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CN105068347A - 一种阵列基板和液晶显示面板 - Google Patents

一种阵列基板和液晶显示面板 Download PDF

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CN105068347A
CN105068347A CN201510534953.0A CN201510534953A CN105068347A CN 105068347 A CN105068347 A CN 105068347A CN 201510534953 A CN201510534953 A CN 201510534953A CN 105068347 A CN105068347 A CN 105068347A
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CN
China
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pixel electrode
data line
sweep trace
area
pixel
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CN201510534953.0A
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邓竹明
张君恺
林永伦
叶岩溪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Publication date
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Priority to PCT/CN2015/088964 priority patent/WO2017031780A1/zh
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Abstract

本发明提供一种阵列基板和液晶显示面板。本发明的阵列基板通过改变像素单元中存储电容位置以及延长像素电极，消除了扫描线与存储电容之间的缝隙，从而省去了扫描线方向上的色阻重叠的区域，即凸起的围墙结构，进而改善了液晶和PI的流动，提高了显示效果以及降低了成本。

Description

一种阵列基板和液晶显示面板
【技术领域】
本发明涉及液晶显示器技术领域，特别是涉及一种阵列基板和液晶显示面板。
【背景技术】
在现有的液晶显示面板中，相邻像素之间存在非驱动区域，液晶排列不受控制，会出现漏光，所以与非驱动区域相应位置设置有黑色矩阵对其进行遮光。
如图1所示，为现有技术的阵列基板的俯视图；现有技术的阵列基板10包括薄膜晶体管100、数据线101，扫描线102，以及由数据线101和扫描线102交错构成像素单元；其中像素单元103包括：多条向扫描线101延伸的像素电极区域103、以及存储电容104；存储电容104位于像素电极区域103与扫描线102之间，如图1所示，存储电容104与扫描线102之间会存在缝隙106；由于该缝隙106会漏光影响画面显示，因此需要采用BM(黑色矩阵)对该缝隙进行遮光。
考虑到BM制作成本比较大，目前常用的遮光方式为：采用红色色阻和蓝色色阻进行重叠来对存储电容104与扫描线102之间的缝隙进行遮光。具体地色阻重叠遮光的原理可以参考图2，如图2所示，给出R(红)、G(绿)、B(蓝)三原色的刺激值与波长的图谱关系示意图，横坐标表示波长长度(单位为纳米)，纵坐标表示三原色的刺激值；201表示B的波长为435.8，202表示G的波长为546.1203表示R的波长为700；
由于人眼的可见光的波长范围介于390-700纳米范围，利用色阻R与色阻B进行重叠，可以达到遮光的效果，便省去黑色矩阵的制程成本。
然而采用色阻重叠遮光时，色阻交叠的区域为两种色阻(R&B)的厚度，相对于像素中央的显示区域会形成凸起的围墙结构，因此会使彩膜基板的表面不平整，不利于液晶和聚酰亚胺(PI)的流动，从而影响光学性能，降低显示效果。
因此，有必要提供一种阵列基板和液晶显示面板，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种液晶显示面板及装置，以解决现显示面板采用色阻重叠的遮光方式会导致彩膜基板表面不平整，影响显示效果的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明构造了一种阵列基板，包括：
第一数据线、第二数据线，所述第一数据线和所述第二数据线用于传输数据信号；
第一扫描线、第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线用于传输扫描信号；
像素单元，由所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一扫描线以及所述第二扫描线交错构成；
所述像素单元包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述第一数据信号连接，用于接收所述数据信号；所述薄膜晶管，用于根据所述数据信号以及所述扫描信号控制所述像素单元进行画面显示；
图案化像素电极区域，与所述薄膜晶体管的漏极连接，包括：第一像素电极区域和第二像素电极区域；所述第一像素电极区域的透光率大于所述第二像素电极区域的透光率；所述第一像素电极区域包括：向所述第一扫描线延伸的第一条状电极；
存储电容，位于所述第二像素电极区域的下方，与所述第二像素电极区域重叠，用于维持所述像素单元的画面显示；
其中，所述第一条状电极具有延伸起始端和延伸结束端，所述延伸结束端延伸至所述第一扫描线上方，且与所述第一扫描线重叠。
在本发明的阵列基板中，所述第一像素电极区域为分支像素电极区域，所述第二像素电极区域为主干像素电极区域，所述主干像素电极区域包括：多条主干电极。
在本发明的阵列基板中，所述主干像素电极区域包括：第一主干电极和第二主干电极，所述第一主干电极和所述第二主干电极相交形成一个相交区域；
所述存储电容位于所述相交区域的正下方，与所述相交区域重叠。
在本发明的阵列基板中，所述像素单元还包括：位于图案化像素电极区域与所述漏极之间的过孔；
所述图案化像素电极区域通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接；
其中，所述过孔位于所述存储电容的上方，与所述存储电容重叠。
在本发明的阵列基板中，所述第一像素电极区域还包括：向所述第一数据线延伸的第二条状电极；所述第二条状电极具有延伸起始端和延伸结束端，该延伸结束端延伸至所述第一数据线上方，且与所述第一数据线重叠。
在本发明的阵列基板中，所述第一像素电极区域还包括：向所述第二数据线延伸的第三条状电极；所述第三条状电极具有延伸起始端和延伸结束端，该延伸结束端延伸至所述第二数据线上方，且与所述第二数据线重叠。
在本发明的阵列基板中，包括：
第一金属层，其包括：所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述薄膜晶体管的栅极、以及所述存储电容的第一电容电极；
第二金属层，位于所述第一金属层上方，其包括：所述第一数据线、所述第二数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及所述存储电容的第二电容电极。
同样为了解决上述技术问题，本发明还提供了一种液晶显示面板，包括：
阵列基板；
彩膜基板；
位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；
所述阵列基板，包括：
第一数据线、第二数据线，所述第一数据线和所述第二数据线用于传输数据信号；
第一扫描线、第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线用于传输扫描信号；
像素单元，由所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一扫描线以及所述第二扫描线交错构成；
所述像素单元包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述第一数据信号连接，用于接收所述数据信号；所述薄膜晶管，用于根据所述数据信号以及所述扫描信号控制所述像素单元进行画面显示；
图案化像素电极区域，与所述薄膜晶体管的漏极连接，包括：第一像素电极区域和第二像素电极区域；所述第一像素电极区域的透光率大于所述第二像素电极区域的透光率；所述第一像素电极区域包括：向所述第一扫描线延伸的第一条状电极；
存储电容，位于所述第二像素电极区域的下方，与所述第二像素电极区域重叠，用于维持所述像素单元的画面显示；
其中，所述第一条状电极具有延伸起始端和延伸结束端，所述延伸结束端延伸至所述第一扫描线上方，且与所述第一扫描线重叠。
在本发明的液晶显示面板中，第一像素电极区域为分支像素电极区域，所述第二像素电极区域为主干像素电极区域，所述主干像素电极区域包括：多条主干电极。
在本发明的液晶显示面板中，所述主干像素电极区域包括：第一主干电极和第二主干电极，所述第一主干电极和所述第二主干电极相交形成一个相交区域；
所述存储电容位于所述相交区域的正下方，与所述相交区域重叠。
本发明的实施例提供了一种阵列基板和液晶显示面板，通过改变像素单元中存储电容位置以及延长像素电极，消除了扫描线与存储电容之间的缝隙，从而省去了扫描线方向上的色阻重叠的区域，即凸起的围墙结构，进而改善了液晶和PI的流动，提高了显示效果以及降低了成本。
另外，本发明阵列基板中存储电容位于透光率低的第二像素电极区域下方，可以避免存储电容占用透光面积，提高液晶显示面板的开口率。
【附图说明】
图1为现有技术的阵列基板的俯视图；
图2为三原色的刺激值与波长的图谱关系示意图；
图3为本发明实施例一提供的第一种阵列基板的结构示意图；
图4为本发明实施例一提供的第二种阵列基板的结构示意图；
图5为本发明实施例一提供的第三种阵列基板的结构示意图；
图6为本发明实施例二提供的一种液晶显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
实施例一：
如图3所示，本实施例提供了一种阵列基板，包括：
第一数据线301、第二数据线302，所述第一数据线301和所述第二数据线302用于传输数据信号；
第一扫描线303、第二扫描线304，第一扫描线302和第二扫描线304用于传输扫描信号；
像素单元，由第一数据线301、第二数据线302、第一扫描线303以及第二扫描线304交错构成；
所述像素单元包括：
薄膜晶体管305，所述薄膜晶体管305的栅极3051与所述第一扫描线303连接，所述薄膜晶体管3052的源极与所述第一数据信号301连接，用于接收所述数据信号；所述薄膜晶管305，用于根据所述数据信号以及所述扫描信号控制所述像素单元进行画面显示；
图案化像素电极区域306，与所述薄膜晶体管305的漏极3053连接，包括：第一像素电极区域和第二像素电极区域；所述第一像素电极区域包括：向所述第一扫描线303延伸的第一条状电极3061，向第一数据线301延伸的第二条状电极3062，向第二数据延伸302的第三条状电极3063以及向第二扫描线304延伸的第四条状电极3064；
具体地，本实施例中图案化像素电极区域306可以包括两种像素电极区域；一种是第一像素电极区域，例如由分支像素电极构成的分支像素电极区域，另一种是透光率小于第一像素电极区域的透光率的第二像素电极区域，例如由多条主干像素电极构成的主干像素电极区域，在实际应用中，一般主干像素电极区域的透光率是小于分支像素电极区域的。
如图3所示，分支像素电极区域包括：第一条状电极3061，第二条状电极3062，第三条状电极3063，第四条状电极3064；主干像素电极区域包括：第一主干电极3065和第二主干电极3066；第一条状电极3061，第二条状电极3062，第三条状电极3063，第四条状电极3064分别与对应的主干电极电性连接。
优选地，本实施例中，第一主干电极3065与第二主干电极3066相交形成一个相交区域3067。
本实施例阵列基板还包括：存储电容307，位于所述第二像素电极区域的下方，与所述第二像素电极区域重叠，用于维持所述像素单元的画面显示；具体地如图3所示，本实施例中存储电容307位于相交区域3067的正下方，且与相交区域3067重叠，由于该相交区域3067为图案化像素电极区域306中透光率最低的像素区域，其可以最大限度地提高开口率。优选地，存储电容307可以位于图案化像素电极区域中透光率最小的像素区域下方，并与该区域重叠。
本实施例中，第一条状电极3061具有延伸起始端和延伸结束端，所述延伸结束端延伸至所述第一扫描线303上方，且与所述第一扫描线303重叠；具体地，如图3所示，第一条状电极3061向第一扫描线303延伸，并且末端搭在第一扫描线303上。
由上可知，本实施例的阵列基板通过改变像素单元中存储电容307位置以及延长第一条状电极3061，消除了现有第一扫描线303与存储电容307之间的缝隙(即消除了图1中的缝隙106)，从而省去了扫描线方向上的色阻重叠的区域，即凸起的围墙结构，进而改善了液晶和PI的流动，提高了显示效果以及降低了成本。
另外，本实施例阵列基板中存储电容位于透光率低的主干像素电极区域下方，具体地位于相交区域3067下方，可以避免存储电容占用像素单元的透光面积，提高阵列基板的开口率。
考虑到阵列基板中用于图案化像素电极区域306与漏极3053连接的不透光的过孔如果在透光率高的像素电极区域，会占一定的透光面积，降低开口率；本实施例中将该过孔的至少一部分设置在存储电容307的上方，与存储电容307重叠。
具体地，如图4所示，本实施例中阵列基板中像素单元还包括：位于图案化像素电极区域306与所述漏极3053之间的过孔308；图案化像素电极区域306通过所述过孔308与所述薄膜晶体管305的漏极3053连接；其中过孔308位于存储电容307的上方，与存储电容308重叠，优选地，位于相交区域3067与存储电容307之间。
本实施例中由于存储电容307不透光，其本来就占用一定的透光面积，将过孔308设置在存储电容308的上方，与存储电容308重叠，这样过孔308就不会占用额外的透光面积，进一步提升开口率。
考虑到现有数据线方向上数据线与图案像素电极区域之间会存在缝隙，现有技术一般采用色组重叠的方式对该缝隙遮光，因此会在数据线方向上存在色组交叠区域，相对于像素中央的显示区域会形成凸起的围墙结构，会使彩膜基板的表面不平整，不利于液晶和聚酰亚胺(PI)的流动，从而影响光学性能，降低显示效果。
为了进一步消除第一数据线301方向上的围墙结构，如图5所示，在本实施例阵列基板中，可以使第二条状电极3062延伸至第一数据线301，并搭在第一数据线301上；具体地，第二条状电极3062具有延伸起始端和延伸结束端，该延伸结束端延伸至所述第一数据线301上方，且与所述第一数据线301重叠。
参考图5，同样，进一步消除第二数据线302方向上的围墙结构，本实施例中第三条状电极3063延伸至第二数据线302上，且末端搭在第二数据线3062上；具体地，第三条状电极3063具有延伸起始端和延伸结束端，该延伸结束端延伸至所述第二数据线上方，且与所述第二数据线重叠。
由于，本实施例阵列基板中第二条状电极3062和第三条状电极3063的末端均搭在数据线上，因此，消除了数据线与图案像素电极区域之间的缝隙，避免了在数据线方向上采用色组重叠来遮光，从而消除了凸起的围墙结构，进而改善了液晶和PI的流动，提示了显示效果。
在本实施例中存储电容307具体地，薄膜晶体管305打开的期间，维持像素电压信号，以维持像素单元的画面显示；本实施例中存储电容307的形成有多种方式；优选地，本实施例中存储电容307由阵列基板中第一金属层上的第一电容电极和第二金属层上的第二电容电极构成；具体地：
本实施例中阵列基板包括：
第一金属层，其包括：所述第一扫描线303、所述第二扫描线304、所述薄膜晶体管305的栅极302、以及所述存储电容307的第一电容电极；
第二金属层，位于所述第一金属层上方，其包括：所述第一数据线301、所述第二数据线302、所述薄膜晶体管305的源极3051和漏极3053、以及所述存储电容307的第二电容电极。
实施例二：
参考图6，本实施例提供了一种液晶显示面板，包括：
阵列基板61；
彩膜基板63；
位于所述阵列基板61和所述彩膜基板63之间的液晶层62；
阵列基板61，为实施例一所述的阵列基板，参考图3-5，其可以包括：
第一数据线301、第二数据线302，所述第一数据线301和所述第二数据线302用于传输数据信号；
第一扫描线303、第二扫描线304，第一扫描线302和第二扫描线304用于传输扫描信号；
像素单元，由第一数据线301、第二数据线302、第一扫描线303以及第二扫描线304交错构成；
薄膜晶体管305，所述薄膜晶体管305的栅极3051与所述第一扫描线303连接，所述薄膜晶体管3052的源极与所述第一数据信号301连接，用于接收所述数据信号；所述薄膜晶管305，用于根据所述数据信号以及所述扫描信号控制所述像素单元进行画面显示；
图案化像素电极区域306，与所述薄膜晶体管305的漏极3053连接，包括：第一像素电极区域和第二像素电极区域；所述第一像素电极区域包括：向所述第一扫描线303延伸的第一条状电极3061；
存储电容307，位于所述第二像素电极区域的下方，与所述第二像素电极区域重叠，用于维持所述像素单元的画面显示；
本实施例中，第一条状电极3061具有延伸起始端和延伸结束端，所述延伸结束端延伸至所述第一扫描线303上方。
优选地，本实施例液晶显示面板中所述主干像素电极区域包括：第一主干电极和第二主干电极，所述第一主干电极和所述第二主干电极相交形成一个相交区域；
所述存储电容位于所述相交区域的正下方，与所述相交区域重叠。
优选地，所述主干像素电极区域包括：第一主干电极和第二主干电极，所述第一主干电极和所述第二主干电极相交形成一个相交区域；
所述存储电容位于所述相交区域的正下方，与所述相交区域重叠。
本发明的实施例提供了一种液晶显示面板，通过改变像素单元中存储电容位置以及延长像素电极，消除了扫描线与存储电容之间的缝隙，从而省去了扫描线方向上的色阻重叠的区域，即凸起的围墙结构，进而改善了液晶和PI的流动，提高了显示效果以及降低了成本。
另外，本实施例液晶显示面板中存储电容位于透光率低的第二像素电极区域下方，可以避免存储电容占用透光面积，提高液晶显示面板的开口率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一数据线、第二数据线，所述第一数据线和所述第二数据线用于传输数据信号；
第一扫描线、第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线用于传输扫描信号；
像素单元，由所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一扫描线以及所述第二扫描线交错构成；
所述像素单元包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述第一数据信号连接，用于接收所述数据信号；所述薄膜晶管，用于根据所述数据信号以及所述扫描信号控制所述像素单元进行画面显示；
图案化像素电极区域，与所述薄膜晶体管的漏极连接，包括：第一像素电极区域和第二像素电极区域；所述第一像素电极区域的透光率大于所述第二像素电极区域的透光率；所述第一像素电极区域包括：向所述第一扫描线延伸的第一条状电极；
存储电容，位于所述第二像素电极区域的下方，与所述第二像素电极区域重叠，用于维持所述像素单元的画面显示；
其中，所述第一条状电极具有延伸起始端和延伸结束端，所述延伸结束端延伸至所述第一扫描线上方，且与所述第一扫描线重叠。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极区域为分支像素电极区域，所述第二像素电极区域为主干像素电极区域，所述主干像素电极区域包括：多条主干电极。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述主干像素电极区域包括：第一主干电极和第二主干电极，所述第一主干电极和所述第二主干电极相交形成一个相交区域；
所述存储电容位于所述相交区域的正下方，与所述相交区域重叠。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括：位于图案化像素电极区域与所述漏极之间的过孔；
所述图案化像素电极区域通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接；
其中，所述过孔位于所述存储电容的上方，与所述存储电容重叠。
5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极区域还包括：向所述第一数据线延伸的第二条状电极；所述第二条状电极具有延伸起始端和延伸结束端，该延伸结束端延伸至所述第一数据线上方，且与所述第一数据线重叠。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素电极区域还包括：向所述第二数据线延伸的第三条状电极；所述第三条状电极具有延伸起始端和延伸结束端，该延伸结束端延伸至所述第二数据线上方，且与所述第二数据线重叠。
7.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
第一金属层，其包括：所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述薄膜晶体管的栅极、以及所述存储电容的第一电容电极；
第二金属层，位于所述第一金属层上方，其包括：所述第一数据线、所述第二数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及所述存储电容的第二电容电极。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
彩膜基板；
位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；
所述阵列基板，包括：
第一数据线、第二数据线，所述第一数据线和所述第二数据线用于传输数据信号；
第一扫描线、第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线用于传输扫描信号；
像素单元，由所述第一数据线、所述第二数据线、所述第一扫描线以及所述第二扫描线交错构成；
所述像素单元包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线连接，所述薄膜晶体管的源极与所述第一数据信号连接，用于接收所述数据信号；所述薄膜晶管，用于根据所述数据信号以及所述扫描信号控制所述像素单元进行画面显示；
图案化像素电极区域，与所述薄膜晶体管的漏极连接，包括：第一像素电极区域和第二像素电极区域；所述第一像素电极区域的透光率大于所述第二像素电极区域的透光率；所述第一像素电极区域包括：向所述第一扫描线延伸的第一条状电极；
存储电容，位于所述第二像素电极区域的下方，与所述第二像素电极区域重叠，用于维持所述像素单元的画面显示；
其中，所述第一条状电极具有延伸起始端和延伸结束端，所述延伸结束端延伸至所述第一扫描线上方，且与所述第一扫描线重叠。
9.如权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一像素电极区域为分支像素电极区域，所述第二像素电极区域为主干像素电极区域，所述主干像素电极区域包括：多条主干电极。
10.如权利要求9所述的液晶显示面板，其特征在于，所述主干像素电极区域包括：第一主干电极和第二主干电极，所述第一主干电极和所述第二主干电极相交形成一个相交区域；
所述存储电容位于所述相交区域的正下方，与所述相交区域重叠。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106371684A (zh) * 2016-09-20 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示装置、触控显示面板及其制作方法
CN107065351A (zh) * 2017-04-11 2017-08-18 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
CN109917597A (zh) * 2019-04-09 2019-06-21 惠科股份有限公司 像素结构及显示面板
CN110376813A (zh) * 2019-07-09 2019-10-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种像素结构及显示面板
WO2020093483A1 (zh) * 2018-11-06 2020-05-14 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置
WO2020168664A1 (zh) * 2019-02-19 2020-08-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板及其驱动方法
WO2021196276A1 (zh) * 2020-03-31 2021-10-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100103354A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Se-Hwan Yu Thin film transistor substrate and liquid crystal display including the same
CN101894836A (zh) * 2010-07-05 2010-11-24 友达光电股份有限公司 像素结构及其制作方法
CN102053426A (zh) * 2009-10-28 2011-05-11 三星电子株式会社 显示基板
CN102955300A (zh) * 2011-08-31 2013-03-06 群康科技(深圳)有限公司 液晶面板
CN103809337A (zh) * 2012-11-14 2014-05-21 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN103869554A (zh) * 2012-12-12 2014-06-18 三菱电机株式会社 液晶显示面板
CN104280947A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 液晶显示器

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100103354A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Se-Hwan Yu Thin film transistor substrate and liquid crystal display including the same
CN102053426A (zh) * 2009-10-28 2011-05-11 三星电子株式会社 显示基板
CN101894836A (zh) * 2010-07-05 2010-11-24 友达光电股份有限公司 像素结构及其制作方法
CN102955300A (zh) * 2011-08-31 2013-03-06 群康科技(深圳)有限公司 液晶面板
CN103809337A (zh) * 2012-11-14 2014-05-21 三星显示有限公司 液晶显示器及其制造方法
CN103869554A (zh) * 2012-12-12 2014-06-18 三菱电机株式会社 液晶显示面板
CN104280947A (zh) * 2013-07-12 2015-01-14 三星显示有限公司 液晶显示器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106371684A (zh) * 2016-09-20 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示装置、触控显示面板及其制作方法
US10353231B2 (en) 2016-09-20 2019-07-16 Boe Technology Group Co., Ltd. Touch display device, touch display panel and method for manufacturing touch display panel
CN107065351A (zh) * 2017-04-11 2017-08-18 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示装置
WO2020093483A1 (zh) * 2018-11-06 2020-05-14 惠科股份有限公司 显示面板和显示装置
WO2020168664A1 (zh) * 2019-02-19 2020-08-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板及其驱动方法
CN109917597A (zh) * 2019-04-09 2019-06-21 惠科股份有限公司 像素结构及显示面板
CN110376813A (zh) * 2019-07-09 2019-10-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种像素结构及显示面板
WO2021196276A1 (zh) * 2020-03-31 2021-10-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示装置

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