CN1055142C - 一种镍铝基合金单晶的制备技术 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 title description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 8
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 claims description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011021 lapis lazuli Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种镍铝基合金单晶的制备技术,系采用定向生长的办法,包括母合金样品的制备,其特征在于:在距母合金样品底部20-40mm上加工出一10~20mm的缩颈,缩颈部分用陶瓷涂料多次填充和干燥而为选晶器后,整体放入陶瓷模壳中,在定向凝固炉中重熔并定向生长。本发明所提供的方法工艺简单,单晶成功率高且基本不需机械加工。
Description
本发明涉及单晶金属材料的制备技术。
R.A.Laudise,曾经在The growth of sigle crystals(Prentice Hall Inc.1970)中叙述过一种制备单晶的方法,采用将坩埚底部制成毛细管形状或葫芦串状选晶器的方法来选晶,优点是通过多次选晶,成功率可以比较高,缺点是晶体取向控制不好,需要多次选晶,选晶器和坩埚连在一起,制做很麻烦。T·S.Noggle Rev.Sci.Instr,24(1953)184也描述过一种办法,系采用将Al2O3粉压紧形成″软模″的方法生长单晶,其具体操作为:将母合金块加工成所需试样的形状,并且在底部带一尖锥,然后放入刚玉坩埚中,周围用Al2O3粉压紧形成″软模″,连同坩埚一同放入定向炉中定向生长制成单晶,其优点是预先成型,单晶形状可以接近最终形状尺寸,减少单晶的机械加工,更适于生长高熔点金属材料的单晶,缺点是″软模″是靠将刚玉粉压紧形成,操作烦琐,并且Al2O3″软模″可能会不致密,样品在加热和熔化时可能变形,Al2O3″软模″的厚度较大且不致密,热传导较慢,严重地降低单晶定向生长时所必须的温度梯度,严重地降低单晶定向生长时所必须的温度梯度,如果在真空系统中操作,Al2O3粉可能会污染真空系统,晶体取向不可控制。
本发明的目的在于提供一种工艺简单,且成功率高,基本不需要机械加工的镍铝基合金单晶材料的制备技术。
本发明提供了一种镍铝基合金单晶的制备技术,系采用定向生长的办法,包括母合金样品的制备,其特征在于:在距母合金样品底部20~40mm上加工出一10~20mm的缩颈,缩颈部分用陶瓷涂料多次填充和干燥而为选晶器后,整体放入陶瓷模壳中,在定向凝固炉中重熔并定向生长,所述缩颈形状可以为圆形,椭圆形,方形,斜柱形,扭折形或螺旋形等。本发明具有下述优点:
1.将选晶器与模壳独立,分别制取,工艺简单;
2.陶瓷选晶器与缩颈部分预先组合,再装入模壳,操作方便可靠;
3.缩颈部分可以做成不同形状和断面尺寸,选晶成功率高,结晶取向可以控制为最佳取向;
4.可以简化陶瓷模壳形状,制备简单,可以制备高纯陶瓷模壳,使用温度比复杂模壳提高150℃以上;
5.避免其它方法存在的细颈选晶器充型不良的问题。
下面结合附图通过实施例详述本发明。
附图1为单晶生长示意图;
附图2为生长单晶的实物照片。
实施例:
单晶生长的示意图如附图1,1为模壳;2为熔体;3为单晶;4为分离式陶瓷选器器;5为初始柱状晶。
将NiAl基合金Ni50Al30Fe20合金铸造成Φ8mm的母合金棒,再在26mm处,加工成Φ0.8mm的圆柱状缩颈,在缩颈部分由以硅酸乙酯水解液为粘结剂,以Al2O3粉为填料的陶瓷涂料填充于缩颈处并自然干燥,重复多次填充和干燥直至缩颈部分填充涂料尺寸达一直径Φ6.9mm,彻底干燥硬化后待用,用内径Φ7.0mm的高纯Al2O3薄壁陶瓷管作为模壳,将处理好的母合金棒组件装入陶瓷管中,装入定向炉中定向生长,即可获得单晶。
实施例2:将Ni3Al基合金Ni-16.6Al-7Cr-0.4Zr合金熔炼铸造成Φ8mm的母合金棒,在20mm处加工成出Φ1.5mm的缩颈,其余过程与实施例1相同。
图2是上述两个实施例的实物照片。
Claims (2)
1.一种镍铝基合金单晶的制备技术,系采用定向生长的办法,包括母合金样品的制备,其特征在于:在距母合金样品底部20-40mm上加工出一10~20mm的缩颈,缩颈部分用陶瓷涂料多次填充和干燥而为选晶器后,整体放入陶瓷模壳中,在定向凝固炉中重熔并定向生长。
2.按权利要求1所述镍铝基合金单晶的制备技术,其特征在于:所述缩颈形状为圆形。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN95110277A CN1055142C (zh) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 一种镍铝基合金单晶的制备技术 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN95110277A CN1055142C (zh) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 一种镍铝基合金单晶的制备技术 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1137577A CN1137577A (zh) | 1996-12-11 |
CN1055142C true CN1055142C (zh) | 2000-08-02 |
Family
ID=5077678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN95110277A Expired - Fee Related CN1055142C (zh) | 1995-06-07 | 1995-06-07 | 一种镍铝基合金单晶的制备技术 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1055142C (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100494467C (zh) * | 2006-08-16 | 2009-06-03 | 中国科学院金属研究所 | 一种定向凝固柱晶或单晶镍基高温合金修复或涂层方法 |
CN100557092C (zh) * | 2007-12-17 | 2009-11-04 | 北京航空航天大学 | 采用籽晶法与螺旋选晶法组合制备Ni基单晶高温合金的方法 |
CN102166643B (zh) * | 2011-03-30 | 2013-07-24 | 江苏中欧材料研究院有限公司 | 一种防止单晶叶片杂晶缺陷的方法 |
CN102205391B (zh) * | 2011-04-28 | 2012-11-28 | 上海交通大学 | 用于高温合金单晶生长的螺旋选晶器的制备装置及方法 |
-
1995
- 1995-06-07 CN CN95110277A patent/CN1055142C/zh not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
REV.SCI.INSRT 1953.1.1 T.S.NOGGLE * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1137577A (zh) | 1996-12-11 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
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CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |