[go: up one dir, main page]

CN105132924A - 一种铝硅合金盒体的表面处理方法 - Google Patents

一种铝硅合金盒体的表面处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105132924A
CN105132924A CN201510568567.3A CN201510568567A CN105132924A CN 105132924 A CN105132924 A CN 105132924A CN 201510568567 A CN201510568567 A CN 201510568567A CN 105132924 A CN105132924 A CN 105132924A
Authority
CN
China
Prior art keywords
box
silicon alloy
aluminum
box body
nickel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510568567.3A
Other languages
English (en)
Inventor
刘凯
杨旭一
高翔
王立春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Aerospace Electronic Communication Equipment Research Institute
Original Assignee
Shanghai Aerospace Measurement Control Communication Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Aerospace Measurement Control Communication Institute filed Critical Shanghai Aerospace Measurement Control Communication Institute
Priority to CN201510568567.3A priority Critical patent/CN105132924A/zh
Publication of CN105132924A publication Critical patent/CN105132924A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

铝硅合金封装盒体是雷达微波组件的重要组成部分,起着机械支撑、信号传输、散热通道、芯片和基板保护等重要作用。为满足盒体导电、焊接和密封的要求,一般对其表面镀覆镍、金层,因此盒体表面镀层质量对微波组件的整体性能非常重要。本发明涉及一种铝硅材料微波组件盒体化学镀镍、电镀镍、电镀金膜层的表面处理方法,该处理方法首次在铝硅合金盒体的表面镀层处理过程中,在化学镀镍后引入热处理和除氧化层步骤,从而达到使由此制作的盒体电镀镍、金后经300℃烘烤15min膜层不变色、不起泡的效果。

Description

一种铝硅合金盒体的表面处理方法
技术领域
本发明涉及铝硅合金材料制成的微波组件盒体的表面处理技术领域,特别涉及一种铝硅合金盒体的化学镀镍、电镀镍、电镀金的表面处理方法。
背景技术
随着微波组件向大功率、小型化、轻量化、高性能方向发展,要求与电子元器件配套的封装盒体具有与硅芯片匹配的热膨胀系数、较高的热传导率和较低的密度。铝硅合金材料是一种理想的电子封装材料,铝硅合金封装盒体是雷达微波组件的重要组成部分,起着机械支撑、信号传输、散热通道、芯片和基板保护等重要作用。为了满足其导电、焊接和密封的要求,一般对其表面进行镀镍和镀金处理,因此铝硅合金盒体表面镀层质量对微波组件的整体性能非常重要。
国产铝硅合金材料由于熔炼成型技术存在不足,导致用常规表面处理方法镀镍、金后,180℃以上焊接时镀层就会大量起泡、崩落。
发明内容
针对现有技术的上述不足,本发明首次在铝硅合金盒体的表面镀层处理过程中,在化学镀镍后引入热处理和除氧化层步骤,从而达到使由此制作的盒体电镀镍、金后经300℃烘烤15min膜层不变色、不起泡的效果。
本发明的铝硅合金盒体的表面处理方法的实施步骤依次为:盒体前处理、化学镀镍、热处理、除氧化层、电镀镍、电镀金。经过上述处理的镀金后的盒体可焊接温度达到300℃,从而提高了盒体与基板、接插件、芯片等的温度阶梯焊接可靠性。
优选所述盒体前处理过程为:首先用丙酮超声清洗盒体10-20min,纯水漂洗30-50s,超声碱洗30-60s,超声水洗1-2min,超声酸洗20-40s,超声水洗15-40min,超声频率为39.9KHz,功率900W。
优选所述化学镀镍过程为:在化学镀镍溶液中镀80-100min,之后用流动的纯水漂洗1-2min,之后脱水。脱水可采用酒精脱水方法。
优选所述热处理过程为:盒体脱水后置于充满不与镍反应的气体如氮气、氩气或者真空气氛的烘箱中250-350℃热处理1-2小时,自然冷却至室温后取出。
优选所述除氧化层为:将盒体在稀酸如稀盐酸或稀硝酸中漂洗1-2min,防止镍层被酸过度腐蚀,之后用流动的纯水漂洗1-2min。
优选所述电镀镍过程为:在电镀镍溶液中镀5-10min,之后用流动的纯水漂洗1-2min。
优选所述电镀金过程为:在电镀金溶液中镀30-50s,之后用流动的纯水漂洗1-2min,然后用酒精脱水后氮气吹干。
以上所述的电镀金、电镀镍、化学镀镍过程中使用的溶液均为现有技术中相同处理过程使用的常用溶液。
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
本发明首次在铝硅合金盒体的表面镀层处理过程中,在化学镀镍后引入热处理和除氧化层步骤,从而使由此制作的盒体电镀镍、金后经300℃烘烤15min膜层不变色、不起泡,而现有处理方法镀镍、金后,180℃以上焊接时镀层就会大量起泡、崩落,本发明的表面处理方法使盒体可焊接温度达到300℃,从而提高了盒体与基板、接插件、芯片等的温度阶梯焊接可靠性,进而也大大提高了雷达微波组件的整体性能。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例一
本实施例提供的铝硅合金盒体的表面处理方法如下:
1.40个铝硅盒体在丙酮中超声清洗10min,纯水漂洗50s,超声碱洗40s,超声水洗2min,超声酸洗20s,超声水洗20min,超声频率为39.9KHz,功率900W;
2.经上述步骤1处理的40个盒体在化学镀镍溶液中镀80min,之后用流动的纯水漂洗2min;
3.经上述处理的40个盒体脱水后置于充满氮气的烘箱中350℃热处理1小时,自然冷却至室温后取出;
4.经上述处理的40个盒体在稀盐酸中漂洗2min,之后用流动的纯水漂洗2min;
5.经上述处理的40个盒体在电镀镍溶液中镀5min,之后用流动的纯水漂洗1min;
6.经上述处理的40个盒体在电镀金溶液中镀30s,之后用流动的纯水漂洗1min,然后酒精脱水后氮气吹干。
将上述制备的铝硅合金盒体在300℃热台上高温烘烤15min,其上的金层不变色、不起泡。
实施例二
本实施例提供的铝硅合金盒体的表面处理方法如下:
1.60个铝硅盒体同时在丙酮中超声清洗15min,纯水漂洗50s,超声碱洗30s,超声水洗2min,超声酸洗30s,超声水洗30min,超声频率为39.9KHz,功率900W;
2.经上述处理的60个盒体在化学镀镍溶液中镀90min,之后用流动的纯水漂洗2min;
3.经上述处理的60个盒体脱水后置于充满氩气的烘箱中250℃热处理2小时,自然冷却至室温后取出;
4.经上述处理的60个盒体在稀硝酸中漂洗1min,之后用流动的纯水漂洗2min;
5.经上述处理的60个盒体在电镀镍溶液中镀5min,之后用流动的纯水漂洗1min;
6.经上述处理的60支盒体在电镀金溶液中镀40s,之后用流动的纯水漂洗1min,然后酒精脱水后氮气吹干。
将上述制备的铝硅合金盒体在300℃热台上高温烘烤15min,其上的金层不变色、不起泡。
在本发明及上述实施例的教导下,本领域技术人员很容易预见到,本发明所列举或例举的各原料或其等同替换物、各加工方法或其等同替换物都能实现本发明,以及各原料和加工方法的参数上下限取值、区间值都能实现本发明,在此不一一列举实施例。

Claims (3)

1.一种铝硅合金盒体的表面处理方法,其特征在于,依次包括以下步骤:盒体前处理、化学镀镍、热处理、除氧化层、电镀镍、电镀金。
2.如权利要求1所述的铝硅合金盒体的表面处理方法,其特征在于,所述热处理的温度为250-350℃,热处理气氛为不与镍反应的气体或者真空环境,热处理时间为1-2小时,热处理后使铝硅合金盒体自然冷却至室温。
3.如权利要求1所述的铝硅合金盒体的表面处理方法,其特征在于,所述的除氧化层过程,在稀酸中进行,处理时间控制在1-2min。
CN201510568567.3A 2015-09-09 2015-09-09 一种铝硅合金盒体的表面处理方法 Pending CN105132924A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510568567.3A CN105132924A (zh) 2015-09-09 2015-09-09 一种铝硅合金盒体的表面处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510568567.3A CN105132924A (zh) 2015-09-09 2015-09-09 一种铝硅合金盒体的表面处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105132924A true CN105132924A (zh) 2015-12-09

Family

ID=54718486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510568567.3A Pending CN105132924A (zh) 2015-09-09 2015-09-09 一种铝硅合金盒体的表面处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105132924A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105862015A (zh) * 2015-12-18 2016-08-17 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种应用于双定向电桥的铝硅材料的处理方法
CN109457103A (zh) * 2018-11-09 2019-03-12 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种电子封装外壳引线抗疲劳强度增强方法
CN110592628A (zh) * 2019-10-24 2019-12-20 中电国基南方集团有限公司 一种硅铝复合材料的镀覆工艺
CN114032549A (zh) * 2021-11-23 2022-02-11 山东晶导微电子股份有限公司 一种去除硅片化学镀镍表面镍的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080277140A1 (en) * 2007-04-16 2008-11-13 C. Uyemura & Co., Ltd. Electroless gold plating method and electronic parts
CN101711092A (zh) * 2009-04-16 2010-05-19 深圳市精诚达电路有限公司 挠性电路板直接镀金工艺

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080277140A1 (en) * 2007-04-16 2008-11-13 C. Uyemura & Co., Ltd. Electroless gold plating method and electronic parts
CN101711092A (zh) * 2009-04-16 2010-05-19 深圳市精诚达电路有限公司 挠性电路板直接镀金工艺

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
卢海燕等: ""SiCp/Al复合材料镀金工艺研究"", 《电子机械工程》 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105862015A (zh) * 2015-12-18 2016-08-17 中国电子科技集团公司第四十研究所 一种应用于双定向电桥的铝硅材料的处理方法
CN109457103A (zh) * 2018-11-09 2019-03-12 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种电子封装外壳引线抗疲劳强度增强方法
CN109457103B (zh) * 2018-11-09 2022-05-17 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种电子封装外壳引线抗疲劳强度增强方法
CN110592628A (zh) * 2019-10-24 2019-12-20 中电国基南方集团有限公司 一种硅铝复合材料的镀覆工艺
CN114032549A (zh) * 2021-11-23 2022-02-11 山东晶导微电子股份有限公司 一种去除硅片化学镀镍表面镍的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102387227B1 (ko) 금속/세라믹 회로 기판 제조 방법
CN106876267B (zh) 一种ltcc基板组件及其共晶烧结工艺方法
CN105132924A (zh) 一种铝硅合金盒体的表面处理方法
CN105887149B (zh) 一种金属化陶瓷电镀方法
CN104362099A (zh) 高热导覆铜陶瓷基板的制备方法
US20130105956A1 (en) Power module package and method for manufacturing the same
CN105039980B (zh) 一种铝硅合金材料微波组件镀覆镍金的处理方法
JPWO2015114987A1 (ja) パワーモジュール用基板およびそれを用いてなるパワーモジュール
CN117954330B (zh) 一种消除dcb氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法
CN104319241A (zh) 一种无压烧结连接大功率gto模块的方法
US20170301548A1 (en) Integrated circuits with backside metalization and production method thereof
CN104538312A (zh) 利用氮化硼制备散热芯片的方法
TW201813027A (zh) 絕緣電路基板之製造方法、絕緣電路基板、熱電變換模組
CN103560096B (zh) 一种低温下化合物半导体与硅基半导体进行键合的方法
CN204424217U (zh) 一种金属电极制造装置
CN109037421A (zh) 一种大功率led用陶瓷覆铜板的低温制备方法
CN105132975B (zh) 一种提高铝硅组件镀覆镍金层结合力的方法
CN103716980B (zh) 一种电源模块用正极氧化膜印刷基板
CN202210777U (zh) 低频晶体振荡器
CN209592085U (zh) 一种热电器件的制备系统
CN119725233B (zh) 一种基于双面覆铝的碳化硅绝缘基板及其制备方法
CN113363135A (zh) 一种用于芯片的镀膜加工方法
JP4923224B2 (ja) 金属セラミック複合部材に対するメッキ方法、および金属セラミック複合部材に対するパターン製造方法
CN202275814U (zh) 覆金属陶瓷基板
CN115812342A (zh) 绝缘基板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20160415

Address after: 200082 Qigihar Road, Shanghai, No. 76, No.

Applicant after: Shanghai Aerospace Electronic Communication Equipment Inst.

Address before: 200080 Shanghai city Hongkou District street Xingang Tianbao Road No. 881

Applicant before: Shanghai Aerospace Measurement Control Communication Institute

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20151209

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication