CN105226030B - 高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺 - Google Patents
高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105226030B CN105226030B CN201510669808.3A CN201510669808A CN105226030B CN 105226030 B CN105226030 B CN 105226030B CN 201510669808 A CN201510669808 A CN 201510669808A CN 105226030 B CN105226030 B CN 105226030B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- shell
- silicon carbide
- conduction band
- encapsulating structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 31
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000010946 fine silver Substances 0.000 claims description 4
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011257 shell material Substances 0.000 claims 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000500881 Lepisma Species 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺，二极管封装结构包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线，所述外壳是陶瓷外壳，芯片焊接于陶瓷外壳的内底面，芯片的两侧各设有一导带，外壳两端的引线均焊接在导带上，其中一个导带上焊接有过渡片，过渡片与芯片电极之间通过键合丝完成电连接。所述封装工艺采用芯片真空焊接、键合丝超声键合等工艺，使该二极管强度高、漏电小、芯片工作温度低，可靠性好等优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种二极管封装结构及封装工艺，具体是一种高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺，属于陶瓷外壳二极管封装技术领域。
背景技术
碳化硅肖特基二极管反向恢复时间为零，开关速度可到1MHz，因为其独特的势垒结构容易实现上万伏的高反压。目前国内院所已开发出电压10kV，电流10A的碳化硅肖特基二极管，但是，由于产品的高压、大电流等特殊性能，无法直接应用传统二极管的封装结构，需要面临以下几个封装难题。
二极管芯片尺寸在10mm×10mm左右，芯片面积较大，要解决焊接可靠性的问题；传统的塑封材料不能胜任高压应用，在10kV的反压下芯片的反向漏电约在50微安，但是环氧塑料封装引起的漏电已经远大于芯片漏电，而且，塑封材料的吸湿性会导致漏电逐渐变大，降低长期可靠性；在10A电流下，芯片正向电压约为3V，损耗功率约为30W，普通的轴向引线封装主要靠铜引线散热，无法耗散较大的损耗，导致芯片工作温度较高，降低产品可靠性。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明提供一种高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺，解决现有技术中的芯片焊接可靠性低、塑料封装漏电大、耗散损耗低的问题，提高产品的可靠性。
为了解决所述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种高压大功率碳化硅二极管封装结构，包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线，所述外壳是陶瓷外壳，芯片焊接于陶瓷外壳的内底面，芯片的两侧各设有一导带，外壳两端的引线均焊接在导带上，其中一个导带上焊接有过渡片，过渡片与芯片电极之间通过键合丝完成电连接。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管封装结构，所述导带为烧结在外壳底部的一层高电导率银浆料。导带可以实现电连接，且具有很低的线电阻。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管封装结构，芯片的两极之间填充高绝缘电阻灌封胶。因为空气的湿度、成分等不确定性使空气的击穿电压很难估算，给二极管的可靠性造成了隐患，所以要在芯片两极之间填充高绝缘电阻灌封胶以保证足够的、稳定的绝缘强度。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管封装结构，所述引线为直径1mm的无氧铜引线，并且采用模具成形方法直接在引线末端做出半圆弧形内引线，引线末端焊接在导带上，两条引线最大总长度为60mm，线电阻R=ρL/s=1.75×10-8×0.06/(3.14×0.0012÷4)=1.4毫欧姆；所述键合丝采用两根直径为的0.25mm纯铝丝并联，电阻为2.5毫欧姆，导带线电阻经测量为1毫欧姆，所以总线电阻约为5毫欧姆。线电阻小，线路损耗小，可以减小二极管正向电压，降低发热损耗。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管封装结构，所述外壳的材料为滑石瓷。因为滑石瓷玻璃含量较高，强度高，绝缘电阻高，具有一定的疏水性，可以解决塑料封装漏电量大、可靠性低的问题。
本发明还公开了一种高压大功率碳化硅二极管的封装工艺，包括以下步骤：1）外壳底板导带印刷；2）导带烧结；3）引线烧结；4）芯片、过渡片真空焊接；5）键合丝键合；6）灌装、封盖。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管的封装工艺，芯片、过渡片真空焊接时在真空焊接炉进行，炉腔内充氮气进行保护，防止芯片背面银层、焊盘、焊片氧化，保证焊料熔化后与接触面润湿性良好；焊料熔化后抽真空，消除焊接空洞；冷却阶段控制冷却速率，避免焊料内部重新结晶成大的晶枝，使晶粒尽量细小，从而保证焊接强度。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管的封装工艺，键合丝键合时采用超声键合工艺。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管的封装工艺，灌装时采用真空灌封工艺，并且在灌封前对搅拌后的灌封胶进行真空脱气。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管的封装工艺，所述导带印刷采用两次印刷工艺，第一次印刷银钯导体，第二次印刷纯银导体。
本发明的有益效果：本发明所述高压大功率碳化硅二级管采用陶瓷外壳封装，陶瓷强度高，绝缘电阻高，且具有一定疏水性，漏电小，可以解决塑料封装漏电量大、可靠性低的问题，提高二极管的长期可靠性；芯片采用真空焊接技术，可以避免接触区空洞的产生，空洞减少可以降低芯片散热的热阻，并且提高芯片与外壳之间的剪切力，避免芯片在键合压力的作用下破裂；通过铜引线、银导带、多根粗键合丝传导电流，线路损耗小，减小二极管正向电压，降低发热损耗；芯片热量通过大面积壳底直接散出，热阻小，可以耗散较大的损耗，降低芯片工作温度，提高产品可靠性。
附图说明
图1为本发明所述二极管封装结构的示意图；
图2为图1的A-A剖视图；
图3为图1的B-B剖视图；
图4为本发明的工艺流程图；
图中：1、外壳，2、芯片，3、引线，4、导带，5、过渡片，6、键合丝。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明和限定。
如图1、2、3所示，一种高压大功率碳化硅二极管封装结构，包括外壳1、位于外壳1内的芯片2以及连接于外壳1两端的引线3，所述外壳1是陶瓷外壳，芯片2焊接于陶瓷外壳1的内底面，芯片2的两侧各设有一导带4，外壳两端的引线3均焊接在导带4上，其中一个导带4上焊接有过渡片5，过渡片5与芯片电极之间通过键合丝6完成电连接。
本实施例中，所述外壳1为一长方体形陶瓷外壳，芯片2通过焊片直接焊接在陶瓷外壳1的内底面。这样，芯片2通过陶瓷外壳1直接散热，热阻小，经测试热阻为2℃/W。
本实施中，所述芯片2的数量为1个。如果要提高二极管的电压，可以采用多个芯片2串联，例如3个10kV的芯片2串联在一起，可以将二极管的耐压提高到30kV。
本实施例中，所述导带4为烧结在外壳1底部的一层高电导率银浆料。导带可以实现引线与芯片的电连接，且具有很低的线电阻。
本实施例中，芯片2的两极之间填充高绝缘电阻灌封胶，具体为兼顾高绝缘强度和高热导率的RTVS49型双组份硅橡胶。原因为：在均匀电场,气压为0.098MPa、温度为20℃、两极间距离大于0.1cm 的条件下，干燥空气击穿电压与极间距离保持以下关系： Uj=300B+1.35，式中：Uj为空气击穿电压，单位kV； B为电极间距离，单位cm。
所以，如果在空气中，极间电压为10kV时，理论安全间隙为2.88mm，但是考虑空气的湿度、杂质、和电场的不均匀性后，安全间隙很难估算。
空气的湿度、成份等不确定性使得空气的击穿电压很难估算，所以，在两极之间填充高绝缘电阻灌封胶可以保证足够的、稳定的绝缘强度。我们选择了兼顾高绝缘强度和高热导率的RTVS49型双组份硅橡胶来填充电极间隙。其绝缘电阻率为5×1014Ω.CM，长期工作温度-60℃～+260℃，可以保证足够的、稳定的绝缘强度。
本实施例中，所述外壳1的材料为滑石瓷。因为滑石瓷玻璃含量较高，强度高，绝缘电阻高，具有一定的疏水性。所述引线3为直径1mm的无氧铜引线，并且采用模具成形方法直接在引线末端做出半圆弧形内引线，引线3末端通过焊料焊接在导带上，两条引线最大总长度为60mm，线电阻R=ρL/s=1.75×10-8×0.06/(3.14×0.0012÷4)=1.4毫欧姆；所述键合丝6采用两根直径为的0.25mm纯铝丝并联，电阻为2.5毫欧姆，导带线电阻经测量为1毫欧姆，所以总线电阻约为5毫欧姆。线电阻小，线路损耗小，可以减小二极管正向电压，降低发热损耗。
本发明还公开了一种高压大功率碳化硅二极管的封装工艺，包括以下步骤：1）外壳底板导带印刷；2）导带烧结；3）引线烧结；4）芯片、过渡片真空焊接；5）键合丝键合；6）灌装、封盖；7）印字；8）测试；9）检外观；10）包装；11）成品检验；12)质量一致性检验；13）最终监督检验。
上述封装工艺流程中，导带印刷采用两次印刷工艺，第一次印刷银钯导体，第二次印刷纯银导体。
上述封装工艺流程中，芯片与过渡片采用真空焊接工艺，是因为芯片焊接面积较大，采用铅锡银焊片焊接在外壳底板上，常规焊接方法无法避免接触区空洞的产生，焊接空洞会增大芯片散热的热阻，大的空洞甚至会导致芯片在键合压力的作用下破裂。真空焊接使焊料在真空焊接设备内充分熔化，均匀地附着在芯片的背部，减少芯片和外壳底板之间的空洞，提高剪切力。实验证明，采用真空焊接工艺可以将空洞率控制在1%以内，而且工艺一致性好。
焊接在真空焊接炉进行。炉腔内环境充氮气进行保护，防止芯片背面银层、焊盘、焊片氧化，保证焊料熔化后与接触面润湿性良好。焊料熔化后抽真空，消除焊接空洞。冷却阶段要控制冷却速率，避免焊料内部重新结晶成大的晶枝，要使得晶粒尽量细小，从而保证焊接强度。本工序使用287℃的焊片进行焊接，根据焊接对象的特点，设定工艺曲线，精确控制设备内的环境，包括温度、真空度、充气气体流量和时间等工艺参数。本实施例通过工艺试验掌握工艺参数对焊接质量的影响，并设置了合理的真空焊接参数设定来满足本项目生产过程中对于真空焊接的要求。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管的封装工艺，键合丝键合时采用超声键合工艺。
芯片的上电极与导带上的过渡片需要进行电连接，连接可选两种方式：跳片焊接和铝丝超声键合。选择哪种方式主要取决于芯片上电极的金属化种类，如果电极表面金属化是蒸铝，则适合铝丝键合；如果金属化是银，则适合跳片焊接。跳片焊接工艺实施简单，跳片载流能力强，导线损耗小。铝线键合需要专用深腔键合机，但是优点是键合速度快，生产效率高。本发明采用铝丝超声键合工艺。
超声键合是在一定的超声功率及压力下，使纯铝丝产生形变，与芯片键合区及过渡片键合区之间达到原子级的接触，形成芯片电极与导带的可靠连接。通过摸索一定键合功率下键合时间与键合质量的关系，得知在小超声功率条件下，键合强度对键合时间敏感，随时间增加平均键合点剪切测试力随之迅速增加；在大超声功率条件下，键合强度对键合时间的敏感性下降，但是即使在较短的时间内也能形成较高的键合强度。超声功率过小不能形成足够的键合强度，超声功率过大使得键合成功后的键合强度被破坏，造成过键合，即过高的超声功率将不利于键合强度的提高。因此键合功率和键合时间是键合工艺中的关键参数，本实施例中，键合压力为260g，键合功率为1.6W，键合时间为160ms。
本发明所述高压大功率碳化硅二极管的封装工艺，灌装时采用真空灌封工艺，并且在灌封前对搅拌后的灌封胶进行真空脱气。这样做的目的是尽可能消除气泡，因为灌封中如果现气泡，空气在高压下电离会形成放电电弧，烧坏芯片。
以上仅描述了本发明的基本原理和优选实施方式，本领域人员可以根据上述描述作出许多变化和改进，这些变化和改进应该属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种高压大功率碳化硅二极管封装结构，包括外壳、位于外壳内的一个或者多个串联在一起的芯片以及连接于外壳两端的引线，其特征在于：所述外壳是陶瓷外壳，芯片焊接于陶瓷外壳的内底面，芯片的两侧各设有一导带，外壳两端的引线均焊接在导带上，其中一个导带上焊接有过渡片，过渡片与芯片电极之间通过键合丝完成电连接；所述导带印刷采用两次印刷工艺，第一次印刷银钯导体，第二次印刷纯银导体。
2.根据权利要求1所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构，其特征在于：所述导带为烧结在外壳底部的一层高电导率银浆料。
3.根据权利要求2所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构，其特征在于：芯片的两极之间填充高绝缘电阻灌封胶。
4.根据权利要求3所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构，其特征在于：所述引线为无氧铜引线，引线的末端为半圆弧形，引线末端通过银焊料焊接在导带上；所述键合丝为两根并联的纯铝丝。
5.根据权利要求4所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构，其特征在于：所述外壳的材料为滑石瓷。
6.一种权利要求5所述高压大功率碳化硅二极管封装结构的封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）外壳底板导带印刷；2）导带烧结；3）引线烧结；4）芯片、过渡片真空焊接；5）键合丝键合；6）灌装、封盖；所述导带印刷采用两次印刷工艺，第一次印刷银钯导体，第二次印刷纯银导体。
7.根据权利要求6所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构的封装工艺，其特征在于：芯片、过渡片真空焊接时在真空焊接炉进行，炉腔内充氮气进行保护，防止芯片背面银层、焊盘、焊片氧化，保证焊料熔化后与接触面润湿性良好；焊料熔化后抽真空，消除焊接空洞；冷却阶段控制冷却速率，避免焊料内部重新结晶成大的晶枝，使晶粒尽量细小，从而保证焊接强度。
8.根据权利要求7所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构的封装工艺，其特征在于：键合丝键合时采用超声键合工艺。
9.根据权利要求8所述的高压大功率碳化硅二极管封装结构的封装工艺，其特征在于：灌装时采用真空灌封工艺，并且在灌封前对搅拌后的灌封胶进行真空脱气。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510669808.3A CN105226030B (zh) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | 高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510669808.3A CN105226030B (zh) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | 高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105226030A CN105226030A (zh) | 2016-01-06 |
| CN105226030B true CN105226030B (zh) | 2018-12-18 |
Family
ID=54994889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510669808.3A Active CN105226030B (zh) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | 高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105226030B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107452723B (zh) * | 2017-07-26 | 2023-09-15 | 济南市半导体元件实验所 | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 |
| TWI651148B (zh) * | 2017-11-14 | 2019-02-21 | 廣化科技股份有限公司 | 真空焊接爐 |
| CN109256337B (zh) * | 2018-08-17 | 2020-02-11 | 北方电子研究院安徽有限公司 | 一种周长毫米级元件共晶焊接装置及焊接方法 |
| CN109813454B (zh) * | 2019-01-23 | 2024-09-24 | 浙江泰索科技有限公司 | 含半剖管状中间导体的高温连接棒及由其制得的探测器 |
| CN110379862B (zh) * | 2019-07-07 | 2023-03-07 | 陕西航空电气有限责任公司 | 一种碳化硅二极管及其制造方法 |
| CN111106070B (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 便于电镀的陶瓷封装外壳及电镀方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023545A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Nisshin Steel Co Ltd | 放熱構造体およびパワーモジュール |
| CN102130020A (zh) * | 2011-01-04 | 2011-07-20 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种碳化硅功率器件的封装方法 |
| CN203367260U (zh) * | 2013-06-27 | 2013-12-25 | 北京新雷能科技股份有限公司 | 一种功率陶瓷外壳和功率芯片封装结构 |
| CN204497239U (zh) * | 2015-04-28 | 2015-07-22 | 锦州辽晶电子科技有限公司 | 金属封装大电流、高电压、快恢复二极管 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010171279A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Toyota Motor Corp | 放熱装置 |
-
2015
- 2015-10-13 CN CN201510669808.3A patent/CN105226030B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023545A (ja) * | 2009-07-15 | 2011-02-03 | Nisshin Steel Co Ltd | 放熱構造体およびパワーモジュール |
| CN102130020A (zh) * | 2011-01-04 | 2011-07-20 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种碳化硅功率器件的封装方法 |
| CN203367260U (zh) * | 2013-06-27 | 2013-12-25 | 北京新雷能科技股份有限公司 | 一种功率陶瓷外壳和功率芯片封装结构 |
| CN204497239U (zh) * | 2015-04-28 | 2015-07-22 | 锦州辽晶电子科技有限公司 | 金属封装大电流、高电压、快恢复二极管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105226030A (zh) | 2016-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105226030B (zh) | 高压大功率碳化硅二极管封装结构及封装工艺 | |
| JP5807348B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TWI301286B (en) | Over-current protector | |
| CN107452723B (zh) | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法 | |
| JP2016134540A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JP4886104B2 (ja) | ボールグリッドアレイを具えるパワー半導体実装パッケージ | |
| CN204497239U (zh) | 金属封装大电流、高电压、快恢复二极管 | |
| CN109273371A (zh) | 一种功率半导体器件封装结构及封装方法 | |
| CN206370420U (zh) | 功率型贴片半导体元件 | |
| CN101494147B (zh) | 一种贴片放电管及其制造工艺 | |
| CN110491857A (zh) | 一种适用于高压功率器件模块封装的dbc结构 | |
| CN207097816U (zh) | 一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥 | |
| JP6066553B2 (ja) | 点弧支援機能を備えた高圧放電ランプ及びその製造方法 | |
| CN201758120U (zh) | 一种轴向式面接触型玻璃封装整流管 | |
| CN105470089B (zh) | 一种气体放电管及其所用金属化电极 | |
| WO2022007422A1 (zh) | 一种具有大电流、低引线电阻封接电磁继电器外壳 | |
| CN205810781U (zh) | 一种免封装散热型半导体功率模块 | |
| CN213340268U (zh) | 一种熔丝分段式熔断器 | |
| CN115954171A (zh) | 一种氧化铝陶瓷封装型热敏电阻及其制备方法 | |
| CN105428514A (zh) | 一种集成led光源导热结构及其实现方法 | |
| CN111817278A (zh) | 保护器件及其制备方法 | |
| CN206789535U (zh) | 一种电力电子器件的扇出型封装结构 | |
| CN102117720A (zh) | 一种温度保护装置 | |
| CN221041103U (zh) | 一种晶闸管结构 | |
| CN212366826U (zh) | 保护器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240206 Address after: No. 13856 Jingshi West Road, Ping'an Street, Changqing District, Jinan City, Shandong Province, 250000 Patentee after: JINAN JINGHENG ELECTRONICS Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No. 51 Heping Road, Jinan City, Shandong Province, 250014 Patentee before: JINAN SEMICONDUCTOR Research Institute Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |