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CN105552077B - 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、触摸显示面板 - Google Patents

薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、触摸显示面板 Download PDF

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CN105552077B CN201610087081.2A CN201610087081A CN105552077B CN 105552077 B CN105552077 B CN 105552077B CN 201610087081 A CN201610087081 A CN 201610087081A CN 105552077 B CN105552077 B CN 105552077B
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Abstract

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和触控显示面板，触控显示面板包括彩膜基板和上述薄膜晶体管阵列基板以及设置在二者之间的液晶层和间隔体。其中，彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板相对组合时，间隔体设置在二者之间。薄膜晶体管阵列基板中设有平坦化层，平坦化层朝向自身内部凹陷形成间隔设置的凹槽，在凹槽中容置有触控电极引线，且触控电极引线的上表面与平坦化层的上表面处于同一水平位置。在本发明中，通过对平坦化层设计凹槽，将触控电极引线容置在其中，使得平坦化层与触控电极引线处于同一水平面。由此避免因CF基板与TFT基板对组精度较差使得间隔体偏离于触控电极引线而最终导致的触控显示面板厚度发生变化的问题。

Description

薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、触摸显示面板
技术领域
本发明涉及触控技术和显示技术领域，具体是一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、以及具有该薄膜晶体管阵列基板的触摸显示面板。
背景技术
随着触控技术和显示技术的发展，触控显示面板已经被广泛应用于智能手机、平板电脑等智能电子产品中，为人机交互带来更便捷地体验。
目前，触摸屏按照其组成结构可分为外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)等。其中，内嵌式触摸屏是将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示面板的内部，可以有效减薄模组的整体厚度，使其更薄更轻便，因此必将成为未来触控显示面板的发展方向。现已开发的自电容内嵌式触摸屏技术是将可操作区域(AA，ActiveArea)的公共电极分成小区块作为触控电极，再通过引线将每一个小区块(即触控电极)连接到IC输出端的Pin，因此将此技术应用于液晶显示面板时，需要在液晶显示面板的相应结构中设计出用于放置引线的空间。
通常地，液晶显示面板的结构主要包括彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管阵列基板(TFTArray Substrate，Thin Film TransistorArray Substrate)、设置在彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层(Liquid Crystal Layer)和间隔体(PS，PhotoSpacer)、以及密封胶框(Sealant)。其中的间隔物在设计时，可能会出现不同高度和粗细，使其既能满足抵抗施加于液晶显示面板上压力的要求，又能满足支撑与维持上述两基板之间的距离的要求。此外，间隔物的高度与站立位置会影响液晶显示屏幕在成盒(Cell)制程(即彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板贴合)。
对于采用低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-Silicon)薄膜晶体管结构的液晶显示面板，在薄膜晶体管阵列基板上还会设有一层平坦化层，这使得彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板相对设置组合在一起时，间隔物在平坦化层上的站立位置相对较为平坦、稳定。然而，在上述液晶显示面板中引入自电容内嵌式触摸屏技术时，会在平坦化层上设置用于连接触控电极和IC输出端的引线，且引线位置恰对应于间隔物所在位置，即间隔物站立在引线凸起的位置处。如果彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板的对组精度较差，就会出现间隔物从引线上滑落的问题，进而影响液晶显示面板的实际厚度，造成显示不良。
如图1所示，对于现有的小尺寸液晶显示面板而言，一般均采用双柱高的间隔物结构。在彩膜基板1上分别设有不同高度的第一柱形间隔体11和第二柱形间隔体12作为间隔物，第一柱形间隔体较高但分布较稀疏，其主要用于维持彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板组合后的距离(即二者组合后液晶显示面板的厚度)，第二主体的高度较低但分布较为密集，用于增加液晶显示面板的的抗压能力。然而，当引入自电容内嵌式触摸屏技术时，结合图1至图3所示，在薄膜晶体管阵列基板2的平坦化层3上设有用于连接触控电极和IC输出端的第一触控电极引线41、第二触控电极引线42，在第一触控电极引线41、第二触控电极引线42上再沉积其他的膜层结构6(例如钝化层、ITO膜层等)，且第一触控电极引线41、第二触控电极引线42所处的位置恰分别对应于第一柱形间隔体11、第二柱形间隔体12的站立位置。此时，如图4所示，彩膜基板1与薄膜晶体管阵列基板2相对组合时，由于第一柱形间隔体11较高，因此其下表面与膜层结构6相接触，站立在膜层结构6上，且站立位置恰为膜层结构6下方设有第一触控电极引线41的位置出。由于第二柱形间隔体12较低，故第二柱形间隔体12与该膜层结构6之间存在一定空隙，其位置对应于膜层结构6下方的第二触控电极引线42。然而，如图5所示，如果彩膜基板1与薄膜晶体管阵列基板2的的对组精度较差，就会使第一柱形间隔体11和第二柱形间隔体12错开对应于触控电极引线所在的位置，虽然柱形间隔体仍站立在膜层结构上，但是其站立位置下方对应的不是触控电极引线，而是平坦化层，这使得液晶显示面板的实际厚度减小，影响最终的显示效果。
发明内容
为克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板、其制备方法及触摸显示面板，通过优化薄膜晶体管阵列基板的结构，解决因彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板对组精度较差而导致的触控显示面板实际厚度有偏差的问题。
本发明包括三个方面，第一个方面，本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板中设有平坦化层，所述平坦化层朝向自身内部凹陷形成若干间隔设置的凹槽，在所述凹槽中容置有触控电极引线，且所述触控电极引线的上表面与所述平坦化层的上表面处于同一水平位置。
进一步地，所述凹槽是通过对所述平坦化层进行半色调掩膜曝光、显影得到的。
进一步地，在所述平坦化层上还设有贯穿于所述平坦化层的开口，所述开口通过普通掩膜曝光、显影得到。
进一步地，所述触控电极引线和所述平坦化层上方还设有膜层结构，所述膜层结构的上表面为平面。
第二个方面，本发明提供一种上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
提供一设有平坦化层的薄膜晶体管阵列基板；
对所述平坦化层进行曝光、显影，得到朝向所述平坦化层自身内部凹陷的若干间隔设置的凹槽；
在所述凹槽中形成触控电极引线，使所述触控电极引线的上表面与所述平坦化层的上表面处于同一平面。
作为一种实施方式，在本发明的制作方法中，所述薄膜晶体管阵列基板划分为第一区域和第二区域，对所述平坦化层进行曝光、显影包括：采用半色调掩膜对位于第一区域的所述平坦化层进行不完全曝光后，进行显影，得到所述平坦化层的所述凹槽。
进一步地，对所述平坦化层进行曝光、显影还包括：采用普通掩膜对位于第二区域的所述平坦化层进行完全曝光后，进行显影，得到贯穿于所述平坦化层的开。
作为一种实施方式，在本发明的制作方法中，在所述凹槽中形成触控电极引线是在设有所述凹槽的平坦化层上沉积金属层，并对所述金属层进行蚀刻，除去位于所述平坦层上表面的金属层，留下位于所述凹槽中的金属层，在所述凹槽中的金属层为所述触控电极引线。
作为一种实施方式，在本发明的制作方法中，还包括以下步骤：在所述平坦化层和所述触控电极引线上形成膜层结构，所述膜层结构的上表面为平面。
第三个方面，本发明还提供一种触控显示面板，包括相对设置的彩膜基板和上述制作方法得到的薄膜晶体管阵列基板，以及设置于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层；所述彩膜基板的下表面朝向所述薄膜晶体管阵列基板的方向延伸设有若干间隔体，所述薄膜晶体管阵列基板的上表面设有平坦化层，所述平坦化层朝向自身内部凹陷形成若干间隔设置的凹槽，在所述凹槽中容置有触控电极引线，且所述触控电极引线的上表面与所述平坦化层的上表面处于同一平面；所述彩膜基板的下表面和所述薄膜晶体管阵列基板的上表面相对设置组合后，全部或部分所述间隔体抵顶在所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间，且所述间隔体在所述薄膜晶体管阵列基板上的投影位置对应于所述触控电极引线的位置。
【膜层结构】进一步地，所述触控电极引线和所述平坦化层上还设有膜层结构，所述膜层结构为平面；全部或部分所述间隔体抵顶在所述彩膜基板的下表面和所述膜层结构的上表面之间。
【双柱高结构】进一步地，所述间隔体包括第一柱形间隔体和第二柱形间隔体，且所述第一柱形间隔体高于所述第二柱形间隔体，所述触控电极引线包括第一触控电极引线和第二触控电极引线，所述彩膜基板的下表面和所述膜层结构的上表面相对设置组合后，所述第一柱形间隔体抵顶在所述彩膜基板和下方对应设有所述第一触控电极引线的所述膜层结构之间，所述第二柱形间隔体对应设置在下方对应设有所述第二触控电极引线的的所述膜层结构的上方，并与所述膜层结构之间间隔距离设置。
进一步地，所述凹槽是通过对所述平坦化层进行半色调掩膜曝光、显影得到的。
进一步地，在所述平坦化层上还设有贯穿于所述平坦化层的开口，所述开口通过普通掩膜曝光、显影得到。
进一步地，所述触控电极引线和所述平坦化层上方还设有膜层结构，所述膜层结构的上表面为平面。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
在本发明中，对薄膜晶体管阵列基板上的平坦化层结构进行优化设计，在平坦化层上表面设置若干凹槽来容置触控电极引线，使得触控电极引线不再凸出于平坦化层，而是与平坦化层处于同一水平面，进而使形成于触控电极引线上方的膜层结构的上表面也为平面。在这种结构中，即便彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板之间的对组精度较差，导致间隔体不能完全对应于触控电极引线所在的位置，而是偏移抵顶到下方对应设有平坦化层的膜层结构上，但由于触控电极引线与平坦化层在同一平面，而非凸出于平坦化层设置，故设于二者上方的膜层结构也为平面，因而使得这种偏移不会改变彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板对组后的液晶显示面板的厚度，从而降低了因彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板贴合后间隔体偏离触控电极引线设置而导致的液晶显示面板厚度变小、显示不良的风险。
附图说明
图1是现有技术中液晶显示面板的结构分解示意图。
图2是现有技术中间隔体在彩膜基板上位置的俯视图。
图3是现有技术中间隔体在薄膜晶体管阵列基板上位置的俯视图。
图4是现有技术中彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板对组形成液晶显示面板的结构示意图。
图5是现有技术中彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板对组出现偏差时形成的液晶显示面板的结构示意图。
图6是本发明实施例中彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板对组形成触控显示面板的结构示意图。
图7是本发明实施例的间隔体在彩膜基板上位置的俯视图。
图8是本发明实施例的间隔体在薄膜晶体管阵列基板上位置的俯视图。
图9是本发明实施例中彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板对组出现偏差时形成的液晶显示面板的结构示意图。
图10至图14是本发明实施例制作薄膜晶体管阵列基板的工艺流程。
具体实施方式
本实施例提供一种触控显示面板，如6所示，包括相对设置的彩膜基板1和薄膜晶体管阵列基板2，以及设置在彩膜基板1和薄膜晶体管阵列基板2之间的液晶层(图未示)。
其中，彩膜基板1的下表面朝向薄膜晶体管阵列基板的方向延伸(即图6中朝下延伸)设有第一柱形间隔体11和第二柱形间隔体12，且第一柱形间隔体高于第二柱形间隔体，二者均为横截面积由上至下逐渐递减的柱体。薄膜晶体管阵列基板2的上表面设有平坦化层3，且平坦化层3朝向自身内部凹陷形成有间隔设置的凹槽31。在凹槽31中分别容置有第一触控电极引线41和第二触控电极引线42，且第一触控电极引线和第二触控电极引线的上表面均与平坦化层的上表面持平，处于同一平面。在平坦化层3、第一触控电极引线41、第二触控电极引线42上还设有膜层结构6，且该膜层结构6的上表面也为平面。
结合图6至图8可知，当彩膜基板1与薄膜晶体管阵列基板2相对组合后，第一柱形间隔体11的站立位置恰对应于第一触控电极引线41、且第一柱形间隔体11的下表面与位于该第一触控电极引线41上方的膜层结构6的上表面相接触，即第一柱形间隔体11在膜层结构6上的投影位置对应于第一触控电极引线41的位置，且第一柱形间隔体11抵顶在彩膜基板1和膜层结构6之间，该第一柱形间隔体用于支撑彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板，维持二者之间的厚度。第二柱形间隔体12的站立位置恰对应于第二触控电极引线42、且第二柱形间隔体12的下表面与位于该第二触控电极引线42上方的膜层结构6的上表面之间并未接触，即第二柱形间隔体12在膜层结构6上的投影位置对应于第二触控电极引线42的位置，且第二柱形间隔体12与膜层结构6之间间隔一定距离设置。
在本实施例中，平坦化层中的凹槽是通过对平坦化层进行半色调掩膜蚀刻得到的。另外，如图6、图8所示，在平坦化层上还设有若干开口5，这些开口贯穿于平坦化层设置，用于使薄膜晶体管阵列基板中的ITO层和相应电极相接触。
如图9所示，当使用本实施例中的彩膜基板1与薄膜晶体管阵列基板2进行对组形成触控显示面板时，即使出现对组精度略差，出现对组偏差，第一柱形间隔体11略偏离于第一触控电极引线41的位置，该第一柱形间隔体11仍然处于膜层结构6的平面上，因此这种对组偏差、位置偏离不会导致彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板组合后的厚度有所改变，即触控显示面板的厚度不会有所变化，从而保证了触控显示面板的显示质量和效果。
本实施例还提供一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板即为上述液晶显示面板中的薄膜晶体管阵列基板，因此不再赘述。
此外，本实施例还具体提供一种上述触控显示面板的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：
如图10所示，提供一设有平坦化层3的薄膜晶体管阵列基板2；
如图11所示，将薄膜晶体管阵列基板2划分为位于右侧的第一区域91和位于左侧的第二区域92，采用半色调掩膜对位于第一区域91的平坦化层3进行不完全曝光，采用普通掩膜对位于第二区域92的平坦化层3进行完全曝光；
如图12所示，对分别不完全曝光和完全曝光后的平坦化层进行显影，使位于第一区域91的平坦化层上表面形成了朝向自身内部凹陷的凹槽31，使第二区域92中形成了贯穿于平坦化层的开口5；
基于物理气相沉积方法(PVD，Physical Vapor Deposition)在平坦化层上沉积金属层，可以理解的是，该金属层既沉积在平坦化层的上表面也沉积在平坦化层的凹槽中；如图13所示，对金属层进行刻蚀，除去位于平坦化层上表面的金属层，留下位于凹槽中的金属层，此金属层即为触控电极引线，该触控电极引线包括第一触控电极引线41和第二触控电极引线42，且平坦化层上表面与触控电极引线上表面相持平，二者处于同一平面上。
如图14所示，在平坦化层3和触控电极引线上沉积形成膜层结构6，由于平坦化层上表面与触控电极引线上表面处于同一平面，因此沉积得到膜层结构后，该膜层结构的上表面也为平面结构。
在本实施例中，膜层结构6可以为钝化层，或者为钝化层以及形成于钝化层上方的ITO膜层，这些膜层结构均为本领域现有技术中的常见结构，故在此不再赘述。
此外，可以理解的是，以上仅对薄膜晶体管阵列基板以及触控显示面板的主体结构进行了说明，薄膜晶体管阵列基板以及液晶显示面板还可以包括其它常规的功能结构，在本发明中也不再一一赘述。
以上所述为本发明的具体实施方式，其目的是为了清楚说明本发明而作的举例，并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一设有平坦化层的薄膜晶体管阵列基板；对所述平坦化层进行曝光、显影，得到朝向所述平坦化层自身内部凹陷的若干间隔设置的凹槽；在所述凹槽中形成触控电极引线，使所述触控电极引线的上表面与所述平坦化层的上表面处于同一平面，所述薄膜晶体管阵列基板划分为第一区域和第二区域，对所述平坦化层进行曝光、显影包括：采用半色调掩膜对位于第一区域的所述平坦化层进行不完全曝光后，进行显影，得到所述平坦化层的所述凹槽；对所述平坦化层进行曝光、显影还包括：采用普通掩膜对位于第二区域的所述平坦化层进行完全曝光后，进行显影，得到贯穿于所述平坦化层的开孔。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在所述凹槽中形成触控电极引线是在设有所述凹槽的平坦化层上沉积金属层，并对所述金属层进行蚀刻，除去位于所述平坦层上表面的金属层，留下位于所述凹槽中的金属层，在所述凹槽中的金属层为所述触控电极引线。
3.一种触控显示面板，包括相对设置的彩膜基板和薄膜晶体管阵列基板，以及设置于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层；所述彩膜基板的下表面朝向所述薄膜晶体管阵列基板的方向延伸设有若干间隔体，所述薄膜晶体管阵列基板的上表面设有平坦化层，其特征在于：
所述平坦化层朝向自身内部凹陷形成若干间隔设置的凹槽，在所述凹槽中容置有触控电极引线，且所述触控电极引线的上表面与所述平坦化层的上表面处于同一水平位置；所述彩膜基板的下表面和所述薄膜晶体管阵列基板上表面相对设置组合后，全部或部分所述间隔体抵顶在所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间，且所述间隔体在所述薄膜晶体管阵列基板上的投影位置对应于所述触控电极引线的位置，所述触控电极引线和所述平坦化层上还设有膜层结构，所述膜层结构为平面；全部或部分所述间隔体抵顶在所述彩膜基板的下表面和所述膜层结构的上表面之间。
4.如权利要求3所述的触控显示面板，其特征在于：所述间隔体包括第一柱形间隔体和第二柱形间隔体，且所述第一柱形间隔体高于所述第二柱形间隔体，所述触控电极引线包括第一触控电极引线和第二触控电极引线，所述彩膜基板的下表面和所述膜层结构的上表面相对设置组合后，所述第一柱形间隔体抵顶在所述彩膜基板和下方对应设有所述第一触控电极引线的所述膜层结构之间，所述第二柱形间隔体对应设置在下方对应设有所述第二触控电极引线的所述膜层结构的上方，并与所述膜层结构之间间隔距离设置。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104461142B (zh) * 2014-12-10 2017-06-30 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制备方法、触控显示装置
CN105759482B (zh) * 2016-05-06 2023-04-21 上海天马微电子有限公司 触控显示面板及触控显示装置
CN106054468A (zh) * 2016-07-29 2016-10-26 厦门天马微电子有限公司 显示面板及包含其的显示装置
CN106707599B (zh) * 2016-12-29 2019-05-14 惠科股份有限公司 一种液晶显示面板及其制造方法
KR20180077439A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN106773222A (zh) * 2017-02-17 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控面板
CN107634071B (zh) 2017-10-17 2020-05-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板及其制作方法、显示基板、显示装置
CN108549180A (zh) * 2018-03-30 2018-09-18 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN108732838A (zh) * 2018-05-29 2018-11-02 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及装置
CN110134278A (zh) * 2019-05-13 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及其制造方法、触控显示装置
CN110109290B (zh) * 2019-05-30 2022-05-31 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112130380A (zh) * 2020-09-30 2020-12-25 厦门天马微电子有限公司 显示面板及车载显示装置
CN113421903B (zh) * 2021-06-18 2023-11-10 合肥京东方卓印科技有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN115202506A (zh) * 2022-06-24 2022-10-18 京东方科技集团股份有限公司 触控显示模组及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101142516A (zh) * 2005-03-14 2008-03-12 富士通株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6008877A (en) * 1996-11-28 1999-12-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display having multilayered electrodes with a layer adhesive to a substrate formed of indium tin oxide
JP4096933B2 (ja) * 2004-09-30 2008-06-04 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法
TWI305682B (en) * 2006-08-14 2009-01-21 Au Optronics Corp Bottom substrate for liquid crystal display device and the method of making the same
TWI362544B (en) * 2007-11-07 2012-04-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
WO2011148689A1 (ja) * 2010-05-24 2011-12-01 シャープ株式会社 液晶表示パネル
JP5845765B2 (ja) * 2011-09-21 2016-01-20 凸版印刷株式会社 透明導電性積層体及びその製造方法
US20140293149A1 (en) * 2013-03-27 2014-10-02 Shenzhen O-Film Tech Co., Ltd Capacitive touch screen and manufacturing method thereof
CN103823601A (zh) * 2014-02-08 2014-05-28 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
KR102263296B1 (ko) * 2014-10-13 2021-06-09 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US10228787B2 (en) * 2015-06-05 2019-03-12 Innolux Corporation Display device
CN105182629A (zh) * 2015-11-03 2015-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101142516A (zh) * 2005-03-14 2008-03-12 富士通株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法

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