CN104988475A - 一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法 - Google Patents
一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104988475A CN104988475A CN201510299607.9A CN201510299607A CN104988475A CN 104988475 A CN104988475 A CN 104988475A CN 201510299607 A CN201510299607 A CN 201510299607A CN 104988475 A CN104988475 A CN 104988475A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cupronickel
- nano wire
- flexible electrode
- electrode
- flexible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title abstract 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title abstract 5
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims abstract description 16
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims abstract description 16
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims abstract description 16
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 8
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 6
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 4
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 3
- BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L nickel(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ni+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L 0.000 claims description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 230000003245 working effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
本发明公开了一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法,将一定量的铜镍合金纳米线分散在适量的正己烷溶液中,通过抽滤的方法使铜镍合金纳米线在滤膜上成膜,再将之转移到准备的PDMS柔性衬底上,利用一定压力将纳米线嵌在柔性衬底表面,然后通过在还原性气氛条件下加热到一定温度并保持一段时间,从而得到高质量的铜镍合金纳米线柔性电极。本发明操作过程简单,制得的柔性电极具有很好的导电性,可拉伸性,可弯曲性以及优异的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及柔性电极制备技术,特别是涉及一种可应用于柔性屏幕,可穿戴电子产品以及有机发光二极管的铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法。
背景技术
随着现代显示技术的发展,柔性器件越来越受到人们的关注。在可穿戴电子产品和柔性屏幕等领域中,柔性可拉伸弯曲的电极无疑具有巨大的应用潜力。在传统的电子器件领域中,商业中用的电极往往是依附在刚性衬底(如玻璃,硅等)上,例如最常见的一些电路板,太阳能电池电极等等,这些刚性衬底电极主要优点是工艺成熟,成品率高,能够满足一般的器件对电极要求。但是随着人们对各种各样新型电子消费产品的需求不断增多,这些新型的电子器件往往被要求要符合人体工学,就如近年来可穿戴电子产品的兴起,像智能手表等。这要求我们要开发具有柔性的电子器件,如柔性电路板,柔性屏幕等。而要实现柔性器件,制备柔性电极衬底是不可缺少的一环。
目前主要用到的柔性电极材料有Ag纳米线(Transferable self-welding silvernanowire network as high performance transparent flexible electrode.Nanotechnology,2013,24(33):335202.),商业化的ITO/PET电极等。在一定程度上,这些柔性电极能够满足目前光电器件对柔性电极衬底的需求,且制备工艺较为成熟。但存在的主要问题是这些电极所用的材料价格较贵,如Ag,ITO中的铟,且ITO/PET电极具有较大的脆性,不宜用于对弯曲性或拉伸性要求较高的柔性衬底中,这就限制了其应用范围。
普通铜纳米线(Transparent Cu nanowire mesh electrode on flexible substratesfabricated by transfer printing and its application in organic solar cells[J].Solar EnergyMaterials and Solar Cells,2010,94(6):1179-1184.)制备的柔性电极易被氧化,使得柔性电极的电阻率变大;而且柔性电极与柔性衬底的结合不好,弯折、拉伸后导电能力大大降低,性能非常不稳定。
发明内容
本发明的目的是提供一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法。
实现本发明目的的技术方案为:一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法,将一定量的铜镍合金纳米线分散在适量的正己烷溶液中,通过抽滤的方法使铜镍合金纳米线在滤膜上成膜,再将之转移到准备的PDMS柔性衬底上,利用一定压力将纳米线嵌在柔性衬底表面,然后通过在还原性气氛条件下加热到一定温度并保持一段时间,从而得到高质量的铜镍合金纳米线柔性可拉伸电极。具体的制备步骤如下:
步骤1,以CuCl2作为铜离子的反应前驱体,Ni(acac)2作为还原剂,摩尔比计,CuCl2:Ni(acac)2=2:1,油胺作为溶剂;
步骤2,在N2惰性气氛下,将步骤1反应剂置于容器内,加热至90-100℃下保温搅拌,使前驱体盐充分混合;
步骤3,继续升温到175-185℃,反应3.5-4.5h时间后,降温、离心处理,清洗后得到铜镍合金纳米线;
步骤4,将铜镍合金纳米线分散在正己烷中,将该分散液超声后抽滤在滤膜上;
步骤5,将滤膜取下贴在PDMS柔性衬底表面,施加10~15N压力,将铜镍合金纳米线转移到衬底表面;
步骤6,将转移好的柔性电极衬底于还原性气氛下加热到200-210℃并保温2.5-3h,冷却到室温后取出,即得铜镍合金纳米线柔性电极。
步骤2中,所述的保温搅拌时间为30-40min。
步骤4中,分散液的浓度为0.02~0.08mg/ml;超声时间为1~3分钟。
步骤6中,还原性气氛为5%H2+95%Ar的氢氩气氛。
本发明具有的优势如下:1)本发明的制备工艺简单可控,将铜纳米线转移至柔性衬底方便易操控;2)本发明中使用的铜镍合金纳米线价格低廉,且无毒性,更为环保,最重要的是制得的柔性电极产品与商用的产品性能相当,完全满足器件对柔性电极的要求;3)本发明通过利用嵌在PDMS表面的方法,使得铜镍合金纳米线进一步受到保护,延长了其使用寿命。
附图说明
图1为本发明实例1的铜镍合金纳米线壳层结构TEM图。
图2为本发明实例1所得的柔性电极样品。
图3为本发明实例1所得的柔性电极方块电阻随时间变化曲线。
图4为本发明实例2所得的柔性电极样品。
图5为本发明实例2所得的柔性电极方块电阻随时间变化曲线。
图6为发明实例3所得的柔性电极样品。
图7为本发明实例3所得的柔性电极样品。
具体实施方法
本发明一种铜镍合金纳米线柔性电极,是将铜镍合金纳米线分散液通过抽滤的方法使其在滤膜上成膜,再将之转移到准备的PDMS柔性衬底上,利用一定压力将纳米线嵌在柔性衬底表面,然后通过在还原性气氛条件下加热到一定温度并保持一段时间,从而得到高质量的铜镍合金纳米线柔性可拉伸电极。具体包括以下步骤:
步骤1:取一定比例硅酮树脂溶液与固化剂混合搅拌,使其固化成直径40cm的PDMS衬底;
步骤2:取3mL0.02~0.08mg/ml铜镍合金纳米线分散在适量正己烷中,超声均匀;
步骤3:通过抽滤的方法将铜镍合金纳米线均匀地抽滤在滤膜上;
步骤4:将未干透的滤膜取下贴到PDMS柔性衬底表面,通过10~15N的压力将铜镍合金纳米线转移到衬底表面;
步骤5:将转移好的柔性电极衬底放入还原性气氛中加热并保温一段时间后冷却到室温取出,即得到铜镍合金纳米线柔性可拉伸电极。
步骤1中,PDMS柔性衬底的制备工艺为:取硅酮树脂溶液与固化剂比例10:1,混合搅拌均匀后在室温下经18~20小时固化,即得。
步骤2中,铜镍合金纳米线的制备工艺为:CuCl2与Ni(acac)2按摩尔比例2:1混合,溶解到油胺中,在N2惰性气氛下,加热至90-100℃下保温搅拌30-40min,使其充分混合;继续升温到175-185℃,反应3.5-4.5h时间后,降温、离心,清洗后即得到铜镍合金纳米线。将其溶解到正己烷中,配制不同浓度的铜镍合金纳米线墨水。
实施例1
本发明一种铜镍合金纳米线柔性可拉伸电极,具体制备步骤如下:
步骤1:取硅酮树脂溶液与固化剂比例10:1,混合搅拌均匀后在室温下经18小时固化成所需的PDMS衬底;
步骤2:配置溶度为0.02mg/mL的铜镍合金纳米线分散液,超声1分钟使其分散均匀备用;
步骤3:取3mL铜镍合金纳米线分散液通过真空抽滤的方法将其均匀分布在醋酸乙烯滤膜表面;
步骤4:将未干透的滤膜取下贴到PDMS柔性衬底表面,利用10N压力轻压10s后取走滤膜,转移成功;
步骤5:将转移好的柔性电极衬底放入还原性气氛(5%H2+95%Ar)的真空炉中退火,退火温度为200℃,经2小时保温后取出自然冷却,即得到铜镍合金纳米线柔性可拉伸电极。
对制得的柔性电极在室温空气环境下进行性能表征,如图1、2和3所示,结果表明按照实例1的工艺参数,制得的柔性电极具有很好的光透过率、导电性能以及稳定性。
实施例2
本发明一种铜镍合金纳米线柔性可拉伸电极,具体制备步骤如下:
步骤1:取硅酮树脂溶液与固化剂比例10:1,混合搅拌均匀后在室温下经19小时固化成所需的PDMS衬底;
步骤2:配置溶度为0.04mg/mL的铜镍合金纳米线分散液,超声2分钟使其分散均匀备用;
步骤3:取3mL铜镍合金纳米线分散液通过真空抽滤的方法将其均匀分布在醋酸乙烯滤膜表面;
步骤4:用尖镊子将未干透的滤膜取下贴到PDMS柔性衬底表面,利用12N压力压制10s后取走滤膜,转移成功;
步骤5:将转移好的柔性电极衬底放入还原性气氛(5%H2+95%Ar)的真空炉中退火,退火温度为200℃,经2小时保温后取出自然冷却,即得到铜镍合金纳米线柔性可拉伸电极。
对制得的柔性电极在室温空气条件下进行性能测试表征,如图4和图5所示,结果表明按照实例2的工艺参数,制得的柔性电极具有很好的光透过率、导电性能以及稳定性。
实施例3
本发明一种铜镍合金纳米线柔性可拉伸电极,具体制备步骤如下:
步骤1:取硅酮树脂溶液与固化剂比例10:1,混合搅拌均匀后在室温下经20小时固化成所需的PDMS衬底;
步骤2:配置溶度为0.08mg/mL的铜镍合金纳米线分散液,超声3分钟使其分散均匀备用;
步骤3:取3mL铜镍合金纳米线分散液通过真空抽滤的方法将其均匀分布在醋酸乙烯滤膜表面;
步骤4:将未干透的滤膜取下贴到PDMS柔性衬底表面,利用15N的重物压力压制10s后取走滤膜,转移成功;
步骤5:将转移好的柔性电极衬底放入还原性气氛(5%H2+95%Ar)的真空炉中退火,退火温度为200℃,经2小时保温后取出自然冷却,即得到铜镍合金纳米线柔性可拉伸电极。
对制得的柔性电极在室温空气条件下进行性能表征,如图6和图7所示,结果表明按照实例3的工艺参数,制得的柔性电极具有很好的光透过率、导电性能以及稳定性。
Claims (8)
1.一种铜镍合金纳米线柔性电极,其特征在于,所述电极由以下步骤制备:
步骤1,以CuCl2作为铜离子的反应前驱体,Ni(acac)2作为还原剂,摩尔比计,CuCl2:Ni(acac)2=2:1,油胺作为溶剂;
步骤2,在N2惰性气氛下,将步骤1反应剂置于容器内,加热至90-100℃下保温搅拌,使前驱体盐充分混合;
步骤3,继续升温到175-185℃,反应3.5-4.5h时间后,降温、离心处理,清洗后得到铜镍合金纳米线;
步骤4,将铜镍合金纳米线分散在正己烷中,将该分散液超声后抽滤在滤膜上;
步骤5,将滤膜取下贴在PDMS柔性衬底表面,施加10~15N压力,将铜镍合金纳米线转移到衬底表面;
步骤6,将转移好的柔性电极衬底于还原性气氛下加热到200-210℃并保温2.5-3h,冷却到室温后取出,即得铜镍合金纳米线柔性电极。
2.如权利要求1所述的铜镍合金纳米线柔性电极,其特征在于,步骤2中,所述的保温搅拌时间为30-40min。
3.如权利要求1所述的铜镍合金纳米线柔性电极,其特征在于,步骤4中,分散液的浓度为0.02~0.08mg/ml;超声时间为1~3分钟。
4.如权利要求1所述的铜镍合金纳米线柔性电极,其特征在于,步骤6中,还原性气氛为5%H2+95%Ar的氢氩气氛。
5.一种铜镍合金纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,以CuCl2作为铜离子的反应前驱体,Ni(acac)2作为还原剂,摩尔比计,CuCl2:Ni(acac)2=2:1,油胺作为溶剂;
步骤2,在N2惰性气氛下,将步骤1反应剂置于容器内,加热至90-100℃下保温搅拌,使前驱体盐充分混合;
步骤3,继续升温到175-185℃,反应3.5-4.5h时间后,降温、离心处理,清洗后得到铜镍合金纳米线;
步骤4,将铜镍合金纳米线分散在正己烷中,将该分散液超声后抽滤在滤膜上;
步骤5,将滤膜取下贴在PDMS柔性衬底表面,施加10~15N压力,将铜镍合金纳米线转移到衬底表面;
步骤6,将转移好的柔性电极衬底于还原性气氛下加热到200-210℃并保温2.5-3h,冷却到室温后取出,即得铜镍合金纳米线柔性电极。
6.如权利要求5所述的铜镍合金纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,步骤2中,所述的保温搅拌时间为30-40min。
7.如权利要求5所述的铜镍合金纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,步骤4中,分散液的浓度为0.02~0.08mg/ml;超声时间为1~3分钟。
8.如权利要求5所述的铜镍合金纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,步骤6中,还原性气氛为5%H2+95%Ar的氢氩气氛。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510299607.9A CN104988475A (zh) | 2015-06-03 | 2015-06-03 | 一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510299607.9A CN104988475A (zh) | 2015-06-03 | 2015-06-03 | 一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104988475A true CN104988475A (zh) | 2015-10-21 |
Family
ID=54300365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510299607.9A Pending CN104988475A (zh) | 2015-06-03 | 2015-06-03 | 一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104988475A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105758909A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-07-13 | 武汉大学 | 一种基于金纳米管的柔性可拉伸电极及其制备方法与应用 |
CN106521551A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-03-22 | 电子科技大学 | 一种用于硼烷氨制氢的NiAu纳米催化剂的制备方法 |
CN108355661A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-08-03 | 东南大学 | 一种线状Cu-Ni合金纳米晶及其合成方法 |
CN109727706A (zh) * | 2019-03-08 | 2019-05-07 | 华南协同创新研究院 | 一种柔性透明导电薄膜及其制备方法 |
CN116213743A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-06-06 | 北京化工大学 | 一种硒/碲掺杂的铜镍纳米线的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101168804A (zh) * | 2007-11-29 | 2008-04-30 | 山东大学 | 一维CdS-Ni半导体-磁性功能复合纳米材料及其制备方法 |
US20130087363A1 (en) * | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Korea Institute Of Science And Technology | Metal nanowires with high linearity, method for producing the metal nanowires and transparent conductive film including the metal nanowires |
CN103736996A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-04-23 | 云南大学 | 一种制备多孔的覆有导电微米线/棒的复合微球材料的方法 |
WO2014063769A1 (en) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Merck Patent Gmbh | Processing of copper-based nanowires for transparent conductors |
US20150083466A1 (en) * | 2011-07-22 | 2015-03-26 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method For The Functionalisation Of Metal Nanowires And The Production Of Electrodes |
-
2015
- 2015-06-03 CN CN201510299607.9A patent/CN104988475A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101168804A (zh) * | 2007-11-29 | 2008-04-30 | 山东大学 | 一维CdS-Ni半导体-磁性功能复合纳米材料及其制备方法 |
US20150083466A1 (en) * | 2011-07-22 | 2015-03-26 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method For The Functionalisation Of Metal Nanowires And The Production Of Electrodes |
US20130087363A1 (en) * | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Korea Institute Of Science And Technology | Metal nanowires with high linearity, method for producing the metal nanowires and transparent conductive film including the metal nanowires |
WO2014063769A1 (en) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Merck Patent Gmbh | Processing of copper-based nanowires for transparent conductors |
CN103736996A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-04-23 | 云南大学 | 一种制备多孔的覆有导电微米线/棒的复合微球材料的方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JIZHONG SONG ET AL.: "Superstable transparent conductive Cu@Cu4Ni nanowire elastomer composites against oxidation,bending,stretching,and twisting for flexible and stretchable optoelectronics", 《NANO LETTERS》 * |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105758909A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-07-13 | 武汉大学 | 一种基于金纳米管的柔性可拉伸电极及其制备方法与应用 |
CN105758909B (zh) * | 2016-02-26 | 2018-06-19 | 武汉大学 | 一种基于金纳米管的柔性可拉伸电极及其制备方法与应用 |
CN106521551A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-03-22 | 电子科技大学 | 一种用于硼烷氨制氢的NiAu纳米催化剂的制备方法 |
CN106521551B (zh) * | 2016-11-01 | 2019-05-14 | 电子科技大学 | 一种用于硼烷氨制氢的NiAu纳米催化剂的制备方法 |
CN108355661A (zh) * | 2018-01-03 | 2018-08-03 | 东南大学 | 一种线状Cu-Ni合金纳米晶及其合成方法 |
CN109727706A (zh) * | 2019-03-08 | 2019-05-07 | 华南协同创新研究院 | 一种柔性透明导电薄膜及其制备方法 |
CN116213743A (zh) * | 2022-11-16 | 2023-06-06 | 北京化工大学 | 一种硒/碲掺杂的铜镍纳米线的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104988475A (zh) | 一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法 | |
CN107470609B (zh) | 一种抗氧化的铜纳米线的制备方法 | |
CN106131984B (zh) | 一种银纳米线氧化石墨烯复合导电薄膜加热器的制备方法 | |
CN104263082B (zh) | 一种石墨烯有机银导电油墨及其制备方法 | |
CN104785794B (zh) | 一种长径比均匀的银纳米线制备方法 | |
CN103219066B (zh) | 二维石墨烯与一维纳米线复合的柔性导电薄膜及其制备方法 | |
CN105387957B (zh) | 基于印刷透明电极的可拉伸压力传感器及其制备方法 | |
EP3360628B1 (en) | Uniform aspect ratio silver nanowires preparation method | |
CN104607655A (zh) | 一种银纳米线的制备方法 | |
CN106205768A (zh) | 一种石墨烯薄膜和金属纳米结构复合的导电材料及制备方法 | |
CN108707997A (zh) | 还原氧化石墨烯包覆铜纳米线导电复合材料的制备方法 | |
CN108695014A (zh) | 一种铜纳米线制备方法及铜纳米线复合透明导电薄膜 | |
Tang et al. | Fabrication of high-quality copper nanowires flexible transparent conductive electrodes with enhanced mechanical and chemical stability | |
CN108076591B (zh) | 一种弹性电路或电极的制备方法与制备装置 | |
CN105014091A (zh) | 一种超长铜镍合金纳米线及其制备方法 | |
CN104200875A (zh) | 一种低银含量石墨烯复合导电银浆及其制备方法 | |
KR20140058892A (ko) | 코어-쉘 구조를 갖는 나노와이어를 적용한 투명 복합전극 및 그의 제조방법 | |
CN106744835A (zh) | 一种利用玉米秸秆制备石墨烯的方法 | |
CN104992778A (zh) | 制备可弯曲透明导电电极的方法 | |
Musselman et al. | Macroscopically uniform electrodeposited ZnO films on conducting glass by surface tension modification and consequent demonstration of significantly improved p–n heterojunctions | |
Jia et al. | Optimization of power factor for a screen-printed silver selenide-based flexible thermoelectric film by hot pressing | |
CN106847364B (zh) | 一种铜锌锡硫和三维石墨烯的复合薄膜的制备方法及应用 | |
KR20120087454A (ko) | 수계 액정성 고분자를 이용한 실버 나노와이어 잉크 및 이의 제조방법 | |
JP2007200660A (ja) | 金属被膜の製造方法 | |
CN110369710B (zh) | 一种银纳米线的合成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20151021 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |