CN105633064A - 半导体组件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体组件及其制备方法，半导体组件包括：金属底板，金属底板上设有第一焊接面；覆金属陶瓷基板，覆金属陶瓷基板设在金属底板上且与第一焊接面焊接相连，覆金属陶瓷基板上设有第二焊接面；芯片，芯片设在覆金属陶瓷基板上且与第二焊接面焊接相连，第一焊接面和第二焊接面中的至少一个上设有突出于第一焊接面和/或第二焊接面的凸点，金属底板与覆金属陶瓷基板之间的焊料和/或芯片与覆金属陶瓷基板之间的焊料分别设在凸点上，凸点的熔点大于焊料的焊接温度。根据本发明实施例的半导体组件，不仅改善了焊料分布的均匀性，提高了半导体组件的可靠性和使用寿命，而且提高了焊料的润湿性。

Description

半导体组件及其制备方法

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，更具体地，涉及一种半导体组件及其制备方法。

背景技术

现有IGBT模块制造一般包含两次焊接过程，第一次是直接将芯片和覆金属的陶瓷基板(含直接覆Cu的陶瓷基板DBC、直接覆Al的陶瓷基板DBA、金属钎焊陶瓷基板AMB)通过焊片或锡膏焊接起来，第二次焊接是将具有一定预弯弧度的Cu底板与焊接有芯片的覆金属陶瓷基板通过焊片或锡膏焊接起来。

第一次焊接芯片的过程中如果使用焊片工艺，由于覆金属陶瓷基板和芯片、焊片都是平整的，焊接后一般变形比较小，但是由于芯片自重太小，为避免漂移，一般芯片上加有压块，由于压块的细微差异或偏移会导致芯片倾斜，进而导致焊料分布不均。另外由于效率和产能提升的需要，一次焊接使用锡膏印刷焊接的情况增多，这时由于锡膏熔化伴随着助焊剂的挥发，这一过程对芯片会有冲击的作用，因此焊料凝固后芯片也会存在一定的倾斜现象。

而第二次焊接时，由于Cu底板和DBC陶瓷基板之间的焊接面积较大，通常同一底板上会焊接有多片DBC，由于焊接过程中各种材质的热膨胀系数不同冷却后会有应力存在，并导致Cu底板较大的变形，变成向上拱形的Cu底板(往DBC陶瓷基板那面上拱)。这种拱形的Cu底板与导热硅脂接触较差，从而影响IGBT模块的散热。为避免这种情况，通常是将焊接前的Cu底板预制一个反向的向下的凹弧度，来抵消模块焊接后的底板形变，以增强IGBT模块的散热能力，但是，这样带来的问题是：熔化的焊料与Cu底板的接触后，由于底板中间凹，焊料在自身重力作用下会向中间位置流动，使得中间的焊料偏厚，两边DBC的位置焊片偏薄，容易出现明显的焊料分布不均现象，从而导致模块各部分中的DBC、芯片和焊料在工作过程中所受的热应力分布不均，进而容易导致焊料中疲劳裂纹的产生，缩短IGBT模块的使用寿命。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一。

为此，本发明提出一种半导体组件，所述半导体组件的焊料分布均匀，可靠性高。

本发明还提出了一种半导体组件的制备方法。

根据本发明第一方面实施例的半导体组件，包括：金属底板，所述金属底板上设有第一焊接面；覆金属陶瓷基板，所述覆金属陶瓷基板设在所述金属底板上且与所述第一焊接面焊接相连，所述覆金属陶瓷基板上设有第二焊接面；芯片，所述芯片设在所述覆金属陶瓷基板上且与所述第二焊接面焊接相连，所述第一焊接面和第二焊接面中的至少一个上设有突出于所述第一焊接面和/或所述第二焊接面的凸点，所述金属底板与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料和/或所述芯片与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料分别设在所述凸点上，所述凸点的熔点大于焊料的焊接温度。

根据本发明实施例的半导体组件，通过在金属底板的第一焊接面和/或覆金属陶瓷基板的第二焊接面设置凸点，芯片通过焊料焊接在凸点上，焊接时，凸点本身不会熔化，同时与焊料润湿性良好，固定了焊料，减少了焊料的流动和重新分布，不仅改善了焊料分布的均匀性，提高了半导体组件的可靠性和使用寿命，而且由于凸点对芯片和/或覆金属陶瓷基板有支撑作用，减少了芯片和/或覆金属陶瓷基板发生倾斜的概率，而在焊接预热过程中也增加了还原气体与芯片、覆金属陶瓷基板、金属底板的接触面积，有利于减少焊接空洞。

根据本发明第二方面实施例的半导体组件的制备方法，包括以下步骤：

S1、提供金属底板、覆金属陶瓷基板和芯片，所述金属底板上设有第一焊接面，所述覆金属陶瓷基板上设有第二焊接面；

S2、在所述第一焊接面和所述第二焊接面上分别设置突出于所述第一焊接面和所述第二焊接面的凸点；

S3、在所述凸点上设置焊料，所述焊料将所述芯片焊接在所述第二焊接面的所述凸点上，并将所述覆金属陶瓷基板焊接在所述第一焊接面的所述凸点上。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明实施例的半导体组件的爆炸图；

图2是根据本发明实施例的半导体组件的键合有凸点的覆金属陶瓷基板的结构示意图；

图3是根据本发明实施例的半导体组件的覆金属陶瓷基板与芯片焊接后的结构示意图；

图4是根据本发明实施例的半导体组件的焊接有芯片的覆金属陶瓷基板与金属底板焊接前的结构示意图；

图5是根据本发明实施例的半导体组件的焊接有芯片的覆金属陶瓷基板与金属底板焊接后的结构示意图；

图6是根据本发明实施例的半导体组件的制备方法的流程图。

附图标记：

半导体组件100；

金属底板10；第一焊接面11；覆金属陶瓷基板20；第二焊接面21；芯片30；凸点40；焊料50。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面首先结合附图1-图5具体描述根据本发明实施例的半导体组件100。

根据本发明实施例的半导体组件100包括金属底板10、覆金属陶瓷基板20和芯片30。具体而言，金属底板10上设有第一焊接面11，覆金属陶瓷基板20设在金属底板10上且与第一焊接面11焊接相连，覆金属陶瓷基板20上设有第二焊接面21，芯片30设在覆金属陶瓷基板20上且与第二焊接面21焊接相连，第一焊接面11和第二焊接面21中的至少一个上设有突出于第一焊接面11和/或第二焊接面21的凸点40，金属底板10与覆金属陶瓷基板20之间的焊料50和/或芯片30与覆金属陶瓷基板20之间的焊料50分别设在凸点40上，凸点40的熔点大于焊料50的焊接温度。

换言之，半导体组件100主要由金属底板10、覆金属陶瓷基板20、芯片30组成。具体地，芯片30、覆金属陶瓷基板20、金属底板10分别沿上下方向上布置，其中，金属底板10上设有第一焊接面11，覆金属陶瓷基板20上设有第二焊接面21，覆金属陶瓷基板20设在金属底板10上且与金属底板10的第一焊接面11焊接相连，芯片30设在覆金属陶瓷基板20上且与覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21焊接相连，金属底板10的第一焊接面11和覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21的其中一个上或者两个上设有凸点40，该凸点40突出于金属底板10的第一焊接面11和/或覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21，焊料50分别设在金属底板10与覆金属陶瓷基板20之间和/或芯片30与覆金属陶瓷基板20之间，其中，金属底板10与覆金属陶瓷基板20之间的焊料50和芯片30与覆金属陶瓷基板20之间的焊料50的可以为同一种焊料50，也可以采用不同的材料。第一焊接面11上的焊料50和/或第二焊接面21上的焊料50将对应位置上的凸点40包覆，该凸点40所用的材料的熔点大于对应位置上焊料50的焊接温度，以保证焊接过程中不被熔化，从而起到支撑芯片30和/或覆金属陶瓷基板20的作用。

由此，根据本发明实施例的半导体组件100，通过在金属底板10的第一焊接面11和/或覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21设置凸点40，芯片30通过焊料50焊接在凸点40上，焊接时，凸点40本身不会熔化，同时与焊料50润湿性良好，固定了焊料50，减少了焊料50的流动和重新分布，不仅改善了焊料50分布的均匀性，提高了半导体组件100的可靠性和使用寿命，而且由于凸点40对芯片30和/或覆金属陶瓷基板20有支撑作用，减少了芯片30和/或覆金属陶瓷基板20发生倾斜的概率，而在焊接预热过程中也增加了还原气体与芯片30、覆金属陶瓷基板20、金属底板10的接触面积，有利于减少焊接空洞。

在本发明的一些具体实施方式中，金属底板10的上表面形成为第一焊接面11，覆金属陶瓷基板20的下表面与金属底板10相连，覆金属陶瓷基板20的上表面形成为第二焊接面21，第一焊接面11和第二焊接面21上分别设有凸点40。

也就是说，芯片30、覆金属陶瓷基板20、金属底板10沿上下方向布置，其中，金属底板10的上表面可以形成一个或多个第一焊接面11，金属底板10的每个第一焊接面11上分别设有凸点40，覆金属陶瓷基板20的上表面也可以形成为一个或多个第二焊接面21，覆金属陶瓷基板20的每个第二焊接面21上分别设有凸点40，金属底板10的第一焊接面11与覆金属陶瓷基板20的下表面相连，覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21与芯片30的下表面相连。

由此，通过在金属底板10的第一焊接面11和覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21设置凸点40，不仅改善了焊料50分布的均匀性，提高了半导体组件100的可靠性和使用寿命，而且由于凸点40不熔化，焊接预热过程中增加了还原气体与芯片30、覆金属陶瓷基板20、金属底板10的接触面积，提高了焊料50的润湿性，有利于减少焊接空洞。

进一步地，根据本发明的一个实施例，第一焊接面11和第二焊接面21上分别设有四个凸点40，第一焊接面11和第二焊接面21上的四个凸点40分别排列成矩形。

具体地，如图1所示，芯片30和覆金属陶瓷基板20可以分别形成为矩形，第二焊接面21的形状与芯片30的形状相对应，第一焊接面11的形状与覆金属陶瓷基板20的形状相对应，金属底板10的每一个第一焊接面11和覆金属陶瓷基板20的每一个第二焊接面21的四角分别设有一个凸点40，也就是说，每个第一焊接面11和第二焊接面21上的四个凸点40分别排列成矩形。由此可以保证覆金属陶瓷基板20与芯片30和金属底板10的焊接稳定性。

根据本发明的一个实施例，焊料50为焊片或锡膏，焊片或锡膏的厚度大于等于凸点40在上下方向上的高度。

也就是说，金属底板10的第一焊接面11与覆金属陶瓷基板20的下表面之间和覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21与芯片30的下表面之间可以直接设置焊片，也可以直接设置锡膏，在焊接过程中，由于凸点40的熔点大于焊片或锡膏的焊接温度，因此，凸点40不熔化，第一焊接面11和第二焊接面21上的四个凸点40可以分别对覆金属陶瓷基板20和芯片30分别起到支撑作用，焊片或锡膏熔化为液态后可以分别沿第一焊接面11和第二焊接面21上由凸点40支撑出的空间间隙内流动。

由此，将焊片或锡膏的厚度设为大于等于凸点40在上下方向上的高度，可以使熔化后的液态焊片或锡膏充满金属底板10的第一焊接面11与覆金属陶瓷基板20的下表面之间和覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21与芯片30的下表面之间，有利于减少焊接空洞，达到焊接充分的效果，提高了半导体组件100的可靠性和使用寿命。

优选地，根据本发明的一个实施例，凸点40为楔形、球形或柱状的铜线、铝线、铝覆铜线、铜覆钯线、金线、银线或相应的合金线。

换言之，第一焊接面11和第二焊接面21上的凸点40的形状可以是楔形、球形、柱形或者其他形状，凸点40除了是铜线之外，也可以是铝线、铝镀铜线、铜覆钯线、金线、银线或者相应的合金线，凸点40的材料还可以扩展到带材、箔材，其中，凸点40的截面线径等于凸点40高度。

选用凸点40的材料时，要保证凸点40与焊料50润湿良好，在焊料50熔化后，由于焊料50与该凸点40材料之间的润湿力使得熔化成液态的焊料50不至于大量向金属底板10的中间位置流动，从而起到固定焊料50的作用，减少了焊料50的流动和重新分布，使得焊料50在整个金属底板10上相对均匀地分布。

根据本发明的一个实施例，覆金属陶瓷基板20的表面金属为铜层或铝层，铜层或铝层上还设有镀层，镀层为镀金层、镀银层、镀镍层中的至少其中一种。

需要说明的是，覆金属陶瓷基板20包括金属层和陶瓷层，其中，覆金属陶瓷基板20的陶瓷层可以为氧化铝、氮化铝和氮化硅中的一种或者AMB陶瓷基板，覆金属陶瓷基板20的金属层的材料可以为铜或铝，覆金属陶瓷基板20的金属表面可以增加镀层，镀层的材料可以为镍、金、银中的至少一种。

由此，在覆金属陶瓷基板20的表面增加镀金层、镀银层或者镀镍层，既可以防止覆金属陶瓷基板20的氧化，又可以增加焊接浸润度，便于与其它部件，例如与底板10、芯片30的连接。

下面参考图2-图6描述根据本发明第二方面实施例的半导体组件100的制备方法。

如图6所示，根据本发明实施例的半导体组件100的制备方法包括以下步骤：

S1、提供金属底板10、覆金属陶瓷基板20和芯片30，金属底板10上设有第一焊接面11，覆金属陶瓷基板20上设有第二焊接面21。

S2、在第一焊接面11和第二焊接面21上分别设置突出于第一焊接面11和第二焊接面21的凸点40。

S3、在凸点40上设置焊料50，焊料50将芯片30焊接在第二焊接面21的凸点40上，并将覆金属陶瓷基板20焊接在第一焊接面11的凸点40上。

根据本发明实施例的半导体组件100的制备方法，通过在金属底板10的第一焊接面11和覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21设置凸点40，芯片30通过焊料50焊接在凸点40上，焊接时，凸点40本身不会熔化，同时与焊料50润湿性良好，固定了焊料50，减少了焊料50的流动和重新分布，不仅改善了焊料50分布的均匀性，减小了半导体组件100的芯片30所受的不均匀的热应力，提高了半导体组件100的可靠性和使用寿命，而且由于凸点40对芯片30和覆金属陶瓷基板20有支撑作用，减少了芯片30和覆金属陶瓷基板20发生倾斜的概率，而在焊接预热过程中也增加了还原气体与芯片30、覆金属陶瓷基板20、金属底板10的接触面积，有利于减少焊接空洞。

根据本发明的一个实施例，在步骤S2中，凸点40通过超声键合机超声焊接在第一焊接面11和第二焊接面21上。

可以理解的是，步骤S2中凸点40的制作可以通过超声楔形键合机或球形键合机来实现，即将覆金属陶瓷基板20放入超声键合机器的夹具中，通过真空吸住覆金属陶瓷基板20的与第二焊接面21相背的一面，在覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21上超声焊键合凸点40，键合凸点40的覆金属陶瓷基板20结构示意图如图2所示。

步骤S3中，将键合好凸点40的覆金属陶瓷基板20与芯片30进行真空焊接，先将芯片30正面朝下，背面朝上，装入挖槽尺寸与芯片30尺寸相当的石墨夹具中，然后放入与芯片30尺寸相当的焊料50，再放入已经超声键合了凸点40的覆金属陶瓷基板20，凸点40与焊料50相接触，最后盖好石墨盖，将整体石墨夹具翻转过来，放入真空焊接炉中完成覆金属陶瓷基板20阶段的焊接，冷却后的覆金属陶瓷基板20与芯片30焊接后的结构示意图如图3所示，由于芯片30焊接面积相对整个覆金属陶瓷基板20较小，图中忽略了覆金属陶瓷基板20的形变量。

同样地，金属底板10的第一焊接面11上也通过超声焊制作相应的凸点40，即将金属底板10放置于超声键合机的夹具中，在金属底板10的第一焊接面11上超声焊键合凸点40，通过夹具将焊接好芯片30的覆金属陶瓷基板20与键合有凸点40的金属底板10进行定位，一起放置于真空焊接炉中进行焊接，也可以利用专用的钢网和刮刀印刷锡膏，再贴上焊接好芯片30的覆金属陶瓷基板20，放入焊接炉中进行焊接。焊接有芯片30的覆金属陶瓷基板20与金属底板10焊接前后的结构示意图如图4和图5所示。

由此，根据本发明实施例的半导体组件100的制备方法，一个凸点40在一秒内即可完成，效率高、高度一致性好，且在模块的制作工序中很容易实现，克服了由于覆金属陶瓷基板20上的加压固定夹具的对称性差异、以及覆金属陶瓷基板20自重差异导致的覆金属陶瓷基板20倾斜，同时该凸点40与焊料50润湿良好，由于润湿力在凸点40周围凝聚了熔融的焊料50，阻止了焊料50的剧烈流动，使得焊料50分布相对均匀，避免了覆金属陶瓷基板20边角焊料50很薄的情况。

根据本发明的一个实施例，第一焊接面11和第二焊接面21上分别设有四个凸点40，第一焊接面11和第二焊接面21上的四个凸点40分别排列成矩形。

具体地，针对芯片30与覆金属陶瓷基板20的焊接，将覆金属陶瓷基板20放入超声键合机器的夹具中，通过真空吸住覆金属陶瓷基板20的与第二焊接面21相背的一面，按各个点的键合顺序编好程序，调整好键合参数，在覆金属陶瓷基板20上需要焊接芯片30的位置的四个角上超声焊键合凸点40，即在第二焊接面21制作四个成矩形排列的凸点40，然后放置焊料50，再将芯片30放到第二焊接面21上的凸点40进行焊接。

而针对焊好的覆金属陶瓷基板20与金属基板10的焊接，将金属底板10放置于超声键合机的夹具中，在将要焊接覆金属陶瓷基板20的位置的四个角上，依次按各个点的键合顺序编好程序，调整好键合参数，在金属底板10上需要焊接覆金属陶瓷基板20的位置的四个角上分别超声焊键合具有一定高度的凸点40，即在第一焊接面11制作四个成矩形排列的凸点40，然后放置焊料50，再将焊接有芯片30的覆金属陶瓷基板20放到第一焊接面11上的凸点40进行焊接。

根据本发明的一个实施例，焊料50为焊片或锡膏，焊片或锡膏的厚度大于等于凸点40在上下方向上的高度。

步骤S3中，焊料50可以为焊片，将芯片30、焊片和超声键合了凸点40的覆金属陶瓷基板20依次放入石墨夹具中，最后在真空焊接炉中完成覆金属陶瓷基板20阶段的焊接，也可以通过钢网在覆金属陶瓷基板20上印刷锡膏，贴上芯片30，放入焊接炉中进行焊接。需要说明的是，焊接覆金属陶瓷基板20的焊片或锡膏与焊接芯片30的焊片或锡膏的材料可以相同，也可以不同。凸点40在上下方向上的高度与焊片或锡膏的厚度相等或者略小于焊片或锡膏的厚度，凸点40在上下方向上的高度与其线径尺寸相当，以达到后续的焊接工序中控制焊料50厚度均匀的目的。

由此，根据本发明实施例的半导体组件100的制备方法，将焊片或锡膏的厚度设为大于等于凸点40在上下方向上的高度，可以使熔化后的液态焊片或锡膏充满金属底板10的第一焊接面11与覆金属陶瓷基板20的下表面之间和覆金属陶瓷基板20的第二焊接面21与芯片30的下表面之间，有利于减少焊接空洞，达到焊接充分的效果，提高了半导体组件100的可靠性和使用寿命。

根据本发明实施例的半导体组件100的其他构成以及其制备方法的操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种半导体组件，其特征在于，包括：

金属底板，所述金属底板上设有第一焊接面；

覆金属陶瓷基板，所述覆金属陶瓷基板设在所述金属底板上且与所述第一焊接面焊接相连，所述覆金属陶瓷基板上设有第二焊接面；

芯片，所述芯片设在所述覆金属陶瓷基板上且与所述第二焊接面焊接相连，所述第一焊接面和第二焊接面中的至少一个上设有突出于所述第一焊接面和/或所述第二焊接面的凸点，所述金属底板与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料和/或所述芯片与所述覆金属陶瓷基板之间的焊料分别设在所述凸点上，所述凸点的熔点大于焊料的焊接温度。

2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述金属底板的上表面形成为所述第一焊接面，所述覆金属陶瓷基板的下表面与所述金属底板相连，所述覆金属陶瓷基板的上表面形成为所述第二焊接面，所述第一焊接面和所述第二焊接面上分别设有所述凸点。

3.根据权利要求2所述的半导体组件，其特征在于，所述第一焊接面和所述第二焊接面上分别设有四个所述凸点，所述第一焊接面和所述第二焊接面上的四个所述凸点分别排列成矩形。

4.根据权利要求3所述的半导体组件，其特征在于，所述焊料为焊片或锡膏，所述焊片或锡膏的厚度大于等于所述凸点在上下方向上的高度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体组件，其特征在于，所述凸点为楔形、球形或柱状的铜线、铝线、铝覆铜线、铜覆钯线、金线、银线或相应的合金线。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体组件，其特征在于，所述覆金属陶瓷基板的表面金属为铜层或铝层，所述铜层或铝层上还设有镀层，所述镀层为镀金层、镀银层、镀镍层中的至少一种。

7.一种半导体组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供金属底板、覆金属陶瓷基板和芯片，所述金属底板上设有第一焊接面，所述覆金属陶瓷基板上设有第二焊接面；

S2、在所述第一焊接面和所述第二焊接面上分别设置突出于所述第一焊接面和所述第二焊接面的凸点；

S3、在所述凸点上设置焊料，所述焊料将所述芯片焊接在所述第二焊接面的所述凸点上，并将所述覆金属陶瓷基板焊接在所述第一焊接面的所述凸点上。

8.根据权利要求7所述的半导体组件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述凸点通过超声键合机超声焊接在所述第一焊接面和所述第二焊接面上。

9.根据权利要求7所述的半导体组件的制备方法，其特征在于，所述第一焊接面和所述第二焊接面上分别设有四个所述凸点，所述第一焊接面和所述第二焊接面上的四个所述凸点分别排列成矩形。

10.根据权利要求7所述的半导体组件的制备方法，其特征在于，所述焊料为焊片或锡膏，所述焊片或锡膏的厚度大于等于所述凸点在上下方向上的高度。