CN105505230A - 一种半导体硅片化学机械抛光清洗液 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，按照重量份的原料包括：有机酸5-20份、表面活性剂0.2-1份、光亮剂0.1-1份、pH调节剂1-10份、氧化剂0.01-0.1份、稳定剂0.1-1份、抑制剂0.1-1份、去离子水20-30份、研磨剂2-8份。所述有机酸选自柠檬酸和柠檬酸氢二铵中的一种或几种。所述清洗液的pH值为9.5～11.5。所述的表面活性剂是聚醚表面活性剂。所述研磨剂为二氧化硅。本发明能降低清洗剂的表面张力，可以快速剥离掉表面污染物，有效清洗硅片表面，降低硅表面粗糙度；抑制金属杂质对硅片的污染，能减少氧化物的沉淀；成本低，对环境无污染，可彻底清洗污染物；有效根除了移动金属离子的扩散，提高了芯片的可靠性，提高了生产的良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体表面处理领域，具体是一种半导体硅片化学机械抛光清洗液。
背景技术
在集成电路的制造工艺过程中，芯片的表面状态及洁净度是影响器件质量与可靠性的最重要的因素之一，因此，在芯片制造过程中，必须对硅片进行化学机械抛光。目前，硅片化学机械抛光是将硅片置于抛光垫上，使用抛光液对硅片进行抛光。因现有抛光液中一般都含有二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、金属离子和有机化合物等，所以硅片经过化学机械抛光后，上述化合物、离子以及抛光过程中产生的颗粒就会吸附在硅片表面上，造成硅片污染，因此需要在抛光后对硅片进行清洗，得到符合要求的洁净硅片。现有清洗液对硅片表面进行氧化和腐蚀，但容易出现腐蚀不均匀的现象，导致硅片表面平整度差，难以去除抛光及腐蚀过程中所产生的金属污染物(铁、镍、铜、钙、铬、锌、或其氢氧化物或氧化物)、粒径在0.1μm以下的颗粒以及金属离子，清洗效果差，清洗液成本高且对环境污染严重。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，按照重量份的原料包括：有机酸5-20份、表面活性剂0.2-1份、光亮剂0.1-1份、pH调节剂1-10份、氧化剂0.01-0.1份、稳定剂0.1-1份、抑制剂0.1-1份、去离子水20-30份、研磨剂2-8份。
作为本发明进一步的方案：按照重量份的原料包括：有机酸12.5份、表面活性剂0.6份、光亮剂0.5份、pH调节剂5份、氧化剂0.05份、稳定剂0.5份、抑制剂0.5份、去离子水25份、研磨剂5份。
作为本发明再进一步的方案：所述有机酸选自柠檬酸和柠檬酸氢二铵中的一种或几种。
作为本发明再进一步的方案：所述清洗液的pH值为7.5～12.0。
作为本发明再进一步的方案：所述清洗液的pH值为9.5～11.5。
作为本发明再进一步的方案：所述pH调节剂为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、氨水、氢氧化钾、乙醇胺和三乙醇胺中的一种或几种。
作为本发明再进一步的方案：所述的表面活性剂是聚醚表面活性剂。
作为本发明再进一步的方案：所述的光亮剂是卤盐。
作为本发明再进一步的方案：所述研磨剂为二氧化硅。
作为本发明再进一步的方案：所述的氧化剂为双氧水或过硫酸盐。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明能降低清洗剂的表面张力，可以快速剥离掉表面污染物，有效清洗硅片表面，降低硅表面粗糙度；抑制金属杂质对硅片的污染，能减少氧化物的沉淀；成本低，对环境无污染，可彻底清洗污染物；有效根除了移动金属离子的扩散，提高了芯片的可靠性，提高了生产的良率。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本发明实施例中，一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，按照重量份的原料包括：有机酸5份、表面活性剂0.2份、光亮剂0.1份、pH调节剂1份、氧化剂0.01份、稳定剂0.1份、抑制剂0.1份、去离子水20份、研磨剂2份。
所述有机酸为柠檬酸。
所述清洗液的pH值为9.5。
所述pH调节剂为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和四丙基氢氧化铵。
所述的表面活性剂是聚醚表面活性剂。
所述的光亮剂是卤盐。
所述研磨剂为二氧化硅。
所述的氧化剂为双氧水。
将各成分混合均匀，加入去离子水，最后用pH调节剂，调节到所需pH值，继续搅拌至均匀流体，静置30分钟即可得到化学机械抛光清洗液。
实施例2
本发明实施例中，一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，按照重量份的原料包括：有机酸12.5份、表面活性剂0.6份、光亮剂0.5份、pH调节剂5份、氧化剂0.05份、稳定剂0.5份、抑制剂0.5份、去离子水25份、研磨剂5份。
所述有机酸为柠檬酸氢二铵。
所述清洗液的pH值为10。
所述pH调节剂为氨水和氢氧化钾。
所述的表面活性剂是聚醚表面活性剂。
所述的光亮剂是卤盐。
所述研磨剂为二氧化硅。
所述的氧化剂为过硫酸盐。
将各成分混合均匀，加入去离子水，最后用pH调节剂，调节到所需pH值，继续搅拌至均匀流体，静置30分钟即可得到化学机械抛光清洗液。
实施例3
一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，按照重量份的原料包括：有机酸20份、表面活性剂1份、光亮剂1份、pH调节剂10份、氧化剂0.1份、稳定剂1份、抑制剂1份、去离子水30份、研磨剂8份。
所述有机酸为柠檬酸氢三铵。
所述清洗液的pH值为11.5。
所述pH调节剂为乙醇胺和三乙醇胺。
所述的表面活性剂是聚醚表面活性剂。
所述的光亮剂是卤盐。
所述研磨剂为二氧化硅。
所述的氧化剂为双氧水。
将各成分混合均匀，加入去离子水，最后用pH调节剂，调节到所需pH值，继续搅拌至均匀流体，静置30分钟即可得到化学机械抛光清洗液。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括：有机酸5-20份、表面活性剂0.2-1份、光亮剂0.1-1份、pH调节剂1-10份、氧化剂0.01-0.1份、稳定剂0.1-1份、抑制剂0.1-1份、去离子水20-30份、研磨剂2-8份。
2.根据权利要求1所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，按照重量份的原料包括：有机酸12.5份、表面活性剂0.6份、光亮剂0.5份、pH调节剂5份、氧化剂0.05份、稳定剂0.5份、抑制剂0.5份、去离子水25份、研磨剂5份。
3.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述有机酸选自柠檬酸和柠檬酸氢二铵中的一种或几种。
4.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述清洗液的pH值为7.5～12.0。
5.根据权利要求4所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述清洗液的pH值为9.5～11.5。
6.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述pH调节剂为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、氨水、氢氧化钾、乙醇胺和三乙醇胺中的一种或几种。
7.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述的表面活性剂是聚醚表面活性剂。
8.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述的光亮剂是卤盐。
9.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述研磨剂为二氧化硅。
10.根据权利要求1或2所述的半导体硅片化学机械抛光清洗液，其特征在于，所述的氧化剂为双氧水或过硫酸盐。
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|---|---|
| CN (1) | CN105505230A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107855936A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-30 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种区熔硅抛光片用抛光设备的清洗方法 |
| CN111069115A (zh) * | 2018-10-22 | 2020-04-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种cmp后清洗方法 |
| CN112608799A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-06 | 广东省科学院化工研究所 | 一种单晶硅片清洗剂及其应用 |
| CN114678259A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-06-28 | 杭州乾晶半导体有限公司 | 一种抛光后的碳化硅晶片的清洗方法以及相应的清洗剂 |
| CN114989898A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-09-02 | 三达奥克化学股份有限公司 | 一种研磨抛光残留物清洗液及其制备方法与应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1680626A (zh) * | 2004-04-09 | 2005-10-12 | 上海月旭半导体科技有限公司 | 半导体芯片化学机械研磨后清洗液 |
| CN101130876A (zh) * | 2006-08-25 | 2008-02-27 | 安集微电子（上海）有限公司 | 用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液 |
| CN101289640A (zh) * | 2008-06-05 | 2008-10-22 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 晶圆研磨用清洗剂 |
| JP2009278018A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Kanto Chem Co Inc | 半導体基板洗浄液組成物 |
| CN103666784A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-26 | 孙爱玲 | 硅片预清洗剂 |
-
2016
- 2016-02-16 CN CN201610086891.6A patent/CN105505230A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1680626A (zh) * | 2004-04-09 | 2005-10-12 | 上海月旭半导体科技有限公司 | 半导体芯片化学机械研磨后清洗液 |
| CN101130876A (zh) * | 2006-08-25 | 2008-02-27 | 安集微电子（上海）有限公司 | 用于半导体制程中的金属防腐蚀清洗液 |
| JP2009278018A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Kanto Chem Co Inc | 半導体基板洗浄液組成物 |
| CN101289640A (zh) * | 2008-06-05 | 2008-10-22 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 晶圆研磨用清洗剂 |
| CN103666784A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-26 | 孙爱玲 | 硅片预清洗剂 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107855936A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-30 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种区熔硅抛光片用抛光设备的清洗方法 |
| CN111069115A (zh) * | 2018-10-22 | 2020-04-28 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种cmp后清洗方法 |
| CN112608799A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-06 | 广东省科学院化工研究所 | 一种单晶硅片清洗剂及其应用 |
| CN112608799B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-05-24 | 广东省科学院化工研究所 | 一种单晶硅片清洗剂及其应用 |
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