CN105470390B - 以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法 - Google Patents
以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105470390B CN105470390B CN201510810301.5A CN201510810301A CN105470390B CN 105470390 B CN105470390 B CN 105470390B CN 201510810301 A CN201510810301 A CN 201510810301A CN 105470390 B CN105470390 B CN 105470390B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- tape
- sacrificial layer
- adhesive tape
- sacrificial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 39
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical class [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 4
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 4
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000009411 base construction Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法，包括以下步骤：1）纳米线的生长：制备模板，然后在模板上自组装生长纳米线阵列；2）基底的制作：在牺牲基底表面镀一层牺牲层，然后在牺牲层上制作栅极和源、漏电极；3）纳米线的转移：将胶带铺在生长了纳米线阵列的模板上，纳米线阵列会粘附在透明胶带上，剥离胶带，纳米线阵列会附着在胶带上一同被转移贴附在步骤2）制作的基底上；4）器件的构筑：利用胶带与牺牲层之间的粘附力较牺牲基底与牺牲层之间的粘附力大的特性，将牺牲层与牺牲基底分离，并转移至牺牲层刻蚀液中刻蚀，得到以胶带为基底的晶体管阵列。
Description
技术领域
本发明公开了一种以透明胶带为基底，利用胶带剥离工艺构建大面积、高性能、柔性且可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法。具体而言，本发明涉及一种将干法与湿法转移及刻蚀相结合的工艺，实现了器件由硅基底转移至柔性透明胶带基底的制备方法。
背景技术
透明胶带作为一种生活日用品，具有易弯曲，折叠，粘贴的性能，对于应用在柔性电子器件方面具有很大潜力，例如，生物器件，超轻量器件，可穿戴的电子器件，智能服饰，皮肤传感等。基于柔性及电子器件性能的考虑，一维大面积自组装有机单晶纳米线阵列较无机纳米线具有较好的柔性；较相应的有机单晶薄膜具有较高的载流子迁移率；较有机单根纳米线具有较好的集成度。同时有机纳米线阵列转移至柔性器件上具有较好的抗弯曲性能，然而通过传统的微电子加工技术，实现在胶带上光刻，转移工艺较为困难，研究较少，而且直到目前为止，绝大多数的有机纳米线阵列都是构筑在SiO2/Si及玻璃基底上，基底的选择受到限制，因此通过一种简单且有效的方法，将有机纳米线阵列转移到透明胶带上是一件刻不容缓的事情。
发明内容
为了解决技术存在的困难，本发明提供一种以透明胶带为基底，利用胶带剥离工艺构建大面积、高性能、柔性且可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法。
通过干法转移与湿法刻蚀，粘附力的不同，实现了铜硅的分离，进一步通过刻蚀液刻蚀铜层，制备顶栅顶接触的器件来验证方法的可行性，测试结果表明器件保持应有的性能。本方法工艺简单、成本低廉、实用性强，在器件的制备与集成中具有重要应用前景。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）纳米线的生长：制备模板，然后在模板上自组装生长纳米线阵列；
2）基底的制作：在牺牲基底表面镀一层牺牲层，然后在牺牲层上制作栅极和源、漏电极；
3）纳米线的转移：将胶带铺在生长了纳米线阵列的模板上，纳米线阵列会粘附在透明胶带上，剥离胶带，纳米线阵列会附着在胶带上一同被转移贴附在步骤2）制作的基底上；
4）器件的构筑：利用胶带与牺牲层之间的粘附力较牺牲基底与牺牲层之间的粘附力大的特性，将牺牲层与牺牲基底分离，并转移至牺牲层刻蚀液中刻蚀，得到以胶带为基底的晶体管阵列。
本发明一个较佳实施例中，所述牺牲基底为硅片，所述牺牲层为蒸镀的一层铜，镀铜是在硅片上利用磁控溅射的方法蒸镀的。
本发明一个较佳实施例中，所述刻蚀液为饱和过硫酸铵。
本发明一个较佳实施例中，栅极和源、漏电极是用金属材料金通过光刻、显影、蒸镀沉积形成的。
本发明一个较佳实施例中，光刻采用的是两次接触式对准曝光，首先通过一次光刻，调焦、调平刻出栅极，然后通过“十字”对准的方法，对应于栅极，刻出源、漏电极。
本发明一个较佳实施例中，制作的栅极和源、漏电极与所述牺牲层之间还设有一层绝缘层，所述绝缘层为Si3N4材料制作。
本发明一个较佳实施例中，步骤3）中所述的纳米线阵列的转移是将模板放在载玻片上，用胶带平铺贴附于模板表面，并倒置于另外一个载玻片上，适度挤压两载玻片以便于纳米线阵列全部转移至胶带上，然后剥离带有纳米线阵列的胶带。
本发明一个较佳实施例中，所述模板为在光栅的辅助下制备的PDMS模板。
本发明一个较佳实施例中，所述纳米线生长为通过物理气相沉积方法自组装生长出来的大面积纳米线阵列。
本发明一个较佳实施例中，所述胶带为透明胶带。
本发明解决了背景技术中存在的缺陷，本发明具备以下有益效果：
1、工艺简单，成本低廉，为后续可能的器件大规模集成提供方便；
2、器件转移的成功率几乎为100%；
3、按照此方法能够转移得到大面积柔性器件，对于应用在柔性电子器件方面具有很大潜力能保持应有性能；
4、按照此方法能得到大面积柔性器件，并能保持应有性能；
5、此方法可拓展从有机到无机半导体材料，普适性高。
转移过程则是通过粘附力的差异，实现了铜硅的分离，首先将镀铜基底用工具刀划掉部分边角，这样有利于铜层顺利剥离Si基底，然后把已经转移了材料的透明胶带紧贴于已经镀好电极的Cu/Si基底上，并放置在两个载玻片中间，轻轻挤压保持1min，使得透明胶带与镀好电极的Cu/Si基底接触更加紧密，然后用铜刻蚀液（饱和过硫酸铵(NH4)2S2O8）刻蚀铜层3-4s，待铜刻蚀完全后，将所述附带有器件结构的胶带基底转移至去离子水中，使其漂浮在去离子水表面洗去刻蚀液，清洗20-30s，接着将胶带转移至管式炉中，以75℃退火去除表面残留水渍，就得到了以透明胶带为基底的顶栅顶接触器件结构的有机纳米线场效应晶体管阵列，而且经刻蚀液刻蚀之后的硅片，能够取出后清洗回收再利用。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1中a、b、c、d和e依次是为发明的优选实施例的在透明胶带上构筑有机场效应晶体管流程图；
图2为在透明胶带上构筑有机场效应晶体管流程的实物图；
图3为最终的器件结构显微镜图片；
图4和图5为最终在胶带上构筑的晶体管电学性能图。
具体实施方式
现在结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
为达到上述发明目的，本发明所采用的一种技术方案是：
1）衬底的清洗：取一部分Si片浸入piranha溶液3小时，然后依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗10 min，最后用氮气吹干；
2）镀铜：取部分清洗干净的Si片衬底放入玻璃器皿，置于氧等离子体去胶机中，在功率300W的条件下，处理600s后，利用磁控溅射的方法在处理后的硅片衬底表面以1 Å/s蒸镀一层铜(300nm)，然后用清洗液对镀铜硅片进行冲洗，去除表面杂质；
3）制备栅极：在洗净的镀铜硅片上通过光刻、显影、蒸镀沉积金属材料金作为栅极；
4）绝缘层的制备：利用磁控溅射的方法在已经镀好的栅极基底上镀一层Si3N4作为绝缘层；
5）制备源、漏电极：在镀好绝缘层的基片上，通过光刻、显影、蒸镀沉积金属材料金作为源、漏电极；
6）纳米线阵列的生长和转移：在光栅的辅助下，制备PDMS模板，通过物理气相沉积（PVD）方法生长纳米线阵列，利用胶带将纳米线阵列转移至胶带上，进一步转移至已镀好电极的Cu/Si基底上。
7）器件的构筑：由于胶带与铜之间的粘附力较硅与铜之间的粘附力大，所以可以利用胶带的粘附力直接将铜与硅基底分离，进一步将电极及纳米线阵列转移至胶带上，接着将其置于铜刻蚀液（饱和过硫酸铵(NH4)2S2O8）中，待铜反应完全后，将所述附带有电极图形的胶带基底转移至去离子水中使其漂浮在去离子水表面洗去刻蚀液，接着将胶带转移至管式炉中，以75℃退火去除表面残留水渍，就得到了以透明胶带为基底的有机纳米线阵列场效应晶体管。
本发明的一种优选实施例中，步骤1）中所述的piranha溶液为浓硫酸：双氧水 =3：1的强氧化性溶液，可将SiO2表面的有机物氧化掉并大量增加SiO2表面的羟基数目，增加其浸润性。SiO2/Si片基底中SiO2层的厚度为300 nm，清洗溶剂分别为丙酮，乙醇，去离子水，各超声10 min。
本发明的一种优选实施例中，步骤2）中所述的镀铜是利用磁控溅射的方法在处理后的硅片衬底表面以1 Å/s蒸镀一层铜(300nm)作为牺牲层，与饱和(NH4)2S2O8进行反应。
本发明的一种优选实施例中，步骤3）中所述的栅极的制备是通过光刻的方法将电极图案化，然后蒸镀一层金（75 nm）电极，接着用丙酮将光刻胶洗掉，留下了图案化的栅极。（光刻的具体条件：匀胶机参数为先500 r 6 s 后 3500 r 30 s，烘胶温度和时间均分别为100 ℃ 3 min，显影时间为12 s）
本发明的一种优选实施例中，步骤4）中所述的绝缘层Si3N4的厚度为50nm。
本发明的一种优选实施例中，步骤5）中所述的源、漏电极的制备是通过热蒸发金属镀膜仪蒸镀一层75nm厚的金。
本发明的一种优选实施例中，步骤7）中所述的转移过程则是通过粘附力的差异，实现了铜硅的分离，首先将镀铜基底用工具刀划掉部分边角，这样有利于铜层顺利剥离Si基底，然后把已经转移了材料的透明胶带紧贴于已经镀好电极的Cu/Si基底上，并放置在两个载玻片中间，轻轻挤压保持1min，使得透明胶带与镀好电极的Cu/Si基底接触更加紧密，然后用铜刻蚀液（饱和过硫酸铵(NH4)2S2O8）刻蚀铜层3-4s，待铜刻蚀完全后，将所述附带有器件结构的胶带基底转移至去离子水中，使其漂浮在去离子水表面洗去刻蚀液，清洗20-30s，接着将胶带转移至管式炉中，以75℃退火去除表面残留水渍，就得到了以透明胶带为基底的顶栅顶接触器件结构的有机纳米线场效应晶体管阵列，而且经刻蚀液刻蚀之后的硅片，能够取出后清洗回收再利用。
下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。
如图1-5所示，本发明的第一种优选实施例包括以下步骤：
1）衬底的清洗：取一部分Si片浸入piranha溶液3小时，然后依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗10 min，最后用氮气吹干；
2）镀铜：取部分清洗干净的Si片衬底放入玻璃器皿，置于氧等离子体去胶机中，在功率300W的条件下，处理600s后，利用磁控溅射的方法在处理后的硅片衬底表面以1 Å/s蒸镀一层铜(300nm)，然后用清洗液对镀铜硅片进行冲洗，去除表面杂质；
3）制备栅极：在洗净的镀铜硅片上通过光刻、显影、蒸镀沉积金属材料金作为栅极；
4）绝缘层的制备：利用磁控溅射的方法在已经镀好的栅极基底上镀一层Si3N4作为绝缘层；
5）制备源、漏电极：在镀好绝缘层的基片上，通过光刻、显影、蒸镀沉积金属材料金作为源、漏电极；
6）纳米线阵列的生长和转移：在光栅的辅助下，制备PDMS模板，通过物理气相沉积（PVD）方法生长纳米线阵列，利用胶带将纳米线阵列转移至胶带上，进一步转移至已镀好电极的Cu/Si基底上。
7）器件的构筑：由于胶带与铜之间的粘附力较硅与铜之间的粘附力大，所以可以利用胶带的粘附力直接将铜与硅基底分离，进一步将电极及纳米线阵列转移至胶带上，接着将其置于铜刻蚀液（饱和过硫酸铵(NH4)2S2O8）中，待铜反应完全后，将所述附带有电极图形的胶带基底转移至去离子水中使其漂浮在去离子水表面洗去刻蚀液，接着将胶带转移至管式炉中，以75℃退火去除表面残留水渍，就得到了以透明胶带为基底的有机纳米线阵列场效应晶体管。
以上依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定技术性范围。
Claims (8)
1.一种以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)纳米线的生长：制备模板，然后在模板上自组装生长纳米线阵列；
2)基底的制作：在牺牲基底表面镀一层牺牲层，所述牺牲基底为硅片，牺牲层是在硅片上利用磁控溅射蒸镀获得的铜层；然后在牺牲层上制作栅极和源、漏电极；
3)纳米线的转移：将生长了纳米线阵列的模板放在载玻片上，用胶带平铺贴附于模板表面，并倒置于另一载玻片上，适度挤压两载玻片使纳米线阵列粘附在透明胶带上，剥离胶带，纳米线阵列会附着在胶带上一同被转移贴附在步骤2)制作的基底上；
4)器件的构筑：利用胶带与牺牲层之间的粘附力较牺牲基底与牺牲层之间的粘附力大的特性，将牺牲层与牺牲基底分离，并转移至牺牲层刻蚀液中刻蚀，得到以胶带为基底的晶体管阵列。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述刻蚀液为饱和过硫酸铵。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：栅极和源、漏电极是用金属材料金通过光刻、显影、蒸镀沉积形成的。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：光刻采用的是两次接触式对准曝光，首先通过一次光刻，调焦、调平刻出栅极，然后通过“十字”对准的方法，对应于栅极，刻出源、漏电极。
5.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于：制作的栅极和源、漏电极与所述牺牲层之间还设有一层绝缘层，所述绝缘层为Si3N4材料制作。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述模板为在光栅的辅助下制备的PDMS模板。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述纳米线生长为通过物理气相沉积方法自组装生长出来的大面积纳米线阵列。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述胶带为透明胶带。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510810301.5A CN105470390B (zh) | 2015-11-23 | 2015-11-23 | 以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510810301.5A CN105470390B (zh) | 2015-11-23 | 2015-11-23 | 以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105470390A CN105470390A (zh) | 2016-04-06 |
| CN105470390B true CN105470390B (zh) | 2017-12-15 |
Family
ID=55607901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510810301.5A Active CN105470390B (zh) | 2015-11-23 | 2015-11-23 | 以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105470390B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108663387B (zh) * | 2018-05-16 | 2021-11-09 | 国家纳米科学中心 | 一种湿法刻蚀制备纳米颗粒tem样品的方法 |
| CN108831828B (zh) * | 2018-06-05 | 2021-01-08 | 中山大学 | 可应用于多种表面的柔性电子器件及其制备方法 |
| CN112216807A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-12 | 吉林大学 | 利用毛细管力制备高度有序的柔性银纳米线电极的方法及应用 |
| CN114397047B (zh) * | 2021-12-09 | 2024-02-23 | 大连理工大学 | 一种牺牲层辅助的超薄柔性压力传感器制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103413760A (zh) * | 2013-08-28 | 2013-11-27 | 苏州大学 | 模板辅助挥发诱导自组装构筑有机微米线阵列的方法 |
| CN103681965A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-03-26 | 常州大学 | 柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法 |
| CN104091845A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-08 | 南京大学 | ZrS3纳米带薄膜的柔性光探测器 |
| CN104934329A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-09-23 | 吉林建筑大学 | 一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8847313B2 (en) * | 2008-11-24 | 2014-09-30 | University Of Southern California | Transparent electronics based on transfer printed carbon nanotubes on rigid and flexible substrates |
| GB0912034D0 (en) * | 2009-07-10 | 2009-08-19 | Cambridge Entpr Ltd | Patterning |
-
2015
- 2015-11-23 CN CN201510810301.5A patent/CN105470390B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103413760A (zh) * | 2013-08-28 | 2013-11-27 | 苏州大学 | 模板辅助挥发诱导自组装构筑有机微米线阵列的方法 |
| CN103681965A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-03-26 | 常州大学 | 柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法 |
| CN104091845A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-08 | 南京大学 | ZrS3纳米带薄膜的柔性光探测器 |
| CN104934329A (zh) * | 2015-04-28 | 2015-09-23 | 吉林建筑大学 | 一种基于柔性衬底材料氧化锌薄膜晶体管的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| "Dual Gate Black Phosphorus Field Effect Transistors on Glass for NOR Logic and Organic Light Emitting Diode Switching ";Jin Sung Kim等;《Nano Lett.》;20150814;第15卷(第9期);全文 * |
| "Very facile fabrication of aligned organic nanowires based high-performance top-gate transistors on flexible, transparent substrate";WeiDeng等;《Organic Electronics》;20140731;第15卷(第7期);第1318页第2栏第2段至第1322页第2栏第1段，图1-4 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105470390A (zh) | 2016-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103646855B (zh) | 石墨烯器件的制作方法 | |
| CN109801739B (zh) | 一种高精度图案化可拉伸电极及其制备方法 | |
| US20130149463A1 (en) | Method of manufacturing patterned graphene film | |
| CN105470390B (zh) | 以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法 | |
| CN103964413B (zh) | 一种提高碳纳米管平行阵列密度的方法 | |
| CN109300774B (zh) | 一种微米级含有金属电极的石墨烯层的加工和转移的方法 | |
| CN103337449B (zh) | 硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法 | |
| CN106298466A (zh) | 基于热释胶带的二维过渡金属硫属化合物转移方法 | |
| CN107946189A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN103413760B (zh) | 模板辅助挥发诱导自组装构筑有机微米线阵列的方法 | |
| CN107230615B (zh) | 一种石墨烯电极的制备方法 | |
| CN103996624A (zh) | 柔性碳纳米管晶体管的制备方法 | |
| CN105185910B (zh) | 利用毛笔制备有机半导体单晶微纳线阵列的方法 | |
| CN103258960A (zh) | 一种有机薄膜晶体管的制备方法 | |
| CN103280404B (zh) | 一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法 | |
| CN106024594A (zh) | 一种基于soi的二维材料电极掩模版制备方法 | |
| CN111987173B (zh) | 一种可集成的二维光电突触器件阵列及其制备方法 | |
| CN107265396A (zh) | 机械可控纳米间隙的单层石墨烯单分子结制备方法 | |
| CN108281357A (zh) | 基于Al2O3介质栅衬底制备二维材料场效应管的方法 | |
| CN103630574B (zh) | 一种石墨烯dna传感器的制备方法 | |
| CN103606634B (zh) | 一种图案化金属电极及其制备方法 | |
| CN113488373B (zh) | 一种干法制备单层二维半导体阵列的方法 | |
| TWI823045B (zh) | 場效應電晶體及其製備方法 | |
| CN100573959C (zh) | 一种有源层图形化的有机薄膜晶体管的制备方法 | |
| CN113683083A (zh) | 一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |