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CN105278194B - 一种阵列基板及其制备方法、显示装置及其控制方法 - Google Patents

一种阵列基板及其制备方法、显示装置及其控制方法 Download PDF

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CN105278194B CN201510822099.8A CN201510822099A CN105278194B CN 105278194 B CN105278194 B CN 105278194B CN 201510822099 A CN201510822099 A CN 201510822099A CN 105278194 B CN105278194 B CN 105278194B
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Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置及其控制方法，涉及显示技术领域，可改善现有技术中出现的闪烁、残像、画面发绿等现象。该阵列基板包括显示区和外围布线区，所述显示区分为多个区域；同一所述区域中包含的所有像素中的公共电极电联接为一体；不同所述区域之间的公共电极通过开关单元连接；所述阵列基板还包括与每个所述区域对应的控制线，所述控制线用于为本区域内的所述公共电极提供电压信号。用于大尺寸显示装置。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示装置及其控制方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置及其控制方法。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的显示器市场中占据主导地位。
近年来，大尺寸、高分辨率的液晶显示器成为一个主要的发展趋势。具体的，液晶显示器包括液晶显示面板和背光源，液晶显示面板包括阵列基板、对盒基板、位于二者之间的液晶层。其工作原理主要是利用像素电极和公共电极之间的电场来控制液晶分子的排列状态，以控制背光源发出的光经液晶层后的出光量，从而显示所需的显示图像。
其中，位于阵列基板上的像素电极的电压一般通过数据线接入，公共电极被全部电联接起来，其电压通过公共电极线接入。
然而，大尺寸液晶显示器中公共电极均一性较差造成电阻的不均，会导致公共电极的电压在面内分布不均匀，一方面会引起面内闪烁(Flicker)不均，另一方面会产生直流残留，从而使取向膜(PI)极化最终导致残像，影响画面品质。此外，公共电极与阵列基板上的数据线之间的耦合作用，会对公共电极的电压有拉动作用，由于公共电极的电压本身不均，且该拉动作用产生的效果不相同，因而会导致红&蓝像素亮度降低，绿像素亮度升高，最终产生画面发绿现象。
目前，改善上述问题的方法是对公共电压进行一定的补偿调制。然而由于所有公共电极相连的缘故，将该补偿调制方法应用于大尺寸液晶显示面板中，只能改善Feedthough电压(△Vp，即输入的公共电压与公共电极实际的电压的差值)在大尺寸面板局部造成的影响，并不能全部改善整个面板。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置及其控制方法，可改善现有技术中出现的闪烁、残像、画面发绿等现象。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区和外围布线区，所述显示区分为多个区域；同一所述区域中包含的所有像素中的公共电极电联接为一体；不同所述区域之间的公共电极通过开关单元连接；所述阵列基板还包括与每个所述区域对应的控制线，所述控制线用于为本区域内的所述公共电极提供电压信号。
在第一方面的第一种可能的实现方式中，同一所述区域内的所述公共电极通过沿第一方向设置的第一公共电极线和/或沿第二方向设置的第二公共电极线电联接；其中，所述第一方向和所述第二方向交叉。
结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述开关单元包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；所述第一源极和所述第一漏极分别与不同所述区域中的所述公共电极电联接。
结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述第一薄膜晶体管设置于不同所述区域中相邻行或列像素之间。
结合第一方面的第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述像素包括第二薄膜晶体管和像素电极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极；所述第二栅极与栅线电联接，所述第二源极与数据线电联接，所述第二漏极与所述像素电极电联接；所述阵列基板包括沿第一方向设置的第一公共电极线和沿第二方向设置的第二公共电极线；其中，所述第一公共电极线与所述栅线平行；所述第一栅极、所述第二栅极、所述栅线和所述第一公共电极线同层设置。
结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述第一源极和所述第一漏极与所述像素电极同层设置；或者，所述第一源极和所述第一漏极与所述第二源极和所述第二漏极同层设置；其中，所述第一源极和所述第一漏极均为条形，其一端均与所述第一薄膜晶体管的第一有源层连接，另一端分别与不同区域中的所述第一公共电极线电联接。
结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，所述第二公共电极线与所述数据线平行，所述第二公共电极线与所述数据线、所述第二源极和所述第二漏极同层设置；或者，所述第二公共电极线与所述像素电极同层设置。
结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第七种可能的实现方式中，所述控制线与本区域内的所述第一公共电极线或所述第二公共电极线电联接。
结合第一方面的第七种可能的实现方式，在第八种可能的实现方式中，所述控制线与所述数据线平行且同层设置。
结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第九种可能的实现方式中，所述第一有源层和所述第二有源层同层设置且材料相同。
结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第十种可能的实现方式中，所述第一栅极为条形，且所述第一栅极延伸到所述外围布线区，通过设置在所述外围布线区的走线为所述第一栅极提供信号。
在第一方面的第十一种可能的实现方式中，与所述外围布线区紧邻的所述区域所对应的所述控制线设置于所述外围布线区。
第二方面，提供一种显示装置，包括上述第一方面的阵列基板。
第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和外围布线区，所述显示区分为多个区域；
所述制备方法包括：在每个像素中形成公共电极，同一所述区域中包含的所有像素中的所述公共电极电联接为一体，并形成使不同所述区域之间的所述公共电极连接的开关单元；形成与每个所述区域对应的控制线，所述控制线用于为本区域内的所述公共电极提供电压信号。
在第三方面的第一种可能的实现方式中，在每个像素中形成公共电极，同一所述区域中包含的所有像素中的所述公共电极电联接为一体，包括：形成位于每个像素的所述公共电极，以及沿第一方向的第一公共电极线和沿第二方向的第二公共电极线，同一所述区域内的所述公共电极通过所述第一公共电极线和/或所述第二公共电极线电联接为一体；其中，所述第一方向和所述第二方向交叉；
形成所述开关单元，包括：形成位于不同所述区域中相邻行或列像素之间的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；其中，所述第一源极和所述第一漏极分别与不同所述区域中的所述公共电极电联接；
所述方法还包括：形成位于每个像素中的第二薄膜晶体管和像素电极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极，并形成与所述第二栅极电联接的栅线，与所述第二源极电联接的数据线；其中，所述第一公共电极线与所述栅线平行，所述第一栅极、所述第二栅极、所述栅线和所述第一公共电极线通过同一次构图工艺形成。
结合第三方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管和所述像素电极同步形成；其中，所述第一源极和所述第一漏极与所述像素电极通过同一次构图工艺形成；或者，所述第一源极和所述第一漏极与所述第二源极和所述第二漏极通过同一次构图工艺形成；所述第一源极和所述第一漏极均为条形，其一端均与所述第一薄膜晶体管的第一有源层连接，另一端分别与不同区域中的所述第一公共电极线电联接。
结合第三方面的第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述第二公共电极线与所述数据线平行，所述第二公共电极线与所述数据线、所述第二源极和所述第二漏极通过同一次构图工艺形成，或者，所述第二公共电极线与所述像素电极通过同一次构图工艺形成。
结合第三方面的第二种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述控制线与所述数据线平行且通过同一次构图工艺形成。
第四方面，提供一种上述第二方面的显示装置的控制方法，包括：向所述阵列基板的预定范围内的开关单元输入信号，使所述预定范围内的不同区域中的公共电极电联接；通过与所述预定范围对应的至少一个控制线向本预定范围内的所述公共电极输入公共电压信号。
在第四方面的第一种可能的实现方式中，在所述开关单元包括第一薄膜晶体管的情况下，向所述阵列基板的预定范围内的开关单元输入信号，包括：向所述阵列基板的预定范围内的所述第一薄膜晶体管的第一栅极输入信号。
在第四方面的第二种可能的实现方式中，通过与所述预定范围对应的至少一个控制线向本预定范围内的所述公共电极输入公共电压信号，包括：通过与所述预定范围对应的所有所述控制线向本预定范围内的所述公共电极输入公共电压信号。
本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置及其控制方法，通过将显示区划分为多个区域，使每个区域中的所有公共电极电联接为一体，并使不同区域中的公共电极通过开关单元连接，可以有选择性的将不同区域中的公共电极电联接。基于此，可通过控制开关单元使公共电极电压一致区域的公共电极电联接起来，并通过控制线向这些电联接起来的区域中的公共电极分别输入相应的电压，便可实现对不同电联接起来区域的公共电极的补偿调制，以使所有区域的Feed though电压一致，从而整体上使所有公共电极的电压均匀，进而改善现有技术中存在的闪烁、残像等问题。此外，由于每个区域中的所有公共电极都是分开设置在不同像素中，因而可以减小公共电极与数据线之间的耦合作用效果，从而可以使公共电极电压被数据线电压拉动的效果最小，进而可以改善画面发绿现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二；
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图三；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图四；
图5为图4中A-A向和B-B向剖视示意图。
附图标记：
01-显示区；02-外围布线区；10-区域；101-公共电极；102-第一公共电极线；103-第二公共电极线；20-开关单元；201-第一薄膜晶体管；2011-第一栅极；2012-第一源极；2013-第一漏极；30-控制线；50-第二薄膜晶体管；60-像素电极；70-栅线；80-数据线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本领域技术人员所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“连接”、“联接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图1所示，该阵列基板包括显示区01和外围布线区02，所述显示区01分为多个区域10；同一区域10中包含的所有像素中的公共电极101电联接为一体；不同区域10之间的公共电极101通过开关单元20连接；所述阵列基板还包括与每个区域10对应的控制线30，所述控制线30用于为本区域10内的公共电极101提供电压信号。
需要说明的是，第一，不对每个区域10中公共电极101电联接的方式进行限定。
第二，不对开关单元20的设置位置进行限定，优选设置在不影响显示的位置。此外，也不对开关单元20的结构进行限定，只要能使与其连接的不同区域10中的公共电极101电联接即可。
第三，对于靠近外围布线区02的区域10，优选可将与其对应的控制线30设置在外围布线区02，以减少对显示的影响。
本发明实施例提供一种阵列基板，通过将显示区01划分为多个区域10，使每个区域10中的所有公共电极101电联接为一体，并使不同区域10中的公共电极101通过开关单元20连接，可以有选择性的将不同区域10中的公共电极101电联接。基于此，可通过控制开关单元20使公共电极101电压一致区域的公共电极101电联接起来，并通过控制线30向这些电联接起来的区域中的公共电极101分别输入相应的电压，便可实现对不同电联接起来区域10的公共电极101的补偿调制，以使所有区域的Feed though电压一致，从而整体上使所有公共电极101的电压均匀，进而改善现有技术中存在的闪烁、残像等问题。此外，由于每个区域10中的所有公共电极101都是分开设置在不同像素中，因而可以减小公共电极101与数据线之间的耦合作用效果，从而可以使公共电极101电压被数据线电压拉动的效果最小，进而可以改善画面发绿现象。
可选的，如图2和图3所示，同一区域10内的公共电极101通过沿第一方向设置的第一公共电极线102和/或沿第二方向设置的第二公共电极线103电联接；其中，第一方向和第二方向交叉。
具体的，如图2所示，若每个区域10仅包括沿第一方向的一行中的至少两个公共电极101，则每个区域10中的公共电极101仅通过第一公共电极线102便可实现电联接。
当然，若每个区域10仅包括沿第二方向的一列中的至少两个公共电极101，则每个区域10中的公共电极101仅通过第二公共电极线103便可实现电联接。
如图3所述，若每个区域10包括沿第一方向和第二方向呈阵列的多个公共电极101，则每个区域10中的公共电极101在第一方向上可通过第一公共电极线102实现电联接，在第二方向上可通过第二公共电极线103实现电联接。
需要说明的是，本发明实施例中以第一方向为水平方向，第二方向为竖直方向进行示意，但本发明实施例并不限于此。
基于上述，如图4和图5所示，优选的，所述开关单元20可以包括第一薄膜晶体管201，所述第一薄膜晶体管201包括第一栅极2011、第一有源层(图中未标识出)、第一源极2012和第一漏极2013；其中，第一源极2012和第一漏极2013分别与不同区域10中的公共电极101电联接。
本发明实施例中，当向第一栅极2011供电时，可使第一源极2012和第一漏极2013导通，从而使第一源极2012和第一漏极2013分别连接的不同区域10中的公共电极101电联接。
需要说明的是，第一，不对第一栅极2011的形状以及向第一栅极2011的供电方式进行限定，只要能通过第一栅极2011，使第一源极2012和第一漏极2013导通即可。
其中，优选第一栅极2011为条形，且第一栅极2011延伸到外围布线区02，通过设置在外围布线区02的走线为第一栅极2011提供信号。这样，可简化制作工艺。
第二，由于任一区域10内的公共电极101电联接为一体，因此，对于第一源极2012和第一漏极2013，只要与其对应区域10内的某一个第一公共电极线102，或第二公共电极线103，或公共电极101电联接，便可使二者所对应的这两个区域10中的所有公共电极101电联接。
进一步优选的，如图4所示，第一薄膜晶体管201设置于不同所述区域10中相邻行或列像素之间。
这样，可以避免第一薄膜晶体管201对阵列基板开口率的影响。
进一步的，如图4所示，所述像素还包括第二薄膜晶体管50和像素电极60；所述第二薄膜晶体管50包括第二栅极，第二有源层、第二源极和第二漏极(图中均未标识出)；第二栅极与栅线70电联接，第二源极与数据线80电联接，第二漏极与像素电极60电联接。
需要说明的是，第二薄膜晶体管50可以是非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管等。此外，第二薄膜晶体管50可以是顶栅型，也可以是底栅型。
在此基础上，参考图4所示，当所述阵列基板包括沿第一方向设置的第一公共电极线102和沿第二方向设置的第二公共电极线103时，优选第一公共电极线102与栅线70平行；第一栅极2011、第二栅极、栅线70和第一公共电极线102同层设置。
即，通过一次构图工艺形成第一栅极2011、第二栅极、栅线70和第一公共电极线102，这样可避免构图工艺次数的增加。
此处，为了避免第一公共电极线102对阵列基板开口率的影响，可以将其设置在显示区01的不设置有像素电极60的位置。
进一步优选的，第一源极2012和第一漏极2013与像素电极60同层设置；或者，第一源极2012和第一漏极2013与第二源极和所述第二漏极同层设置。
其中，第一源极2012和第一漏极2013均为条形，其一端均与第一薄膜晶体管201的第一有源层连接，另一端分别与不同区域10中的第一公共电极线102电联接。
即，通过一次构图工艺形成第一源极2012、第一漏极2013和像素电极60，或者通过一次构图工艺形成第一源极2012和第一漏极2013与第二源极和所述第二漏极。这样可避免构图工艺次数的增加。
进一步的，第一公共电极线102设置于第一薄膜晶体管201和像素电极60之间。
优选的，参考图4所示，第二公共电极线103与数据线80平行，第二公共电极线103与数据线80、第二源极和第二漏极同层设置；或者，第二公共电极线103与像素电极60同层设置。
即，通过一次构图工艺形成第二公共电极线103与数据线80、第二源极和第二漏极，或者通过一次构图工艺形成第二公共电极线103与像素电极60。这样可避免构图工艺次数的增加。
优选的，参考图4所示，控制线30与本区域10内的第一公共电极线102电联接，以减少对显示的影响。当然，控制线30也可与本区域10内的第二公共电极线103电联接。
进一步优选的，控制线30与数据线80平行且同层设置。
即，通过一次构图工艺形成控制线30和数据线80。这样可避免构图工艺次数的增加。
此处，可将控制线30设置在相邻像素电极60之间，以避免影响开口率。
优选的，第一半导体有源层和第二半导体有源层同层设置且材料相同。
即，通过一次构图工艺形成第一半导体有源层和第二半导体有源层。这样可避免构图工艺次数的增加。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
上述显示装置具体可以是液晶显示装置，包括液晶显示面板，可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
本发明实施例还提供一种上述阵列基板的制备方法，参考图1所示，所述阵列基板包括显示区01和外围布线区02，显示区01分为多个区域10；所述制备方法包括：在每个像素中形成公共电极101，同一区域10中包含的所有像素中的公共电极101电联接为一体，并形成使不同区域10之间的公共电极101连接的开关单元20；形成与每个区域10对应的控制线30，控制线30用于为本区域内的公共电极101提供电压信号。
本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，通过将显示区01划分为多个区域10，使每个区域10中的所有公共电极101电联接为一体，并使不同区域10中的公共电极101通过开关单元20连接，可以有选择性的将不同区域10中的公共电极101电联接。基于此，可通过控制开关单元20使公共电极101电压一致区域的公共电极101电联接起来，并通过控制线30向这些电联接起来的区域10中的公共电极101分别输入相应的电压，便可实现对不同电联接起来区域10的公共电极101的补偿调制，以使所有区域的Feed though电压一致，从而整体上使所有公共电极101的电压均匀，进而改善现有技术中存在的闪烁、残像等问题。此外，由于每个区域10中的所有公共电极101都是分开设置在不同像素中，因而可以减小公共电极101与数据线之间的耦合作用效果，从而可以使公共电极101电压被数据线电压拉动的效果最小，进而可以改善画面发绿现象。
优选的，参考图4和图5所示，在每个像素中形成公共电极101，同一区域10中包含的所有像素中的公共电极101电联接为一体，具体可以通过如下方式实现：形成位于每个像素的公共电极101，以及沿第一方向的第一公共电极线102和沿第二方向的第二公共电极线103，同一区域10内的公共电极101通过第一公共电极线102和/或第二公共电极线103电联接为一体；其中，第一方向和第二方向交叉；
形成开关单元20，具体可以通过如下方式实现：形成位于不同区域10中相邻行或列像素之间的第一薄膜晶体管201，第一薄膜晶体管201包括第一栅极2011、第一有源层、第一源极2012和第一漏极2013；其中，第一源极2012和第一漏极2013分别与不同区域10中的公共电极101电联接。
在此基础上，所述方法还包括：形成位于每个像素中的第二薄膜晶体管50和像素电极60，第二薄膜晶体管50包括第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极，并形成与第二栅极电联接的栅线70和与第二源极电联接的数据线80。
其中，第一公共电极线102与栅线70平行，第一栅极2011、第二栅极、栅线70和第一公共电极线102通过同一次构图工艺形成。
需要说明的是，第一，第一栅极2011可以为条形，且第一栅极2011延伸到外围布线区02，通过设置在外围布线区02的走线为第一栅极2011提供信号。
第二，对于靠近外围布线区02的区域10，优选可将与其对应的控制线30形成在外围布线区02，以减少对显示的影响。
此外，控制线30优选与本区域10内的第一公共电极线102或第二公共电极线103电联接，以减少对显示的影响。
本发明实施例中，由于第一栅极2011、第二栅极、栅线70和第一公共电极线102通过同一次构图工艺形成，可减少构图工艺次数，节省成本。
进一步优选的，第一薄膜晶体管201与第二薄膜晶体管50和像素电极60同步形成；其中，第一源极2012和第一漏极2013与像素电极60通过同一次构图工艺形成；或者，第一源极2012和第一漏极2013与第二源极和第二漏极通过同一次构图工艺形成；第一源极2012和第一漏极2013均为条形，其一端均与第一薄膜晶体管201的第一有源层连接，另一端分别与不同区域10中的第一公共电极线102电联接。
这样，可避免构图工艺次数的增加。
具体的，第一薄膜晶体管201与第二薄膜晶体管50和像素电极60同步形成，可以是：通过一次构图工艺形成第一栅极2011和第二栅极；通过一次构图工艺形成第一有源层和第二有源层；通过一次构图工艺形成第二源极和第二漏极；通过一次构图工艺形成第一源极2012、第一漏极2013和像素电极60。
或者，第一薄膜晶体管201与第二薄膜晶体管50和像素电极60同步形成，可以是：通过一次构图工艺形成第一栅极2011和第二栅极；通过一次构图工艺形成第一有源层和第二有源层；通过一次构图工艺形成第一源极2012、第一漏极2013、第二源极和第二漏极；通过一次构图工艺形成像素电极60。
进一步优选的，参考图4所示，第二公共电极线103与数据线80平行，所述第二公共电极线103与数据线80、第二源极和第二漏极通过同一次构图工艺形成，或者，第二公共电极线103与像素电极60通过同一次构图工艺形成。这样可避免构图工艺次数的增加。
优选的，参考图4所示，控制线30与数据线80平行且通过同一次构图工艺形成。这样可避免构图工艺次数的增加。
本发明实施例还提供一种上述阵列基板的控制方法，包括：向阵列基板的预定范围内的开关单元20输入信号，使所述预定范围内的不同区域10中的公共电极101电联接；通过与所述预定范围对应的至少一个控制线30向本预定范围内的公共电极101输入公共电压信号。
需要说明的是，第一，所述预定范围内包括多个区域10，且该预定范围内，公共电极101的电压一致。
第二，不对预定范围的个数进行限定，当预定范围是两个及以上时，可分别通过与预定范围相对应的控制线30向本预定范围内的公共电极101输入公共电压信号。
第三，向开关单元20输入的信号，以能使所述开关单元20打开，从而使不同区域10中的公共电极101电联接为准。
本发明实施例提供一种阵列基板的控制方法，可根据阵列基板中公共电极电压的整体分布情况，划定不同的预定范围，每个预定范围内的所有区域10中的公共电极101的电压一致，基于此，通过使预定范围内的所有公共电极101电联接起来，并通过控制线30向本预定范围中的公共电极101输入相应的公共电压信号，便可实现对该预定范围中的公共电极101的补偿调制，在此基础上，由于每个预定范围内都可通过与之对应的控制线30输入公共电压信号，因此，可使所有区域的Feed though电压一致，从而整体上使所有公共电极101的电压均匀，进而改善现有技术中存在的闪烁、残像等问题。
优选的，在开关单元20包括第一薄膜晶体管201的情况下，向阵列基板的预定范围内的开关单元20输入信号，具体可以是：向阵列基板的预定范围内的第一薄膜晶体管201的第一栅极2011输入信号。
这样，当向第一栅极2011输入信号后，便可使第一源极2012和第一漏极2013导通，从而使该第一薄膜晶体管201的不同区域10中的公共电极101电联接起来。
优选的，可通过与所述预定范围对应的所有控制线30向本预定范围内的公共电极101输入公共电压信号。即，向与预定范围内包括的所有区域10对应的所有控制线30输入相同的公共电压信号。
这样，可进一步保证所有公共电极101的电压均匀一致。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和外围布线区，所述显示区分为多个区域；
同一所述区域中包含的所有像素中的公共电极电联接为一体；不同所述区域之间的公共电极通过开关单元连接；
所述阵列基板还包括与每个所述区域对应的控制线，所述控制线用于为本区域内的所述公共电极提供电压信号；
所述开关单元包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；
所述第一源极和所述第一漏极分别与不同所述区域中的所述公共电极电联接；
与所述外围布线区紧邻的所述区域所对应的所述控制线设置于所述外围布线区。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，同一所述区域内的所述公共电极通过沿第一方向设置的第一公共电极线和/或沿第二方向设置的第二公共电极线电联接；
其中，所述第一方向和所述第二方向交叉。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管设置于不同所述区域中相邻行或列像素之间。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素包括第二薄膜晶体管和像素电极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极；所述第二栅极与栅线电联接，所述第二源极与数据线电联接，所述第二漏极与所述像素电极电联接；
所述阵列基板包括沿第一方向设置的第一公共电极线和沿第二方向设置的第二公共电极线；
其中，所述第一公共电极线与所述栅线平行；
所述第一栅极、所述第二栅极、所述栅线和所述第一公共电极线同层设置。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一源极和所述第一漏极与所述像素电极同层设置；或者，
所述第一源极和所述第一漏极与所述第二源极和所述第二漏极同层设置；
其中，所述第一源极和所述第一漏极均为条形，其一端均与所述第一薄膜晶体管的第一有源层连接，另一端分别与不同区域中的所述第一公共电极线电联接。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二公共电极线与所述数据线平行，所述第二公共电极线与所述数据线、所述第二源极和所述第二漏极同层设置；或者，
所述第二公共电极线与所述像素电极同层设置。
7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述控制线与本区域内的所述第一公共电极线或所述第二公共电极线电联接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述控制线与所述数据线平行且同层设置。
9.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层同层设置且材料相同。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极为条形，且所述第一栅极延伸到所述外围布线区，通过设置在所述外围布线区的走线为所述第一栅极提供信号。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和外围布线区，所述显示区分为多个区域；
所述制备方法包括：在每个像素中形成公共电极，同一所述区域中包含的所有像素中的所述公共电极电联接为一体，并形成使不同所述区域之间的所述公共电极连接的开关单元；
形成与每个所述区域对应的控制线，所述控制线用于为本区域内的所述公共电极提供电压信号；
形成所述开关单元，包括：
形成位于不同所述区域中相邻行或列像素之间的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一有源层、第一源极和第一漏极；其中，所述第一源极和所述第一漏极分别与不同所述区域中的所述公共电极电联接。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在每个像素中形成公共电极，同一所述区域中包含的所有像素中的所述公共电极电联接为一体，包括：
形成位于每个像素的所述公共电极，以及沿第一方向的第一公共电极线和沿第二方向的第二公共电极线，同一所述区域内的所述公共电极通过所述第一公共电极线和/或所述第二公共电极线电联接为一体；其中，所述第一方向和所述第二方向交叉；
所述方法还包括：
形成位于每个像素中的第二薄膜晶体管和像素电极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二有源层、第二源极和第二漏极，并形成与所述第二栅极电联接的栅线，与所述第二源极电联接的数据线；
其中，所述第一公共电极线与所述栅线平行，所述第一栅极、所述第二栅极、所述栅线和所述第一公共电极线通过同一次构图工艺形成。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管和所述像素电极同步形成；
其中，所述第一源极和所述第一漏极与所述像素电极通过同一次构图工艺形成；或者，所述第一源极和所述第一漏极与所述第二源极和所述第二漏极通过同一次构图工艺形成；
所述第一源极和所述第一漏极均为条形，其一端均与所述第一薄膜晶体管的第一有源层连接，另一端分别与不同区域中的所述第一公共电极线电联接。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述第二公共电极线与所述数据线平行，所述第二公共电极线与所述数据线、所述第二源极和所述第二漏极通过同一次构图工艺形成，或者，所述第二公共电极线与所述像素电极通过同一次构图工艺形成。
16.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述控制线与所述数据线平行且通过同一次构图工艺形成。
17.一种如权利要求11所述显示装置的控制方法，其特征在于，包括：
向所述阵列基板的预定范围内的开关单元输入信号，使所述预定范围内的不同区域中的公共电极电联接；所述预定范围为至少两个；
通过与所述预定范围对应的至少一个控制线向本预定范围内的所述公共电极输入公共电压信号。
18.根据权利要求17所述的控制方法，其特征在于，在所述开关单元包括第一薄膜晶体管的情况下，向所述阵列基板的预定范围内的开关单元输入信号，包括：
向所述阵列基板的预定范围内的所述第一薄膜晶体管的第一栅极输入信号。
19.根据权利要求17所述的控制方法，其特征在于，通过与所述预定范围对应的至少一个控制线向本预定范围内的所述公共电极输入公共电压信号，包括：
通过与所述预定范围对应的所有所述控制线向本预定范围内的所述公共电极输入公共电压信号。
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