CN105428863A - 一种放大器中的连接器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种放大器中的连接器，属于合金材料技术领域。该连接器由基底段、中间段和连接段组成，中间段由呈直角圆弧设置的弯曲部及分设在弯曲部两端的加粗部组成，加粗部的外径大于弯曲部的外径，基底段由竖直部和水平部组成且呈“7”字形设置，水平部与中间段其中一加粗部相连，连接段由插入部及延伸部组成，插入部与延伸部的连接处设有圆环且圆环的外径与加粗部的外径相同，延伸部与中间段另一加粗部相连且延伸部的外径与弯曲部的外径相同，该连接器由三维网络氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成，复合材料包括体积百分比含量为10-30％的三层层状多孔氮化硅陶瓷和70-90％的锡磷青铜。该连接器具有较高的力学性能和较好的导电性、抗热疲劳性。
Description
技术领域
本发明涉及一种连接器，具体涉及一种放大器中的连接器，属于合金材料技术领域。
背景技术
连接器是电子工程中常见的一种部件，它的作用非常单纯：在电路内被阻断处或孤立不通的电路之间，架起沟通的桥梁，从而使电流流通，使电路实现预定的功能。连接器是电子设备中不可缺少的部件，顺着电流流通的通路观察，总会发现有一个或多个连接器。连接器形式和结构是千变万化的，随着应用对象、频率、功率、应用环境等不同，有各种不同形式的连接器。例如，球场上点灯用的连接器和硬盘驱动器的连接器，以及点燃火箭的连接器是大不相同的。但是无论什么样的连接器，都要保证电流顺畅连续和可靠地流通。而现有技术中的连接器基本由金属(如铜合金、铝合金等)制成，尽管导电性能较好，但是连接器的强度，尤其是热疲劳抗性较为一般，严重影响了连接器的使用，大大降低了连接器的使用效率和使用寿命。
发明内容
本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一热疲劳抗性好、强度高、使用效率高的放大器中的连接器。
本发明的上述目的通过如下技术方案实现：一种放大器中的连接器，所述连接器由基底段、中间段和连接段组成，中间段由呈直角圆弧设置的弯曲部及分设在弯曲部两端的加粗部组成，加粗部的外径大于弯曲部的外径，基底段由竖直部和水平部组成且呈“7”字形设置，水平部与中间段其中一加粗部相连，连接段由插入部及延伸部组成，插入部与延伸部的连接处设有圆环且圆环的外径与加粗部的外径相同，延伸部与中间段另一加粗部相连且延伸部的外径与弯曲部的外径相同，所述的连接器由三维网络氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成，所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料包括体积百分比含量为10-30％的三层层状多孔氮化硅陶瓷和体积百分比含量为70-90％的锡磷青铜。
本发明的连接器采用三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成，三层层状多孔SiC陶瓷和锡磷青铜互为支撑骨架，充分发挥SiC陶瓷和锡磷青铜两类材料的优点，有效提高了连接器的高强度、高温稳定性、耐磨损性、耐腐蚀性等。在复合材料中若氮化硅陶瓷的含量过高则会增加复合材料的脆性，降低复合材料的整体性能，而若氮化硅陶瓷的含量过低则复合材料的耐磨性和耐高温性能得不到提高。
在上述放大器中的连接器中，所述的三层层状氮化硅陶瓷包括上表面层、下表面层以及上下表面层之间的中间层，其中上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为90-95％Si3N4和5-10％Y2O3，中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为0.5-3％SiO2、0.5-1％炭黑、2-6％Y2O3、余量Si3N4。
本发明通过改变氮化硅陶瓷中Si3N4与二氧化硅和碳粉的相对含量，实现控制气孔率，通过改变中间层Si3N4晶种的含量和层间界面对层状多孔氮化硅陶瓷烧结性能、微观组织和力学性能的影响。随着Si3N4晶种含量的增大，收缩率逐渐降低，气孔率逐渐减小。以此种控制多孔氮化硅气孔率的工艺为基础，制备三层层状多孔氮化硅陶瓷。随着中间层原料中的Si3N4含量的逐渐增加，整个层状多孔氮化硅的收缩率和气孔率逐渐降低，弯曲强度逐渐增加。当中间层与表面层的收缩率相差较大时，虽然是弱界面结合，但产生的界面残余应力对层状多孔氮化硅的力学性能非常有利。当中间层与表面层的收缩率和气孔率接近时，弱界面结合转变为强界面结合也有利于提高层状多孔氮化硅陶瓷的力学性能。总之，当中间层的Si3N4含量变化时，层状多孔氮化硅陶瓷始终都具有较高的力学性能。
进一步优选，所述炭黑的粒径为60-80nm，SiO2的粒径为0.1-0.5μm，Y2O3的粒径为0.2-1.2μm，Si3N4为α>95％的α-Si3N4。
在上述放大器中的连接器中，所述的锡磷青铜由以下成分(以质量百分比计)组成：Zn：2.7-3.3％，Sn：3.5-4.5％，P：0.01-0.03％，Fe：0.01-0.05％，Ni：0.5-1％，Si：0.05-0.1％，稀土元素：0.1-0.5％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素。
现有技术中锡磷青铜合金中Sn的含量大约在6-7％，含量较高，合金的强度和弹性等性能优良，但是，由于Sn含量过高，且随着Sn含量的增加，合金的导电性能急剧下降。而且，随着温度的升高，合金的抗应力松弛性能也会出现下降。因此，本发明在现有锡磷青铜合金的基础上，降低了Sn元素的含量，使合金具有优良的导电性、抗应力松弛能力等。同时，本发明通过调整其它元素的含量。并添加了Zn、Ni、Si和稀土元素，以提高锡磷青铜合金的强度、硬度等机械性能。因为，Zn在锡磷青铜合金中固溶度较大，在锡磷青铜合金中添加了Zn元素，可以对锡磷青铜合金起到固溶强化作用。而Ni元素可以提高合金的强度、韧性以及抗应力腐蚀开裂能力。Si元素也能提高合金的强度、硬度等性能。此外，Si元素与合金中存在的少量Pb元素可以起到协同作用，还可以减小合金的摩擦因数。
而稀土元素则可以使本发明锡磷青铜合金铸造组织枝晶网格变细小，变形退火后晶粒组织明显细化。而且，添加稀土元素还可以净化合金，消除其杂质的有害作用，并能与铜生成CuCeP金属间化合物，呈点状弥散分布在晶界或晶内，细化了合金组织，还能显著提高合金基体中的位错密度，从而有效地提高锡磷青铜合金的硬度，增强了合金的耐磨性。
此外，与现有技术相比，本发明降低了P元素的含量，一方面可以避免合金在铸造时容易发生偏析现象，影响塑性等性能。另一方面，本发明微量的P元素和合金中存在的微量的Fe元素，可以形成Fe2P，可以在不降低合金的导电性的同时，还能改善合金的强度和抗应力松弛性能。
在上述放大器中的连接器中，锡磷青铜中所述的稀土元素由Ce和Sc按质量比为(1.3-1.5)：1组成。
在上述放大器中的连接器中，作为优选，所述锡磷青铜由以下重量百分比的成分组成：Zn：2.8-3.2％，Sn：3.8-4.2％，P：0.015-0.025％，Fe：0.02-0.04％，Ni：0.6-0.8％，Si：0.06-0.08％，稀土元素：0.2-0.4％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素。
在上述放大器中的连接器中，所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料由如下方法制得：
分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料，分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.3-0.6MPa的氮气压力和1680-1700℃下烧结1-2h，分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉；
将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3-4MPa的压力下压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷；
将三层层状多孔氮化硅陶瓷与锡磷青铜利用真空-气压铸造方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料。
先制成三层层状多孔氮化硅陶瓷，再将锡磷青铜引入三层层状多孔氮化硅陶瓷中，使制得的复合材料中氮化硅陶瓷和锡磷青铜互为支撑骨架，充分发挥两者材料的优点，并进一步提高复合材料的硬度、耐磨性、耐腐蚀性等物理性能。
作为优选，真空-气压铸造方法中的真空度为0.05-0.08MPa。
三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料通过普通成型工艺即可制成本发明放大器中的连接器，如锻造成型、铸造成型等。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1、本发明放大器中的连接器由三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成，同时具有三层层状多孔碳化硅陶瓷及锡磷青铜两种材料的优点，通过两者的配比，大幅度提高了复合材料的导电性能和导热性能，还有效提高了连接器的高强度、高温稳定性、耐磨损性、耐腐蚀性等。
2、本发明制备连接器的三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料中合理配伍锡磷青铜的组分，不仅降低了P、Sn元素的含量，并添加了Zn、Ni、Si和稀土元素，通过各元素之间的协同作用，如Si元素与合金中存在的少量Pb元素的协同作用，减小合金的摩擦因数；稀土元素与铜生成CuCeP金属间化合物，P元素和微量的Fe元素，可以形成Fe2P等等，在不降低合金的强度、硬度等机械性能的同时提高锡磷青铜合金的导电性，进一步提高连接器的强度、耐磨、抗热疲劳性、抗应力松弛性能等，进而提高连接器的使用效率。
3、本发明制备连接器的三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料的制备方法为先制成三层层状多孔氮化硅陶瓷，再将锡磷青铜引入三层层状多孔氮化硅陶瓷中，使制得的复合材料中氮化硅陶瓷和锡磷青铜互为支撑骨架，充分发挥两者材料的优点，并进一步提高复合材料的硬度、耐磨性、耐腐蚀性等物理性能。
附图说明
图1为本发明放大器中的连接器的结构示意图。
图2为本发明放大器中的连接器的右视图。
图中，1、基底段；2、中间段；21、弯曲部；22、加粗部；3、连接段；31、插入部；32、延伸部；33、圆环。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
如图1-2所示，本发明用于放大器的连接器，所述连接器由基底段1、中间段2和连接段3组成，中间段2由呈直角圆弧设置的弯曲部21及分设在弯曲部两端的加粗部22组成，加粗部21的外径大于弯曲部21的外径，基底段1由竖直部和水平部组成且呈“7”字形设置，水平部与中间段其中一加粗部相连，连接段3由插入部31及延伸部32组成，插入部31与延伸部32的连接处设有圆环33且圆环的外径与加粗部22的外径相同，延伸部32与中间段另一加粗部相连且延伸部的外径与弯曲部21的外径相同。
本发明连接器由三维网络氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成，所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料包括体积百分比含量为10-30％的三层层状多孔氮化硅陶瓷和体积百分比含量为70-90％的锡磷青铜。
所述的三层层状氮化硅陶瓷包括上表面层、下表面层以及上下表面层之间的中间层，其中上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为90-95％Si3N4和5-10％Y2O3，中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为0.5-3％SiO2、0.5-1％炭黑、2-6％Y2O3、余量Si3N4。
作为优选，所述炭黑的粒径为60-80nm，SiO2的粒径为0.1-0.5μm，Y2O3的粒径为0.2-1.2μm，Si3N4为α>95％的α-Si3N4。
所述的锡磷青铜由以下成分(以质量百分比计)组成：Zn：2.7-3.3％，Sn：3.5-4.5％，P：0.01-0.03％，Fe：0.01-0.05％，Ni：0.5-1％，Si：0.05-0.1％，稀土元素：0.1-0.5％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素。
作为优选，所述的稀土元素由Ce和Sc按质量比为(1.3-1.5)：1组成。
作为优选，所述锡磷青铜由以下重量百分比的成分组成：Zn：2.8-3.2％，Sn：3.8-4.2％，P：0.015-0.025％，Fe：0.02-0.04％，Ni：0.6-0.8％，Si：0.06-0.08％，稀土元素：0.2-0.4％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素。
所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料由如下方法制得：
分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料，分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.3-0.6MPa的氮气压力和1680-1700℃下烧结1-2h，分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉；
将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3-4MPa的压力下压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷；
将三层层状多孔氮化硅陶瓷与锡磷青铜利用真空-气压铸造方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料。
实施例1
分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料：上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为92％Si3N4和8％Y2O3，中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为1.8％SiO2、0.8％炭黑、4％Y2O3、余量Si3N4；所述炭黑的粒径为60-80nm，SiO2的粒径为0.1-0.5μm，Y2O3的粒径为0.2-1.2μm，Si3N4为α>95％的α-Si3N4。
分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.4MPa的氮气压力和1690℃下烧结1.5h，分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉。
将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3.5MPa的压力下压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷。
将三层层状多孔氮化硅陶瓷与锡磷青铜(以重量百分比计的组成成分：Zn：3.0％，Sn：4.0％，P：0.02％，Fe：0.03％，Ni：0.7％，Si：0.07％，稀土元素：0.3％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素，其中稀土元素由Ce和Sc按质量比为1.4：1组成)利用真空-气压铸造(真空度为0.06MPa)方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料(复合材料中三层层状多孔氮化硅陶瓷和锡磷青铜合金的体积百分比分别为20％和80％)。
通过普通的锻造成型工艺将三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成本发明放大器中的连接器。
实施例2
分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料：上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为94％Si3N4和6％Y2O3，中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为1.0％SiO2、0.9％炭黑、5％Y2O3、余量Si3N4；所述炭黑的粒径为60-80nm，SiO2的粒径为0.1-0.5μm，Y2O3的粒径为0.2-1.2μm，Si3N4为α>95％的α-Si3N4。
分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.5MPa的氮气压力和1710℃下烧结1h，分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉。
将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在4MPa的压力下压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷。
将三层层状多孔氮化硅陶瓷与锡磷青铜(以重量百分比计的组成成分：Zn：2.8％，Sn：4.2％，P：0.015％，Fe：0.04％，Ni：0.6％，Si：0.08％，稀土元素：0.2％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素，其中稀土元素由Ce和Sc按质量比为1.4：1组成)利用真空-气压铸造(真空度为0.055MPa)方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料(复合材料中三层层状多孔氮化硅陶瓷和锡磷青铜合金的体积百分比分别为15％和85％)。
通过普通的锻造成型工艺将三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成本发明放大器中的连接器。
实施例3
分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料：上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为93％Si3N4和7％Y2O3，中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为2.5％SiO2、0.6％炭黑、2％Y2O3、余量Si3N4；所述炭黑的粒径为60-80nm，SiO2的粒径为0.1-0.5μm，Y2O3的粒径为0.2-1.2μm，Si3N4为α>95％的α-Si3N4。
分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.5MPa的氮气压力和1715℃下烧结2h，分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉。
将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3MPa的压力下压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷。
将三层层状多孔氮化硅陶瓷与锡磷青铜(以重量百分比计的组成成分：Zn：3.2％，Sn：3.8％，P：0.025％，Fe：0.02％，Ni：0.8％，Si：0.06％，稀土元素：0.4％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素，其中稀土元素由Ce和Sc按质量比为1.4：1组成)利用真空-气压铸造(真空度为0.07MPa)方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料(复合材料中三层层状多孔氮化硅陶瓷和锡磷青铜合金的体积百分比分别为25％和75％)。
通过普通的铸造成型工艺将三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成本发明放大器中的连接器。
实施例4
分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料：上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为95％Si3N4和5％Y2O3，中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为3％SiO2、0.5％炭黑、6％Y2O3、余量Si3N4；所述炭黑的粒径为60-80nm，SiO2的粒径为0.1-0.5μm，Y2O3的粒径为0.2-1.2μm，Si3N4为α>95％的α-Si3N4。
分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.6MPa的氮气压力和1730℃下烧结1h，分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉。
将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在4MPa的压力下压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷。
将三层层状多孔氮化硅陶瓷与锡磷青铜(以重量百分比计的组成成分：Zn：2.7％，Sn：4.5％，P：0.01％，Fe：0.05％，Ni：0.5-1％，Si：0.05％，稀土元素：0.5％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素，其中稀土元素由Ce和Sc按质量比为1.5：1组成)利用真空-气压铸造(真空度为0.08MPa)方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料(复合材料中三层层状多孔氮化硅陶瓷和锡磷青铜合金的体积百分比分别为10％和90％)。
通过普通的锻造成型工艺将三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成本发明放大器中的连接器。
实施例5
分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料：上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为90％Si3N4和10％Y2O3，中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为0.5％SiO2、1％炭黑、2％Y2O3、余量Si3N4；所述炭黑的粒径为60-80nm，SiO2的粒径为0.1-0.5μm，Y2O3的粒径为0.2-1.2μm，Si3N4为α>95％的α-Si3N4。
分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.3MPa的氮气压力和1700℃下烧结2h，分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉。
将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3MPa的压力下压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷。
将三层层状多孔氮化硅陶瓷与锡磷青铜(以重量百分比计的组成成分：Zn：3.3％，Sn：3.5％，P：0.03％，Fe：0.01％，Ni：1％，Si：0.05％，稀土元素：0.5％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素，其中锡磷青铜中所述的稀土元素由Ce和Sc按质量比为1.3：1组成)利用真空-气压铸造(真空度为0.05MPa)方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料(复合材料中三层层状多孔氮化硅陶瓷和锡磷青铜合金的体积百分比分别为30％和70％)。
通过普通的铸造成型工艺将三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成本发明放大器中的连接器。
对比例1
该对比例1为市场上普通市售的放大器中的连接器。
对比例2
该对比例2为采用实施例1中所述的锡磷青铜制成的放大器中的连接器。
将实施例1-5中及对比例1-2中的放大器中的连接器进行性能测试，测试结果如表1所示。
表1：实施例1-5中及对比例1-2中的放大器中的连接器的性能测试结果
综上所述，本发明放大器中的连接器由三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成，具有较高的力学性能，如高强度、高温稳定性、耐磨损性、耐腐蚀性等，还具有较好的导电性、抗热疲劳性等。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
Claims (8)
1.一种放大器中的连接器，其特征在于，所述连接器由基底段、中间段和连接段组成，中间段由呈直角圆弧设置的弯曲部及分设在弯曲部两端的加粗部组成，加粗部的外径大于弯曲部的外径，基底段由竖直部和水平部组成且呈“7”字形设置，水平部与中间段其中一加粗部相连，连接段由插入部及延伸部组成，插入部与延伸部的连接处设有圆环且圆环的外径与加粗部的外径相同，延伸部与中间段另一加粗部相连且延伸部的外径与弯曲部的外径相同，所述的连接器由三维网络氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料制成，所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料包括体积百分比含量为10-30％的三层层状多孔氮化硅陶瓷和体积百分比含量为70-90％的锡磷青铜。
2.根据权利要求1所述的一种放大器中的连接器，其特征在于，所述的三层层状氮化硅陶瓷包括上表面层、下表面层以及上下表面层之间的中间层，其中上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)均为90-95％Si3N4和5-10％Y2O3，中间层氮化硅陶瓷的原料组成(质量百分比计)为0.5-3％SiO2、0.5-1％炭黑、2-6％Y2O3、余量Si3N4。
3.根据权利要求2所述的一种放大器中的连接器，其特征在于，所述炭黑的粒径为60-80nm，SiO2的粒径为0.1-0.5μm，Y2O3的粒径为0.2-1.2μm，Si3N4为α>95％的α-Si3N4。
4.根据权利要求1所述的一种放大器中的连接器，其特征在于，所述的锡磷青铜由以下成分(以质量百分比计)组成：Zn：2.7-3.3％，Sn：3.5-4.5％，P：0.01-0.03％，Fe：0.01-0.05％，Ni：0.5-1％，Si：0.05-0.1％，稀土元素：0.1-0.5％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素。
5.根据权利要求4所述的一种放大器中的连接器，其特征在于，所述锡磷青铜由以下重量百分比的成分组成：Zn：2.8-3.2％，Sn：3.8-4.2％，P：0.015-0.025％，Fe：0.02-0.04％，Ni：0.6-0.8％，Si：0.06-0.08％，稀土元素：0.2-0.4％，Pb＜0.02％，Al＜0.002％，Sb＜0.002％，Bi＜0.002％，余量为Cu以及不可避免的杂质元素。
6.根据权利要求4或5所述的一种放大器中的连接器，其特征在于，锡磷青铜中所述的稀土元素由Ce和Sc按质量比为(1.3-1.5)：1组成。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种放大器中的连接器，其特征在于，所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料由如下方法制得：
分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料，分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.3-0.6MPa的氮气压力和1680-1700℃下烧结1-2h，分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉；
将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3-4MPa的压力下压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷；
将三层层状多孔氮化硅陶瓷与锡磷青铜利用真空-气压铸造方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/锡磷青铜复合材料。
8.根据权利要求7所述的一种放大器中的连接器，其特征在于，真空-气压铸造方法中的真空度为0.05-0.08MPa。
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| CN201510823790.8A CN105428863A (zh) | 2015-11-24 | 2015-11-24 | 一种放大器中的连接器 |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0999611A1 (en) * | 1998-11-04 | 2000-05-10 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Multi-coaxial connector having a metallic block connected in common to outer conductors of a plurality of coaxial cables |
| CN104779464A (zh) * | 2015-04-14 | 2015-07-15 | 四川华丰企业集团有限公司 | 一种金属钎焊封接型气密电连接器及其制造工艺 |
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2015
- 2015-11-24 CN CN201510823790.8A patent/CN105428863A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| EP0999611A1 (en) * | 1998-11-04 | 2000-05-10 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Multi-coaxial connector having a metallic block connected in common to outer conductors of a plurality of coaxial cables |
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