CN105585325A - 一种碳化硅陶瓷基复合材料的硅碳元素原位反应连接工艺 - Google Patents
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- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 25
- HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N chromafenozide Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C(=O)N(NC(=O)C=2C(=C3CCCOC3=CC=2)C)C(C)(C)C)=C1 HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 7
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 abstract 1
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 2
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000320 mechanical mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011226 reinforced ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/003—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
- C04B37/005—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of glass or ceramic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/04—Ceramic interlayers
- C04B2237/06—Oxidic interlayers
- C04B2237/064—Oxidic interlayers based on alumina or aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/04—Ceramic interlayers
- C04B2237/08—Non-oxidic interlayers
- C04B2237/083—Carbide interlayers, e.g. silicon carbide interlayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/363—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/365—Silicon carbide
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种碳化硅陶瓷基复合材料的硅碳元素原位反应连接工艺，属于焊接制造技术领域。由于陶瓷及陶瓷基复合材料的加工性能较差、耐热冲击能力弱，通常需要通过陶瓷及陶瓷基复合材料自身的连接来实现复杂构件的制造，并且连接接头必须满足耐高温的使用要求。本发明的焊料原料中采用了按比例混合的粒径纳米-微米级别的Si粉和C粉或者Al2O3粉末，在真空-氩气条件下进行普通热压烧结或者热压放电等离子烧结的方法，获得的连接接头弯曲强度达到被焊材料自身弯曲强度的80％～100％，而且在1000℃～1400℃的高温下均表现稳定，该方法简易、实用并且质量可控。
Description
技术领域
本发明涉及一种碳化硅陶瓷基复合材料的硅碳元素原位反应连接工艺，属于焊接制造技术领域。
背景技术
陶瓷、陶瓷基复合材料是很有应用前途的高温结构陶瓷材料，近年来尤其以碳化硅陶瓷(SiC)，碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(Cf/SiC),和碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料(SiCf/SiC)，以及硅/碳化硅陶瓷基复合材料(Si/SiC)是高温结构陶瓷材料中比较典型的代表。
但由于陶瓷及陶瓷基复合材料的加工性能较差、耐热冲击能力弱，以及制造尺寸大而且形状复杂的零件较为困难等缺点，通常需要通过陶瓷及陶瓷基复合材料自身的连接来实现复杂构件的制造，并且连接接头必须满足耐高温的使用要求。
应当说，陶瓷材料属于难焊接材料，国内外在陶瓷或陶瓷基复合材料的连接中，普遍使用传统的Ag-Cu-Ti、Cu-Ti系活性钎料进行钎焊连接，但相应的接头耐热温度很难超过500℃。Cu-Pd-V、Au-Cu-Pd-V等活性钎料也可用于碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的连接，但接头的耐热温度也不超过800℃。陶瓷连接技术公开报道的还有使用Ni基钎料合金钎焊陶瓷基复合材料的研究结果，但自身接头室温弯曲强度只有58MPa左右，远低于被焊母材。目前针对SiC陶瓷基复合材料尚缺乏适用的高温连接焊料。
近年来也有采用在含有碳的坯体中熔渗入硅的反应方法进行碳化硅陶瓷的连接报道，但是焊料的前期处理过程以及连接工艺复杂，连接接头中渗入硅未完全反应的残留量不可控，因此连接接头性能不稳定。而且，对于碳化硅陶瓷基复合材料，比如Cf/SiC陶瓷基复合材料，SiCf/SiC陶瓷基复合材料，或者Si/SiC陶瓷基复合材料，因为复合材料的组分更加复杂，它们的连接技术比起SiC陶瓷更为复杂，目前没有简易、实用并且质量可控的耐高温连接的工艺方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：针对上述技术需求和现有技术的不足，提供一种可用于碳化硅陶瓷基复合材料的简易、实用并且质量可控的硅碳元素原位反应连接工艺。
本发明的技术方案中，碳化硅陶瓷基复合材料的硅碳元素原位反应连接工艺，包括以下步骤：
准备材料
选用粒径为纳米-微米的Si和C的混合粉末，根据Si和C的原子比例为(1.0～2.0):1.0称取Si粉末和C粉末，按0～8.0wt.％取Al2O3粉末作为助烧剂；混合后作为焊料；
焊接
采用真空-氩气条件下的热压烧结或者热压放电等离子烧结方法，温度为1420℃～1550℃，施加压力10MPa～20MPa，Si和C元素发生原位反应，并进行扩散连接碳化硅陶瓷基复合材料。
所述的碳化硅陶瓷基复合材料包括SiC陶瓷、Cf/SiC陶瓷基复合材料、SiCf/SiC陶瓷基复合材料或者Si/SiC陶瓷基复合材料。
所述Si粉末和C粉末为平均粒径为1～5μm和10nm～100nm的混合粉末，并且纳米级的粉末占质量分数的10％～100％。
所述Al2O3粉末的平均粒径为0.5μm～3μm。
所述热压烧结为热压放电等离子烧结。
控制焊料的添加量使得连接接头的宽度为10μm～120μm。
热压烧结的反应时间为0.3～1.0小时。
热压放电等离子烧结的反应时间为3～10分钟。
本发明可以为碳化硅陶瓷、碳化硅陶瓷基复合材料提供质量稳定的耐高温材料连接的工艺方法。相对于其他连接方法，本发明具有如下有益效果：
1.使用的焊料初始原料简单，只有2～3种物质，即元素Si粉末、C粉末，或者Al2O3粉末，它们均为市售原材料，不需要专门合金化熔炼与制备，这2～3种粉末经机械混合均匀后即可作为焊料使用。
2.焊接工艺一步完成，配制混合好的焊料不需要调浆、烘干之类的预处理，也不需要焊后热处理。
3.焊接过程中所需的气氛环境也只是真空-氩气条件，不需要高真空。
4.由于焊料的原料Si+C+Al2O3在焊前称量配制，所以最终反应残留在以SiC生成物为主的接头中的Si量可以得到有效控制，即连接接头的物相组成和高温强度稳定可控，而不象采用在含有碳的坯体中熔渗入硅的反应连接方法那样，连接接头中未完全反应的硅残留量不可控，造成接头的性能不可控。
5.焊料原料中采用了粒径纳米-微米级别的Si粉和C粉，反应原料自身具有高的活性反应特性，而且添加的Al2O3粉末有助于生成物SiC陶瓷相的烧结致密化，使得连接接头微观组织致密，总体冶金质量良好。
6.本发明中的技术方案其通用性强，不仅可以适用于SiC陶瓷，Cf/SiC陶瓷基复合材料，和SiCf/SiC陶瓷基复合材料，以及Si/SiC陶瓷基复合材料这四大类材料的自身连接，还适用于这四类材料之间的两两互焊。并且，控制焊料的添加量使得连接接头的宽度为10μm～120μm条件下，上述自身连接接头的弯曲强度达到被焊材料自身弯曲强度的80％～100％，获得的异种材料连接接头的弯曲强度达到被焊材料自身弯曲强度的70％～90％，而且所有接头强度在1000℃～1400℃的高温下均表现稳定，接头的耐高温能力远远高于那些Ag-Cu-Ti、Au-Cu-Pd-V、Ni基合金等活性钎料。
具体实施方式
选用元素Si和C粉末作为焊料的初始原料，Si粉和C粉均为平均粒径1～5μm和10nm～100nm的混合粉，并且两种元素中平均粒径纳米级别的粉末分别占10％～100％，质量分数。计算和配制反应原料时，Si和C的原子比例为(1.0～2.0):1.0。再加入0～8.0wt.％的平均粒径为0.5μm～3μm的Al2O3粉末为助烧剂。它们机械混合均匀后作为焊料装配到被焊的SiC陶瓷或者SiC陶瓷基复合材料之间的界面，采用真空-氩气条件下的普通热压烧结或者热压放电等离子烧结方法，通过在1420℃～1550℃高温下Si和C元素原位反应，反应过程中施加压力10MPa～20MPa，普通热压烧结反应时间0.3～1.0小时，或者热压放电等离子烧结方法反应时间3～10分钟，进行扩散连接SiC陶瓷，或者Cf/SiC陶瓷基复合材料,或者SiCf/SiC陶瓷基复合材料，或者Si/SiC陶瓷基复合材料。连接后从高温降至室温的冷却速度为2℃～8℃/min。获得的扩散连接接头主要含有Si+SiC的物相。控制焊料的添加量使得连接接头的宽度为10μm～120μm。
实施例一
原料Si和C均为平均粒径40nm～60nm的粉末，计算和配制反应原料时，Si和C的原子比例为(1.2～1.5):1.0，再加入2.0wt.％～6.0wt.％的平均粒径为0.5μm～3μm的Al2O3粉末为助烧剂。采用真空-氩气条件下的热压烧结方法，加热过程中的升温速度为10℃～15℃/min，通过在1420℃～1500℃高温下Si和C元素原位反应，反应过程中施加压力10MPa～20MPa，反应时间0.5～1.0小时。控制焊料的添加量使得连接接头的宽度为30μm～80μm。
实施例二
元素Si和C粉末作为焊料的初始原料，Si粉和C粉均为平均粒径2μm和60nm的混合粉，并且两种元素中平均粒径纳米级别的粉末分别占10％～50％，质量分数。计算和配制反应原料时，Si和C的原子比例为(1.0～1.6):1.0，再加入2.0wt.％～6.0wt.％的平均粒径为0.5μm～3μm的Al2O3粉末为助烧剂。采用真空-氩气条件下的热压放电等离子烧结方法，加热过程中的升温速度为40℃～100℃/min，通过在1420℃～1500℃高温下Si和C元素原位反应，反应过程中施加压力10MPa～20MPa，反应时间4～8分钟。控制焊料的添加量使得连接接头的宽度为40μm～60μm。
实施例三
元素Si和C粉末作为焊料的初始原料，Si粉和C粉均为平均粒径2μm～3μm和60nm～80nm的混合粉，并且两种元素中平均粒径纳米级别的粉末分别占60％，质量分数。计算和配制反应原料时，Si和C的原子比例为(1.5～2.0):1.0。采用真空-氩气条件下的热压烧结方法，加热过程中的升温速度为8℃～18℃/min，通过在1420℃～1480℃高温下Si和C元素原位反应，反应过程中施加压力10MPa～20MPa，反应时间1小时。控制焊料的添加量使得连接接头的宽度为30μm～60μm。
上述三种实施例，均进行了SiC陶瓷，Cf/SiC陶瓷基复合材料,和SiCf/SiC陶瓷基复合材料，以及Si/SiC陶瓷基复合材料这四大类材料的自身连接，以及这四类材料之间的两两互焊，获得的自身连接接头的弯曲强度达到被焊材料自身强度的80％～100％，获得的异种材料连接接头的弯曲强度达到被焊材料自身强度的70％～90％，而且接头强度在1000℃～1400℃的高温下均表现稳定。
另需说明的是，凡本发明中所描述的具体实施例，其配方、工艺所用名称等可以不同。凡基于本发明专利构思所述的构造、特征及原理所做的等效或简单变化，均包括于本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种碳化硅陶瓷基复合材料的硅碳元素原位反应连接工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：
1.1准备材料
选用粒径为纳米-微米的Si和C的混合粉末，根据Si和C的原子比例为(1.0～2.0):1.0称取Si粉末和C粉末，按0～8.0wt.％取Al2O3粉末作为助烧剂；混合后作为焊料；
1.2焊接
采用真空-氩气条件下的热压烧结方法，温度为1420℃～1550℃，施加压力10MPa～20MPa，Si和C元素发生原位反应，并进行扩散连接碳化硅陶瓷基复合材料。
2.根据权利要求1所述的连接工艺，其特征在于：所述的碳化硅陶瓷基复合材料包括SiC陶瓷、Cf/SiC陶瓷基复合材料、SiCf/SiC陶瓷基复合材料或者Si/SiC陶瓷基复合材料。
3.根据权利要求1所述的连接工艺，其特征在于：所述Si粉末和C粉末为平均粒径为1～5μm和10nm～100nm的混合粉末，并且纳米级的粉末占质量分数的10％～100％。
4.根据权利要求1所述的连接工艺，其特征在于：所述Al2O3粉末的平均粒径为0.5μm～3μm。
5.根据权利要求1所述的连接工艺，其特征在于：所述热压烧结为热压放电等离子烧结。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的连接工艺，其特征在于：控制焊料的添加量使得连接接头的宽度为10μm～120μm。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的连接工艺，其特征在于：热压烧结的反应时间为0.3～1.0小时。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的连接工艺，其特征在于：热压放电等离子烧结的反应时间为3～10分钟。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510983419.8A CN105585325B (zh) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | 一种碳化硅陶瓷基复合材料的硅碳元素原位反应连接工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510983419.8A CN105585325B (zh) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | 一种碳化硅陶瓷基复合材料的硅碳元素原位反应连接工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105585325A true CN105585325A (zh) | 2016-05-18 |
| CN105585325B CN105585325B (zh) | 2018-11-06 |
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ID=55925269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510983419.8A Active CN105585325B (zh) | 2015-12-24 | 2015-12-24 | 一种碳化硅陶瓷基复合材料的硅碳元素原位反应连接工艺 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN105585325B (zh) |
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