CN105446555B - 纳米银线导电层叠结构及触控面板 - Google Patents

Abstract

一种触控面板，其采用一种纳米银线导电层叠结构，该纳米银线导电层叠结构包括一基材，一纳米银线导电电极层，设置于所述基材上方，及一粘着性保护层。该粘着性保护层设置于所述纳米银线导电电极层之上，包括透明粘着材料和透明介电材料，所述纳米银线导电电极层的折射率为n1，所述粘着性保护层的折射率为nf，所述基材的折射率为nt，n1等于nf与nt的乘积开根号。采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板更适合现在对于产品轻薄化的需求，且其制造方法亦非常简化。

Description

纳米银线导电层叠结构及触控面板

【技术领域】

本发明涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板。

【背景技术】

触控设备因其便于操作、成像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。

伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。

在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。

另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电电极已无法不能应付市场的需求，将逐渐被淘汰。

正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，目前逐渐被开发并应用的替代材料包括纳米银线(Silver Nano Wires，简称SNW)、金属网格(Metal Mesh)、碳纳米管、有机导电膜、以及石墨烯等。

其中SNW是诸多ITO替代材料目前较为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料。

传统触控屏的ITO材质的透明导电膜上会制作一层保护层，用于保护ITO层，当该保护层应用于纳米银线触控面板时，通常与表面的覆盖板或其他触控面板元件之间通过光学胶粘合，同时，为了克服纳米银线作为导电材料存在的一些问题，通常会添加一些功能层，这样的触控叠层结构较厚，而当前触控面板的轻薄化成了一致追求的方向。

【发明内容】

为克服现在触控面板的厚度问题，本发明提供一种厚度较低的纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板。

本发明解决上述技术问题提供的技术方案是：提供一种纳米银线导电层叠结构，其包括一基材，一纳米银线导电电极层，设置于所述基材上表面，及一粘着性保护层，设置于所述纳米银线导电电极层上表面，包括透明粘着材料和透明介电材料，所述纳米银线导电电极层的折射率为n1，所述粘着性保护层的折射率为nf，所述基材的折射率为nt，n1等于nf与nt的乘积开根号,所述纳米银线导电电极层的折射率为1.35-1.8，雾度不超过5％；所述透明粘着材料包括感光性粘着剂和/或热固性粘着剂，感光性粘着剂为聚丙烯酸酯系的光阻剂，热固性粘着剂的材料为环氧树脂，热固性粘着剂热交联于感光性粘着剂。

优选地，所述透明介电材料为纳米级颗粒，该纳米级颗粒掺杂在所述透明粘着材料中。

优选地，所述粘着性保护层中透明粘着材料含量为20％～98％。

优选地，所述粘着性保护层为半硬化或全硬化的粘着性保护层，所述半硬化保护层的粘着材料的反应转化率为35％-80％，所述全硬化保护层的粘着材料的反应转化率为90％-100％。

优选地，所述透明介电材料为聚亚酰胺，二氧化硅，氮硅氧化物，环氧树脂，亚克力聚合物之任意一种或上述材料的任意组合。

优选地，所述纳米银线导电层叠结构进一步包括一设置于所述粘着性保护层之上的离型层。

优选地，所述纳米银线导电层叠结构进一步包括一光学匹配层，所述光学匹配层位于基材上方任意位置,所述光学匹配层由一层低折射率光学膜和一高折射率光学膜叠加而成，所述低折射率光学膜的折射率为1.1～1.6，所述高折射率光学膜的折射率为1.8～2.7，光学匹配层的厚度为1/4波长奇数倍。

优选地，所述的纳米银线导电电极层的厚度为10nm-5um。

优选地，所述纳米银线导电电极层包括纳米银线和基质，其中所述纳米银线至少部分嵌入基质中,所述纳米银线的线长介于20μm-50μm，线径小于或等于50nm，线长与线径之比大于10。

本发明解决上述技术问题提供的另一技术方案是：提供一种纳米银线触控面板，其包括一盖板及一纳米银线导电层叠结构，该纳米银线导电层叠结构包括一基材，一纳米银线导电电极层，设置于所述基材上表面，及一粘性保护层，设置于所述纳米银线导电电极层上表面，包括透明粘着材料和透明介电材料，所述盖板通过粘着性保护层与纳米银线导电层叠结构相粘合。

优选地，所述纳米银线触控面板进一步包括一第二导电电极层，所述的第二导电电极层形成在盖板面向所述粘着性保护层的表面上。

优选地，所述的第二导电电极层的电极材料为纳米银线或ITO。

与现有技术相比，本发明纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板采用SNW替代ITO作为导电材料，导电性能和反应灵敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的触控面板当中对灵敏度的提升尤为明显。而由于采用纳米银线作为导电材料时，由于纳米银线存在搭接不良，平整度较差，反光率较高的问题，需要对应设置许多功能层，同时触控面板元件之间需要引入粘合层粘合，从而使得触控面板厚度较厚，而触控面板的轻薄化一直为业界所追求，为防止导电材料暴露引起一系列问题，通常设置保护层以保护导电材料，通过提供粘着性保护层，使保护层与粘合层的功能合二为一，实现纳米银线触控面板的轻薄化。而且粘着性保护层由混合材质组成，可以通过对不同材质搭配，与粘着性保护层上、下功能层的折射率相匹配，实现对纳米银线雾度的降低。

【附图说明】

图1是纳米银线导电电极层分布于基材上的截面结构示意图。

图2是纳米银线导电电极层分布于基材上的平面示意图。

图3是本发明第一实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。

图4是本发明第二实施例纳米银线导电层叠结构制作方法流程图。

图5是本发明第三实施例纳米银线叠层结构的剖切面爆炸结构图。

图6是本发明第四实施例纳米银线触控面板剖切面爆炸结构图。

图7是本发明第四实施例纳米银线触控面板的变形结构剖切面爆炸结构图。

图8是本发明第五实施例纳米银线触控面板剖切面爆炸结构图。

图9是本发明第五实施例纳米银线触控面板的变形结构剖切面爆炸结构图。

图10是本发明第六实施例纳米银线触控面板剖切面爆炸结构图。

图11是本发明第七实施例采用纳米银线导电层叠结构的触控显示模组剖切面爆炸结构图。

【具体实施方式】

为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

应该理解，下述所有实施例中，上、下、左、右等位置限定词仅限于指定视图上的相对位置，而非绝对位置。

银在一般状态下为银白色金属，且为不透明材料，导电性极佳。而为纳米银线时，纳米银线具有良好的透光率和极佳的导电性，能够很好的运用于触控面板的导电电极。

请参阅图1与图2，系纳米银线导电电极层805分布于基材807上的示意图，其包括基材807和制作在基材807上的纳米银线导电电极层805，纳米银线导电电极层805包括基质803和嵌入在基质803中的多根纳米银线801，基材807一般为透明绝缘材料。纳米银线801的线长为10um-300μm，优选20um-100μm，最佳其长度20um-50μm，纳米银线801的线径小于500nm，或小于200nm，100nm，优选为小于50nm，且其长宽比(线长与线径之比)大于10，优选大于50，更优选大于100。

纳米银线导电电极层805的厚度为10nm-5μm，优选为20nm-1μm，更优为50nm-200nm。在一些实施例中，纳米银线导电电极层805的折射率为1.3-2.5，更优为1.35-1.8。

基质803是指纳米银线溶液在经过涂布等方法设置在基材807上，经过加热烘干使得易挥发的物质挥发后，留在基材807上的非纳米银线物质。纳米银线801散布或嵌入其中，形成导电网络，部分纳米银线801从基质803中突出。纳米银线801依靠基质803形成纳米银线导电电极层805，基质803可以保护纳米银线801免受腐蚀、磨损等外界环境的影响。

纳米银线溶液是指，纳米银线801分散在特定的溶剂里而形成的悬浮溶液，该溶剂可以是水、水溶液、有机溶剂、无机溶剂、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油或其混合物等。该溶剂里还含有其它添加剂，如分散剂、表面活性剂、交联剂、润湿剂或增稠剂，但不以此为限。

此外，可通过选择适当的基质803材料来调整纳米银线导电电极层805的光学特性，特别是解决雾度问题。例如，可以将基质803调整为具有期望的折射率、组成元素和一定的厚度，都可以有效地减少反射损耗、眩光影响、雾度。

纳米银线导电电极层805的透光率或清晰度可由以下参数定量的限定：透光率和雾度。透光率是指通过介质传输的入射光的百分比，纳米银线导电电极层805的透光率至少为88％，甚至可以高达91％-95％。雾度是光漫射的指数，雾度是指入射光中分离出来并在传输的过程中散射的光的数量百分比。透光率在很大程度上是透光介质的性质，与之不同的是，雾度经常和产品有关，且典型地是由表面粗糙度和介质中的嵌入粒子或组份的不均匀性导致的。在本实用新型的实施例中纳米银线导电电极层805的雾度不会超过5％，甚至可以达到不超过3％—1.5％。

请参阅图3，本发明第一实施例纳米银线导电层叠结构10包括一基材807，纳米银线导电电极层805以及粘着性保护层106，纳米银线导电电极层805形成于基材807上，粘着性保护层106覆盖于纳米银线导电电极层805上。

基材807的材质为玻璃，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，PI(聚酰亚胺)，PC(聚碳酸酯),聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，压克力，聚醚砜(PES),聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)，聚酰胺(PA)，聚苯并咪唑聚丁烯(PB)，聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)，聚酯(PE)，聚醚醚酮(PEEK)，聚醚酰亚胺(PEI)，聚醚酰亚胺，聚乙烯(PE)，聚苯乙烯(PS)，聚四氟乙烯(PTFE)，聚氨酯(PU)或聚氯乙烯(PVC)之任意一种或其任意两者的复合物。

所述纳米银线导电电极层805的厚度为10nm-5μm，方阻为0-100ohm/sq，所述纳米银线导电电极层805包括基质803和纳米银线801，所述基质803为有机溶液和/或无机溶液蒸发后的物质，进一步包括表面活性剂、分散剂、稳定剂或粘合剂之任意一种或上述的任意组合。

所述粘着性保护层106用于保护纳米银线801，防止纳米银线801表面被氧化而使导电性降低。

所述粘着性保护层106的材质包括透明的粘着材料和透明的介电材料。其中，该粘着材料为感光性粘着剂和/或热固性粘着剂。

所述感光性粘着剂可为适合用于微影工艺的光阻材料，例如，可吸收紫外光波长的聚丙烯酸酯系的光阻剂或其他光固性的光阻材料。

所述热固性粘着剂的材料则包括环氧树脂或其他可热交联且于感光性粘着剂相容的材料。

所述粘着性保护层106为经硬化的粘着性保护层106。所述的硬化包括半硬化和全硬化，粘着材料半硬化是指粘着性保护层106中粘着材料的反应转化率率未达80％～100％，较佳的反应转化率为35％～80％，即粘着材料中化合物的35％～80％可交联的官能基产生交联反应，使得粘着材料产生粘性。粘着性保护层106半硬化是指粘着性保护层106所含的可交联的官能基的35％～80％产生交联反应，使得粘着性保护层106产生粘性。而全硬化是指粘着材料或粘着性保护层106所含的可交联的官能基的80％～100％产生交联反应，较佳地，反应转化率达到90％～100％。

所述透明介电材料为聚亚酰胺、二氧化硅、氮硅氧化物、环氧树脂、亚克力聚合物之任意一种或其组合。所述介电材料为纳米级颗粒，该纳米级颗粒掺杂在粘性材料中，较佳地，该纳米级颗粒均匀的分散在粘着性材料中。介电材料采用纳米级颗粒，使得粘着性保护层106有较好的光学表现。

所述介电材料是选自与纳米银线导电电极层805或与盖板(图未示)或与基材807较为相容的材料，可一定程度地提升粘着性保护层106与盖板或纳米银线导电电极层805或基材807的结合强度。

所述粘着性保护层106中透明粘着材料含量为20％～98％，最佳透明粘着材料含量为75％～95％。适当的掺杂透明的介电材料，能够提高粘着性保护层106与其他触控面板元件的相容性，而相对于现有技术单一介电材料的保护层，适当的掺杂透明粘着材料能够提高粘着性保护层106与其他其他面板元件的粘着力。

本发明纳米银线导电层叠结构10可视需要进一步设置一位于该粘着性保护层106上的离型层(图未示)，设有所述离型层的纳米银线导电层叠结构10将更便于在包装运送及维持该粘着性保护层106的粘着强度，且只要移除该离型层，即可进行下一阶段工艺。

由于所述粘着性保护层106粘着材料包括感光性粘着剂或热固性粘着剂。可视需要地于任何阶段对该粘着性保护层106进行热处理或曝光，使该热固性粘着剂或感光性粘着剂半硬化乃至全硬化，从而使整个粘着性保护层106半硬化乃至全硬化。但硬化的程度则依材料本身而定或视需要作调整。由于所述粘着性保护层106粘着材料包括感光性粘着剂和热固性粘着剂。可于感光性粘着剂曝光之前、期间或之后处理该保护层，使该粘着性保护层106或其中的热固性粘着剂或感光性粘着剂半硬化乃至全硬化。

相较于一般的设有保护层的纳米银线导电层叠结构与其他触控面板元件结合时，需要另外设置一层透明光学胶，所述粘着性保护层106具有粘性，无需再另外设置透明光学胶，更有利于触控面板的轻薄化。

相较于单一材质的一般保护层，由混合材质组成的粘着性保护层106，其可通过不同折射率材质的搭配，适应不同需求的触控面板，具体而言，通过调节粘着性保护层106的折射率，使其折射率与位于其上、下结构的折射率相匹配，可提高触控面板的透光率，改善触控面板外观不良的问题。例如，纳米银线导电电极层805的折射为率n1，粘着性保护层106的折射率为nf，基材807的折射率为nt，n1大于nf且小于nt，较佳约等于nf与nt的乘积开根号。

在另一个变形结构中，所述的基材807为用户触碰触控面板的界面，其材质为玻璃、强化玻璃或蓝宝石玻璃，该基材807的周边布设有装饰层(图未示)，所述的装饰层用于遮蔽纳米银线导电电极层805周边的金属导电引线(图未示)，当然，导电引线亦可采用透明的导电引线，此时无需在基材807的周边设置装饰层。该变形结构的纳米银线导电叠层结构后续与显示模组(图未示)贴合时，只需采用粘着性保护层106作为粘合层即可，无需再另外设置传统技术中的光学粘合层。

请参阅图4，本发明第二实施例提供了纳米银线导电层叠结构10的制造方法，该方法包括以下步骤：

S11：提供一基材807；

S12：形成纳米银线导电电极层805；

S13：形成粘着性保护层106；

在步骤S11中，基材807为透明绝缘材料制成，为纳米银线导电层叠结构10提供支撑。

在步骤S12中，配置好纳米银线溶液，采用流体涂布的方法将纳米银线溶液涂布在基材807上，以夹缝式涂布为例，通过调整夹缝的宽度、喷嘴与辊筒的距离、传送速度以及泵进料来获得湿的纳米银线导电电极层805。

所述流体涂布的方法选自以下任一种或它们的任意组合：喷墨，撒播，凹版印刷，凸版印刷，柔印，纳米压印，丝网印刷，Meyer杆或刮刀涂布，夹缝式涂布(slotdiecoating)，旋转涂布，针绘(stylus plotting)，条缝涂布，流涂。

在步骤S13中，将介电材料与粘着材料均匀混合后，涂布于纳米银线导电电极层805的上表面，经硬化后形成粘着性保护层106，粘着性保护层106用于纳米银线801不被氧化。

请参阅图5，本发明第三实施例纳米银线导电层叠结构30与第一实施例所述纳米银线导电层叠结构10基本相同，不同之处在于，在粘着性保护层306上表面添加一层光学匹配层305，所述述光学匹配层305由一层低折射率光学膜和一层高折射率光学膜叠加而成，用于降低纳米银线导电层叠结构30的雾度，粘着性保护层306下方依次设置纳米银线导电电极层805和基材807。

所述低折射率为折射率小于1.6，优选为1.1～1.6，优选的折射率为1.1，1.25，1.32，1.38，1.46，1.50，1.52。低折射率的材料可以为有机物和/或无机物。例如硅氧化物，氯氟化物，氟化镁，二氧化硅，氟化锂，氟化钠，氧化镁，硅酸盐，聚氨酯，PMMA，PVA，PVP，有机硅，氟聚合物，丙烯酸树脂或丙烯酸树脂与矽石纳米颗粒的混合物。

所述高折射率为折射率大于1.8，优选的为1.8～2.7。优选的折射率为1.8，1.85，2.0，2.2，2.4，2.7。高折射率的材料可以为有机物和/或无机物。例如：钽氧化物，钛氧化物，铌氧化物，铅氧化物，锆氧化物，锌硫化物，聚酰亚胺，ZrO₂，Pb₅O₁₁，Ta₂O₅，五氧化二铌，二氧化钛，硅胶，丙烯酸树脂或二氧化钛纳米颗粒。

所述光学匹配层305的厚度为1/4波长奇数倍。

所述光学匹配层305的形成方式为物理沉积，化学沉积，真空镀膜，印刷，喷涂，柔印，纳米压印，丝网印刷，刮刀涂布，旋转涂布，棒状涂布，滚筒涂布，线棒涂布，浸渍涂布之任一种。

由于纳米银线801作为纳米银线导电电极层805的导电材料时，其雾度问题需要克服，在本实施方式中增加一光学匹配层305后，所述纳米银线导电电极层805的雾度可降低至5％左右，优选地小于3％，2％，1.0％。

在另外的变形结构中，光学匹配层305的位置可变，只需位于基材807上方即可。

在另外的变形结构中，光学匹配层305为一层低折射率光学膜层。还可以是多层低折射率光学膜和高折射率光学膜按低折射率光学膜、高折射率光学膜相互交替叠加构成，其厚度为1/4波长的奇数倍。

请参阅图6，本发明第四实施例纳米银线触控面板40包括一盖板409，一纳米银线导电层叠结构403，所述纳米银线导电层叠结构403包括一基材807，一纳米银线导电电极层805和一粘着性保护层4036。所述盖板409通过粘着性保护层4036与纳米银线导电层叠结构403相粘合。

所述的盖板409的材料选自玻璃、强化玻璃、蓝宝石玻璃、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚丁二酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯之任意一种或其任意两者的复合物。

请参阅图7，在另一个变形结构中，纳米银线导电层叠结构403为第三实施例所述纳米银线导电层叠结构，其包括基材807，纳米银线导电电极层805，粘着性保护层4036，和光学匹配层4035。

请参阅图8，本发明第五实施例纳米银线触控面板50包括盖板509，第二导电电极层506以及一纳米银线导电层叠结构503，所述纳米银线导电层叠结构503包括一基材807，一纳米银线导电电极层805和一粘着性保护层5036。所述第二导电电极层506成型于盖板509异于操作面一侧，该第二导电电极层506通过粘着性保护层5036与纳米银线导电层叠结构503相粘合，其导电电极材质为纳米银线。

在另一个变形结构中，第二导电电极层506的材质为ITO，纳米银线导电电极层805的材质为纳米银线。

请参阅图9，在另一个变形结构中，纳米银线导电层叠结构503为第三实施例所述纳米银线导电层叠结构，其包括基材807，纳米银线导电电极层805，粘着性保护层5036，和光学匹配层5035。

请参阅图10，本发明第六实施例纳米银线触控面板60包括一盖板609以及第一纳米银线导电层叠结构603、第二纳米银线导电层叠结构605，所述第一纳米银线导电层叠结构603、第二纳米银线导电层叠结构605为第一实施例所述的纳米银线导电层叠结构，所述第一纳米银线导电层叠结构603包括第一基材8071，第一纳米银线导电电极层8051和第一粘着性保护层6036，所述第二纳米银线导电层叠结构605包括第二基材8073，第二纳米银线导电电极层8053和第二粘着性保护层6056。第一纳米银线导电层叠结构603、第二纳米银线导电层叠结构605通过第一粘着性保护层6036粘合，所述盖板609通过第二粘着性保护层6056与第二纳米银线导电层叠结构605相粘合。

在另外的变形结构中，第一纳米银线导电层叠结构603、第二纳米银线导电层叠结构605还可以是第三实施例所述的带光学匹配层的纳米银线层层叠结构或者603、605其中一个为第三实施例所述的带光学匹配层的纳米银线层层叠结构。

请参阅图11，本发明第七实施例将纳米银线导电层叠结构10应用于触控显示装置100。该纳米银线导电层叠结构10全贴合在显示模组上，例如，用在LCD显示模组上时，在纳米银线导电层叠结构10的下方依次设置有上偏光片1001，上基材1003，液晶层1005，下基材1007，下偏光片1009。除了用在LCD显示模组上外，还可以用在等离子显示模组上，彩色平板显示模组上，光电子器件及类似产品上。

与现有技术相比，本发明纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板采用SNW替代ITO作为导电材料，导电性能和反应灵敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的触控面板当中对灵敏度的提升尤为明显。而由于采用纳米银线作为导电材料时，由于纳米银线存在搭接不良，平整度较差，反光率较高的问题，需要对应设置许多功能层，同时触控面板元件之间需要引入粘合层粘合，从而使得触控面板厚度较厚，而触控面板的轻薄化一直为业界所追求，为防止导电材料暴露引起一系列问题，通常设置保护层以保护导电材料，通过提供粘着性保护层，使保护层与粘合层的功能合二为一，实现纳米银线触控面板的轻薄化。而且粘着性保护层由混合材质组成，可以通过对不同材质搭配，与粘着性保护层上、下功能层的折射率相匹配，实现对纳米银线雾度的降低。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种纳米银线导电层叠结构，其特征在于：包括，

一基材，

一纳米银线导电电极层，设置于所述基材上表面，及

一粘着性保护层，设置于所述纳米银线导电电极层上表面，所述粘着性保护层包括透明粘着材料和透明介电材料，所述纳米银线导电电极层的折射率为n1，所述粘着性保护层的折射率为nf，所述基材的折射率为nt，n1等于nf与nt的乘积开根号， 所述纳米银线导电电极层的折射率为1.35-1.8，雾度不超过5％；

所述透明粘着材料包括感光性粘着剂和/或热固性粘着剂，感光性粘着剂为聚丙烯酸酯系的光阻剂，热固性粘着剂的材料为环氧树脂，热固性粘着剂热交联于感光性粘着剂。

2.如权利要求1所述的纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述透明介电材料为纳米级颗粒，该纳米级颗粒掺杂在所述透明粘着材料中。

3.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述粘着性保护层中透明粘着材料含量为20％～98％。

4.如权利要求1所述的纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述粘着性保护层为半硬化或全硬化的粘着性保护层，所述半硬化保护层的粘着材料的反应转化率为35％-80％，所述全硬化保护层的粘着材料的反应转化率为90％-100％。

5.如权利要求1所述的纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述透明介电材料为聚亚酰胺，二氧化硅，氮硅氧化物，环氧树脂，亚克力聚合物之任意一种或上述材料的任意组合。

6.如权利要求1所述的纳米银线导电层叠结构，其特征在于：进一步包括一设置于所述粘着性保护层之上的离型层。

7.如权利要求1所述的纳米银线导电层叠结构，其特征在于：进一步包括一光学匹配层，所述光学匹配层位于基材上方任意位置,所述光学匹配层由一层低折射率光学膜和一高折射率光学膜叠加而成，所述低折射率光学膜的折射率为1.1～1.6，所述高折射率光学膜的折射率为1.8～2.7，光学匹配层的厚度为1/4波长奇数倍。

8.如权利要求1所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述的纳米银线导电电极层的厚度为10nm-5um。

9.如权利要求8所述纳米银线导电层叠结构，其特征在于：所述纳米银线导电电极层包括纳米银线和基质，其中所述纳米银线至少部分嵌入基质中,所述纳米银线的线长介于20μm-50μm，线径小于或等于50nm，线长与线径之比大于10。

10.一种纳米银线触控面板，其特征在于：包括，

一盖板，及

如权利要求1-9任一项所述的纳米银线导电层叠结构，

所述盖板通过粘着性保护层与纳米银线导电层叠结构相粘合。

11.如权利要求10所述的纳米银线触控面板，其特征在于：还包括一第二导电电极层，所述的第二导电电极层形成在盖板面向所述粘着性保护层的表面上。

12.如权利要求11所述的纳米银线触控面板，其特征在于，所述的第二导电电极层的电极材料为纳米银线或ITO。