[go: up one dir, main page]

CN105244446B - 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105244446B
CN105244446B CN201510542671.5A CN201510542671A CN105244446B CN 105244446 B CN105244446 B CN 105244446B CN 201510542671 A CN201510542671 A CN 201510542671A CN 105244446 B CN105244446 B CN 105244446B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electron
hole
light
organic electroluminescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510542671.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105244446A (zh
Inventor
吴海东
赖韦霖
陈凯
白娟娟
马文昱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510542671.5A priority Critical patent/CN105244446B/zh
Publication of CN105244446A publication Critical patent/CN105244446A/zh
Priority to PCT/CN2016/072294 priority patent/WO2017036084A1/zh
Priority to US15/320,130 priority patent/US10566565B2/en
Priority to EP16812665.4A priority patent/EP3343660A4/en
Application granted granted Critical
Publication of CN105244446B publication Critical patent/CN105244446B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/656—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising two or more different heteroatoms per ring
    • H10K85/6565—Oxadiazole compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的有机电致发光器件中电子和空穴的注入速率不同导致发光效率低，寿命短的问题。本发明的有机电致发光器件，包括阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的发光层，所述有机电致发光器件还包括：设置在所述阳极层和所述阴极层中至少一者与所述发光层之间的载流子速率调整层；所述载流子速率调整层，用于调整载流子的注入速率。

Description

有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(有机电致发光器件：Organic Light-Emitting Device，简称OLED)是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度范围广等优点，使其具有广阔的应用前景。
现有的OLED的结构通常包括阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层沿阳极层朝向阴极层依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、以及电子注入层。其中，空穴注入层与阳极层相邻，电子注入层与阴极层相邻。
OLED的发光机理为：当阳极层和阴极层之间施加有外界电压时，在外界电压的驱动下，由阳极层注入的空穴通过空穴注入层和空穴传输层进入发光层中，由阴极层注入的电子通过电子注入层和电子传输层进入发光层中，进入到发光层中的空穴和电子在复合区复合形成激子，激子辐射跃迁发光而产生发光现象，即形成电致发光。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于电子和空穴具有不同注入速率，即电子注入速率大于空穴注入速率，将会导致注入到发光层复合区的电子数量和空穴数量不同，从而导致有机电致发光器件的发光效率和寿命降低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的有机电致发光器件存在的上述的问题，提供一种发光效率高、寿命长的有机电致发光器件及其制备方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种有机电致发光器件，包括阳极层、阴极层以及设置在所述阳极层和所述阴极层之间的发光层，所述有机电致发光器件还包括：设置在所述阳极层和所述阴极层中至少一者与所述发光层之间的载流子速率调整层；
所述载流子速率调整层，用于调整载流子的注入速率。
优选的是，所述载流子速率调整层设置在所述发光层与阴极层之间；
所述载流子速率调整层包括电子速率调整层；所述电子速率调整层包括多个连续设置的电子陷阱单元；所述电子陷阱单元包括沿背离阴极层方向依次设置的电子子注入层和减速层；其中，
所述电子子注入层，用于将电子注入至所述减速层；
所述减速层，用于减缓电子注入速率。
进一步优选的是，所述载流子速率调整层还包括设置在所述发光层与所述电子速率调整层之间的电子传输层。
进一步优选的是，所述电子传输层的材料包括电子迁移率大于10-3cm2/V.S的材料。
进一步优选的是，所述电子传输层的材料包括2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑(PBD)、2,5-二(1-萘基)-1,3,5-恶二唑(BND)、2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(TRZ)中的任意一种。
进一步优选的是，所述电子传输层的厚度为10～30nm。
进一步优选的是，所述减速层的材料包括镁、银、铝、锂、钾、钙中的任意一种或者多种组成的合金。
进一步优选的是，所述减速层的厚度为1～10nm。
进一步优选的是，所述电子子注入层的材料包括氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氧化锂、偏硼酸锂中的任意一种。
进一步优选的是，所述电子子注入层的厚度为1～5nm。
进一步优选的是，将所述电子注入层划分成多个电子陷阱单元，每个所述电子陷阱单元包括一个电子子注入层和一个减速层；其中，所述电子陷阱单元的个数为2～10。
进一步优选的是，所述有机电致发光器件还包括设置在所述阳极层和所述发光层之间的空穴注入层和空穴传输层；其中，
所述空穴注入层设置在所述阳极层和所述空穴传输层之间。
优选的是，所述载流子速率调整层设置在发光层和阳极层之间；
所述载流子速率调整层包括空穴速率调整层；所述空穴速率调整层包括多个连续设置的空穴加速单元；所述空穴加速单元包括沿背离阳极层方向依次设置的空穴子注入层和加速层；其中，
所述空穴子注入层，用于将空穴注入至所述加速层；
所述加速层，用于提高空穴传输速率。
进一步优选的是，所述空穴子注入层的材料为P型掺杂材料。
进一步优选的是，所述空穴子注入层的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲,2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯、三(4-溴苯基)六氯锑酸铵中的任意一种。
进一步优选的是，所述空穴子注入层的厚度为1～5nm。
进一步优选的是，所述加速层的材料为N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、三苯基二胺衍生物、1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯中的任意一种。
进一步优选的是，所述加速层的厚度为10～200nm。
进一步优选的是，所述空穴加速单元的个数为2～10。
进一步优选的是，所述有机电致发光器件还包括设置在所述阴极层和所述发光层之间的电子注入层和电子传输层；其中，
所述电子传输层设置在所述发光层与所述电子注入层之间。
优选的是，所述载流子速率调整层包括空穴速率调整层和电子速率调整层；空穴速率调整层设置在阳极层和发光层之间；电子速率调整层设置阴极层和发光层之间；其中，
所述空穴速率调整层包括多个连续设置的空穴加速单元；每个空穴加速单元包括沿背离阳极层方向设置空穴子注入层和空穴子传输层；所述空穴子注入层，用于将空穴注入至所述空学子传输层；所述空穴子传输层，用于提高空穴的传输速率；
所述电子速率调整层包括电子注入层；所述电子注入层包括多个子注入层和多个减速层，且沿背离所述阴极层方向所述电子子注入层和所述减速层交替设置；所述电子子注入层，用于将电子注入至所述减速层；所述减速层，用于减缓电子的注入速率。
进一步优选的是，所述发光层与所述电子速率调整层之间还设置有电子传输层。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种有机电致发光器件的制备方法，包括在基底上方形成包括阳极层、阴极层，以及在所述阴极层和所述阳极层之间形成发光层的步骤，所述制备方法还包括：在所述阳极层和所述阴极层中至少一者与所述发光层之间形成载流子速率调整层的步骤。
优选的是，所述载流子速率调整层设置在所述阴极层和所述发光层之间，所述载流子速率调整层包括电子速率调整层；所述电子速率调整层包括多个连续设置的电子陷阱单元；所述电子陷阱单元包括沿背离阴极层方向依次设置的电子子注入层和减速层；其中，所述电子子注入层，用于将电子注入至所述减速层；所述减速层，用于减缓电子注入速率；
形成所述电子速率调整层的步骤具体包括：
在形成有发光层的基底上方，采用蒸镀工艺依次形成减速层和电子子注入层；之后，重复所述形成减速层和电子子注入层的步骤。
优选的是，形成所述载流子速率调整层的步骤还包括：
在发光层与最靠近所述发光层的减速层之间形成电子传输层。
优选的是，所述载流子速率调整层设置在发光层和阳极层之间，所述载流子速率调整层包括空穴速率调整层；所述空穴速率调整层包括多个连续设置的空穴加速单元；所述空穴加速单元包括沿背离阳极层方向依次设置的空穴子注入层和加速层；其中，所述空穴子注入层，用于将空穴注入至所述加速层；所述加速层，用于提高空穴的传输速率；
形成所述空穴速率调整层的步骤包括：
在形成阳极层的基底上方，采用蒸镀工艺依次形成空穴子注入层和加速层；之后重复形成空穴子注入层和加速层的步骤。
优选的是，所述载流子速率调整层包括空穴速率调整层和电子速率调整层；所述空穴速率调整层设置在所述阳极层和所述发光层之间；所述电子速率调整层设置所述阴极层和所述发光层之间；其中，所述空穴速率调整层包括多个连续设置的空穴加速单元；所述空穴加速单元包括沿背离阳极层方向依次设置的空穴子注入层和加速层；所述电子速率调整层包括多个连续设置的电子陷阱单元；所述电子陷阱单元包括沿背离阴极层方向依次设置的电子子注入层和减速层；其中，所述电子子注入层，用于将电子注入至所述减速层；所述减速层，用于减缓电子注入速率；
形成所述空穴速率调整层的步骤包括：
在形成阳极层的基底上方，采用蒸镀工艺依次形成空穴子注入层和加速层；之后重复所述形成空穴子注入层和加速层的步骤；
形成所述电子速率调整层的步骤包括：
在形成有所述发光层的基底上方，采用蒸镀工艺依次形成减速层和电子子注入层；之后，重复形成所述减速层和所述电子子注入层的步骤。
优选的是，形成所述电子速率调整层的步骤还包括：
在发光层与最靠近所述发光层的减速层之间形成电子传输层。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的有机电致发光器件。
本发明具有如下有益效果：
本发明的有机电致发光器件增设了载流子速率调整层，该载流子速率调整层设置在阳极层和阴极层中至少一者与发光层之间，该载流子速率调整层可调整相应的载流子向发光层的注入速率，使不同载流子的注入速率趋于平衡，以提高有机电致发光器件的发光效率和寿命。
附图说明
图1为本发明的实施例2的有机电致发光器件的示意图；
图2为本发明的实施例3的有机电致发光器件的示意图；
图3为本发明的实施例4的有机电致发光器件的示意图。
其中附图标记为：1、阳极层；2、阴极层；3、发光层；4、电子注入层；4＇、电子速率调整层；41、减速层；42、电子子注入层；40、电子陷阱单元；5、电子传输层；6、空穴注入层；6＇、空穴速率调整层；61、空穴子注入层；62、加速层；60、空穴加速单元；7、空穴传输层；10、载流子速率调整层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种有机电致发光器件，阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间发光层；其中，在阳极层和阴极层中至少一者与所述发光层之间设置有载流子速率调整层；该载流子速率调整层用于调整载流子的注入速率。
在驱动有机电致发光器件发光时，由于阳极层注入空穴到发光层的注入速率与阴极层注入电子到发光层不同，即空穴注入速率小于电子注入速率，将会导致同一时刻注入到发光层复合区的电子数量和空穴数量不同，因此导致有机电致发光器件的发光效率和寿命降低；而在本实施例中，增加了载流子速率调整层，其设置在上述阳极层和阴极层中至少一者与所述发光层之间，该载流子速率调整层可调整相对应的载流子向发光层的注入速率，使不同载流子的注入速率趋于平衡，以提高有机电致发光器件的发光效率和寿命。具体结合下述实施例进行说明。
实施例2：
如图1所示，本实施例提供一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件包括阳极层1、发光层3、载流子速率调整层10，以及阴极层2。其中，本实施例中的载流子速率调整层10至少包括电子速率调整层4＇；所述电子速率调整层4＇包括多个连续设置的电子陷阱单元40，该电子陷阱单元40包括沿背离阴极层方向依次设置的电子子注入层42和减速层41；其中，电子子注入层42用于将电子注入至减速层41；减速层41用于减缓电子注入速率。
也就是说，当有机电致发光器件被施加外界电压后，阴极层2所注入的电子首先经过第一个电子子注入层42，由于电子本身的注入能力很差，该电子子注入层42有助于电子注入；然后，电子经过第一个减速层41将电子注入速率减缓；之后，进入重复的电子子注入层42和减速层41，实质上一组电子子注入层42和减速层41就相当于一个电子陷阱单元40，用于将电子注入速率减缓，并通过控制电子陷阱单元40的个数以使电子注入速率和阳极层1所注入的空穴的注入速率趋于平衡，此时电子和空穴在发光层3复合发光，该有机电致发光器件的发光效率较高，且有助于提高有机电致发光器件的寿命。
优选的，本实施例中载流子速率调整层10还包括设置在发光层3与电子速率调整层4＇之间的电子传输层5。电子传输层5有助于将电子传输至发光层3中。
优选的，本实施例中有机电致发光器件还包括在阳极层1和发光层3之间的空穴注入层6和空穴传输层7；其中，空穴注入层6设置在阳极层1和空穴传输层7之间。空穴注入层6有助于提高空穴的注入能力；空穴传输层7有助于提高空穴传输至发光层3的能力。
上述有机电致发光器件的各个膜层的材料、厚度的限定将结合下述的有机电致发光器件的制备方法进行具体说明。
本实施例中所提供的有机电致发光器件的制备方法具体包括如下步骤：
1)在基底上采用溅射阳极导电薄膜，并通过构图工艺形成包括阳极层1的图形。
其中，基底作为有机电致发光器件中电极层和有机功能薄膜层的依托，它在可见光区域有着良好的透光性能以及一定的防水汽和氧气渗透的能力，并具有较好的表面平整性，一般可以采用玻璃、或柔性基片、或阵列基板等制成。如果选用柔性基片，可采用聚酯类，聚酞亚胺或者较薄的金属制成。
阳极层1作为有机电致发光器件正向电压的连接层，具有较好的导电性能、可见光区域的透光性以及较高的功函数。阳极层1通常采用无机金属氧化物(比如：氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等)、有机导电聚合物(比如：聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT：PSS，聚苯胺PANI等)或高功函数金属材料(比如：金、铜、银、铂等)制成。阳极层1的厚度范围为10～200nm。
2)在形成有阳极层1的基底上，采用真空蒸镀工艺制备空穴注入层6。
其中，空穴注入层6的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯(F4-TCNQ)、三(4-溴苯基)六氯锑酸铵(TBAHA)中的任意一种。空穴注入层6的厚度为1～5nm。
3)在形成有空穴注入层6的基底上，采用真空蒸镀工艺形成空穴传输层7。
其中，空穴传输层7的材料为空穴传输层7的材料为空穴迁移率大于10-5cm2/V.S的材料，可以采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、或者咔唑类聚合物制成，优选为：N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物(TPD)、TPTE、1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(TDAB)中的任意一种。空穴传输层7的厚度为10～200nm。
4)在形成有空穴传输层7的基底上，采用真空蒸镀工艺形成发光层3。
其中，发光层3可以由具有空穴传输能力不低于电子传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。发光层3的厚度范围为10～50nm。
5)在形成有发光层3的基底上，采用真空蒸镀工艺形成电子传输层5。其中，电子传输层5的材料包括电子迁移率大于10-3cm2/V.S的材料。
优选的，电子传输层5的材料包括2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑(PBD)、2,5-二(1-萘基)-1,3,5-恶二唑(BND)、2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(TRZ)中的任意一种。
优选的，电子传输层5的厚度为10～30nm。
6)在形成有电子传输层5的基底上，采用真空蒸镀工艺形成第一个减速层41。
其中，减速层41的材料包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、锂(Li)、钾(K)、钙(Ca)中的任意一种或者多种组成的合金。减速层41的厚度为1～10nm。
7)在形成有第一个减速层41的基底上，采用真空蒸镀工艺形成第一个电子子注入层42。
其中，电子子注入层42的材料为氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氧化锂、偏硼酸锂中的任意一种。电子子注入层42的厚度为1～5nm。
之后，重复步骤6)和步骤7)，也就是形成多个电子陷阱单元40，电子陷阱单元40的个数为2～10个，优选为3个，当然也可以根据具体情况具体设定。
8)在形成有第N个电子子注入层42的基底上，采用真空蒸镀工艺形成阴极层2。
其中，阴极层2作为有机电致发光器件负向电压的连接层，具有较好的导电性能和较低的功函数。阴极层2通常采用低功函数金属材料，比如：锂、镁、钙、锶、铝、铟等或上述金属与铜、金、银的合金制成；或者采用一层很薄的缓冲绝缘层(如氟化锂LiF、碳酸铯CsCO3等)和上述金属或合金制成。阴极层2的厚度范围为10～20nm。
至此完成本实施例的有机电致发光器件的制备。
实施例3：
如图2所示，本实施例提供一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件包括基底，依次设置在基底上的阳极层1、载流子速率调整层10、发光层3，以及阴极层2。其中，本实施例中的载流子速率调整层10包括空穴速率调整层6＇；该空穴速率调整层6＇包括多个连续设置的空穴加速单元60；每个空穴加速单元60包括沿背离阳极层1方向依次设置的空穴子注入层61和加速层62；其中，上述空穴子注入层61，用于将空穴注入至上述加速层62；加速层62，用于提高空穴注入速率。
在本实施例中，由于在阳极层1和发光层3之间增设了载流子速率调整层10，该载流子速率调整层10能够提高空穴的注入速率。具体的，载流子速率调整层10包括空穴速率调整层6＇，该空穴速率调整层6＇是由多个空穴加速单元60组成，有机电致发光器件在被施加外界电压后，阳极层1所向发光层3注入的空穴经过一个空穴加速单元60，空穴的注入速率就会提高一些，通过控制空穴加速单元60的个数，以使空穴注入速率与电子注入速率趋于平衡，此时电子和空穴在发光层3复合发光，该有机电致发光器件的发光效率较高，且有助于提高有机电致发光器件的寿命。
优选的，本实施例中的有机电致发光器件还包括设置在上述阴极层2和上述发光层3之间的电子注入层4和电子传输层5；其中，电子传输层5设置在发光层3与电子注入层4之间。电子注入层4和电子传输层5是用于提高阴极层2向发光层3注入电子的能力的。
上述有机电致发光器件的各个膜层的材料、厚度的限定将结合下述的有机电致发光器件的制备方法进行具体说明。
本实施例中所提供的有机电致发光器件的制备方法具体包括如下步骤：
1)在基底上采用溅射阳极导电薄膜，并通过构图工艺形成包括阳极层1的图形。
其中，基底作为有机电致发光器件中电极层和有机功能薄膜层的依托，它在可见光区域有着良好的透光性能以及一定的防水汽和氧气渗透的能力，并具有较好的表面平整性，一般可以采用玻璃、或柔性基片、或阵列基板等制成。如果选用柔性基片，可采用聚酯类，聚酞亚胺中的一种材料或者较薄的金属制成。
阳极层1作为有机电致发光器件正向电压的连接层，具有较好的导电性能、可见光透明性以及较高的功函数。阳极层1通常采用无机金属氧化物(比如：氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等)、有机导电聚合物(比如：聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT：PSS，聚苯胺PANI等)或高功函数金属材料(比如：金、铜、银、铂等)制成。阳极层1的厚度范围为10～200nm。
2)在形成有阳极层1的基底上，采用真空蒸镀工艺制备第一个空穴加速单元60中的空穴子注入层61。
其中，空穴子注入层61的材料为有磷光掺杂剂(P)掺杂的有机材料或聚合物制成。
优选的空穴子注入层61的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯(F4-TCNQ)、三(4-溴苯基)六氯锑酸铵(TBAHA)中的任意一种。
其中，空穴子注入层61的厚度为1～5nm，优选为1nm。
3)在形成有第一个空穴加速单元60中的空穴注入层61的基底上，采用真空蒸镀工艺形成加速层62。
其中，加速层62的材料包括空穴迁移率大于10-5cm2/V.S的材料。
具体的，可以采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、或者咔唑类聚合物制成，优选为：N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物(TPD)、1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(TDAB)中的任意一种。加速层62的厚度为10～200nm。
之后，重复步骤2)和步骤3)，以形成多个空穴加速单元60，空穴加速单元60的个数为2～10个，优选为3个。当然，也可以根据具体情况具体设定，以使空穴输入的速率与电子注入速率趋于平衡。
4)在形成有空穴传输层7的基底上，采用真空蒸镀工艺形成发光层3。
其中，发光层3可以由具有空穴传输能力不低于电子传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。发光层3的厚度范围为10～50nm。
5)在形成有发光层3的基底上，采用真空蒸镀工艺形成电子传输层5。
其中，电子传输层5的材料为电子迁移率较高的材料，优选为2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑(PBD)、2,5-二(1-萘基)-1,3,5-恶二唑(BND)、2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(TRZ)中的任意一种。电子传输层5的厚度范围为10～30nm。
6)在形成有电子传输层5的基底上，采用真空蒸镀工艺形成电子注入层4，
其中，电子注入层4的材料为氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氧化锂、偏硼酸锂中的任意一种。电子注入层4的厚度为1～5nm。
7)在形成有电子注入层4的基底上，采用真空蒸镀工艺形成阴极层2。
其中，阴极层2作为有机电致发光器件负向电压的连接层，具有较好的导电性能和较低的功函数。阴极层2通常采用低功函数金属材料，比如：锂、镁、钙、锶、铝、铟等或上述金属与铜、金、银的合金制成；或者采用一层很薄的缓冲绝缘层(如氟化锂LiF、碳酸铯CsCO3等)和上述金属或合金制成。阴极层2的厚度范围为10～20nm。
至此完成本实施例的有机电致发光器件的制备。
实施例4：
如图3所示，本实施例提供一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件包括阳极层1、空穴速率调整层6＇、发光层3、电子速率调整层4＇，以及阴极层2。其中，空穴速率调整层6＇和电子速率调整层4＇组成载流子速率调整层。空穴速率调整层6＇包括多个连续设置的空穴加速单元60；每个空穴加速单元60包括沿背离阳极层1方向依次设置空穴子注入层61和加速层62；其中，空穴子注入层61，用于将空穴注入至加速层62；加速层62，用于提高空穴注入速率；电子速率调整层4＇包括多个连续设置的电子陷阱单元40，该电子陷阱单元40包括沿背离阴极层方向依次设置的多个电子子注入层42和多个减速层41；其中，电子子注入层42用于将电子注入至减速层41；减速层41用于减缓电子注入速率。
当有机电致发光器件被施加外界电压后，阴极层2所注入的电子首先经过电子速率调整层4＇的第一个电子子注入层42，由于电子本身的注入能力很差，该电子子注入层42有助于电子注入；然后，电子经过第一个减速层41将电子注入速率减缓；之后，进入重复的电子子注入层42和减速层41，每一组电子子注入层42和减速层41实质上电子子注入层42和减速层41就相当于电子陷阱单元40，用于将电子注入速率减缓。同时，空穴速率调整层6＇是由多个空穴加速单元60组成，有机电致发光器件在被施加外界电压后，阳极层1所向发光层3注入的空穴经过空穴加速单元60，空穴的注入速率就会提高一些；通过调整电子陷阱单元40的个数和空穴加速单元60的个数，以使电子注入速率和空穴注入速率趋于平衡，此时电子和空穴在发光层3复合发光，该有机电致发光器件的发光效率较高，且有助于提高有机电致发光器件的寿命。
优选的，本实施例中电子速率调整层4＇还包括设置在发光层3与电子速率调整层4＇之间的电子传输层5。电子传输层5有助于将电子传输至发光层3中。
上述有机电致发光器件的各个膜层的材料、厚度的限定将结合下述的有机电致发光器件的制备方法进行具体说明。
本实施例中所提供的有机电致发光器件的制备方法具体包括如下步骤：
1)在基底上采用溅射阳极导电薄膜，并通过构图工艺形成包括阳极层1的图形。
其中，基底作为有机电致发光器件中电极层和有机功能薄膜层的依托，它在可见光区域有着良好的透光性能以及一定的防水汽和氧气渗透的能力，并具有较好的表面平整性，一般可以采用玻璃、或柔性基片、或阵列基板等制成。如果选用柔性基片，可采用聚酯类，聚酞亚胺化合物中的一种材料或者较薄的金属制成。
阳极层1作为有机电致发光器件正向电压的连接层，具有较好的导电性能、可见光透明性以及较高的功函数。阳极层1通常采用无机金属氧化物(比如：氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等)、有机导电聚合物(比如：聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT：PSS，聚苯胺PANI等)或高功函数金属材料(比如：金、铜、银、铂等)制成。阳极层1的厚度范围为10～200nm。
2)在形成有阳极层1的基底上，采用真空蒸镀工艺制备第一个空穴加速单元60中的空穴子注入层61。
其中，空穴子注入层61的材料包括有磷光掺杂剂(P)掺杂的有机材料或聚合物制成，优选为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯(F4-TCNQ)、三(4-溴苯基)六氯锑酸铵(TBAHA)中的任意一种。空穴子注入层61的厚度为1～5nm，优选为1nm。
3)在形成有第一个空穴加速单元60中的空穴子注入层61的基底上，采用真空蒸镀工艺形成加速层62。
其中，加速层62的材料包括空穴传输速率大于10-5cm2/V.S的材料，可以采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、金属配合物、或者咔唑类聚合物制成，优选为：N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物(TPD)、1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(TDAB)中的任意一种。加速层71的厚度为10～200nm。
之后，重复步骤2)和步骤3)，以形成多个空穴加速单元60，空穴加速单元60的个数为2～10个，优选为3个。当然，也可以根据具体情况具体设定，以使空穴输入的速率与电子注入速率趋于平衡。
4)在形成有空穴传输层7的基底上，采用真空蒸镀工艺形成发光层3。
其中，发光层3可以由具有空穴传输能力不低于电子传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。发光层3的厚度范围为10～50nm。
5)在形成有发光层3的基底上，采用真空蒸镀工艺形成电子传输层5。
其中，电子传输层5的材料为电子迁移率较高的材料，优选为2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑(PBD)、2,5-二(1-萘基)-1,3,5-恶二唑(BND)、2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪(TRZ)中的任意一种。电子传输层5的厚度范围为10～30nm。
6)在形成有电子传输层5的基底上，采用真空蒸镀工艺形成第一个减速层41。
其中，减速层41的材料包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、锂(Li)、钾(K)、钙(Ca)中的任意一种或者多种组成的合金。减速层41的厚度为1～10nm。
7)在形成有第一个减速层41的基底上，采用真空蒸镀工艺形成第一个电子子注入层42。
其中，电子子注入层42的材料为氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氧化锂、偏硼酸锂中的任意一种。
电子子注入层42的厚度为1～5nm。
之后，重复步骤6)和步骤7)，也就是形成多个电子陷阱单元40，电子陷阱单元40的个数优选为3个，当然也可以根据具体情况具体设定。只要保证电子注入速率和空穴注入速率大致相同即可。
8)在形成有第N个电子子注入层42的基底上，采用真空蒸镀工艺形成阴极层2。
其中，阴极层2作为有机电致发光器件负向电压的连接层，具有较好的导电性能和较低的功函数。阴极层2通常采用低功函数金属材料，比如：锂、镁、钙、锶、铝、铟等或上述金属与铜、金、银的合金制成；或者采用一层很薄的缓冲绝缘层(如氟化锂LiF、碳酸铯CsCO3等)和上述金属或合金制成。阴极层2的厚度范围为10～20nm。
至此完成本实施例的有机电致发光器件的制备。
实施例5：
本实施例提供一种显示装置，其包括实施例1-4中任意一项所述的有机电致发光器件，故本实施例的显示装置的具有很好的发光效率和使用寿命。
该显示装置可以为：电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (19)

1.一种有机电致发光器件，包括阳极层、阴极层以及设置在所述阳极层和所述阴极层之间的发光层，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括：在所述阳极层与所述发光层之间，以及所述阴极层与所述发光层之间均设置有载流子速率调整层；
所述载流子速率调整层包括空穴速率调整层和电子速率调整层；所述空穴速率调整层设置在所述阳极层和所述发光层之间；所述电子速率调整层设置在所述阴极层和所述发光层之间；其中，
所述空穴速率调整层包括多个连续设置的空穴加速单元；所述空穴加速单元包括沿背离阳极层方向依次设置的空穴子注入层和加速层；其中，所述空穴子注入层，用于将空穴注入至所述加速层；所述加速层，用于提高空穴的传输速率；
所述电子速率调整层包括多个连续设置的电子陷阱单元；所述电子陷阱单元包括沿背离阴极层方向依次设置的电子子注入层和减速层；其中，所述电子子注入层，用于将电子注入至所述减速层；所述减速层，用于减缓电子的注入速率。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述载流子速率调整层还包括设置在所述发光层与所述电子速率调整层之间的电子传输层。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括电子迁移率大于10-3cm2/V.S的材料。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑、2,5-二(1-萘基)-1,3,5-恶二唑、2,4,6-三苯氧基-1,3,5-三嗪中的任意一种。
5.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10～30nm。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述减速层的材料包括镁、银、铝、锂、钾、钙中的任意一种或者多种组成的合金。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述减速层的厚度为1～10nm。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子子注入层的材料包括氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷、氟化铯、氧化锂、偏硼酸锂中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子子注入层的厚度为1～5nm。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子陷阱单元的个数为2～10。
11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴子注入层的材料为P型掺杂材料。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴子注入层的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯、三(4-溴苯基)六氯锑酸铵中的任意一种。
13.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴子注入层的厚度为1～5nm。
14.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述加速层的材料为N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、三苯基二胺衍生物、1,3,5-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯中的任意一种。
15.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述加速层的厚度为10～200nm。
16.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴加速单元的个数为2～10。
17.一种有机电致发光器件的制备方法，包括在基底上方形成包括阳极层、阴极层，以及在所述阴极层和所述阳极层之间形成发光层的步骤，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述阳极层与所述发光层之间，以及所述阴极层与所述发光层之间均形成载流子速率调整层；的步骤；
所述载流子速率调整层包括空穴速率调整层和电子速率调整层；所述空穴速率调整层设置在所述阳极层和所述发光层之间；所述电子速率调整层设置所述阴极层和所述发光层之间；其中，所述空穴速率调整层包括多个连续设置的空穴加速单元；所述空穴加速单元包括沿背离阳极层方向依次设置的空穴子注入层和加速层；所述电子速率调整层包括多个连续设置的电子陷阱单元；所述电子陷阱单元包括沿背离阴极层方向依次设置的电子子注入层和减速层；其中，所述电子子注入层，用于将电子注入至所述减速层；所述减速层，用于减缓电子注入速率；
形成所述空穴速率调整层的步骤包括：
在形成阳极层的基底上方，采用蒸镀工艺依次形成空穴子注入层和加速层；之后重复所述形成空穴子注入层和加速层的步骤；
形成所述电子速率调整层的步骤包括：
在形成有所述发光层的基底上方，采用蒸镀工艺依次形成减速层和电子子注入层；之后，重复形成所述减速层和所述电子子注入层的步骤。
18.根据权利要求17所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，形成所述载流子速率调整层的步骤还包括：
在发光层与最靠近所述发光层的减速层之间形成电子传输层。
19.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-16中任一项所述的有机电致发光器件。
CN201510542671.5A 2015-08-28 2015-08-28 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 Active CN105244446B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510542671.5A CN105244446B (zh) 2015-08-28 2015-08-28 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
PCT/CN2016/072294 WO2017036084A1 (zh) 2015-08-28 2016-01-27 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
US15/320,130 US10566565B2 (en) 2015-08-28 2016-01-27 Organic light emitting device and method of fabricating the same, and display device
EP16812665.4A EP3343660A4 (en) 2015-08-28 2016-01-27 ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE COMPONENTS AND MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510542671.5A CN105244446B (zh) 2015-08-28 2015-08-28 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105244446A CN105244446A (zh) 2016-01-13
CN105244446B true CN105244446B (zh) 2018-06-29

Family

ID=55042010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510542671.5A Active CN105244446B (zh) 2015-08-28 2015-08-28 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10566565B2 (zh)
EP (1) EP3343660A4 (zh)
CN (1) CN105244446B (zh)
WO (1) WO2017036084A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105244446B (zh) 2015-08-28 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN109427985B (zh) 2017-08-31 2019-12-24 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件及显示装置
CN109830613A (zh) * 2019-01-31 2019-05-31 瑞声科技（南京）有限公司 有机发光器件及其制备方法
CN109860407A (zh) * 2019-01-31 2019-06-07 瑞声科技（南京）有限公司 一种有机发光器件及其制备方法
CN110311045B (zh) * 2019-06-24 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机电致发光器件
KR20220096897A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 발광층을 포함하는 디스플레이 장치

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03105896A (ja) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd Ｅｌ発光体
CN1190322A (zh) * 1997-01-27 1998-08-12 城户淳二 有机场致发光元件
CN1261761A (zh) * 1999-01-21 2000-08-02 Tdk株式会社 有机场致发光器件
CN1564638A (zh) * 2004-04-05 2005-01-12 中山大学 一种有机电致发光器件
CN1586095A (zh) * 2001-11-12 2005-02-23 Neoviewkolon株式会社 高发光效率的有机发光器件
CN101101974A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置和电子装置
CN101159315A (zh) * 2007-11-06 2008-04-09 中国科学院长春应用化学研究所 一种红色有机电致发光器件及其制备方法
CN101400757A (zh) * 2006-03-14 2009-04-01 Lg化学株式会社 具有高效率的有机发光二极管及制备该二极管的方法
CN101436646A (zh) * 2008-12-15 2009-05-20 沈阳工业大学 一种有机电致发光器件
CN103730587A (zh) * 2013-12-31 2014-04-16 北京维信诺科技有限公司 一种蓝光有机发光器件及有机发光显示器
CN104064675A (zh) * 2013-03-21 2014-09-24 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183761A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 倒置有机电致发光器件及其制备方法
CN104600201A (zh) * 2015-01-30 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN104638197A (zh) * 2013-11-14 2015-05-20 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
WO2000057446A1 (en) * 1999-03-19 2000-09-28 Fed Corporation High efficiency electrodes for organic light emitting diode devices
WO2000065879A1 (en) 1999-04-28 2000-11-02 Emagin Corporation Organic electroluminescence device with high efficiency reflecting element
US6794061B2 (en) * 2002-01-31 2004-09-21 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device having an adhesion-promoting layer for use with a magnesium cathode
US6797129B2 (en) * 2002-06-03 2004-09-28 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device structure using metal cathode sputtering
US20050069727A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Rahul Gupta Oled emissive polymer layer
US6963081B2 (en) * 2003-09-30 2005-11-08 Osram Otpo Semiconductors Gmbh Interfacial trap layer to improve carrier injection
JP4689176B2 (ja) * 2004-02-26 2011-05-25 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7126267B2 (en) * 2004-05-28 2006-10-24 Eastman Kodak Company Tandem OLED having stable intermediate connectors
US8431242B2 (en) * 2007-10-26 2013-04-30 Global Oled Technology, Llc. OLED device with certain fluoranthene host
KR101320449B1 (ko) 2011-09-02 2013-10-23 주식회사 엘엠에스 유기전자소자
CN103378297B (zh) * 2012-04-25 2017-01-25 群康科技(深圳)有限公司 有机发光二极管及包括其的显示装置
CN102881843B (zh) * 2012-09-17 2015-09-30 京东方科技集团股份有限公司 一种制备有机发光二极管的方法、发光二极管和发光器件
CN105244446B (zh) * 2015-08-28 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03105896A (ja) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd Ｅｌ発光体
CN1190322A (zh) * 1997-01-27 1998-08-12 城户淳二 有机场致发光元件
CN1261761A (zh) * 1999-01-21 2000-08-02 Tdk株式会社 有机场致发光器件
CN1586095A (zh) * 2001-11-12 2005-02-23 Neoviewkolon株式会社 高发光效率的有机发光器件
CN1564638A (zh) * 2004-04-05 2005-01-12 中山大学 一种有机电致发光器件
CN101400757A (zh) * 2006-03-14 2009-04-01 Lg化学株式会社 具有高效率的有机发光二极管及制备该二极管的方法
CN101101974A (zh) * 2006-07-04 2008-01-09 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置和电子装置
CN101159315A (zh) * 2007-11-06 2008-04-09 中国科学院长春应用化学研究所 一种红色有机电致发光器件及其制备方法
CN101436646A (zh) * 2008-12-15 2009-05-20 沈阳工业大学 一种有机电致发光器件
CN104064675A (zh) * 2013-03-21 2014-09-24 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104183761A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 倒置有机电致发光器件及其制备方法
CN104638197A (zh) * 2013-11-14 2015-05-20 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN103730587A (zh) * 2013-12-31 2014-04-16 北京维信诺科技有限公司 一种蓝光有机发光器件及有机发光显示器
CN104600201A (zh) * 2015-01-30 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3343660A4 (en) 2019-05-15
US10566565B2 (en) 2020-02-18
WO2017036084A1 (zh) 2017-03-09
CN105244446A (zh) 2016-01-13
US20170194589A1 (en) 2017-07-06
EP3343660A1 (en) 2018-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105244446B (zh) 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN103715360B (zh) 有机电致发光器件、显示装置
JP5025910B2 (ja) オプトエレクトロニクスデバイス
JP5821038B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
US9118033B2 (en) Organic light-emitting diode and display device employing the same
EP2592672B1 (en) Organic light-emitting device and method for manufacturing same
CN109585668B (zh) Oled显示器件、显示面板、oled显示器件的制备方法
WO2019095565A1 (zh) 串联量子点发光器件、面板即显示器
US20130048943A1 (en) Organic light emitting diode and fabrication method thereof
CN108807711A (zh) 一种oled器件及其制备方法、显示装置
JP2006286664A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20120045475A (ko) 유기전계발광소자 및 그 제조방법
CN105070845B (zh) 一种有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN104835919A (zh) 一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置
KR20120042434A (ko) 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
US11737343B2 (en) Method of manufacturing perovskite light emitting device by inkjet printing
US10381591B2 (en) Organic light emitting diode device with a photoinduced electron film layer and method for manufacturing the same
JP5075027B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
CN109449310A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
US20050069727A1 (en) Oled emissive polymer layer
JP2011258588A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101626149B1 (ko) 유기발광소자 제조 방법 및 장치
WO2024000654A1 (zh) 一种oled器件及显示装置
US20050227110A1 (en) Organic electroluminescent element
JP2010040444A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant