CN105453704B - 用于利用光开关进行返回光束量测的系统和方法 - Google Patents
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Abstract
当激光撞击靶时在激光光束产生的等离子体LPP EUV光源中产生极紫外光EUV。通过返回光束诊断RBD模块测量来自靶的反射光(110)提供了关于EUV产生的数据，包括但不限于靶位置、靶焦点、靶形状和靶轮廓，在RBD模块中，控制器(240)给光开关(200)排序以在阻挡元件(220)与感测装置(230)之间引导反射光，从而提供了在EUV生成过程的诸如撞击靶的激光的不同功率水平和占空比等的不同方面期间在测量反射光时的较大的灵活性。
Description
技术领域
本发明总体涉及用于光刻的激光技术，并且更特别地涉及极紫外(EUV)光产生的优化。
背景技术
半导体工业不断发展能够印刷越来越小的集成电路尺寸的光刻技术。极紫外(EUV)光(有时也称作软x射线)一般被定义为具有在10纳米和110纳米(nm)之间的波长的电磁辐射。EUV光刻一般被认为包括处于在10nm至14nm的范围内的波长的EUV光，并且被用来在诸如硅晶片等的衬底中产生极小特征(例如，亚32nm特征)。这些系统必须高度可靠并且提供有成本效益的吞吐量和合理的工艺宽容度。
产生EUV光的方法包括但不一定限于利用在EUV范围内的一种或多种发射线将材料转换成具有一种或多种元素(例如，氙、锂、锡、铟、锑、碲、铝等)的等离子体状态。在一种这样的方法中，经常被称为激光产生的等离子体(LPP)的所要求的等离子体可以通过在辐射部位用激光束辐射诸如具有期望的谱线发射元素的材料的微滴、流或簇等的靶而产生。
谱线发射元素可以是纯的形式或者合金形式(例如，在期望的温度是液体的合金)，或者可以用诸如液体等的另一材料混合或分散。该靶被传递至期望的辐射部位(例如，主焦斑)并且在用于等离子体引发和EUV光的生成的LLP EUV源等离子体室内用激光源照射。对于诸如来自高功率CO2激光源等的激光束而言有必要的是：被聚焦在靶将通过的位置上并且被以使得当靶材料通过那个位置时与靶材料交叉的方式定时，以便正确地撞击靶以获得良好的等离子体、并因此获得良好的EUV光。
与EUV源一起使用返回光束量测以观察生成EUV光的过程，例如，观察并测量当用激光源照射靶时从靶反射的光。这样的测量被称作返回光束诊断(RBD)。这些返回光束诊断可以包括靶位置和形状的测量、激光源照射的有效性、激光源焦点和类似物。
这些RBD测量通过诸如对激光源的波长进行响应的照相机、红外检测器或微测热辐射计等的感测装置来进行。归因于这些感测装置的操作原理，它们对反射光的曝光应该在当将要进行测量时被控制。
限制感测装置对反射光的曝光的一种已知方法是凭借诸如周期性地阻挡去往感测装置的光学路径的一组不透明转动叶片等的机械断续器(interrupter)的使用。叶片的几何形状和转动速度限定了固定的接通和断开时间，其中叶片之间的间距和转动速度限定了其中清晰的光学路径被提供用于反射光到达感测装置的接通时间，并且不透明叶片的宽度和转动速度限定了其中反射光被阻挡而不到达感测装置的断开时间。
因为断续器限定了进行测量的时间，所以这样的断续器的固定性质在其与激光源一起的使用时强加了限制。断续器接通和断开时间不容易在测量对测量的基础上改变。因此，难以在不同的操作条件下维持断续器与脉冲激光源之间的同步。需要同步以保证反射光在曝光周期的近似中央时到达传感器，使得感测装置被用反射光充分地照射。感测装置部分地被叶片阻隔时进行的测量将产生错误的读数。
因此，需要的是一种控制到达用于在EUV源中进行返回光束诊断测量的感测装置的反射光的改进方式。
发明内容
在实施例中提供了一种用于测量从激光产生的等离子体极紫外光源中的靶反射的光的方法，该方法包括：(a)在光开关处接收反射光；(b)通过光开关将接收到的反射光沿着第一光学输出路径从光开关引导至光阻挡元件；(c)在控制器处接收第一激光源发射信号；(d)响应于接收到的第一激光源发射信号，将信号从控制器通信传送至光开关，以将接收到的反射光沿着第二光学输出路径从光开关引导至感测装置；(e)由感测装置测量接收到的反射光；(f)在跟随步骤(d)的第一预定时间段之后，使将接收到的反射光沿着第一光学路径从光开关引导至光阻挡元件的信号从控制器通信至光开关；和(g)在控制器处接收第二激光源发射信号，并且如果在第一预定时间段加上第二预定时间段之后在控制器处接收到第二激光源发射信号，那么重复步骤(d)至(f)，其中步骤(d)响应于第二激光源发射信号，否则忽略在控制器处接收到的第二激光源发射信号。
在实施例中，第一预定时间和第二预定时间通过激光源的占空比来确定。
在实施例中提供了一种返回光束诊断系统，用于测量从激光产生的等离子体极紫外光源中的靶反射的光，包括：光开关，位于光学输入路径上，光开关接收当靶被激光源照射时从靶反射的光，光开关被配置成具有将接收到的反射光从光开关引导在第一光学输出路径上的第一状态，光开关被配置成具有将接收到的反射光从光开关引导在第二光学输出路径上的第二状态；光阻挡元件，位于第一光学输出路径上；感测装置，位于第二光学输出路径上，感测装置被配置成测量接收到的反射光；和控制器，被配置成通过指示光开关执行以下测量序列对第一激光源发射信号做出响应：从第一状态改变至第二状态，由此将接收到的反射光从光开关沿着第二光学输出路径引导至感测装置以用于测量，和在第一预定时间段之后从第二状态改变至第一状态，控制器进一步被配置成：如果在第一预定时间段加上第二预定时间段之后在控制器处接收到第二激光源发射信号，则通过重复测量序列对第二激光源发射信号做出响应，否则忽略在控制器处接收到的第二激光源发射信号。
附图说明
图1是图示出可以在其中使用本方法的典型LPP EUV系统的部件中的一些的示意图。
图2是根据实施例的返回光束诊断模块的图。
图3是根据实施例的返回光束诊断模块的操作的流程图
图4a是根据实施例的在低占空比模式中的返回光束诊断模块的操作的图表。
图4b是根据实施例的在高占空比模式中的返回光束诊断模块的操作的图表。
图4c是根据实施例的在连续波模式中的返回光束诊断模块的操作的图表。
具体实施方式
在极紫外(EUV)光源中，EUV光通过利用来自激光源的激光辐射靶将靶转换成等离子体而产生。这样的EUV源被称为激光产生的等离子体(LPP)EUV源。LPP EUV源例如作为较大光刻系统中的部件在用于生产集成电路的光刻中使用。
在EUV源中使用返回光束量测以测量生成EUV光的过程，例如测量在用激光源照射靶时来自靶的反射光。这样的测量被称作返回光束诊断(RBD)。这些返回光束诊断可以包括靶位置和形状的测量、激光源照射的有效性、激光源焦点和类似物。
为了进行这些测量，来自由激光源照射的靶的反射光被引导至RBD模块。
在RBD模块的实施例中，用产生反射光的二维表示的诸如对激光源的波长进行响应的红外照相机、微测热辐射计阵列、热释电摄像机(pyrocam)、四芯组传感器(quadsensor)、电荷耦合成像器或者其他合适的检测器等的感测装置来测量反射光。因为感测装置本质上是保热的，所以感测装置在它曝光于反射光持续第一预定时间段(曝光时间)时变热。在该曝光时间之后，通过感测装置进行测量。感测装置接着被允许恢复到曝光前状态持续至少第二预定时间段(恢复时间)。响应于来自激光源的激光发射信号的控制器给光开关排序使得反射光被引导至感测装置持续曝光时间，并且接着被引导至阻挡元件持续至少恢复时间。
一旦过了恢复时间，另一测量序列接着由控制器响应于来自激光源的第二激光源发射信号而启动。相比之下，在曝光加上恢复时间内接收的第二激光源发射信号被忽略。
通过使控制器响应于来自激光源的发射信号给光开关排序，RBD模块在控制或调节反射光的测量时具有较大的灵活性，例如，通过在激光源的占空比改变时使感测装置对反射光的曝光变化。如本领域中已知的，占空比是与总周期有关的激光源有效时的时间段，范围从低占空比变化至高占空比、变化至其中激光源连续地发射的连续波操作。
由于感测装置本质上是保热的，所以太长的曝光时间导致传感器饱和，从而产生不准确的测量。给光开关排序的控制器可以响应于改变的条件、例如响应于对激光源的功率水平的改变或对感测装置的环境状态诸如其操作温度等的改变而使曝光时间和恢复时间两者变化。
在RBD模块的实施例中，反射光由位于光学输入路径上的光开关接收。在第一状态中，光开关将反射光沿着第一光学输出路径从光开关引导至阻挡元件。在第二状态中，光开关将反射光沿着第二光学输出路径从光开关引导至感测装置用于测量。
透镜可以被放置在光学路径中以将反射光聚焦在感测装置上；透镜可以被放置在第二光学输出路径上或在去往光开关的光学输入路径上。
光开关由控制器响应于第一激光源发射信号进行操作。响应于第一激光源发射信号，控制器指示光开关通过从第一状态改变到第二状态而开始测量序列，从而将来自光开关的反射光沿着第二光学输出路径引导至感测装置用于测量。在第一预定曝光时间之后，控制器指示光开关改变回到第一状态，从而将来自光开关的反射光引导至阻挡元件。如果第二激光源发射信号在第一预定曝光时间加上第二预定恢复时间之后在控制器处被接收到，则控制器通过重复测量序列而对第二激光源发射信号做出响应，否则第二激光源发射信号被忽略。
凭借光开关的该排序，控制器选择反射光的哪部分由感测装置测量。这些第一和第二预定时间可以根据激光源的占空比而改变。在一个实施例中，数学函数将激光源的占空比的估计映射至第一和第二预定时间。在另一实施例中，含有预定条目的查找表可以被使用并且通过激光源的估计的占空比被索引，其中条目含有第一和第二预定时间。
在第一曝光时间期间反射光被从光开关引导至感测装置。
在跟随曝光时间的第二恢复时间期间，反射光被从光开关引导至阻挡元件。在实施例中，在恢复时间期间，数据被从感测装置读取用于处理，并且感测装置恢复用于另一测量序列。
图1图示出典型LPP EUV系统100的部件中的一些。诸如高功率CO2激光器等的激光源101产生激光束102，激光束102通过光束传递系统103并通过聚焦光学器件104。聚焦光学器件104具有在LPP EUV源等离子体室120内的辐射部位处的辐射靶106的主焦斑105。微滴生成器107产生并喷出适当的靶材料的靶微滴108。当在辐射部位由激光束102辐射时，靶106产生发射EUV光的等离子体。椭圆形收集器109使来自等离子体的EUV光聚焦用于将产生的EUV光传递至例如未示出的光刻系统。在一些实施例中，可以存在有具有全部会聚在聚焦光学器件104上的光束的多个激光源101。一个类型的LPP EUV光源可以使用CO2激光器和具有防反射涂层和大约6英寸至8英寸的清晰光圈的硒化锌(ZnSe)透镜。
为了测量EUV生成过程，来自靶106的反射光110被引导至图2中更详细地示出的返回光束诊断(RBD)模块111。在一个实施例中，如图1所示，反射光110通过聚焦光学器件104。反射光110被引导至RBD模块111；反射光110可以通过光束传递系统103，或者可以诸如通过使用反射镜、分束器或本领域中已知的其他技术等被从光束传递系统103单独地引导。
现在转至图2，示出了根据实施例的RBD模块111。反射光110(来自图1的靶106)由光开关200沿着光学输入路径201从LPP EUV源等离子体室120中的靶106接收。
在第一状态中，光开关200将反射光110在第一光学输出路径202上引导至阻挡元件220。
在第二状态中，光开关200将反射光110在第二光学输出路径204上引导至感测装置230。
在一个实施例中，诸如布拉格盒(Bragg cell)等的声光开关被用于光开关200。如本领域中已知的，由布拉格盒引入的光偏转是横跨盒施加的开关信号的函数。
虽然诸如布拉格盒等的声光开关在一个实施例中被用于光开关200，但是在其他实施例中可以使用其他技术，诸如其他形式的声光调制器、电光调制器、微机电(MEMS)反射镜或机电开关等。
阻挡元件220在当光开关200处于第一状态时沿着第一光学输出路径202接收反射光110。在实施例中，阻挡元件220是诸如具有非反射表面的热沉等的光阻挡件。
在备选实施例中，阻挡元件220可以是诸如光功率计或光电磁(PEM)检测器等的光功率传感器。
在备选实施例中，阻挡元件220可以是感测装置320的未用于测量反射光110的一部分，例如，感测元件的未使用部分，或者感测装置230的外壳的一部分。
当光开关200处于第二状态时，反射光110在第二光学输出路径204上被引导至感测装置230用于测量。
在实施例中，感测装置230是产生反射光110的二维表示的诸如红外照相机、微测热辐射计阵列或热释电摄像机等的红外检测器。感测装置230测量反射光110，发送测得的数据并且在路径225上例如从控制器240或者测量或控制计算机(未示出)接受控制命令。路径225可以是用于所使用的感测装置230的类型的任何合适的数据链路。示例包括串行或并行链路、通用串行总线(USB、USB3)、IEEE1394/以太网或其他合适的数据链路。
在实施例中，透镜210在光开关200与感测装置230之间被放置在第二光学输出路径204上，以当光开关200处于第二状态时将反射光110聚焦在感测装置230上。在备选实施例中，透镜210可以被放置在去往光开关200的光学输入路径201上。
控制器240被耦合以接收激光源发射信号245。在实施例中，激光源发射信号245可以由激光源101产生，或者由使用LPP EUV系统100的光刻系统产生。响应于第一激光源发射信号245，控制器240将光开关200从其中反射光110被沿着第一光学输出路径202引导至阻挡元件220的第一状态改变至其中反射光110被沿着第二光学输出路径204引导至感测装置230的第二状态，从而开始了测量序列。在从将光开关200改变至第二状态开始的第一预定时间段(曝光时间)之后，控制器240将光开关230改变至其中反射光110被沿着第一光学输出路径202再次引导至阻挡元件220的第一状态。在将光开关200从第二状态改变至第一状态之后，在控制器240处接收第二激光源发射信号245。如果第二激光源发射信号245在第一预定曝光时间加上第二预定恢复时间之后在控制器240处被接收到，则执行另一测量序列，否则第二激光源发射信号被忽略。
该测量方法的实施例示出在图3的流程图中。
在步骤310中，在光开关处接收反射光。在实施例中，在光开关200处接收反射光110。
在步骤320中，将接收到的反射光引导至光阻挡元件。在实施例中，光开关200将反射光110沿着第一光学输出路径202引导至光阻挡元件220。在实施例中，该步骤作为RBD诊断模块111的初始化序列的一部分执行。在另一实施例中，光开关200的设计在光开关200处于默认状态时将反射光110沿着第一光学输出路径202引导。
在步骤330中，由控制器接收激光源发射信号。在实施例中，控制器240接收激光源发射信号245。
在步骤340中，将接收到的反射光引导至感测装置。在实施例中，光开关200从响应于激光源发射信号245的控制器240接收信号242，从而将接收到的光110沿着第二光学输出路径204引导至感测装置230。
在步骤350中，测量接收到的反射光。在实施例中，感测装置230测量在第二光学路径240上接收到的反射光110。
在步骤360中，在跟随步骤340的第一预定时间段之后，将接收到的反射光引导至阻挡元件。在实施例中，在第一预定时间段(曝光时间)之后，控制器240向光开关200发出将反射光110沿着第一光学路径202引导至光阻挡元件220的信号242。该步骤可以与步骤350重叠，其中由感测装置230进行的测量在预定第一曝光时间之后开始。
在步骤370中，在执行了步骤360之后，在控制器处接收第二激光源发射信号。在实施例中，控制器240接收第二激光源发射信号245。
在步骤380中，如果第二激光源发射信号在第一预定时间段(曝光时间)加上第二预定时间段(恢复时间)之后在控制器处被接收到，那么通过重复步骤340至360使过程继续，其中步骤340响应于第二激光源发射信号。在实施例中，只有当第二激光源发射信号245在曝光时间加上恢复时间之后被接收到时，第二激光源发射信号245才开始利用步骤340通过控制器240进行的另一测量序列。
备选地，在步骤380中，如果第二激光源发射信号在第一预定时间段(曝光时间)加上第二预定时间段(恢复时间)内被接收到，则第二激光源发射信号被忽略。在实施例中，如果第二激光源发射信号245在曝光时间加上恢复时间内被接收到，则第二激光源发射信号245被控制器240忽略。
如已知的，在EUV光源100的操作中，EUV光的输出功率可以通过使激光源101的占空比(也就是在给定间隔中的激光源101发射时的时间量)变化而变化，从而导致EUV光的产生。该占空比可以从其中激光源101不频繁地发射的诸如由图4a中激光源发射信号245所示出的低占空比变化至其中激光源101快速地发射的诸如由图4b中的激光源发射信号245所示出的高占空比、变化至其中激光源101连续地发射的诸如由图4c中的激光源发射信号245所示出的连续模式操作。
现在参见图4a，示出了根据实施例的处于低占空比激光源发射模式的RBD模块111的操作。激光源发射信号245在发出图1的激光源101的发射的信号的时间402处从低电平转变至高电平。激光源发射信号245在时间404处转变为低，从而发出激光脉冲的结束的信号。
在实施例中，响应于第一激光源发射信号402，控制器240向光开关200发出将反射光110引导至感测装置230的信号242，从而开始了测量序列。
在控制器240向光开关200发出将反射光110引导至感测装置230用于测量的信号242之后，控制器240在第一预定曝光时间之后向光开关200发出将反射光110引导至光阻挡元件220的信号242。在实施例中，光开关200保持处于第二状态持续用时间T1430表示的从时间402至时间404的第一预定曝光时间。
在实施例中，在第一预定曝光时间T1430结束时，控制器240将光开关200从第二状态改变至第一状态，从而将反射光110远离感测装置230引导并沿着第一光学输出路径202引导至阻挡元件220。
如果第二激光源发射信号在第一预定曝光时间加上第二预定恢复时间之后在控制器240处被接收到，则开始另一测量序列，否则第二激光源发射信号被忽略。如示出的，第二激光源发射信号410在第一预定曝光时间加上第二预定恢复时间之后被接收到，并且开始通过控制器240向光开关200发出将反射光110引导至感测装置230的信号412示出的另一测量。
感测装置230的在测量反射光时的响应被示出为线420。在实施例中，感测装置230的响应可以使用对于电子领域已知的指数充电/放电特性来建模。当在曝光时间T1430期间曝光于反射光110时，感测装置230以指数方式变热。当曝光时间T1430在时间404处结束时，感测装置230在测量时间T2440期间被读出。在该测量时间T2440期间，感测装置230变凉。该变凉过程被建模为继续通过时间T3450的指数过程。该恢复时间(时间T2440加上时间T3450)使感测装置230返回至其中可以进行另一测量序列的状态。注意，恢复时间可以在不会显著地改变由感测装置230进行的测量的状态下更长。
在实施例中，曝光时间T1430被预先确定以防止感测装置230饱和。饱和水平被示出为图4a的线460。太长的曝光时间T1导致感测装置230的饱和，这进而导致测量准确度上的损失。极度饱和会导致对感测装置230造成损坏。相反，太短的曝光时间T1导致感测装置230的未使用的动态范围。因此，在实施例中，曝光时间被选择以在没有过度饱和的情况下最好地利用感测装置230的动态范围。
在实施例中，曝光时间T1可以被固定使得感测装置230的饱和在计划的操作下不会发生。在另一实施例中，曝光时间T1被调整使得由感测元件感测到的最大像素值在饱和水平的预定值内。在另一实施例中，曝光时间T1被调整使得感测装置230中的不超过预定数量或百分比的像素被饱和。
类似地，恢复时间T2+T3可以例如在RBD模块111的制造期间被固定。在另一实施例中，恢复时间T2+T3通过使T3变化来调整，从而使测量时间T2440保持固定。作为示例，恢复时间T2+T3可以在考虑诸如RBD模块111和感测装置230的操作温度等的环境因素下被调整。恢复时间T2+T3可以基于由感测装置230测得的峰值来调整，例如通过确定感测装置230从峰值恢复至准许随后的测量循环的值所需的恢复时间。作为示例，对于特别的感测装置而言，曝光时间T1为近似10毫秒，并且恢复时间T2+T3为近似10毫秒；使用不同的感测装置，曝光时间T1为近似1毫秒，以及恢复时间T2+T3近似5毫秒。
现在参见图4b，示出了根据实施例的处于高占空比激光源发射模式的RBD模块111的操作。当激光源发射信号402在一系列脉冲405内从低转变到高到低到高时，来自控制器240的控制信号242指示光开关200从第一状态至第二状态，从而开始了测量序列。在从开始测量序列的第一预定曝光时间T1430之后，控制器200指示控制信号242和光开关200至第一状态持续恢复时间(时间T2440加上时间T3450)。
如果第二激光源发射信号在第一预定曝光时间T1430加上第二预定恢复时间T2440加上时间T3450之后在控制器240处被接收到，则开始另一测量序列，否则第二激光源发射信号被忽略。
在第一预定曝光时间T1430加上第二预定恢复时间T2440加上时间T3450期间出现的附加激光源发射信号245于是被忽略。相比之下，激光源发射信号410在时间408处跟随第一预定曝光时间T1430加上第二预定恢复时间T2440加上时间T3450，并且开始通过控制器240向光开关200发出将反射光110引导至感测装置230的信号412示出的另一测量序列。
现在参见图4c，示出了处于连续波激光源发射模式的RBD模块111的操作。当图1的激光源101以连续波模式发射时，如通过激光源发射信号300在302处转变为高并保持为高所指示出的，控制器240以与参照图4b描述的高占空比模式中类似的方式给光开关控制信号245排序。一旦第一预定曝光时间T1430加上第二预定恢复时间T2440加上时间T3450已在时间408处完成了，以及激光源发射信号245仍然为高，于是开始通过控制器240向光开关200发出将反射光110引导至感测装置230的信号412示出的另一测量序列。
应该注意的是，虽然已经相对于基于红外激光源的返回光束诊断说明了所公开的方法和设备，但是也可以使用其他激光源，诸如结合对所使用的源激光器的波长进行响应的感测装置使用在一个微米波长中或更短波长的激光源。
在上面已经参照多个实施例说明了所公开的方法和设备。其他实施例对于本领域技术技术人员而言按照该公开是显而易见的。所公开的方法和设备中的某些方面可以使用除了上面的实施例中所描述的那些以外的配置或者结合除了上面所描述的那些以外的元素容易地实施。例如，可以使用不同的算法和/或逻辑电路、也许比在这里所描述的那些更复杂，以及可能是不同类型的激光源、光学路径和/或聚焦透镜。
此外，还应该领会的是，所描述的方法和设备可以以很多方式来实施，包括作为过程、设备或系统。在这里所描述的方法可以通过用于命令诸如控制器240等的处理器执行这样的方法的程序指令来实施，并且这样的指令被记录在诸如硬盘驱动器、软盘、如激光盘(CD)或数字多功能盘(DVD)等的光盘、闪存存储器等等的非瞬态计算机可读存储介质上，或者在其中程序指令在光或电通信链路之上发出的计算机网络上。应该注意的是，在这里所描述的方法的步骤的顺序可以更改并且仍然在公开的范围内。
需要理解的是，所给定的示例只用于说明的目的并且可以利用不同的约定和技术扩展至其他实施和实施例。虽然公开了许多实施例，但是没有将公开限制为在这里所公开的实施例的意图。与此相反，旨在覆盖对于熟悉本领域的那些人而言显而易见的所有备选方案、修改和等效方案。
在前述说明书中，参照其特定实施例描述了发明，但是本领域技术人员将认识到的是本发明不限于此。上述发明的各种特征和方面可以单独地或联合地使用。此外，本发明可以在不脱离说明书的较宽的精神和范围的情况下在超过这里所描述的那些的任何数量的环境和应用中使用。说明书和附图因此被认为是说明性的而不是限制性的。公认的是如这里所使用的术语“包含”、“包括”和“具有”明确地意在读作本领域的开放式术语。
Claims (18)
1.一种返回光束诊断系统，用于测量从激光产生的等离子体极紫外光源中的靶反射的光，包括：
光开关，位于光学输入路径上，所述光开关接收当所述靶被激光源照射时从所述靶反射的光，
所述光开关被配置成具有将接收到的反射光从所述光开关引导在第一光学输出路径上的第一状态，
所述光开关被配置成具有将所述接收到的反射光从所述光开关引导在第二光学输出路径上的第二状态；
光阻挡元件，位于所述第一光学输出路径上；
感测装置，位于所述第二光学输出路径上，所述感测装置被配置成测量所述接收到的反射光；和
控制器，被配置成通过指示所述光开关执行以下测量序列对第一激光源发射信号做出响应：
从所述第一状态改变至所述第二状态，由此将所述接收到的反射光从所述光开关沿着所述第二光学输出路径引导至所述感测装置以用于测量，和
在第一预定时间段之后从所述第二状态改变至所述第一状态，
所述控制器进一步被配置成：如果在所述第一预定时间段加上第二预定时间段之后在所述控制器处接收到第二激光源发射信号，则通过重复所述测量序列对所述第二激光源发射信号做出响应，否则忽略在所述控制器处接收到的所述第二激光源发射信号。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述光开关是布拉格盒。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述感测装置是微测热辐射计阵列。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器基于所述激光源的占空比来确定所述第一预定时间和所述第二预定时间。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述光阻挡元件是光阻挡件。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述光阻挡元件是所述感测装置的未用于测量所述接收到的光的区域。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述光阻挡元件是光功率传感器。
8.根据权利要求1所述的系统，进一步包括位于所述光学输入路径上的聚焦透镜。
9.根据权利要求1所述的系统，进一步包括位于所述第二光学输出路径上的聚焦透镜。
10.一种用于测量从激光产生的等离子体极紫外光源中的靶反射的光的方法，包括：
(a)在光开关处接收来自所述靶的反射光；
(b)通过所述光开关将接收到的所述反射光沿着第一光学输出路径从所述光开关引导至光阻挡元件；
(c)在控制器处接收第一激光源发射信号；
(d)响应于接收到的所述第一激光源发射信号，将信号从所述控制器通信传送至所述光开关，以将所述接收到的反射光沿着第二光学输出路径从所述光开关引导至感测装置；
(e)由所述感测装置测量接收到的所述反射光；
(f)在跟随步骤(d)的第一预定时间段之后，将信号从所述控制器通信传送至所述光开关，以将所述接收到的反射光沿着所述第一光学路径从所述光开关引导至所述光阻挡元件；和
(g)在所述控制器处接收第二激光源发射信号，并且如果在所述第一预定时间段加上第二预定时间段之后在所述控制器处接收到所述第二激光源发射信号，那么重复步骤(d)至(f)，其中步骤(d)响应于所述第二激光源发射信号，否则忽略在所述控制器处接收到的所述第二激光源发射信号。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述光开关是布拉格盒。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述感测装置是微测热辐射计阵列。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述控制器基于所述激光器的占空比来确定所述第一预定时间和所述第二预定时间。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述光阻挡元件是光阻挡件。
15.根据权利要求10所述的方法，其中所述光阻挡元件是光功率传感器。
16.根据权利要求10所述的方法，进一步包括使用透镜将所述接收到的反射光聚焦在所述感测装置上。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述透镜位于所述第二光学输出路径上。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述透镜位于从所述靶到所述光开关的光学输入路径上。
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