼接成，所述i为水平面上长度方向的硅光电倍增管个数，所述j为水平面上宽度方向的硅光电倍增管个数，所述i和j都是大于或等于2的整数。
2.根据权利要求1所述的光电转换器，其特征在于：所述光电转换器还包括与硅光电倍增管阵列耦合的光导。
3.根据权利要求2所述的光电转换器，其特征在于：所述光导的形状为圆锥体或圆柱体或长方体或正方体或类锥形多面体。
4.根据权利要求2所述的光电转换器，其特征在于：所述光导为光纤或完全切割的透明元件或不完全切割的透明元件或连续的透明元件。
5.根据权利要求4所述的光电转换器，其特征在于：所述透明元件的材料为普通无机玻璃或有机玻璃或闪烁晶体。
6.根据权利要求2所述的光电转换器，其特征在于：所述光导包括P层，所述P的范围在0至4层之间。
7.根据权利要求6所述的光电转换器，其特征在于：所有所述光导加起来的厚度范围在0.1mm至50mm之间。
8.一种探测器，其包括闪烁晶体、电子学系统，其特征在于：所述探测器具有权利要求1至7任一所述的光电转换器，所述闪烁晶体、光导、硅光电倍增管阵列依次按顺序通过光学耦合剂进行耦合。
9.根据权利要求8所述的探测器，其特征在于：所述闪烁晶体为单个晶体条组成的阵列晶体，或者未完全切割的阵列晶体，或者未切割的连续晶体，或者连续晶体与阵列晶体组合的多层晶体。
10.根据权利要求8所述的探测器，其特征在于：对于一次γ光子沉积事件，所述光电转换器将会产生k路电脉冲信号，其中k为大于或等于4的整数，所述电子学系统通过处理k路电脉冲信号获得γ光子能量、位置、时间信息。
11.根据权利要求10所述的探测器，其特征在于：所述电子学系统对于k路电脉冲信号不进行预处理，直接对k路电脉冲信号一对一读出，计算γ光子沉积位置。
12.根据权利要求10所述的探测器，其特征在于：所述电子学系统对于k路电脉冲信号进行预处理，减少电子学通道数，得到m路电脉冲信号，m为大于或等于4，小于或等于k的整数。
13.根据权利要求12所述的探测器，其特征在于：所述电子学系统采用位置算法根据m个电脉冲信号计算出γ光子沉积位置。
14.根据权利要求12所述的探测器，其特征在于：所述电子学系统采用时间算法根据m个电脉冲信号计算出γ光子沉积时间，所述时间算法为将m个电脉冲信号加和或者加权后加和获得一个加和电脉冲信号，提取加和电脉冲信号的时间信息作为γ光子的沉积时间。
15.一种扫描设备，其包括探测装置和机架，所述探测装置安装于所述机架上，所述探测装置包括探测器，其特征在于：所述探测器具有权利要求1至7任一所述的光电转换器。
CN201410648328.4A 2014-11-14 2014-11-14 光电转换器、探测器及扫描设备 Active CN105655435B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410648328.4A CN105655435B (zh) 2014-11-14 2014-11-14 光电转换器、探测器及扫描设备
US15/525,266 US11022703B2 (en) 2014-11-14 2015-10-26 Photoelectric converter, detector, and scanning apparatus
PCT/CN2015/092833 WO2016074560A1 (zh) 2014-11-14 2015-10-26 光电转换器、探测器及扫描设备
JP2017525003A JP7043258B2 (ja) 2014-11-14 2015-10-26 検出器、及び走査装置
EP15859308.7A EP3220425B1 (en) 2014-11-14 2015-10-26 Detector comprising a photoelectric converter, and scanning apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410648328.4A CN105655435B (zh) 2014-11-14 2014-11-14 光电转换器、探测器及扫描设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105655435A true CN105655435A (zh) 2016-06-08
CN105655435B CN105655435B (zh) 2018-08-07

Family

ID=55953725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410648328.4A Active CN105655435B (zh) 2014-11-14 2014-11-14 光电转换器、探测器及扫描设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11022703B2 (zh)
EP (1) EP3220425B1 (zh)
JP (1) JP7043258B2 (zh)
CN (1) CN105655435B (zh)
WO (1) WO2016074560A1 (zh)

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107942367A (zh) * 2017-11-24 2018-04-20 合肥吾法自然智能科技有限公司 一种新型的γ光子高空间分辨率探测装置
CN108614286A (zh) * 2018-05-14 2018-10-02 中国科学院高能物理研究所 一种具有三维位置分辨能力的闪烁探测方法
WO2018214400A1 (zh) * 2017-05-25 2018-11-29 苏州瑞派宁科技有限公司 一种三维异质pet系统
CN109141628A (zh) * 2018-06-14 2019-01-04 上海卫星工程研究所 一种星载光纤焦平面探测器装置
WO2019090831A1 (zh) * 2017-11-09 2019-05-16 苏州瑞派宁科技有限公司 一种光导及核探测器
CN109856664A (zh) * 2018-12-04 2019-06-07 山东麦德盈华科技有限公司 一种部分光导不切割的pet探测器
CN109856665A (zh) * 2018-12-04 2019-06-07 山东麦德盈华科技有限公司 一种减少硅光电倍增管用量的pet探测器及探测方法
CN110068855A (zh) * 2019-05-23 2019-07-30 上海仁机仪器仪表有限公司 基于mppc的多功能射线探测器及其组装方法
CN110231646A (zh) * 2018-03-05 2019-09-13 无锡通透光电科技有限公司 一种核辐射与金属双能探测安检门
CN110376634A (zh) * 2019-07-19 2019-10-25 东软医疗系统股份有限公司 用于pet探测器的探测单元和pet探测器
CN110368014A (zh) * 2019-07-19 2019-10-25 东软医疗系统股份有限公司 用于pet探测器的晶体阵列、探测器环和pet探测器
CN110426730A (zh) * 2019-07-19 2019-11-08 东软医疗系统股份有限公司 信号读出电路、信号读出方法及装置
CN110632639A (zh) * 2019-09-18 2019-12-31 北京格物时代科技发展有限公司 探头、探测器及多像素光子计数器总计数修正方法
CN111007558A (zh) * 2019-11-21 2020-04-14 中国辐射防护研究院 一种基于SiPM的小型LaBr3γ谱仪
CN111095027A (zh) * 2017-08-29 2020-05-01 森斯尔科技有限公司 具有改进的工作电压范围的半导体光电倍增器
EP3637148A4 (en) * 2017-07-28 2021-03-17 Raycan Technology Co., Ltd. (Suzhou) NUCLEUS DETECTOR
CN113466113A (zh) * 2021-07-16 2021-10-01 嘉兴凯实生物科技股份有限公司 一种流式荧光光斑位置分布的测量方法
CN114966813A (zh) * 2022-05-26 2022-08-30 西安交通大学 一种可用于快中子束流大面积成像的阵列型结构探测器
WO2023097776A1 (zh) * 2021-12-01 2023-06-08 中国科学院深圳先进技术研究院 一种放射自显影系统及其探测器和成像方法
US11841470B2 (en) 2019-01-08 2023-12-12 The Research Foundation For The State University Of New York Prismatoid light guide

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3650891A4 (en) * 2017-07-03 2021-01-13 Shimadzu Corporation RADIATION DETECTION DEVICE AND EQUIPPED NUCLEAR MEDICINE DIAGNOSIS DEVICE
WO2019019197A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Shenzhen United Imaging Healthcare Co., Ltd. DETECTION DEVICE FOR POSITRON EMISSION TOMOGRAPHY
JP7317580B2 (ja) * 2018-06-25 2023-07-31 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 医用放射線検出器及び医用情報処理装置
JP2020020577A (ja) * 2018-07-30 2020-02-06 学校法人北里研究所 チェレンコフ検出器
US10451748B1 (en) * 2018-12-05 2019-10-22 Canon Medical Systems Corporation Readout circuit for a silicon photomultiplier (SiPM) array using charge sharing and anger logic
JP7686397B2 (ja) 2019-02-15 2025-06-02 ザ リサーチ ファウンデイション フォー ザ ステイト ユニヴァーシティ オブ ニューヨーク 擬角柱光ガイドアレイを有する高分解能深さ符号化ｐｅｔ検出器
US11681055B1 (en) * 2021-01-26 2023-06-20 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Scintillator array for radiation detection
CN113447975B (zh) * 2021-06-24 2022-05-24 明峰医疗系统股份有限公司 基于硅光电倍增管探测器的光共享探测系统及探测方法
CN114447146B (zh) * 2021-12-27 2023-05-26 江苏赛诺格兰医疗科技有限公司 一种sipm探测器的返修方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101806912A (zh) * 2010-03-18 2010-08-18 清华大学 高能射线叠层式晶体模块探测器
CN102707310A (zh) * 2012-06-21 2012-10-03 苏州瑞派宁科技有限公司 多层闪烁晶体的正电子发射断层成像探测器

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0572344A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Hamamatsu Photonics Kk 放射線検出装置
US5689115A (en) * 1995-11-24 1997-11-18 Elscint Ltd. Advanced nuclear medicine system
JP2001516446A (ja) * 1996-11-24 2001-09-25 ジーイー メディカル システムズ イスラエル リミテッド リアルタイム・コンプトン散乱補正
US6552348B2 (en) 1999-12-14 2003-04-22 Regents Of The University Of California Apparatus and method for breast cancer imaging
US6946841B2 (en) * 2001-08-17 2005-09-20 Igor Rubashov Apparatus for combined nuclear imaging and magnetic resonance imaging, and method thereof
ES2239506B1 (es) 2003-04-10 2006-11-16 Consejo Superior Investigacion Detector de rayos gamma con codificacion de profundidad de interaccion.
JP4305241B2 (ja) * 2004-03-26 2009-07-29 株式会社島津製作所 放射線検出器
JP4727947B2 (ja) * 2004-05-21 2011-07-20 株式会社島津製作所 光検出回路
US7778787B2 (en) 2004-08-13 2010-08-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Timing calibration for TOF-PET scanner
US8395127B1 (en) * 2005-04-22 2013-03-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Digital silicon photomultiplier for TOF PET
KR101273965B1 (ko) * 2005-04-22 2013-06-12 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 검출기 픽셀, 방사선 검출기, ｔｏｆ-ｐｅｔ 영상화 시스템, 신틸레이터와 함께 수행되는 방법, 및 의료 영상을 생성하는 방법
US20080073542A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 Stefan Siegel Light guide having a tapered geometrical configuration for improving light collection in a radiation detector
US9423511B2 (en) 2007-05-16 2016-08-23 Koninklijke Philips N.V. Virtual PET detector and quasi-pixelated readout scheme for PET
JP2009025308A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Siemens Ag 放射線検出器モジュール、放射線検出器および画像化用断層撮影装置
US8410449B2 (en) * 2007-09-04 2013-04-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Silicon photomultiplier energy resolution
WO2009090570A2 (en) * 2008-01-15 2009-07-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Solid state radiation detector elements magnetic hard silicon photomultipliers
EP2376940B1 (en) * 2008-12-10 2017-05-17 Koninklijke Philips N.V. Autonomous detector module as a building block for scalable pet and spect systems
TWI441512B (zh) * 2009-10-01 2014-06-11 Sony Corp 影像取得裝置及照相機系統
ES2363286B1 (es) 2009-10-26 2012-09-04 Oncovision, General Equipment For Medical Imaging, S.A. Procedimiento y circuito electronico de lectura de las señales generadas por uno o mas sensores pixelados
JP4983963B2 (ja) * 2010-06-21 2012-07-25 株式会社島津製作所 放射線検出器ユニット
JP5926921B2 (ja) 2011-10-21 2016-05-25 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
US9366769B2 (en) 2012-01-31 2016-06-14 Ut-Battelle, Llc Neutron camera employing row and column summations
US8937285B2 (en) * 2012-06-18 2015-01-20 General Electric Company Methods and systems for signal communication in gamma ray detectors
JP2014139564A (ja) * 2012-12-20 2014-07-31 Sony Corp 撮像装置および電子機器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101806912A (zh) * 2010-03-18 2010-08-18 清华大学 高能射线叠层式晶体模块探测器
CN102707310A (zh) * 2012-06-21 2012-10-03 苏州瑞派宁科技有限公司 多层闪烁晶体的正电子发射断层成像探测器

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018214400A1 (zh) * 2017-05-25 2018-11-29 苏州瑞派宁科技有限公司 一种三维异质pet系统
EP3637148A4 (en) * 2017-07-28 2021-03-17 Raycan Technology Co., Ltd. (Suzhou) NUCLEUS DETECTOR
CN111095027A (zh) * 2017-08-29 2020-05-01 森斯尔科技有限公司 具有改进的工作电压范围的半导体光电倍增器
CN111095027B (zh) * 2017-08-29 2024-01-09 森斯尔科技有限公司 具有改进的工作电压范围的半导体光电倍增器
WO2019090831A1 (zh) * 2017-11-09 2019-05-16 苏州瑞派宁科技有限公司 一种光导及核探测器
CN107942367A (zh) * 2017-11-24 2018-04-20 合肥吾法自然智能科技有限公司 一种新型的γ光子高空间分辨率探测装置
CN110231646A (zh) * 2018-03-05 2019-09-13 无锡通透光电科技有限公司 一种核辐射与金属双能探测安检门
CN108614286A (zh) * 2018-05-14 2018-10-02 中国科学院高能物理研究所 一种具有三维位置分辨能力的闪烁探测方法
CN109141628A (zh) * 2018-06-14 2019-01-04 上海卫星工程研究所 一种星载光纤焦平面探测器装置
CN109856665A (zh) * 2018-12-04 2019-06-07 山东麦德盈华科技有限公司 一种减少硅光电倍增管用量的pet探测器及探测方法
CN109856664A (zh) * 2018-12-04 2019-06-07 山东麦德盈华科技有限公司 一种部分光导不切割的pet探测器
US11852757B2 (en) 2018-12-04 2023-12-26 Shandong Madic Technology Co., Ltd. Pet detector for reducing number of silicon photomultipliers in use and detection method
EP3889651A4 (en) * 2018-12-04 2022-08-17 Shandong Madic Technology Co., Ltd. PET DETECTOR HAS SOME UNCUT LIGHT GUIDES
WO2020113871A1 (zh) * 2018-12-04 2020-06-11 山东麦德盈华科技有限公司 一种部分光导不切割的pet探测器
US12276764B2 (en) 2019-01-08 2025-04-15 The Research Foundation For The State University Of New York Prismatoid light guide
US11841470B2 (en) 2019-01-08 2023-12-12 The Research Foundation For The State University Of New York Prismatoid light guide
CN110068855A (zh) * 2019-05-23 2019-07-30 上海仁机仪器仪表有限公司 基于mppc的多功能射线探测器及其组装方法
CN110426730B (zh) * 2019-07-19 2022-11-01 东软医疗系统股份有限公司 信号读出电路、信号读出方法及装置
CN110376634B (zh) * 2019-07-19 2023-10-31 沈阳智核医疗科技有限公司 用于pet探测器的探测单元和pet探测器
CN110368014B (zh) * 2019-07-19 2023-10-31 沈阳智核医疗科技有限公司 用于pet探测器的晶体阵列、探测器环和pet探测器
CN110426730A (zh) * 2019-07-19 2019-11-08 东软医疗系统股份有限公司 信号读出电路、信号读出方法及装置
CN110368014A (zh) * 2019-07-19 2019-10-25 东软医疗系统股份有限公司 用于pet探测器的晶体阵列、探测器环和pet探测器
CN110376634A (zh) * 2019-07-19 2019-10-25 东软医疗系统股份有限公司 用于pet探测器的探测单元和pet探测器
CN110632639A (zh) * 2019-09-18 2019-12-31 北京格物时代科技发展有限公司 探头、探测器及多像素光子计数器总计数修正方法
CN111007558A (zh) * 2019-11-21 2020-04-14 中国辐射防护研究院 一种基于SiPM的小型LaBr3γ谱仪
CN113466113A (zh) * 2021-07-16 2021-10-01 嘉兴凯实生物科技股份有限公司 一种流式荧光光斑位置分布的测量方法
CN113466113B (zh) * 2021-07-16 2023-08-29 嘉兴凯实生物科技股份有限公司 一种流式荧光光斑位置分布的测量方法
WO2023097776A1 (zh) * 2021-12-01 2023-06-08 中国科学院深圳先进技术研究院 一种放射自显影系统及其探测器和成像方法
CN114966813A (zh) * 2022-05-26 2022-08-30 西安交通大学 一种可用于快中子束流大面积成像的阵列型结构探测器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017537471A (ja) 2017-12-14
JP7043258B2 (ja) 2022-03-29
EP3220425A4 (en) 2018-07-18
US20180284294A1 (en) 2018-10-04
CN105655435B (zh) 2018-08-07
EP3220425B1 (en) 2022-02-16
WO2016074560A1 (zh) 2016-05-19
US11022703B2 (en) 2021-06-01
EP3220425A1 (en) 2017-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105655435B (zh) 光电转换器、探测器及扫描设备
JP5909027B2 (ja) 多層シンチレーション結晶及びｐｅｔ検出器
US9513387B2 (en) System and method for providing depth of interaction detection using positron emission tomography
CN101539630B (zh) 一种复合式高能射线探测和定位的方法
JP7224649B2 (ja) 核検出器
CN204118095U (zh) 光电转换器、探测器及扫描设备
CN103513266B (zh) 多层闪烁晶体及pet探测器
Du et al. Evaluation of Matrix9 silicon photomultiplier array for small‐animal PET
CN101405618A (zh) 放射线检测器
Kim et al. Time-of-flight PET-MR detector development with silicon photomultiplier
CN113376681B (zh) 基于晶体侧面耦合SiPM的PET探测器及其读出方法
Gros-Daillon et al. First characterization of the SPADnet sensor: a digital silicon photomultiplier for PET applications
Miyaoka et al. Comparison of detector intrinsic spatial resolution characteristics for sensor on the entrance surface and conventional readout designs
CN216696694U (zh) 探测器及具有其的医学影像设备
Kang et al. Simulation study of PET detector configuration with thick light guide and GAPD array having large-area microcells for high effective quantum efficiency
JP2020020577A (ja) チェレンコフ検出器
CN107830939A (zh) 一种彩色数字硅光电倍增器像素单元
CN102890285A (zh) 一种采用特殊光传导器的辐射成像闪烁探测装置
KR20120003245A (ko) Ｐｅｔ 모듈에서의 광자 수집 효율 및 입사한 감마선 에너지 대 광전소자 어레이에서 출력된 전자의 수 간의 선형성 향상 방법
Han et al. Simulation study of side-by-side phoswich PET detector configuration for providing high spatial resolution of< 0.4 mm
Min et al. Detector Identification in a 4× 4 BGO Crystal Array Coupled to Two Dual PMTS for High Resolution Positron Emission Tomography
KR20080092393A (ko) 방사선 검출기
Kang et al. PET detector configuration with thick light guide and GAPD array having large-area microcells
ITTO20130128A1 (it) Dispositivo sensore fotonico
ITMI960967A1 (it) Rivelatore fotoemissivo a lettura elettrica continua

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20160608

Assignee: Suzhou jinhesheng Holding Co.,Ltd.

Assignor: RAYCAN TECHNOLOGY Co.,Ltd. (SUZHOU)

Contract record no.: X2021320010051

Denomination of invention: Photoelectric converter, detector and scanning equipment

Granted publication date: 20180807

License type: Exclusive License

Record date: 20211210

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Photoelectric converter, detector and scanning equipment

Effective date of registration: 20211210

Granted publication date: 20180807

Pledgee: Suzhou jinhesheng Holding Co.,Ltd.

Pledgor: RAYCAN TECHNOLOGY Co.,Ltd. (SUZHOU)

Registration number: Y2021320010544

EC01 Cancellation of recordation of patent licensing contract
EC01 Cancellation of recordation of patent licensing contract

Assignee: Suzhou jinhesheng Holding Co.,Ltd.

Assignor: RAYCAN TECHNOLOGY Co.,Ltd. (SUZHOU)

Contract record no.: X2021320010051

Date of cancellation: 20221215

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20221214

Granted publication date: 20180807

Pledgee: Suzhou jinhesheng Holding Co.,Ltd.

Pledgor: RAYCAN TECHNOLOGY Co.,Ltd. (SUZHOU)

Registration number: Y2021320010544