CN105338458B - Mems麦克风 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- MFYFNUKUXIRYFV-JSGCOSHPSA-N Polygonone Natural products O=CC=1C(=O)C[C@H]2C(C)(C)CCC[C@@]2(C)C=1 MFYFNUKUXIRYFV-JSGCOSHPSA-N 0.000 claims 1
- 230000024241 parasitism Effects 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0037—For increasing stroke, i.e. achieve large displacement of actuated parts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
- G01L9/0045—Diaphragm associated with a buried cavity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
- H04R7/12—Non-planar diaphragms or cones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/02—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones characterised by the construction
- H04R7/12—Non-planar diaphragms or cones
- H04R7/14—Non-planar diaphragms or cones corrugated, pleated or ribbed
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/16—Mounting or tensioning of diaphragms or cones
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/03—Static structures
- B81B2203/0315—Cavities
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
一种MEMS麦克风,由于上极板的中心区域或下极板的中心区域设有凹部,上极板的中心区域和下极板的中间区域的距离较远,构成可变电容结构的上极板(例如作为振膜)和下极板(例如作为背板)之间不容易粘连,有效降低出现振膜和背板粘连问题的几率,提高成品率。同时,由于可变电容的极板的中心区域不需要被挖掉,有效利用振膜机械灵敏度最高的区域,最大程度保持了MEMS麦克风的灵敏度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域,特别涉及一种MEMS麦克风。
背景技术
MEMS麦克风芯片的研究已经有20多年了,在此期间有很多类型的麦克风芯片研发出来,其中有压阻式、压电式和电容式等,其中电容式的MEMS麦克风应用最为广泛。电容式MEMS麦克风拥有以下优点:体积小、灵敏度高、频率特性好、噪声低等。除此之外,电容式MEMS麦克风还具有很宽的工作温度,可以在很恶劣的环境下工作。电容式麦克风又分为双膜电容结构和单膜电容结构,其中大部分设计都采用双膜结构。
电容式硅基MEMS麦克风通常由背板和振膜组成。其中振膜具有一定柔韧性,可通过空气使振膜振动;而背板具有一定刚性,并且布满孔洞,也称为声孔,空气可穿过这些声孔,使振膜振动,背板不随空气的振动而振动。背板和振膜构成了一个平板电容,声音通过空气使柔韧的振膜振动,从而使平板电容的电容值发生变化。这种电容值的变化为外围电路提供了一种可供探测的电信号,从而实现了从声音信号到电信号的转换。MEMS器件,包括硅基麦克风,通常是采用集成电路制造技术来生产的。硅基麦克风在助听器和移动通讯设备等领域有着非常广阔的应用前景。
对电容式硅基MEMS麦克风来说,振膜的柔度决定了麦克风的灵敏度。这是因为柔度越大振膜的纵向位移就越大,产生的电信号就越大。但是振膜越柔软就越容易和背板粘连起来,导致MEMS麦克风不能正常工作,严重影响成品率。防止振膜和背板粘连起来的方法有很多,目前比较有效的方法是制作防粘连突起,但是增加了工艺步骤,增加了成本。另一种方法是将背板中心区域挖掉。因为振膜的中心区域机械灵敏度最高,形变最大,最容易和背板粘连在一起,将背板中心区域挖掉之后,可以有效防止振膜和背板粘连在一起。但是由于振膜的中心区域机械灵敏度最高,边缘低,背板的中间区域挖掉之后,浪费了振膜的中心位置,降低了MEMS麦克风的灵敏度。
发明内容
基于此,有必要提供一种MEMS麦克风,该MEMS麦克风可以有效降低出现振膜和背板粘连问题的几率,提高成品率。
一种MEMS麦克风,包括基底、支撑部、上极板和下极板,所述基底设有贯通中间的开口,所述下极板跨设于所述开口,所述支撑部固定于所述下极板上,所述上极板贴于所述支撑部上,所述支撑部、所述上极板和所述下极板之间形成容腔,所述上极板和/或下极板的中间区域设有相对于所述容腔的凹部,所述上极板和所述下极板之间绝缘。
在其中一个实施例中,所述上极板为柔韧性薄膜,所述下极板为坚硬性薄膜;或者所述上极板为坚硬性薄膜,所述下极板为柔韧性薄膜。
在其中一个实施例中,所述上极板或下极板设有多个声孔。
在其中一个实施例中,所述凹部的形状为圆形、多边形中的一种。
在其中一个实施例中,所述上极板和所述下极板包含导电层。
在其中一个实施例中,所述基底的材料包括Si、Ge、SiGe、SiC、SiO2或Si3N4中的一种。
在其中一个实施例中,所述支撑部包含用于使所述上极板和所述下极板之间绝缘的第一绝缘层。
在其中一个实施例中,所述支撑部包括环形结构、多边框形结构中的一种。
在其中一个实施例中,所述支撑部包括了一个独立于所述支撑部主体的支撑柱。
在其中一个实施例中,还包括上电极和下电极,所述上电极和所述下电极的材质包括P型硅或N型硅中的一种,所述上电极和所述上极板电连接,所述下电极和所述下极板电连接。
上述MEMS麦克风,由于上极板的中间区域或下极板的中心区域设有凹部,上极板的中心区域和下极板的中心区域的距离较远,构成可变电容结构的上极板(例如作为振膜)和下极板(例如作为背板)之间不容易粘连,有效降低出现振膜和背板粘连问题的几率,提高成品率。同时,由于可变电容的极板的中心区域不需要被挖掉,有效利用振膜机械灵敏度最高的区域,最大程度保持了MEMS麦克风的灵敏度。
附图说明
图1是其中一实施例MEMS麦克风的俯视图;
图2是沿图1中A-A’线的侧面剖视图;
图3是另一实施例MEMS麦克风的俯视图;
图4是沿图3中A-A’线的侧面剖视图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明的具体实施方式进行详细描述。
图1是本发明其中一实施例MEMS麦克风的俯视图。请结合图2。
一种MEMS麦克风,包括基底100、支撑部200、上极板300和下极板400,基底100设有贯通中间的开口120,下极板400跨设于开口120,支撑部200固定于下极板400上,上极板300贴于支撑部200上,支撑部200、上极板300和下极板400之间形成容腔500,上极板300和/或下极板400的中间区域设有相对于容腔500的凹部600,上极板300和下极板400之间绝缘。
上述MEMS麦克风,由于上极板300的中心区域或下极板400的中心区域设有凹部600,上极板300的中心区域和下极板400的中心区域的距离较远,构成可变电容结构的上极板300(例如作为振膜)和下极板400(例如作为背板)之间不容易粘连,有效降低出现振膜和背板粘连问题的几率,提高成品率。同时,由于可变电容的上下极板的中心区域不需要被挖掉,有效利用振膜机械灵敏度最高的区域,最大程度保持了MEMS麦克风的灵敏度。
下面对本实施例作详细描述。
在图1和图3显示的实施例中,上极板300的中间区域设有相对于容腔500的凹部600而下极板400则没有凹部,在其他实施例中,也可以是下极板400的中间区域设有相对于容腔500的凹部而上极板300则没有凹部,或者上极板300的中间区域和下极板400的中间区域都设有相对于容腔500的凹部。上极板300的中间区域和下极板400的中间区域都设有相对于容腔500的凹部能更有效降低出现振膜和背板粘连问题的几率,提高成品率。
基底100的材料在本实施例中为Si,还可以为其他半导体或半导体的化合物,例如Ge、SiGe、SiC、SiO2或Si3N4中的一种。基底上还可以设有第二绝缘层,下极板400跨接于第二绝缘层上,第二绝缘层的作用在于使基底100和下极板400相互绝缘。
如图1和图2,当上极板300作为振膜而下极板400作为背板时,上极板300为柔韧性薄膜,下极板400为坚硬性薄膜;如图3和图4,当上极板300作为背板而下极板400作为振膜时,上极板300为坚硬性薄膜,下极板400为柔韧性薄膜。坚硬性薄膜不容易受到声波振动而形变,柔韧性薄膜容易受到声波振动而形变。作为振膜的上极板300或下极板400,设有多个均匀分布的声孔700。当然声孔700也可以非均匀分布,例如声孔700在上极板300或下极板400的中间区域较为集中。柔韧性薄膜的材质包括Si、Ge、SiGe、SiC,或者Al、W、Ti,或者Al、W、Ti的氮化物中的一种。上极板300和下极板400包含导电层,上极板300和下极板400可以是整体都是导电材质的结构,也可以是包含了导电层的复合层结构。
支撑部200、上极板300和下极板400之间形成容腔500,容腔500实际上是由牺牲层经过释放而来的,在释放过程中,牺牲层被腐蚀掉,形成空腔。凹部600的形状在本实施例中为圆形,在其他实施例中还可以是多边形,例如方形、正六边形、正八边形等。
支撑部200包含了第一绝缘层220,第一绝缘层220的存在使得上极板300和下极板400之间相互绝缘。支撑部200可以是整体都是绝缘材质的结构,也可以是包含了绝缘层的复合层结构。支撑部200在本实施例中为方框形结构,中间设有贯通的开口280,支撑部200的开口280比基底100的开口120略大,见图1和图3。支撑部200包括了一个独立于支撑部200方框形结构主体的支撑柱240,支撑柱240与方框形结构主体之间存在间隔260,支撑柱240主要用于设置上电极800,而间隔260的作用则是使电极800与支撑部200的方框形结构主体有所隔离,从而使得电极800与支撑部200的方框形结构主体上大面积的上极板300有所隔离,降低寄生电容的影响。支撑部200上还设有缺口250,用于暴露支撑部200下的下极板400以制造下电极900。缺口250在本实施例中为通孔结构,在其他实施例中还可以是在支撑部200边上的缺口。
在其他实施例中,支撑部200还可以是其他多边框形结构,例如正六边形框形结构、正八边形框形结构,或者是圆环形结构。
MEMS麦克风还包括上电极800和下电极900,上电极800和下电极900的材质包括P型硅或N型硅中的一种。上电极800位于支撑柱240上的上极板300上和上极板300电连接,下电极900位于支撑部200上的缺口250中并与下极板400电连接。
最后需要说明的是,基底100是表示一种提供支撑的支撑结构,并不一定表示基底100是一个单独的构件,基底100可以表示为多层结构,其多层结构可以是通过外延、淀积或键合等工艺形成。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种MEMS麦克风,其特征在于,包括基底、支撑部、上极板和下极板,所述基底设有贯通中间的开口,所述下极板跨设于所述开口,所述支撑部固定于所述下极板上,所述上极板贴于所述支撑部上,所述支撑部、所述上极板和所述下极板之间形成容腔,所述上极板和/或下极板的中间区域设有相对于所述容腔的一个凹部,所述上极板和所述下极板之间绝缘,所述支撑部包括一个独立于所述支撑部方框型结构主体的支撑柱,所述支撑柱与所述支撑部方框型结构主体之间存在间隔,所述MEMS麦克风还包括上电极和下电极,所述上电极设置在所述支撑柱上,使得所述上电极与支撑部的方框型结构主体有所隔离以降低寄生电容的影响;所述上极板为柔韧性薄膜,所述下极板为坚硬性薄膜;或者所述上极板为坚硬性薄膜,所述下极板为柔韧性薄膜。
2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述上极板或下极板设有多个声孔。
3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述凹部的形状为圆形、多边形中的一种。
4.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述上极板和所述下极板包含导电层。
5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述基底的材料包括Si、Ge、SiGe、SiC、SiO2或Si3N4中的一种。
6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述支撑部包含用于使所述上极板和所述下极板之间绝缘的第一绝缘层。
7.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述支撑部包括环形结构、多边框形结构中的一种。
8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述上电极和所述下电极的材质包括P型硅或N型硅中的一种,所述上电极和所述上极板电连接,所述下电极和所述下极板电连接。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410376030.2A CN105338458B (zh) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | Mems麦克风 |
US15/119,878 US10003890B2 (en) | 2014-08-01 | 2015-06-25 | MEMS microphone |
JP2016557262A JP6307171B2 (ja) | 2014-08-01 | 2015-06-25 | Memsマイクロホン |
PCT/CN2015/082285 WO2016015530A1 (zh) | 2014-08-01 | 2015-06-25 | Mems麦克风 |
EP15827631.1A EP3177038B1 (en) | 2014-08-01 | 2015-06-25 | Mems microphone |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410376030.2A CN105338458B (zh) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | Mems麦克风 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105338458A CN105338458A (zh) | 2016-02-17 |
CN105338458B true CN105338458B (zh) | 2019-06-07 |
Family
ID=55216742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410376030.2A Active CN105338458B (zh) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | Mems麦克风 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10003890B2 (zh) |
EP (1) | EP3177038B1 (zh) |
JP (1) | JP6307171B2 (zh) |
CN (1) | CN105338458B (zh) |
WO (1) | WO2016015530A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101776725B1 (ko) * | 2015-12-11 | 2017-09-08 | 현대자동차 주식회사 | 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 |
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US10003890B2 (en) | 2018-06-19 |
JP2017513333A (ja) | 2017-05-25 |
EP3177038A1 (en) | 2017-06-07 |
CN105338458A (zh) | 2016-02-17 |
US20170070824A1 (en) | 2017-03-09 |
EP3177038B1 (en) | 2020-03-18 |
EP3177038A4 (en) | 2018-03-14 |
WO2016015530A1 (zh) | 2016-02-04 |
JP6307171B2 (ja) | 2018-04-04 |
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