CN105428450A - Perc晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法 - Google Patents
Perc晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105428450A CN105428450A CN201510945459.3A CN201510945459A CN105428450A CN 105428450 A CN105428450 A CN 105428450A CN 201510945459 A CN201510945459 A CN 201510945459A CN 105428450 A CN105428450 A CN 105428450A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- back surface
- perc
- silicon nitride
- edge
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 claims description 27
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 claims description 27
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 claims description 27
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 22
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 17
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 24
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明属于太阳能电池的制造技术，涉及一种PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法。该方法步骤如下：对单晶硅片进行常规的制绒、扩散、刻蚀槽去除边缘与背面的PN结、正面PECVD镀氮化硅膜工序后，利用带式传动方式刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅，然后经过碱槽进行背表面抛光处理；再通过原子层沉积背面镀氧化铝薄膜后，进行常规的激光开槽、丝网印刷正背面金属浆料、烧结工序，制得PERC电池片。本发明将碱抛光工艺整合到现有PERC电池生产工艺中，解决了目前碱抛光引进过程中生产工序复杂，可控性差及正面膜层绕镀导致背表面钝化效果不佳等问题，使得基于碱抛光的PERC电池生产能够较好地适应量产的要求。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池的制造技术，涉及一种PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法。
背景技术
随着晶体硅太阳电池技术的不断提高，传统结构的单晶硅太阳电池的量产转换效率已达19.2％，多晶硅太阳电池量产转换效率已达17.8％。传统结构电池效率已没有太大的提升空间，电池效率的提升必须依靠新型结构的晶体硅太阳电池发展。在目前已有的硅基体高效电池技术中，由于钝化发射极及背表面电池(PERC电池)将提升电池效率的工艺移至电池背面，因此其与其他的高效电池技术及新的提高电池效率的制造工艺有非常好的兼容性。PERC电池可与其他高效技术同时整合在硅太阳电池的生产制造中。所以PERC电池是目前高效电池中最有可能被工业推广的技术，研究其量产工艺对PERC电池的大规模生产具有非常好的指导性作用。
常规的Al2O3PERC电池的生产工艺为制绒→扩散→刻蚀→镀Al2O3→镀背面SiNx→镀正面SiNx→激光开槽或开孔→丝网印刷→烧结→测试。PERC电池主要采用ALD法背面制备三氧化二铝薄膜的方式，这就要求背表面具有良好的平整性，目前的研究主要集中在对背面进行抛光处理，这样不但解决了背面镀膜的平整性问题，而且可以去除背面N型扩散层，促进P+层的形成，提高少子寿命，增加背表面反射率。因此引进抛光工艺整合到PERC电池现有生产工艺中是进一步提高PERC电池效率的一种有效手段。
目前抛光工艺主要包括酸抛光和碱抛光工艺两种，据相关研究显示碱抛光工艺相比于酸抛光具有更高的电池转换效率，但由于碱抛光制备工序复杂，可控性差，所以现在在现有PERC电池的生产中主要采用酸抛光，如何实现简化碱抛光工艺到现有的PERC电池生产工艺过程中是目前面临的一个难题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够将碱抛光工艺用于现有PERC电池生产工艺的PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法，使得其能够改善目前碱抛光过程中生产工序复杂、可控性差的缺陷，解决正面膜层绕镀导致背表面钝化效果不佳等问题。
本发明的PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法步骤如下：对单晶硅片进行常规的制绒、扩散、刻蚀槽去除边缘与背面的PN结、正面PECVD镀氮化硅膜工序后，利用带式传动方式刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅，然后经过碱槽进行背表面抛光处理；再通过原子层沉积背面镀氧化铝薄膜后，进行常规的激光开槽、丝网印刷正背面金属浆料、烧结工序，制得PERC电池片。
在利用带式传动方式刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅的过程中，带速为1.8－2.3m/min，配液体积比为HNO3：HF＝10:1－4:1，刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅。
本发明将碱抛光工艺整合到现有PERC电池生产工艺中，解决了目前碱抛光引进过程中生产工序复杂，可控性差及正面膜层绕镀导致背表面钝化效果不佳等问题，使得基于碱抛光的PERC电池生产能够较好地适应量产的要求。
具体实施方式
下面结合对比例及实施例对本发明的技术方案及效果作进一步说明。
对比例：
取800pcs单晶硅片，通过配液体积比为NaOH：Addition＝4:1的碱槽，制绒时间1100s，温度80℃，制备去重为0.4-0.8g的绒面；以POCl3为磷源，沉积和推进时间分别为15min和13min，温度约为830℃进行扩散；经过配液体积比为HNO3：HF＝10:1的刻蚀槽去除边缘与背面的PN结；正面PECVD镀氮化硅膜，沉积厚度70-90nm，镀膜温度约为450℃；经过体积分数为17.6％的NaOH碱槽进行背表面抛光处理；通过原子层沉积(ALD)背面镀氧化铝薄膜，沉积厚度约10nm；然后PECVD背面镀氮化硅，沉积厚度90-110nm；然后经过激光开槽，开槽深度约为100nm；采用四主栅丝网印刷正背面金属浆料，烧结峰值温度780℃下制成PERC电池片；制得单晶PERC电池片的最大转换效率为19.7％。
实施例一：
取800pcs单晶硅片，通过配液体积比为NaOH：Addition＝4:1的碱槽，制绒时间1100s，温度80℃，制备去重为0.4-0.8g的绒面；以POCl3为磷源，沉积和推进时间分别为15min和13min，温度约为830℃进行扩散；经过配液体积比为HNO3：HF＝10:1的刻蚀槽去除边缘与背面的PN结；正面PECVD镀氮化硅膜，沉积厚度70-90nm，镀膜温度约为450℃；带速为2.3m/min，配液体积比为HNO3：HF＝10:1刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅后经过体积分数为17.6％的NaOH碱槽进行背表面抛光处理；通过原子层沉积(ALD)背面镀氧化铝薄膜，沉积厚度约10nm；然后PECVD背面镀氮化硅，沉积厚度90-110nm；然后经过激光开槽，开槽深度约为100nm；采用四主栅丝网印刷正背面金属浆料，烧结峰值温度780℃下制成PERC电池片；制得单晶PERC电池片的最大转换效率可以达到20.2％。
实施例二：
取800pcs单晶硅片，通过配液体积比为NaOH：Addition＝4:1的碱槽，制绒时间1100s，温度80℃，制备去重为0.4-0.8g的绒面；以POCl3为磷源，沉积和推进时间分别为15min和13min，温度约为830℃进行扩散；经过配液体积比为HNO3：HF＝10:1的刻蚀槽去除边缘与背面的PN结；正面PECVD镀氮化硅膜，沉积厚度70-90nm，镀膜温度约为450℃；带速为1.8m/min配液体积比为HNO3：HF＝10:1刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅后经过体积分数为17.6％的NaOH碱槽进行背表面抛光处理；通过原子层沉积(ALD)背面镀氧化铝薄膜，沉积厚度约10nm；然后PECVD背面镀氮化硅，沉积厚度90-110nm；然后经过激光开槽，开槽深度约为100nm；采用四主栅丝网印刷正背面金属浆料，烧结峰值温度780℃下制成PERC电池片；制得单晶PERC电池片的最大转换效率可以达到20.4％。
实施例三：
取800pcs单晶硅片，通过配液体积比为NaOH：Addition＝4:1的碱槽，制绒时间1100s，温度80℃，制备去重为0.4-0.8g的绒面；以POCl3为磷源，沉积和推进时间分别为15min和13min，温度约为830℃进行扩散；经过配液体积比为HNO3：HF＝10:1的刻蚀槽去除边缘与背面的PN结；正面PECVD镀氮化硅膜，沉积厚度70-90nm，镀膜温度约为450℃；带速为1.8m/min配液体积比为HNO3：HF＝4:1刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅后经过体积分数为17.6％的NaOH碱槽进行背表面抛光处理；通过原子层沉积(ALD)背面镀氧化铝薄膜，沉积厚度约10nm；然后PECVD背面镀氮化硅，沉积厚度90-110nm；然后经过激光开槽，开槽深度约为100nm；采用四主栅丝网印刷正背面金属浆料，烧结峰值温度780℃下制成PERC电池片；制得单晶PERC电池片的最大转换效率可以达到20.5％。
通过以上对比例和实施例的测试结果可以看出：采用本发明方法制得的电池片的转化效率可以达到量产的要求，实施例三表现的转化效率最佳可以达到20.5％，相比于未去除绕镀氮化硅的对比例提高了0.8％，这是因为绕镀对背表面的抛光效果会有很大的影响；实施例一、二与对比例相比也有相应的提高，经分析这与绕镀部分清除的彻底性、抛光的均匀性有着直接的关系，放低带速、提高HF所占比例是解决这一问题的有效途径，但也需考虑与产量间的平衡。
Claims (2)
1.一种PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法，其特征是：对单晶硅片进行常规的制绒、扩散、刻蚀槽去除边缘与背面的PN结、正面PECVD镀氮化硅膜工序后，利用带式传动方式刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅，然后经过碱槽进行背表面抛光处理；再通过原子层沉积背面镀氧化铝薄膜后，进行常规的激光开槽、丝网印刷正背面金属浆料、烧结工序，制得PERC电池片。
2.根据权利要求1所述的PERC晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法，其特征是：在利用带式传动方式刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅的过程中，带速为1.8－2.3m/min，配液体积比为HNO3：HF＝10:1－4:1，刻蚀去除背表面及边缘绕镀氮化硅。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510945459.3A CN105428450B (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | Perc晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510945459.3A CN105428450B (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | Perc晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105428450A true CN105428450A (zh) | 2016-03-23 |
| CN105428450B CN105428450B (zh) | 2018-01-19 |
Family
ID=55506510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510945459.3A Active CN105428450B (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | Perc晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105428450B (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106328765A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 晋能清洁能源科技有限公司 | 一种高效perc晶体硅太阳能电池的制备方法及工艺 |
| CN107910398A (zh) * | 2017-10-12 | 2018-04-13 | 东方环晟光伏（江苏）有限公司 | P型perc双面太阳电池的制作方法 |
| CN109887841A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-06-14 | 苏州爱康光电科技有限公司 | 一种perc电池背面抛光工艺 |
| CN110444633A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-12 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种单晶perc太阳电池的制备方法 |
| CN111129217A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-08 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池 |
| CN115132876A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-09-30 | 黄河水电西宁太阳能电力有限公司 | 一种基于se背面碱抛光的高效perc电池制备工艺 |
| CN115241083A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-10-25 | 英利能源发展有限公司 | 一种抛光液稳定性的快速监测方法 |
| CN115513305A (zh) * | 2021-06-21 | 2022-12-23 | 天合光能股份有限公司 | 一种晶体硅太阳电池及其制备方法和应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101853897A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-10-06 | 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 | 一种n型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法 |
| CN102064231A (zh) * | 2009-11-16 | 2011-05-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种制备太阳能电池的方法 |
| CN102737981A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种实现硅片单面抛光的方法 |
| CN104201252A (zh) * | 2014-09-22 | 2014-12-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种perc太阳能电池的制备方法 |
| CN104966760A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-10-07 | 遵义师范学院 | 一种太阳能电池生产工艺 |
| CN104979422A (zh) * | 2014-04-03 | 2015-10-14 | 哈尔滨市宏天锐达科技有限公司 | 一种高效节能的太阳能电池制作方法 |
-
2015
- 2015-12-16 CN CN201510945459.3A patent/CN105428450B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102064231A (zh) * | 2009-11-16 | 2011-05-18 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种制备太阳能电池的方法 |
| CN101853897A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-10-06 | 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 | 一种n型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法 |
| CN102737981A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种实现硅片单面抛光的方法 |
| CN104979422A (zh) * | 2014-04-03 | 2015-10-14 | 哈尔滨市宏天锐达科技有限公司 | 一种高效节能的太阳能电池制作方法 |
| CN104201252A (zh) * | 2014-09-22 | 2014-12-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种perc太阳能电池的制备方法 |
| CN104966760A (zh) * | 2015-07-07 | 2015-10-07 | 遵义师范学院 | 一种太阳能电池生产工艺 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106328765A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 晋能清洁能源科技有限公司 | 一种高效perc晶体硅太阳能电池的制备方法及工艺 |
| CN107910398A (zh) * | 2017-10-12 | 2018-04-13 | 东方环晟光伏（江苏）有限公司 | P型perc双面太阳电池的制作方法 |
| CN109887841A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-06-14 | 苏州爱康光电科技有限公司 | 一种perc电池背面抛光工艺 |
| CN109887841B (zh) * | 2019-01-21 | 2022-06-21 | 苏州爱康光电科技有限公司 | 一种perc电池背面抛光工艺 |
| CN110444633A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-12 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种单晶perc太阳电池的制备方法 |
| CN111129217A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-08 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池 |
| CN111129217B (zh) * | 2019-12-20 | 2021-05-18 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池 |
| CN115132876A (zh) * | 2021-03-22 | 2022-09-30 | 黄河水电西宁太阳能电力有限公司 | 一种基于se背面碱抛光的高效perc电池制备工艺 |
| CN115513305A (zh) * | 2021-06-21 | 2022-12-23 | 天合光能股份有限公司 | 一种晶体硅太阳电池及其制备方法和应用 |
| CN115241083A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-10-25 | 英利能源发展有限公司 | 一种抛光液稳定性的快速监测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105428450B (zh) | 2018-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105428450B (zh) | Perc晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法 | |
| CN109888061B (zh) | 一种碱抛光高效perc电池及其制备工艺 | |
| CN110571149B (zh) | 一种p型全接触钝化太阳能电池的制备方法 | |
| Kim et al. | Texturing of large area multi-crystalline silicon wafers through different chemical approaches for solar cell fabrication | |
| CN102971867B (zh) | 在硅晶片上制备n+pp+型或p+nn+型结构的方法 | |
| JP6553731B2 (ja) | Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法 | |
| CN106328765A (zh) | 一种高效perc晶体硅太阳能电池的制备方法及工艺 | |
| CN104966761A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的制造方法 | |
| CN104934500A (zh) | 一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN104362221B (zh) | 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法 | |
| CN110854240A (zh) | Perc电池及其制备方法 | |
| CN101794845A (zh) | 一种一次扩散制备选择性发射极的方法 | |
| CN110571304A (zh) | 一种钝化接触双面太阳电池的制作方法 | |
| CN115020508A (zh) | 一种全背接触太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102623563B (zh) | 一种双面受光型晶体硅太阳电池的制备方法 | |
| CN106057971A (zh) | 一种高效晶硅perc电池的制备方法 | |
| CN105914256A (zh) | Perc晶体硅太阳能电池的制造方法 | |
| CN104716224A (zh) | 一种背钝化高效perl电池工艺 | |
| CN107833931B (zh) | 太阳能电池制备方法 | |
| CN210956692U (zh) | Perc电池 | |
| CN103050573B (zh) | 一种背钝化电池的制备方法 | |
| CN105702803A (zh) | 一种制造高效率多晶电池的工艺 | |
| CN106024970B (zh) | 设备兼容的晶硅电池刻蚀方法和perc电池酸抛光方法 | |
| CN102800753A (zh) | 晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN103762279B (zh) | N型硅太阳能电池的选择性背场的制作方法、n型硅太阳能电池及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 033000 Wenshui County Economic Development Zone, Lvliang, Shanxi Patentee after: Jinneng clean energy technology stock company Address before: 033000 Wenshui County Economic Development Zone, Lvliang, Shanxi Patentee before: Jin Neng Clean-tech Co., Ltd |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |