CN105489764B - 一种钙钛矿‑云母光伏材料及其制备方法 - Google Patents
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- 239000010445 mica Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 109
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 9
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 23
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 8
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 8
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 230000031709 bromination Effects 0.000 claims description 3
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N mono-methylamine Natural products NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 9
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 CIGS Substances 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种钙钛矿‑云母光伏材料及其制备方法。本发明采用纳米云母材料充当钙钛矿吸光材料的惰性支架，防止支架材料干扰电子活动，迫使电子快速穿过钙钛矿吸收体层，显著提高电子传送速度。利用本发明提供的钙钛矿‑云母光伏材料组装太阳能电池，能使太阳能电池的光电转换效率最高可达13.8%。
Description
技术领域
本发明涉及光伏材料技术领域，特别地涉及一种钙钛矿-云母光伏材料及其制备方法。
背景技术
太阳能电池材料经过60 多年的发展，已经有很多不同的类型。主要包括单晶/ 多晶硅、砷化镓、碲化镉、铜铟镓硒、染料敏化等。目前只有单晶/ 多晶硅太阳电池得到了广泛应用，其他类型的太阳能电池因原材料稀少、有毒、效率低、稳定性差等缺点在实际应用中受到限制。但单晶/ 多晶硅太阳电池生产成本高，寻找新型的太阳能电池仍是目前研究的热点。
钙钛矿型有机金属卤化物材料具有优异的光电性能且易于合成，已经在太阳能电池研究中广泛使用，目前基于这种材料的太阳能电池最高能量转换效率已经达到19%，其理论转化效率可以达到50%，具有很大的开发潜能。
钙钛矿太阳电池通常是由透明导电玻璃、致密层、钙钛矿吸收层、有机空穴传输层、金属背电极五部分组成。钙钛矿太阳电池工作时，钙钛矿化合物在光照下吸收光子，其价带电子跃迁到导带，接着将导带电子注入到TiO2的导带，再传输到FTO，同时，空穴传输至有机空穴传输层，从而电子-空穴对发生分离，当接通外电路时，电子与空穴的移动将会产生电流。
其中，钙钛矿吸收层的主要作用是吸收太阳光产生的电子-空穴对，并能高效传输电子-空穴对、电子、空穴至相应的致密层和有机空穴传输层。钙钛矿吸收层一般采用介孔纳米结构作为支架，负载钙钛矿吸光材料，因为介孔纳米结构比表面积大，可吸附较多的吸光物质，从而获得较大的电池能量转换效率，介孔纳米材料的组成、微结构和性质对钙钛矿电池的能力转换效率非常重要。
在中国发明专利申请公开说明书CN201410340552中公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，采用TiO2/钙钛矿结构材料作为电池吸光层，spiro-OMeTAD作为空穴传输层，制得的太阳能电池能量转换率为11.2～12.6%。有研究利用Al2O3
纳米材料作为钙钛矿吸收层支架，组装的太阳能电池光电转化率为10.9%（Lee MM，Teuscher J，Snaith H J，et al. Efficient hybrid solar cells
based on meso-superstructured organometal halide perovskites.
Science，2012，338：643-647.），同时也另有研究用ZnO纳米棒作为骨架层，相应的太阳能电池能量转化效率为11.13%（Dae-Yong S，Jeong-Hyeok，Park N G，et al. 11%Efficient perovskitesolar cell based on ZnO nanorods：An effective chargecollectionsystem. J. Phys. Chem. C，2014，118（30）：16567-16573.）。
现有技术存在的缺点是：钙钛矿吸收层对光吸收量不高，组装的太阳能电池光电转化率不高。因此，本发明人在总结现有技术的基础上，经过大量研究完成了本发明。
发明内容
本发明针对上述现有技术存在的缺点而提出，所解决的技术问题是提供一种吸光性强、光电转换率高的钙钛矿-云母光伏材料，以及这种钙钛矿-云母光伏材料的制备方法。
本发明的技术方案：
本发明是通过下述技术方案实现的：
本发明一种钙钛矿-云母光伏材料，其特征是以纳米云母材料作为钙钛矿吸收体层的介孔纳米支架；所述钙钛矿-云母光伏材料厚度是500-650nm；所述钙钛矿-云母光伏材料所附着的致密层厚度是50-100nm；用作钙钛矿太阳能电池中的吸收层，支撑结构是纳米级云母粉末，钙钛矿结构材料是化学式ABX3的材料，其式中A代表甲基胺；B代表Pb；X是一种或两种选自碘、溴或氯的卤素元素。
本发明一种钙钛矿-云母光伏材料的制备方法。
所述钙钛矿-云母光伏材料制备方法的步骤如下：
（1）制备TiO2致密层
在FTO玻璃上丝网印刷一层TiO2薄膜层，450℃加热30min后，得到厚度为50-100nm的致密层；
（2）制备纳米云母粉末
将云母微粒进行真空干燥，干燥温度为80～120℃，干燥时间为20～30h。干燥后的云母在高速粉碎机中研磨粉碎，粉碎时间为5～8h。最终得到300～600nm的纳米级云母颗粒；
（3）制备纳米云母介孔层
将步骤（2）中得到的云母颗粒与异丙醇按照重量比1：3～5制成料浆，旋涂至步骤（1）中得到的致密层，100～200℃干燥，再转移到马弗炉中在温度300～600℃的条件下进行退火处理30～60min，得到附着在致密层上的纳米云母介孔层；
（4）制备钙钛矿-云母光伏材料
将步骤（3）得到的纳米云母介孔层旋涂浓度0.8～1.2mol/L碘化铅、氯化铅或溴化铅溶液，然后在浓度8～12mg/mlCH3NH3I异丙醇中浸泡15～20min后，用异丙醇洗涤，再在温度90～110℃下加热30～50min，生成CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl2I或CH3NH3PbBr2I钙钛矿结构材料：于是得到厚度500～650nm的纳米云母介孔/钙钛矿光伏材料。
本发明一种钙钛矿-云母光伏材料及其制备方法，其突出特点和有益效果在于：
一种用于太阳能电池的钙钛矿-云母光伏材料，用作太阳能电池中吸光层。吸光层在吸收光子并生成电子的光电过程中，基本的能量损失会逐步上升。纳米云母材料晶型优良，电绝缘性强，能够充当惰性支架，迫使电子停留其中，并通过超薄的钙钛矿吸收体层进行传送，从而减少能量损失，显著提高电子传送速度，迫使电子快速穿过钙钛矿吸收体层，并同时提高电压。利用本发明提供的钙钛矿-云母光伏材料组装太阳能电池，能使太阳能电池的光电转换效率最高可达13.8%。
具体实施方式
以下通过具体实施方式对本发明作进一步的详细说明，但不应理解为本发明的范围权限仅限于以下实例。
实施例1
（1）制备TiO2致密层
在FTO玻璃上丝网印刷一层TiO2薄膜层，450℃加热30min后，得到厚度为50nm的致密层；
（2）制备纳米云母粉末
将云母微粒进行真空干燥，干燥温度为105℃，干燥时间为25h。干燥后的云母在高速粉碎机中研磨粉碎，粉碎时间为7h。最终得到400nm的纳米级云母颗粒；
（3）制备纳米云母介孔层
将步骤（2）中得到的云母颗粒与异丙醇按照重量比1：3.5制成料浆，旋涂至步骤（1）中得到的致密层，100℃干燥，再转移到马弗炉中在温度350℃的条件下进行退火处理30min，得到附着在致密层上的纳米云母介孔层；
（4）制备钙钛矿-云母光伏材料
将步骤（3）得到的纳米云母介孔层旋涂浓度0.8mol/L碘化铅、氯化铅或溴化铅溶液，然后在浓度10mg/mlCH3NH3I异丙醇中浸泡15min后，用异丙醇洗涤，再在温度90℃下加热30min，生成CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl2I或CH3NH3PbBr2I钙钛矿结构材料：于是得到厚度500nm的纳米云母介孔/钙钛矿光伏材料。
利用本实施例制备的钙钛矿-云母光伏材料组装太阳能电池，电池的光电转化率为12.7%。
实施例2
步骤（1）同上；
（2）制备纳米云母粉末
将云母微粒进行真空干燥，干燥温度为100℃，干燥时间为25h。干燥后的云母在高速粉碎机中研磨粉碎，粉碎时间为6h。最终得到450nm的纳米级云母颗粒；
（3）制备纳米云母介孔层
将步骤（2）中得到的云母颗粒与异丙醇按照重量比1：3.2制成料浆，旋涂至步骤（1）中得到的致密层，100℃干燥，再转移到马弗炉中在温度350℃的条件下进行退火处理30min，得到附着在致密层上的纳米云母介孔层；
（4）制备钙钛矿-云母光伏材料
将步骤（3）得到的纳米云母介孔层旋涂浓度1.0mol/L碘化铅、氯化铅或溴化铅溶液，然后在浓度10mg/mlCH3NH3I异丙醇中浸泡15min后，用异丙醇洗涤，再在温度100℃下加热30min，生成CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl2I或CH3NH3PbBr2I钙钛矿结构材料：于是得到厚度550nm的纳米云母介孔/钙钛矿光伏材料。
利用本实施例制备的钙钛矿-云母光伏材料组装太阳能电池，电池的光电转化率为12.8%。
实施例3
步骤（1）同上；
（2）制备纳米云母粉末
将云母微粒进行真空干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为30h。干燥后的云母在高速粉碎机中研磨粉碎，粉碎时间为8h。最终得到300nm的纳米级云母颗粒；
（3）制备纳米云母介孔层
将步骤（2）中得到的云母颗粒与异丙醇按照重量比1：4制成料浆，旋涂至步骤（1）中得到的致密层，200℃干燥，再转移到马弗炉中在温度600℃的条件下进行退火处理60min，得到附着在致密层上的纳米云母介孔层；
（4）制备钙钛矿-云母光伏材料
将步骤（3）得到的纳米云母介孔层旋涂浓度1.2mol/L碘化铅、氯化铅或溴化铅溶液，然后在浓度12mg/mlCH3NH3I异丙醇中浸泡20min后，用异丙醇洗涤，再在温度90℃下加热50min，生成CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl2I或CH3NH3PbBr2I钙钛矿结构材料：于是得到厚度420nm的纳米云母介孔/钙钛矿光伏材料。
利用本实施例制备的钙钛矿-云母光伏材料组装太阳能电池，电池的光电转化率为11.8%。
实施例4
步骤（1）同上；
（2）制备纳米云母粉末
将云母微粒进行真空干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为20h。干燥后的云母在高速粉碎机中研磨粉碎，粉碎时间为5h。最终得到600nm的纳米级云母颗粒；
（3）制备纳米云母介孔层
将步骤（2）中得到的云母颗粒与异丙醇按照重量比1：4制成料浆，旋涂至步骤（1）中得到的致密层，200℃干燥，再转移到马弗炉中在温度600℃的条件下进行退火处理45min，得到附着在致密层上的纳米云母介孔层；
（4）制备钙钛矿-云母光伏材料
将步骤（3）得到的纳米云母介孔层旋涂浓度1.0mol/L碘化铅、氯化铅或溴化铅溶液，然后在浓度12mg/mlCH3NH3I异丙醇中浸泡20min后，用异丙醇洗涤，再在温度110℃下加热45min，生成CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl2I或CH3NH3PbBr2I钙钛矿结构材料：于是得到厚度600nm的纳米云母介孔/钙钛矿光伏材料。
利用本实施例制备的钙钛矿-云母光伏材料组装太阳能电池，电池的光电转化率为13.8%。
实施例5
步骤（1）同上；
（2）制备纳米云母粉末
将云母微粒进行真空干燥，干燥温度为80℃，干燥时间为20h。干燥后的云母在高速粉碎机中研磨粉碎，粉碎时间为5h。最终得到600nm的纳米级云母颗粒；
（3）制备纳米云母介孔层
将步骤（2）中得到的云母颗粒与异丙醇按照重量比1：3制成料浆，旋涂至步骤（1）中得到的致密层， 200℃干燥，再转移到马弗炉中在温度500℃的条件下进行退火处理60min，得到附着在致密层上的纳米云母介孔层；
（4）制备钙钛矿-云母光伏材料
将步骤（3）得到的纳米云母介孔层旋涂浓度0.8mol/L碘化铅、氯化铅或溴化铅溶液，然后在浓度12mg/mlCH3NH3I异丙醇中浸泡20min后，用异丙醇洗涤，再在温度90℃下加热50min，生成CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl2I或CH3NH3PbBr2I钙钛矿结构材料：于是得到厚度650nm的纳米云母介孔/钙钛矿光伏材料。
利用本实施例制备的钙钛矿-云母光伏材料组装太阳能电池，电池的光电转化率为11.9%。
实施例6
步骤（1）同上；
（2）制备纳米云母粉末
将云母微粒进行真空干燥，干燥温度为100℃，干燥时间为25h。干燥后的云母在高速粉碎机中研磨粉碎，粉碎时间为6h。最终得到350nm的纳米级云母颗粒；
（3）制备纳米云母介孔层
将步骤（2）中得到的云母颗粒与异丙醇按照重量比1：5制成料浆，旋涂至步骤（1）中得到的致密层， 200℃干燥，再转移到马弗炉中在温度600℃的条件下进行退火处理60min，得到附着在致密层上的纳米云母介孔层；
（4）制备钙钛矿-云母光伏材料
将步骤（3）得到的纳米云母介孔层旋涂浓度0.8mol/L碘化铅、氯化铅或溴化铅溶液，然后在浓度8mg/mlCH3NH3I异丙醇中浸泡15min后，用异丙醇洗涤，再在温度90℃下加热50min，生成CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl2I或CH3NH3PbBr2I钙钛矿结构材料：于是得到厚度480nm的纳米云母介孔/钙钛矿光伏材料。
利用本实施例制备的钙钛矿-云母光伏材料组装太阳能电池，电池的光电转化率为13.1%。
Claims (4)
1.一种钙钛矿-云母光伏材料，其特征在于：以纳米云母材料作为钙钛矿吸收体层的介孔纳米支架；
所述的钙钛矿-云母光伏材料，由如下方法制备得到：
（1）在FTO玻璃上丝网印刷一层TiO2薄膜层，450℃加热30min后，得到厚度为50-100nm的致密层；
（2）将云母微粒进行真空干燥，干燥温度为80～120℃，干燥时间为20-30h；干燥后的云母在高速粉碎机中研磨粉碎，粉碎时间为5～8h，最终得到300～600nm的纳米级云母颗粒；
（3）将步骤（2）中得到的云母颗粒与异丙醇按照重量比1：3～5制成料浆，旋涂至步骤（1）中得到的致密层，100～200℃干燥，再转移到马弗炉中在温度300～600℃的条件下进行退火处理30～60min，得到附着在致密层上的纳米云母介孔层；
（4）将步骤（3）得到的纳米云母介孔层旋涂浓度0 .8-1 .2mol/L碘化铅、氯化铅或溴化铅溶液，然后在浓度8-12mg/mlCH3NH3I异丙醇中浸泡15-20min后，用异丙醇洗涤，再在温度90-110℃下加热30-50min，生成CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl2I或CH3NH3PbBr2I钙钛矿结构材料，得到厚度500-650nm的纳米云母介孔/钙钛矿光伏材料；其中，到碘化铅、氯化铅或溴化铅溶液是将碘化铅、氯化铅或溴化铅与CH3NH3I按照摩尔比1:1分别溶解γ-丁内酯中，然后在温度55-65℃的条件下搅拌反应得到。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿-云母光伏材料，其特征在于所述钙钛矿-云母光伏材料厚度是500-650nm。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿-云母光伏材料，其特征在于所述钙钛矿-云母光伏材料所附着的致密层厚度是50-100nm。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿-云母光伏材料，其特征在于所述钙钛矿结构材料是化学式为ABX3的材料，其式中A代表甲基胺；B代表Pb；X是一种或两种选自碘、溴或氯的卤素元素。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510959959.2A CN105489764B (zh) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | 一种钙钛矿‑云母光伏材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510959959.2A CN105489764B (zh) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | 一种钙钛矿‑云母光伏材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105489764A CN105489764A (zh) | 2016-04-13 |
| CN105489764B true CN105489764B (zh) | 2017-12-01 |
Family
ID=55676619
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510959959.2A Expired - Fee Related CN105489764B (zh) | 2015-12-21 | 2015-12-21 | 一种钙钛矿‑云母光伏材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105489764B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109860400A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-07 | 石家庄铁道大学 | 高温大面积制备柔性云母透明太阳能电池 |
| CN115196883B (zh) * | 2021-11-16 | 2024-04-05 | 国科大杭州高等研究院 | 一种钙钛矿介孔玻璃的制备方法及其应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010238793A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| CN103346018A (zh) * | 2013-06-26 | 2013-10-09 | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 | 通过固液反应制备具有钙钛矿结构的碘化物太阳能电池 |
| CN103928613A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 |
| CN104022222A (zh) * | 2014-05-14 | 2014-09-03 | 中国科学院物理研究所 | 钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法 |
-
2015
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010238793A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| CN103928613A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种聚合物太阳能电池及其制备方法 |
| CN103346018A (zh) * | 2013-06-26 | 2013-10-09 | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 | 通过固液反应制备具有钙钛矿结构的碘化物太阳能电池 |
| CN104022222A (zh) * | 2014-05-14 | 2014-09-03 | 中国科学院物理研究所 | 钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105489764A (zh) | 2016-04-13 |
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