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CN105405926B - 一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法 - Google Patents

一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法 Download PDF

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CN105405926B CN201510888613.8A CN201510888613A CN105405926B CN 105405926 B CN105405926 B CN 105405926B CN 201510888613 A CN201510888613 A CN 201510888613A CN 105405926 B CN105405926 B CN 105405926B
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Abstract

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法。该退火方法包括：采用第一温度对硅片进行第一时长的加热处理；其中，第一温度为120℃至150℃；第一时长为5min至30min；采用第二温度对所述硅片进行第二时长的加热处理；其中，第二温度为260℃至350℃；第二时长为5s至30s。采用高温快速退火的方法可以延长低温固化的时间，以充分挥发银浆中的有机溶剂，较高加热温度可以有效降低晶体硅/非晶硅薄膜的界面的缺陷态密度，和TCO/非晶硅薄膜、TCO/Ag电极的界面电阻，且较高加热温度的时长仅5s至30s，不会导致非晶硅薄膜内的缺陷态密度的增加，最大限度提高了硅异质结太阳能电池的转换效率。

Description

一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法。
背景技术
随着能源在国民经济中战略地位的不断提高和对太阳能利用技术的不断发展，光伏发电系统得到了广泛关注，低成本、高效率是其未来发展的方向。光伏发电系统包括光伏发电组件和光伏系统平衡部件(Balance of System，BOS)。目前，光伏发电组件中的太阳能电池以晶硅电池为主，实现晶硅电池高转换效率的技术主要有：选择性发射极技术、背接触高效技术、金属穿孔卷绕技术、晶硅异质结技术等。其中，硅异质结太阳能电池技术与其它技术相比，具备制程温度低、结构简单、转换效率高等优势。
现有的一种硅异质结太阳能电池的制作方法包括：硅片去损伤层，制绒，清洗，非晶硅薄膜沉积，透明导电氧化物薄膜(Transparent Conductive Oxide，TCO)沉积，丝网银(Ag)电极印刷，退火。其中，丝网银电极印刷用于形成银栅线。退火的作用，一方面，消除在薄膜沉积过程中因受到轰击等导致的离子体损伤和应力缺陷，从而降低了缺陷密度(包括晶体硅/非晶硅薄膜的界面的缺陷态密度、非晶硅薄膜内的缺陷态密度)，并降低了硅异质结太阳能电池中的TCO/非晶硅薄膜，TCO/Ag电极的界面电阻，有利于硅异质结太阳能电池的开路电压(Open-circuit voltage，Voc)和填充因子(Fill factor，FF)的提升；另一方面，对银浆进行烘干与烧结，使得其中的有机溶剂挥发，从而提高银浆与TCO的粘结强度，有利于硅异质结太阳能电池的组件焊接拉力，有机溶剂的挥发也提高了银栅线的电导率，即降低硅异质结太阳能电池的电阻损耗，有利于硅异质结太阳能电池的FF的提升。
当在硅片上完成上述丝网电极印刷后，现有的一种对该硅片进行退火的方式是：首先对该硅片在温度为120摄氏度(℃)至150℃且时长为1分钟(minute，min)至10min的条件下进行低温固化，以挥发银浆中的有机溶剂；然后对该硅片在温度约200℃且时长为5min至30min的条件下进行高温固化，进一步挥发银浆中的有机溶剂，同时消除薄膜沉积过程中因受到轰击等导致的离子体损伤和应力缺陷。
在上述退火的过程中，因在200℃这样的较高温度下的时间较长，会导致非晶硅薄膜内的Si-H键断裂，形成深能级缺陷，增加非晶硅薄膜内的缺陷态密度，另外，也会导致P型非晶硅中硼原子的扩散，降低P型薄膜的有效掺杂，导致硅异质结太阳能电池PN结内建电场降低，不利于载流子传输，降低了非晶硅薄膜的质量；缩短时间则会出现银浆中的有机溶剂不能充分挥发的问题。上述的一种对硅片进行退火的方式，实际上难以使得硅异质结太阳能电池的界面性能、非晶硅薄膜的质量、银栅线的电阻值均达到最优，不能最大限度提高硅异质结太阳能电池的转换效率(Efficiency，EFF)。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法，用于解决现有的退火方法难以使得硅异质结太阳能电池的界面性能、非晶硅薄膜的质量、银栅线的电阻值均达到最优，不能最大限度提高硅异质结太阳能电池的转换效率。
本发明实施例的目的是通过以下技术方案实现的：
一种硅异质结太阳能电池的退火方法，包括：
采用第一温度对硅片进行第一时长的加热处理；其中，第一温度为120℃至150℃；第一时长为5min至30min；
采用第二温度对硅片进行第二时长的加热处理；其中，第二温度为260℃至350℃；第二时长为5s至30s。
较佳地，第二温度为300℃至320℃；第二时长为10s。
较佳地，采用第二温度对硅片进行第二时长的加热处理之后，该方法还包括：
采用第三温度对硅片进行第三时长的加热处理；其中，第三温度为130℃至160℃；第三时长为10min至60min。
较佳地，第三时长为30min。
较佳地，采用第一温度对硅片进行第一时长的加热处理之后，采用第二温度对硅片进行第二时长的加热处理之前，该方法还包括：
采用第四温度对硅片进行第四时长的加热处理；其中，第四温度为190℃至200℃；第四时长为1min至10min。
较佳地，第四时长为2min至5min。
较佳地，采用第二温度对硅片进行第二时长的加热处理时，所采用的加热方式为热板加热或者红外加热。
一种硅异质结太阳能电池的制备方法，包括以上任一项所述的硅异质结太阳能电池的退火方法。
一种硅异质结太阳能电池，采用以上所述的硅异质结太阳能电池的制备方法制备而成。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法中，采用第一温度为120℃至150℃、第一时长为5min至30min的加热条件，对硅片进行加热处理，实现了低温固化处理，与上述现有的退火方式相比，可以延长低温固化的时间，以充分挥发银浆中的有机溶剂，固化浆料，降低了银栅线的电阻；然后，采用第二温度为260℃至350℃、第二时长为5s至30s的加热条件，对该硅片进行加热处理，实现了高温快速热处理，与上述现有的退火的实现方式相比，加热的温度提高到260℃至350℃，这样，较高加热温度可以有效降低晶体硅/非晶硅薄膜的界面的缺陷态密度，和TCO/非晶硅薄膜、TCO/Ag电极的界面电阻，且较高加热温度的时长仅5s至30s，加热时长非常短，不会导致非晶硅薄膜内的缺陷态密度的增加，因此，最终得到的硅异质结太阳能电池的界面性能、非晶硅薄膜质量、银栅线的电阻值均可以达到最优，从而使得硅异质结太阳能电池的开路电压和填充因子较高，最大限度提高了硅异质结太阳能电池的转换效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种硅异质结太阳能电池的退火方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的另一种硅异质结太阳能电池的退火方法的流程图；
图3为本发明实施例提供的又一种硅异质结太阳能电池的退火方法的流程图；
图4为本发明实施例提供的再一种硅异质结太阳能电池的退火方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明提供的一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法进行更详细地说明。
本发明实施例提供一种硅异质结太阳能电池的退火方法，如图1所示，该方法至少包括如下步骤：
步骤110：采用第一温度对硅片进行第一时长的加热处理；其中，第一温度为120℃至150℃；第一时长为5min至30min。
其中，硅片是指已完成丝网电极印刷的硅片。在该硅片的一面和/或与其背对的一面设置有非晶硅薄膜、TCO和电极。硅异质结太阳能电池的电极中，前电极为银电极；背电极的材料可以为银，也可以为铝。
步骤120：采用第二温度对上述硅片进行第二时长的加热处理；其中，第二温度为260℃至350℃；第二时长为5秒(second，s)至30s。
本发明实施例提供的一种硅异质结太阳能电池的退火方法中，采用第一温度为120℃至150℃、第一时长为5min至30min的加热条件，对硅片进行加热处理，实现了低温固化处理，与上述现有的退火方式相比，可以延长低温固化的时间，以充分挥发银浆中的有机溶剂，固化浆料，降低了银栅线的电阻；然后，采用第二温度为260℃至350℃、第二时长为5s至30s的加热条件，对该硅片进行加热处理，实现了高温快速热处理，与上述现有的退火的实现方式相比，加热的温度提高到260℃至350℃，这样，较高加热温度可以有效降低晶体硅/非晶硅薄膜的界面的缺陷态密度，和TCO/非晶硅薄膜、TCO/Ag电极的界面电阻，且较高加热温度的时长仅5s至30s，加热时长非常短，不会导致非晶硅薄膜内的缺陷态密度的增加，因此，最终得到的硅异质结太阳能电池的界面性能、非晶硅薄膜质量、银栅线的电阻值均可以达到最优，从而使得硅异质结太阳能电池的开路电压和填充因子较高，最大限度提高了硅异质结太阳能电池的转换效率。
本发明实施例提供的对硅异质结太阳能电池的退火方法也称为高温快速退火方法。
在发明人实现本发明的过程中发现，为了进一步的保证既可以有效降低晶体硅/非晶硅薄膜的界面的缺陷态密度，和TCO/非晶硅薄膜、TCO/Ag电极的界面电阻，又可以保证不会导致非晶硅薄膜内的缺陷态密度的增加，从而进一步最大限度提高硅异质结太阳能电池的转换效率，较佳地，上述第二温度为300℃至320℃；上述第二时长为10s。
上述相关实施例中，在上述高温快速热处理之后，再采用上述第三温度对上述硅片进行上述第三时长的加热处理，可以消除上述硅片因高温快速加热导致的内应力，以降低内应力的缺陷对硅异质结太阳能电池的开路电压的损耗。如图2所示，本实施例提供的硅异质结太阳能电池的退火方法，至少包括如下步骤：
步骤210：采用上述第一温度对上述硅片进行上述第一时长的加热处理。
步骤220：采用上述第二温度对上述硅片进行上述第二时长的加热处理。
步骤230：采用第三温度对上述硅片进行第三时长的加热处理；其中，第三温度为130℃至160℃；第三时长为10min至60min。
为进一步消除上述硅片因快速加热导致的内应力，较佳地，上述第三时长为30min。
上述各个实施例中，较佳地，采用上述第一温度对上述硅片进行上述第一时长的加热处理之后，采用上述第二温度对上述硅片进行上述第二时长的加热处理之前，还采用第四温度对上述硅片进行第四时长的加热处理；其中，第四温度为190℃至200℃；第四时长为1min至10min。
上述相关实施例中，在进行上述低温固化处理之后，上述高温快速热处理之前，还采用190℃至200℃的温度对上述硅片进行第四时长的加热处理，实现了高温烧结处理，使得浆料充分挥发，进一步降低银栅线的电阻，提高了硅异质结太阳能电池的转换效率，同时提高了银栅线的可焊接性能，进而提高了硅异质结太阳能电池组件的可焊接性能。
下面列举两种包含上述高温烧结处理过程的硅异质结太阳能电池的退火方法。如图3所示，至少包括如下步骤：
步骤310：采用上述第一温度对上述硅片进行上述第一时长的加热处理。
步骤320：采用第四温度对上述硅片进行第四时长的加热处理；其中，第四温度为190℃至200℃；第四时长为1min至10min。
步骤330：采用上述第二温度对上述硅片进行上述第二时长的加热处理。
如图4所示，至少包括如下步骤：
步骤410：采用上述第一温度对上述硅片进行上述第一时长的加热处理。
步骤420：采用第四温度对上述硅片进行第四时长的加热处理；其中，第四温度为190℃至200℃；第四时长为1min至10min。
步骤430：采用上述第二温度对上述硅片进行上述第二时长的加热处理。
步骤440：采用上述第三温度对上述硅片进行上述第三时长的加热处理。
较佳地，上述相关实施例中，上述第四时长为2min至5min。
上述各个实施例中，较佳地，采用上述第二温度对上述硅片进行上述第二时长的加热处理时，所采用的加热方式可以为热板加热或者红外加热。
其中，热板是指两个层叠设置的金属板，且在两个金属板之间设置有可通电发热的电阻丝。
当然，采用上述第二温度对上述硅片进行上述第二时长的加热处理时，所采用的加热方式也可以为其它加热的方式。
上个各个实施例中，较佳地，采用上述第一温度对上述硅片进行上述第一时长的加热处理，采用上述第三温度对上述硅片进行上述第三时长的加热处理，采用上述第四温度对上述硅片进行上述第四时长的加热处理时，所采用的加热方式均可以为红外加热或者电阻丝加热的方式等。
其中，电阻丝加热的方式是指在加热空间中设置可通电发热的电阻丝。电阻丝通电发热后，通过空气将热量传递，进而对硅片进行加热。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供一种硅异质结太阳能电池的制备方法，包括以上任意实施例所述的硅异质结太阳能电池的退火方法。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供一种硅异质结太阳能电池，采用以上实施例所述的硅异质结太阳能电池的制备方法制备得到。
下面以具体的实施例对本发明实施例提供一种硅异质结太阳能电池、其退火方法及其制备方法进行更加详细地说明。
本实施例中的硅异质结太阳能电池的制备方法为：对硅片进行去损伤层、制绒、清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO薄膜制作，进行丝网银电极印刷，然后进行高温快速退火。
其中，TCO的材料为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)。
其中，进行丝网银电极印刷，形成了银栅线。
其中的高温快速退火的过程可以通过以下列举的几种实现方式来实现：
在第一种实现方式中，采用高温快速退火方法的具体步骤如下：
步骤一、进行低温固化处理，具体的，将已完成丝网电极印刷的硅片放入链式烘干炉中，通过红外加热的方式，采用第一温度120℃至150℃对该硅片进行第一时长5min的加热处理，以去除易挥发的有机溶剂，固化浆料。
步骤二、进行高温快速热处理，具体的，采用镊子或者机械手将低温固化处理后的硅片放置于热板上，采用第二温度300℃至320℃对该硅片进行第二时长10s的加热处理，然后快速拾取硅片。
该步骤中，在热板加热过程中，可以在热板周围放置阻燃板材，避免热板周围空气流动，防止对温度造成波动。
上述第一种实现方式的退火过程完成后收取硅片待测试。
为了测试上述列举的第一种实现方式中的高温快速退火方法所能达到的效果，对同一批硅片采用现有的退火方法进行了第一对比试验。第一对比实验中，现有的退火方法的具体步骤如下：
步骤一、进行低温固化处理，具体的，将已完成丝网电极印刷的硅片放入第一段链式烘干炉中，通过红外加热的方式，采用温度120℃至150℃对该硅片进行时长3min至5min的加热处理，以去除易挥发有机物，固化浆料。
步骤二、进行高温烧结处理，具体的，将硅片放置于第二段链式烘干炉中，通过红外加热的方式，采用温度190℃至200℃对该硅片进行时长为10min至20min的加热处理。
第一对比实验中，现有的退火过程完成后收取硅片待测试。
分别对采用上述列举的第一种实现方式中的高温快速退火方法和第一对比实验中现有的退火方法得到的硅片进行了测试，测试得到的实验数据见表1所示的对比实验的实验结果。
表1对比实验的实验结果
从以上表1所示的实验数据中可以看出，对硅片采用现有的退火方法，得到的EFF为21.2％，Voc为724mV，短路电流(Short circuit current density，Jsc)为38.6mA/cm2，FF为75.8；而对硅片采用上述列举的第一种实现方式中的高温快速退火方法，得到的EFF为21.5％，Voc为725mV，Jsc为38.5mA/cm2，FF为77.0。经过对比分析可知，与采用现有的退火方法相比，采用上述列举的第一种实现方式中的高温快速退火方法时，Voc与Jsc基本不变，FF得到了显著提升，因此，在保证Voc与Jsc较高的同时，FF也得到了提升，从而使得硅异质结太阳能电池的EFF得到了提升。
在第二种实现方式中，在进行上述高温快速热处理后，还可以进行低温处理，以消除硅片因快速加热导致的内应力，具体的步骤如下：
步骤一、进行低温固化处理，具体的，将已完成丝网电极印刷的硅片放入第一段链式烘干炉中，通过红外加热的方式，采用第一温度120℃至150℃对该硅片进行第一时长5min的加热处理，以去除易挥发的有机溶剂，固化浆料。
步骤二、进行高温快速热处理，具体的，采用镊子或者机械手将低温固化处理后的硅片放置于热板上，采用第二温度300℃至320℃对该硅片进行第二时长10s的加热处理，然后快速拾取硅片。
步骤三、进行低温处理，具体的，将高温快速热处理后的硅片放入第二段链式烘干炉中，通过红外加热的方式，采用第三温度130℃至160℃对硅片进行第三时长30min的加热处理。
上述第二种实现方式的退火过程完成后收取硅片待测试。
为了测试上述列举的第二种实现方式中的高温快速退火方法所能达到的效果，对同一批硅片采用现有的退火方法进行了第二对比试验。第二对比实验中，现有的退火方法具体步骤如下：
步骤一、进行低温固化处理，具体的，将已完成丝网电极印刷的硅片放入第一段链式烘干炉中，通过红外加热的方式，采用温度120℃至150℃对该硅片进行时长3min至5min的加热处理，以去除易挥发有机物，固化浆料。
步骤二、进行高温烧结处理，具体的，将低温固化处理后的硅片放置于第二段链式烘干炉中，通过红外加热的方式，采用温度190℃至200℃对该硅片进行时长为10min至20min的加热处理。
第二对比实验中，现有的退火过程完成后收取硅片待测试。
分别对采用上述列举的第二种实现方式中的高温快速退火方法和第二对比实验中现有的退火方法得到的硅片进行了测试，测试得到的实验数据见表2所示的对比实验的实验结果。
表2对比实验的实验结果
从以上表2所示的实验数据中可以看出，对硅片采用现有的退火方法，得到的EFF为21.3％，Voc为724mV，Jsc为38.6mA/cm2，FF为76.2；而对硅片采用上述列举的第二种实现方式中的高温快速退火方法，得到的EFF为21.6％，Voc为723mV，Jsc为38.4mA/cm2，FF为77.7。经过对比分析可知，与采用现有的退火方法相比，采用上述列举的第二种实现方式中的高温快速退火方法时，Voc与Jsc基本不变，FF得到了显著提升，因此，在保证Voc与Jsc较高的同时，FF也得到了提升，从而使得硅异质结太阳能电池的EFF得到了提升。
在第三种实现方式中，采用高温快速退火方法的具体步骤如下：
步骤一、进行低温固化处理，具体的，将已完成丝网电极印刷的硅片放入第一段链式烘干炉中，通过电阻丝加热的方式，采用第一温度120℃至150℃对该硅片进行第一时长5min的加热处理，以去除易挥发有机物，固化浆料。
步骤二、进行高温烧结处理，具体的，将低温固化处理后的硅片放置于第二段链式烘干炉中，通过电阻丝加热的方式，采用第四温度190℃至200℃对该硅片进行第四时长2min至5min的加热处理。
步骤三、进行高温快速热处理，具体的，采用镊子或者机械手将高温烧结处理后的硅片放置于热板上，采用第二温度300℃至320℃对该硅片进行第二时长10s的加热处理，然后快速拾取硅片。
该步骤中，在热板加热过程中，可以在热板周围放置阻燃板材，避免热板周围空气流动，防止对温度造成波动。
上述第三种实现方式的退火过程完成后收取硅片待测试。
为了测试上述列举的第三种实现方式中的高温快速退火方法所能达到的效果，对同一批硅片采用现有的退火方法进行了第三对比试验。第三对比实验中，现有的退火方法具体步骤如下：
步骤一、进行低温固化处理，具体的，将已完成丝网电极印刷的硅片放入第一段链式烘干炉中，通过电阻丝加热的方式，采用温度120℃至150℃对该硅片进行时长3min至5min的加热处理，以去除易挥发有机物，固化浆料。
步骤二、进行高温烧结处理，具体的，将低温固化处理后的硅片放置于第二段链式烘干炉中，通过电阻丝加热的方式，采用温度190℃至200℃对该硅片进行时长为10min至20min的加热处理。
第三对比实验中，现有的退火过程完成后收取硅片待测试。
分别对采用上述列举的第三种实现方式中的高温快速退火方法和第三对比实验中现有的退火方法得到的硅片进行了测试，测试得到的实验数据见表3所示的对比实验的实验结果。
表3对比实验的实验结果
从以上表3所示的实验数据中可以看出，对硅片采用现有的退火方法，得到的EFF为21.1％，Voc为722mV，Jsc为38.4mA/cm2，FF为75.6；而对硅片采用上述列举的第三种实现方式中的高温快速退火方法，得到的EFF为21.3％，Voc为723mV，Jsc为38.5mA/cm2，FF为76.5。经过对比分析可知，与采用现有的退火方法相比，采用上述列举的第三种实现方式中的高温快速退火方法时，Voc与Jsc基本不变，FF得到了显著提升，因此，在保证Voc与Jsc较高的同时，FF也得到了提升，从而使得硅异质结太阳能电池的EFF得到了提升。
在第四种实现方式中，采用高温快速退火方法的具体步骤如下：
步骤一、进行低温固化处理，具体的，将已完成丝网电极印刷的硅片放入第一段链式烘干炉中，通过电阻丝加热的方式，采用第一温度120℃至150℃对该硅片进行第一时长5min的加热处理，以去除易挥发有机物，固化浆料。
步骤二、进行高温烧结处理，具体的，将低温固化处理后的硅片放置于第二段链式烘干炉中，通过电阻丝加热的方式，采用第四温度190℃至200℃对该硅片进行第四时长1min至10min的加热处理。
步骤三、进行高温快速热处理，具体的，采用镊子或者机械手将高温烧结处理后的硅片放置于热板上，采用第二温度300℃至320℃对该硅片进行第二时长10s的加热处理，然后快速拾取硅片。
步骤四、进行低温处理，具体的，将高温快速处理后的硅片放入第三段链式烘干炉中，通过电阻丝加热的方式，采用第三温度130℃至160℃对上述硅片进行第三时长30min的加热处理。
上述第四种实现方式的退火过程完成后收取硅片待测试。
为了测试上述列举的第四种实现方式中的高温快速退火方法所能达到的效果，对同一批硅片采用现有的退火方法进行了第四对比试验。第四对比实验中，现有的退火方法具体步骤如下：
步骤一、进行低温固化处理，具体的，将已完成丝网电极印刷的硅片放入第一段链式烘干炉中，通过电阻丝加热的方式，采用温度120℃至150℃对该硅片进行时长3min至5min的加热处理，以去除易挥发有机物，固化浆料。
步骤二、进行高温烧结处理，具体的，将低温固化处理后的硅片放置于第二段链式烘干炉中，通过电阻丝加热的方式，采用温度190℃至200℃对该硅片进行时长为10min至20min的加热处理。
第四对比实验中，现有的退火过程完成后收取硅片待测试。
分别对采用上述列举的第四种实现方式中的高温快速退火方法和第四对比实验中现有的退火方法得到的硅片进行了测试，测试得到的实验数据见表4所示的对比实验的实验结果。
表4对比实验的实验结果
从以上表4所示的实验数据中可以看出，对硅片采用现有的退火方法，得到的EFF为21.0％，Voc为724mV，Jsc为38.5mA/cm2，FF为75.3；而对硅片采用上述列举的第三种实现方式中的高温快速退火方法，得到的EFF为21.4％，Voc为725mV，Jsc为38.6mA/cm2，FF为76.4。经过对比分析可知，与采用现有的退火方法相比，采用上述列举的第四种实现方式中的高温快速退火方法时，Voc与Jsc基本不变，FF得到了显著提升，因此，在保证Voc与Jsc较高的同时，FF也得到了提升，从而使得硅异质结太阳能电池的EFF得到了提升。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，包括：
采用第一温度对硅片进行第一时长的加热处理；其中，所述第一温度为120℃至150℃；所述第一时长为5min至30min；
采用第二温度对所述硅片进行第二时长的加热处理；其中，所述第二温度为260℃至350℃；所述第二时长为5s至30s；
其中，所述硅片为已完成丝网电极印刷的硅片。
2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，所述第二温度为300℃至320℃；所述第二时长为10s。
3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，采用所述第二温度对所述硅片进行第二时长的加热处理之后，该退火方法还包括：
采用第三温度对所述硅片进行第三时长的加热处理；其中，所述第三温度为130℃至160℃；所述第三时长为10min至60min。
4.根据权利要求3所述的硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，所述第三时长为30min。
5.根据权利要求1～4任一项所述的硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，采用所述第一温度对硅片进行所述第一时长的加热处理之后，采用第二温度对所述硅片进行所述第二时长的加热处理之前，该退火方法还包括：
采用第四温度对所述硅片进行第四时长的加热处理；其中，所述第四温度为190℃至200℃；所述第四时长为1min至10min。
6.根据权利要求5所述的硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，所述第四时长为2min至5min。
7.根据权利要求1～4任一项所述的硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，采用所述第二温度对所述硅片进行所述第二时长的加热处理时，所采用的加热方式为热板加热或者红外加热。
8.一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的硅异质结太阳能电池的退火方法。
9.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，采用权利要求8所述的硅异质结太阳能电池的制备方法制备而成。
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