CN105355647A - 一种封装结构、显示装置及其制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 29
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 129
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 61
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 22
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 19
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 13
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 11
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 10
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- -1 tin halides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims 6
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910021541 Vanadium(III) oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 35
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 192
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical group [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本发明提供一种封装结构，包括：薄膜封装层，其中，薄膜封装层包括至少一层无机层和至少一层钝化层；钝化层包含含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜。钝化层包括第一活性薄膜层和第二活性薄膜层，第一活性薄膜层和第二活性薄膜层的氧原子与卤族元素原子的摩尔比不同。第一活性薄膜表面活性能降低，因而具有更低的热膨胀系数和更佳的表面黏着能力。钝化层中的第二活性薄膜层相对于第一活性薄膜层氧含量更高，游离氧的引入使得第一活性薄膜层化学结构更加的紧实无缺陷，因而获得极佳的阻隔水氧的效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置的封装结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管器件(OLED，OrganicLightEmittingDiode)由于其自身具有发光的功能，与传统的液晶显示器相比，具有更低的功耗，同时还拥有高亮度和高响应速度，并且可以制成柔性显示，已经成为显示领域目前的主流器件。
OLED产品能够被广泛应用的必要基础是器件能够长时间、稳定、连续地工作。人们发现，当OLED器件工作一定时间后，其发光部分会出现黑斑，电极部分会出现气泡，这种现象被认为是导致器件失效的主要原因。黑斑与气泡的形成原因除了器件有机功能层的热效应，主要是器件的金属阴极、有机功能层与从器件外界渗入的水汽、氧气之间的化学反应。为了提高OLED产品寿命，需要通过封装处理来隔离来自器件外界的水蒸汽与氧气。但是目前一般来说，阻隔层是由无机材料所制成的，会存在一定的问题，例如，由于各个薄膜层均采用无机材料，沉积后的薄膜存在内部应力过大，产品可靠性低；无机材料的沉积方式难以避免存在缺陷，例如微小裂纹，异物的掺杂等问题从而影响封装的效果。另外的，目前另有采用有机层/无极层/有机层的交叠结构来缓解无机层的应力，但是这种交叠结构一般需要设置7层以上才能达到很好的缓解应力的效果，这种做法既浪费成本又增加了工艺复杂性。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本发明提供了一种封装结构、显示装置及其制作方法。
在本发明的一个实施例中，提供一种封装结构，包括：
薄膜封装层，其中，薄膜封装层包括至少一层无机层和至少一层钝化层；
钝化层包含含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜，化学结构为多面体交联网络结构，薄膜结构紧实致密，能够有效弥补无机材料在生产过程中产生的裂纹，并且钝化层具有很好的疏水性质，进一步阻断了水汽和氧气对封装结构内部器件的侵蚀。
在本发明的另一个实施例中，提供了一种显示装置，包括基板；
显示层，设置基板上，上述封装结构，位于显示层上。
本发明所提供的显示装置，在显示层上设置封装结构，能够对显示层起到保护作用，有效的阻止了外界的水氧侵入到显示层中，防止水氧对显示层显示功能的破坏。
在本发明的又一个实施例中，提供了一种显示装置的制作方法，包括以下步骤：
提供一基板；
在基板上形成显示层；
形成薄膜封装层，显示层形成于基板和薄膜封装层之间；
形成薄膜封装层包括：形成至少一层无机层和形成至少一层钝化层；
钝化层包括含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜，非晶态固体氧化物薄膜具有多面体交联网络结构。
采用本发明的封装结构、显示装置及其制作方法，具有下述一个或多个优点：
本发明中的钝化层为含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜，化学结构为多面体交联网络结构，薄膜结构致密。钝化层中的第一活性薄膜层具有较高的卤族元素含量，使得第一活性薄膜具有很好的疏水特性，且薄膜的表面活性能降低，因而具有更低的热膨胀系数和更佳的表面黏着能力。钝化层中的第二活性薄膜层相对于第一活性薄膜层氧含量更高，游离氧的引入使得第二活性薄膜层化学结构更加的紧实无缺陷，因而获得极佳的阻隔水氧的效果。
另一方面钝化层的结构简单，工艺难度低，且不需要多层有机层和无机层的交叠结构，大大降低了成本。
附图说明
图1为本发明实施例一的封装结构实施例的示意图。
图2为本发明实施例一的多面体交联网络结构示意图。
图3为本发明实施例一的示意图钝化层微观结构示意图。
图4为本发明实施例一的显示装置示意图。
图5为本发明实施例一的又一种显示装置实施例的示意图。
图6为本发明实施例一的又一种显示装置实施例的示意图。
图7为本发明实施例二的显示装置的制作方法的流程示意图。
图8为本发明实施例二的形成钝化层的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
实施例一
参见图1所示，为本实施例的封装结构100的示意图，包括薄膜封装层120，其中，薄膜封装层包括至少一层无机层103和至少一层钝化层110，钝化层110包括含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜，非晶态固体氧化物薄膜具有多面体交联网络结构。本实施例所提供的封装结构100具有钝化层110，钝化层110为含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜，化学结构为多面体交联网络结构，薄膜结构紧实致密，能够有效弥补无机层103在生产过程中产生的裂纹，并且钝化层110具有很好的疏水性质，进一步阻断了水汽和氧气对封装结构100内部器件的侵蚀。
可选的，如图1所示，在本实施例中无机层103可以为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或几种。
如图2所示，为本实施例中，多面体交联网络结构示意图200，多面体交联网络结构200包括多个多面体201，多个多面体201无规则交联，多面体201由多个原子通过化学键连接形成。
需要说明的是，图示2中给出的结构仅仅是示例说明性的，不代表物质的实质结构，多面体201中连接各原子的虚线并不代表构成化学键，而是为了说明多面体结构的辅助线。
在本实施例中，多面体201由多个原子通过化学键连接形成立体结构，多个多面体201无规则的互相交联，形成了一种短程有序而长程无序的多面体交联网络结构，含有卤族元素的非晶态固体氧化物由于具有这种多面体交联网络结构，因而具有紧实致密的特性，能够很好的阻隔外界水氧。
可选的，本实施例中，由多个原子通过化学键连接形成的多面体201包括四面体、六面体、八面体、二十面体中的一种或多种。
需要说明的是，本实施例不限于这几种多面体结构。
可选的，本实施例中，如图2所示，多面体交联网络结构200还可以包括二维化学键结构202，二维化学键结构可以包括：单键、三角形结构、多边形结构中的一种或多种。
本实施例中，多个多面体201还可以与二维化学键结构202无规则交联形成复杂无序的多面体交联结构200，需要说明的是，二维化学键结构不限于单键、三角形结构和多边形结构，还可以包括其他二维化学键结构。
可选的，如图1所示，在本实施例中，钝化层110可以包括第一活性薄膜层104和第二活性薄膜层105，第一活性薄膜层104和第二活性薄膜层105氧原子与卤族元素原子的摩尔比不相同。
第一活性薄膜层104和第二活性薄膜层105由于具有不同的氧原子卤族原子摩尔比，因而具有不同的特性，第一活性薄膜层104表现出更好的疏水特性，第二活性薄膜层105结构更加致密，使得钝化层110有更好的阻水气效果。下面将具体介绍钝化层的结构以及其阻隔水氧的原理。
参见图3所示，为本实施例的钝化层微观结构示意图。
为了简化模型，图3仅仅给出部分微观结构以做原理性说明，不代表本发明对任何范围的限定，下述的各薄膜成分也仅仅是为了介绍本发明的原理而进行的举例性说明。
如图3所示，第一活性薄膜层104可以为含有卤族元素的五氧化二磷薄膜，五氧化二磷具有正四面体结构1041，卤族元素原子与正四面体1041的中心原子磷原子构成二维单键结构1042，多个正四面体1041互相无规则交联，且与多个二维单键结构1042无规则互相交联形成多面体交联结构，多面体交联结构使得第一活性薄膜层104具有紧实致密的特性，因而能够很好的阻隔外界水氧，二维单键结构1042使得第一活性薄膜层104具有更低的热膨胀系数，并且具有更好的界面黏着能力。第一活性薄膜层104由于卤族元素的大量引入使得其具有很好的疏水特性。
第二活性薄膜层105与第一活性薄膜层104氧原子与卤族元素原子的摩尔比不同，第二活性薄膜层105在第一活性薄膜层104的表面引入更多的游离氧原子，氧原子的引入使得第二活性薄膜层105的二维单键结构1042转变为更加稳固的四面体结构1041，因而使得多面体交联网络更加紧实致密，具有更好的阻挡水气侵入的效果。
可选的，第二活性薄膜层105覆盖第一活性薄膜层104，且第二活性薄膜层105和第一活性薄膜层104在微观结构上直接结合。
由于第二活性薄膜层105是在第一活性薄膜层104的表面引入了更多的游离氧，因而第二活性薄膜层105和第一活性薄膜层104能够在微观结构上直接结合，形成一体，这样进一步保证了钝化层110对外界水氧的阻隔作用。
本实施例中的钝化层110可以为含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜，非晶态固体氧化物薄膜包含三氧化二铋、三氧化二铝、五氧化二钒、二氧化钛、五氧化二磷、二氧化硅、三氧化二硼、二氧化碲中的一种或几种。
具体的，上述非晶态固体氧化物薄膜含有多种多面体结构以及二维化学键结构互相交联，各多面体以及二维化学结构之间的间隙更小，结构更为致密，阻水氧的效果更为明显。
在本实施例的一个可选实施方式中，钝化层为含有氟元素的三氧化二铋薄膜或含有氟元素的二氧化硅薄膜或均含有氟元素的三氧化二铋与二氧化硅组合物薄膜。
三氧化二铋具有多面体交联网络结构，形成多面体交联网络结构的多面体主要为铋原子与氧原子组成的八面体结构，这种八面体结构非常稳固使得三氧化二铋薄膜紧实致密，氟原子使得三氧化二铋薄膜具有很好的疏水特性，并且降低了薄膜表面能，氟原子与铋原子构成二维单键，使得三氧化二铋薄膜具有更低的热膨胀系数，而低的热膨胀系数使三氧化二铋薄膜在环境温度变化时，不会引起薄膜物理状态和化学特性的改变。
在本实施例的又一个可选实施方式中，第一活性薄膜层氧原子与氟原子的摩尔比小于等于0.5，第二活性薄膜层氧原子与氟原子的摩尔比大于0.5且小于等于0.9，
可选的，本实施例中第一活性薄膜层氧原子与氟原子的摩尔比为0.5，第二活性薄膜层氧原子和氟原子的摩尔比为0.9，在此比例条件下，液体在第一活性薄膜层表面的接触角为80度，液体在第二活性薄膜层表面的接触角为60度，表征了第一活性薄膜层和第二活性薄膜层对液体的润湿性能很差，从而表现出良好的疏水特性。
在由含有氟元素的三氧化二铋构成的第一活性薄膜层中，除了大部分的氧原子和铋原子构成的八面体结构之外，还包括一部分氧原子和铋原子组成三角形二维化学键结构，由于第二活性薄膜层比第一活性薄膜层具有更高的氧原子与氟原子的摩尔比，第二活性薄膜层引入了更多的氧原子，因而部分铋原子和氧原子的三角形结构转化为更加稳固的八面体结构，从而缩小了各八面体之间的间隙，使第二活性薄膜层具有更好的致密性，获得了更加优越防水氧效果。
可选的，第一活性薄膜层的氧原子与氟原子的摩尔比还可以为0.1、0.2、0.3、0.4，第二活性薄膜层的氧原子与氟原子的摩尔比还可以为0.5、0.6、0.7、以及0.8。
相同的，具有氟元素的二氧化硅薄膜表现出和具有氟元素的三氧化二铋薄膜相似的化学特性。
可选的，钝化层还可以为均含有氟元素的三氧化二铋与二氧化硅组合物薄膜，这种含有氟元素的三氧化二铋与二氧化硅组合物薄膜具有更加复杂的多面体网络结构，更加小的各多面体与二维化学键结构间隙，从而表现出更加优越的阻隔水氧的效果。
可选的，第一活性薄膜层的厚度为：100纳米至10微米；所述第二活性薄膜层的厚度为：100纳米至2微米。
对于第一活性薄膜层，当薄膜的厚度小于100纳米，薄膜对水氧的阻隔效果并不理想，而当薄膜的厚度大于10微米，薄膜会由于自身热残余应力而产生裂纹。
第二活性薄膜层相比于第一活性薄膜层引入更多的游离氧，游离氧的化学渗透深度可以达到2微米，此时具有良好的水氧隔绝效果，而当第二活性薄膜层的厚度小于100纳米，无法有效对水氧进行阻隔。
在一些可选的实施方式中，钝化层还可以包括锡元素和钨元素。
锡元素和钨元素的引入使得钝化层的疏水特性更佳，并且钨元素能够在钝化层形成的工艺过程中降低制程温度，从而降低了钝化层形成的工艺难度。
本实施例还提供了一种显示装置，如图4所示，为本实施例提供的显示装置400的示意图，包括：基板401，显示层402，设置在基板401上，上述任意一种封装结构420，位于显示层402上。
本实施例所提供的显示装置400，在显示层402上设置封装结构420，能够对显示层402起到保护作用，有效的阻止了外界的水氧侵入到显示层402中，防止水氧对显示层显示功能的破坏。
可选的，至少一层无机层403位于钝化层410和显示层402之间，并且无机层403与显示层402直接结合。钝化层410包括第一活性薄膜层404和第二活性薄膜层405。
本实施例中，封装结构420包含至少一层无机层403，无机层403设置于钝化层410和显示层402之间，无机层403是封装结构420的第一道防水氧屏障，并且无机层403与显示层402的直接结合还能够对显示层起到保护作用，不会受到钝化层的影响，而由于无机层403本身比较容易产生裂纹，钝化层410覆盖无机层403，形成了第二道保护屏障，并且钝化层具有很好的疏水特性，且钝化层410具有多面体交联结构，具有紧实致密的特性，因而具有优越的阻水氧效果。可选的，在封装结构420远离显示层402的表面(即图4所示的上表面)为第二活性薄膜层405。
第二活性薄膜层405相对于第一活性薄膜层404具有更加致密的网络结构，因而在封装结构420的上表面设置第二活性薄膜层405将具有更加的阻水氧效果。
在本实施例的又一个可选的实施方式中，，钝化层可以为多层叠置的结构。
如图5所示为本实施例提供的又一种显示装置500的示意图，包括基板501，显示层502，设置在基板501上，封装结构520，位于显示层502上。封装结构520包括至少一层无机层503和至少一层钝化层510。
本实施例所提供的显示装置500具有多层钝化层510的叠置结构，相比于单层钝化层能够进一步提升封装结构520的封装性能，从而保护显示层502不受外界水氧的侵蚀。
可选的，如图6所示，为本实施例提供的又一种一种显示装置600的示意图，与上述实施方式相同的部分，此处不再赘述，不同之处在于，在封装结构620中，钝化层610和无机层603可以为交替叠置的结构。
无机层603具有阻隔水氧的效果，但无机层本身容易受到外界应力的作用而产生裂纹，钝化层610与无机层603交替叠置的设置使得钝化层能够覆盖每一层无机层，而弥补了无机层的裂纹对显示层带来的不利影响，并且钝化层本身具有良好的疏水作用和紧实致密的结构，能够进一步提升封装结构的封装性能，保护显示层不受水氧的侵蚀。
实施例二
本实施例提供了一种显示装置的制作方法，如图7所示，为本实施例的制作方法的流程示意图700，包括以下步骤：
具体而言，在步骤S1中，提供一基板。
在步骤S2中，在基板上形成显示层。
步骤S3，在显示层上形成封装结构包括以下步骤：
S3a，形成至少一层钝化层，钝化层包括含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜，非晶态固体氧化物薄膜含有多面体交联的网络结构。
这种多面体网络交联结构包括多个多面体无规则的交联形成，每个多面体由多个原子通过化学键连接形成，这种多面体可以为四面体、六面体、八面体、二十面体中的一种或者几种。需要说明的是，本发明不限于这几种多面体结构。
可选的，多面体交联网络结构还可以包括二维化学键结构：单键、三角形结构、多边形结构中的一种或多种。
形成钝化层的步骤S3a包括：形成第一活性薄膜层，形成第二活性薄膜层，第一活性薄膜层和第二活性薄膜层的氧原子与卤族元素原子的摩尔比不同。
如图8所示，为本实施例形成钝化层的流程示意图800。
形成第一活性薄膜层的步骤810包括：
步骤801，将一种或几种非晶态固体氧化物与卤化锡放置于混料机中进行充分的混合。
步骤802，对混合物进行振动压制，热压烧结，在烧结的过程中，各组分的化学键打开，互相结合形成新的化学键。步骤803，经过热压烧结后形成模具，将获得的模具进行切割制成靶材。
步骤804，对所形成的靶材使用溅射方法制成薄膜，在压力为100mTorr的腔体中，使用氩离子对靶材进行轰击，从而溅射成膜。
可选的，在步骤801中，非晶态固体氧化物可以包含三氧化二铋、三氧化二铝、五氧化二钒、二氧化钛、五氧化二磷、二氧化硅、三氧化二硼、二氧化碲中的一种或几种。
可选的，在步骤801中，选取三氧化二铋或者二氧化硅或者二者组合物与氟化锡混合通过上述方式进行成膜制程。
可选的，在步骤801中，还包括：加入氧化钨，氧化钨的加入能够降低在成膜制程中的工艺温度，并进一步提高钝化层的疏水特性。
可选的，在步骤801中，三氧化二铋的重量百分比为：62％至73％；
如果三氧化二铋的重量百分比过高，会导致膜层的热膨胀系数增大，不利于膜层的热稳定性，如果三氧化二铋的重量百分比过低，则不能形成有效的网络结构。
二氧化硅的重量百分比为：1％至5％；
氟化锡的重量百分比为：20％至25％；
氧化钨的重量百分比为：1％至12％。
氟化锡与氧化钨的能够有效降低混合靶材的熔点，从而降低了工艺温度，但是如果加入过多的氟化锡与氧化钨将会影响到膜层本身的性能。
如图6所示，形成第二活性薄膜层的步骤820，在形成第一活性薄膜层之后，对第一活性薄膜层进行表面等离子氧化处理。
通过对第一活性薄膜层的表面进行等离子氧化处理，能够引入更多的游离氧，游离氧的引入使得多面体交联网络结构中的部分二维化学键结构转变为稳固的多面体结构，从而使各个多面体之间的间隙变小，多面体交联网络结构更加的紧实致密。
可选的，封装结构在远离显示层的表面为第二活性薄膜层。
可选的，形成第一活性薄膜层的化学分子式为：Bi0.6-0.8Si0.1-0.25Sn0.3-0.4W0.1-0.15O0.3-0.8F0.6-0.8
可选的，形成第二活性薄膜层的化学分子式为：Bi0.6-0.8Si0.1-0.25Sn0.3-0.4W0.1-0.15O0.3-0.4F0.6-0.8
可选的，在步骤804中，溅射形成第一活性薄膜的厚度为100纳米至10微米，在步骤820中，对第一活性薄膜层进行表面等离子氧化处理形成第二活性薄膜层的厚度为100纳米至2微米。
S3b，形成至少一层无机层。
形成无机层的方法包括：物理气相沉积、化学气相沉积或者溅射进行成膜，无机层可以为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或几种。
在本事实施例的一个可选的实施方式中，无机层形成于显示层和钝化层之间，并且无机层与显示层直接结合。可选的，显示层可以为有机电致发光器件。
需要说明的是，上述的步骤编号仅是示意性的，其并不体现各步骤执行的先后顺序关系。只要显示装置的制作方法包括了如上所述的步骤，无论各步骤具有何种先后顺序关系，均视为落入了本申请的保护范围之内。
以上描述仅为本发明的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (33)
1.一种封装结构，其特征在于，包括薄膜封装层，其中，所述薄膜封装层包括至少一层无机层和至少一层钝化层，所述钝化层包括含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜，所述非晶态固体氧化物薄膜具有多面体交联网络结构。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述多面体交联网络结构包括多个无规则交联的多面体，所述多面体由多个原子通过化学键连接形成。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述多面体包括：四面体、六面体、八面体、二十面体中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述多面体交联网络结构还包括二维化学键结构，所述二维化学键结构包括：单键、三角形结构、多边形结构中的一种或多种。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述钝化层包括第一活性薄膜层和第二活性薄膜层，所述第一活性薄膜层和所述第二活性薄膜层的氧原子与卤族元素原子的摩尔比不同。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第二活性薄膜层覆盖所述第一活性薄膜层，且所述第二活性薄膜层和所述第一活性薄膜层在微观结构上直接结合。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜包含三氧化二铋、三氧化二铝、五氧化二钒、二氧化钛、五氧化二磷、二氧化硅、三氧化二硼、二氧化碲中的一种或几种。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述钝化层为含有氟元素的三氧化二铋薄膜或含有氟元素的二氧化硅薄膜或均含有氟元素的三氧化二铋与二氧化硅组合物薄膜。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述第一活性薄膜层的氧原子与氟原子的摩尔比小于等于0.5；
所述第二活性薄膜的氧原子与氟原子的摩尔比大于0.5且小于等于0.9。
10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述第一活性薄膜层的厚度为：100纳米至10微米；所述第二活性薄膜层的厚度为：100纳米至2微米。
11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述非晶态固体氧化物薄膜还包括：锡元素和钨元素。
12.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述无机层为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或几种。
13.一种显示装置，包含，
基板；
显示层，设置在所述基板上；
如权利要求1-12任一项所述的封装结构，位于所述显示层上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，至少一层所述无机层位于所述钝化层和所述显示层之间，且所述无机层与所述显示层直接结合。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述封装层远离所述显示层的表面为所述第二活性薄膜层。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述显示层为有机电致发光器件。
17.一种显示装置的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成显示层；
形成薄膜封装层，所述显示层形成于所述基板和所述薄膜封装层之间；
所述形成薄膜封装层包括：形成至少一层无机层和形成至少一层钝化层；
所述钝化层包括含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜；
所述非晶态固体氧化物薄膜具有多面体交联网络结构。
18.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，
所述多面体交联网络结构包括多个多面体，所述多个多面体无规则交联；
所述多面体由多个原子通过化学键连接形成。
19.根据权利要求18所述的制作方法，其特征在于，
所述多面体包括：四面体、六面体、八面体、二十面体中的一种或多种。
20.根据权利要求18所述的制作方法，其特征在于，
所述多面体交联网络结构还包括二维化学键结构，所述二维化学键结构包括：单键、三角形结构、多边形结构中的一种或多种。
21.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，所述形成至少一层钝化层包括：形成第一活性薄膜层和形成第二活性薄膜层，所述第一活性薄膜层和所述第二活性薄膜层的氧原子与卤族元素原子的摩尔比不同。
22.根据权利要求21所述的制作方法，其特征在于，所述形成第一活性薄膜层包括以下步骤：
将非晶态固体氧化物中的一种或几种与卤化锡混合、热压、烧结制成靶材；
对所述靶材进行溅射成膜。
23.根据权利要求22所述的制作方法，其特征在于，所述将非晶态固体氧化物中的一种或几种与卤化锡混合还包括：加入氧化钨。
24.根据权利要求22所述的制作方法，其特征在于，所述含有卤族元素的非晶态固体氧化物薄膜包含三氧化二铋、三氧化二铝、五氧化二钒、二氧化钛中、五氧化二磷、二氧化硅、三氧化二硼、二氧化碲中的一种或几种。
25.根据权利要求24所述的制作方法，其特征在于，所述非晶态固体氧化物薄膜为三氧化二铋或二氧化硅或二者组合物；
所述卤化锡为氟化锡。
26.根据权利要求25所述的制作方法，其特征在于，
所述三氧化二铋的重量百分比为：62％至73％；
所述二氧化硅的重量百分比为：1％至5％；
所述氟化锡的重量百分比为：20％至25％；
所述氧化钨的重量百分比为：1％至12％。
27.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，所述形成第二活性薄膜层包括以下步骤：
形成所述第一活性薄膜层之后，对所述第一活性薄膜层进行表面等离子氧化。
28.根据权利要求27所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一活性薄膜层的厚度为：100纳米至10微米；形成所述第二活性薄膜层的厚度为：100纳米至2微米。
29.根据权利要求16至28中的任意一项所述的制作方法，其特征在于，在所述钝化层和所述显示层之间，形成至少一层无机层，且所述无机层与所述显示层直接结合。
30.根据权利要求29所述的制作方法，其特征在于，所述无机层为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅中的一种或几种。
31.根据权利要求30所述的制作方法，其特征在于，所述形成至少一层无机层的方法包括：物理气相沉积、化学气相沉积、溅射。
32.根据权利要求31所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜封装层远离所述显示层的表面为所述第二活性薄膜层。
33.根据权利要求29所述的制作方法，其特征在于，所述显示层为有机电致发光器件。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510844324.8A CN105355647B (zh) | 2015-11-26 | 2015-11-26 | 一种封装结构、显示装置及其制作方法 |
| US15/150,503 US10446792B2 (en) | 2015-11-26 | 2016-05-10 | Packaging structure, display device, and fabrication method thereof |
| DE102016115675.2A DE102016115675A1 (de) | 2015-11-26 | 2016-08-24 | Verpackungsstruktur, Display-Vorrichtung und deren Herstellungsprozess |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510844324.8A CN105355647B (zh) | 2015-11-26 | 2015-11-26 | 一种封装结构、显示装置及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105355647A true CN105355647A (zh) | 2016-02-24 |
| CN105355647B CN105355647B (zh) | 2018-05-25 |
Family
ID=55331581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510844324.8A Active CN105355647B (zh) | 2015-11-26 | 2015-11-26 | 一种封装结构、显示装置及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10446792B2 (zh) |
| CN (1) | CN105355647B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106783735A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示装置的薄膜晶体管基板的封装方法及结构 |
| CN107275515A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-10-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件封装方法、结构、oled器件及显示屏 |
| CN107978560A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-05-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型tft基板及其制作方法 |
| WO2019095499A1 (zh) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 封装薄膜及显示装置 |
| WO2019114699A1 (zh) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装结构、基板和显示面板 |
| CN113991035A (zh) * | 2021-08-25 | 2022-01-28 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种用于oled封装的薄膜封装结构及有机发光二极管器件 |
| CN116406183A (zh) * | 2023-05-23 | 2023-07-07 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10826017B2 (en) * | 2018-03-30 | 2020-11-03 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Packaging assembly and preparation method thereof, and display device |
| CN111785856B (zh) * | 2019-04-04 | 2024-01-26 | 上海和辉光电股份有限公司 | 薄膜封装材料及其制造方法、薄膜封装结构和电子器件 |
| KR20210052636A (ko) * | 2019-10-29 | 2021-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1706226A (zh) * | 2002-10-16 | 2005-12-07 | 出光兴产株式会社 | 有机场致发光显示装置及其制造方法 |
| US20070159094A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel display device and method thereof |
| CN101901839A (zh) * | 2009-05-29 | 2010-12-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| CN102569678A (zh) * | 2012-03-07 | 2012-07-11 | 上海大学 | 一种顶发射oled的复合薄膜封装方法 |
| CN104157790A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-11-19 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光薄膜封装结构，其器件、装置及制造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3073770A (en) * | 1961-04-24 | 1963-01-15 | Bell Telephone Labor Inc | Mullite synthesis |
| US5453494A (en) * | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
| US6515787B1 (en) * | 2000-03-07 | 2003-02-04 | Eclipse Energy Systems, Inc. | Electrochromic layer |
| US7615506B2 (en) | 2006-10-06 | 2009-11-10 | Corning Incorporated | Durable tungsten-doped tin-fluorophosphate glasses |
| EP2576105A4 (en) * | 2010-05-27 | 2014-01-15 | Applied Thin Films Inc | PROTECTIVE COATINGS FOR SUBSTRATES WITH AN ACTIVE SURFACE |
| KR20150007865A (ko) * | 2013-07-12 | 2015-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 타겟의 제조 방법, 그 방법으로 제조된 스퍼터링 타겟 및 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법 |
-
2015
- 2015-11-26 CN CN201510844324.8A patent/CN105355647B/zh active Active
-
2016
- 2016-05-10 US US15/150,503 patent/US10446792B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1706226A (zh) * | 2002-10-16 | 2005-12-07 | 出光兴产株式会社 | 有机场致发光显示装置及其制造方法 |
| US20070159094A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel display device and method thereof |
| CN101901839A (zh) * | 2009-05-29 | 2010-12-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| CN102569678A (zh) * | 2012-03-07 | 2012-07-11 | 上海大学 | 一种顶发射oled的复合薄膜封装方法 |
| CN104157790A (zh) * | 2014-06-30 | 2014-11-19 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光薄膜封装结构，其器件、装置及制造方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106783735B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-05-07 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示装置的薄膜晶体管基板的封装方法及结构 |
| CN106783735A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示装置的薄膜晶体管基板的封装方法及结构 |
| US10361394B2 (en) | 2017-06-20 | 2019-07-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | OLED device encapsulating method and structure, OLED device, and display screen |
| CN107275515A (zh) * | 2017-06-20 | 2017-10-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件封装方法、结构、oled器件及显示屏 |
| US10454065B1 (en) | 2017-06-20 | 2019-10-22 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | OLED device encapsulating method and structure, OLED device, and display screen |
| US10454064B2 (en) | 2017-06-20 | 2019-10-22 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | OLED device encapsulating method and structure, OLED device, and display screen |
| WO2019095499A1 (zh) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 封装薄膜及显示装置 |
| CN107978560A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-05-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型tft基板及其制作方法 |
| CN107978560B (zh) * | 2017-11-21 | 2019-12-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 背沟道蚀刻型tft基板及其制作方法 |
| WO2019114699A1 (zh) * | 2017-12-15 | 2019-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装结构、基板和显示面板 |
| US10680204B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-06-09 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Encapsulation structure, substrate and display panel |
| CN113991035A (zh) * | 2021-08-25 | 2022-01-28 | 上海和辉光电股份有限公司 | 一种用于oled封装的薄膜封装结构及有机发光二极管器件 |
| CN116406183A (zh) * | 2023-05-23 | 2023-07-07 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN116406183B (zh) * | 2023-05-23 | 2023-09-12 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105355647B (zh) | 2018-05-25 |
| US20170155089A1 (en) | 2017-06-01 |
| US10446792B2 (en) | 2019-10-15 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
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