CN104966719A - 显示面板、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 63
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 59
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 42
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种显示面板、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。显示面板包括:彩色滤光片阵列基板;液晶层;以及薄膜晶体管阵列基板;薄膜晶体管阵列基板包括:基板;第一金属层,设置于基板上;第一绝缘层,设置于基板和第一金属层上;半导体层,设置于第一绝缘层上;第二金属层,设置于第一绝缘层上;第一透明电极层,设置于第一绝缘层和第二金属层上;第二绝缘层,设置于第一透明电极层上;以及第二透明电极层,设置于第二绝缘层上;薄膜晶体管阵列基板还包括:修补层,设置于第一透明电极层上,并且,修补层设置于第一透明电极和第二绝缘层之间。本发明能有效避免第二金属层中出现断线缺陷,有利于确保显示面板的显示质量。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。
【背景技术】
如图1至图3所示,传统的显示面板中的薄膜晶体管阵列基板一般包括基板101、扫描线层、第一绝缘层102、非晶硅层、数据线层103、第一透明电极层104、第二绝缘层以及第二透明电极层。
其中,在形成所述数据线层103之后,以及在形成所述第二绝缘层之前,所述第一透明电极层104上往往会出现孔洞105,这些孔洞105是所述第一透明电极层104上的颗粒受腐蚀性物质201的作用或显影工序(显影液301)的影响而形成的。
如图4所示,这些孔洞会造成所述数据线层中的部分线路断线,从而影响整个显示面板的显示效果。
故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,其能避免出现断线缺陷,确保显示效果。
为解决上述问题,本发明的技术方案如下:
一种显示面板,所述显示面板包括:彩色滤光片阵列基板;液晶层;以及薄膜晶体管阵列基板;所述薄膜晶体管阵列基板包括:基板;第一金属层,所述第一金属层设置于所述基板上;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述基板和所述第一金属层上;半导体层,所述半导体层设置于所述第一绝缘层上;第二金属层,所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上;第一透明电极层,所述第一透明电极设置于所述第一绝缘层和所述第二金属层上;第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第一透明电极层上;以及第二透明电极层,所述第二透明电极层设置于所述第二绝缘层上;所述薄膜晶体管阵列基板还包括:修补层,所述修补层设置于所述第一透明电极层上,并且,所述修补层设置于所述第一透明电极和所述第二绝缘层之间。
在上述显示面板中,所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二金属层、所述第一透明电极层、所述修补层、所述第二绝缘层和所述第二透明电极层是依次形成的。
在上述显示面板中,所述修补层用于修补所述第一透明电极层上位于所述第二金属层处的第一孔洞,以防止所述第二金属层在所述第一孔洞处受损。
在上述显示面板中,所述第一透明电极层用于修补所述修补层上位于所述第二金属层处的第二孔洞,以防止所述第二金属层在所述第二孔洞处受损。
一种薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括:基板;第一金属层,所述第一金属层设置于所述基板上;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述基板和所述第一金属层上;半导体层,所述半导体层设置于所述第一绝缘层上;第二金属层,所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上;第一透明电极层,所述第一透明电极设置于所述第一绝缘层和所述第二金属层上;第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第一透明电极层上;以及第二透明电极层,所述第二透明电极层设置于所述第二绝缘层上;所述薄膜晶体管阵列基板还包括:修补层,所述修补层设置于所述第一透明电极层上,并且,所述修补层设置于所述第一透明电极和所述第二绝缘层之间。
在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二金属层、所述第一透明电极层、所述修补层、所述第二绝缘层和所述第二透明电极层是依次形成的。
在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述修补层用于修补所述第一透明电极层上位于所述第二金属层处的第一孔洞,以防止所述第二金属层在所述第一孔洞处受损。
在上述薄膜晶体管阵列基板中,所述第一透明电极层用于修补所述修补层上位于所述第二金属层处的第二孔洞,以防止所述第二金属层在所述第二孔洞处受损。
一种上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法,所述方法包括以下步骤:A、在所述基板上依次形成所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二金属层、所述第一透明电极层;B、在所述第一透明电极层上设置所述修补层,以利用所述修补层修补所述第一透明电极层上位于所述第二金属层处的第一孔洞;C、在所述修补层上依次设置所述第二绝缘层和所述第二透明电极层。
在上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法中,所述修补层的材料为透明金属、透明绝缘材料中的任意一者。
相对现有技术,本发明能有效避免所述薄膜晶体管阵列基板的所述第二金属层中出现断线缺陷,有利于确保显示面板的显示质量。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
【附图说明】
图1至图3为传统的显示面板中的薄膜晶体管阵列基板在制作过程中形成断线部的示意图;
图4为传统的显示面板中的薄膜晶体管阵列基板中的断线部的示意图;
图5为本发明的薄膜晶体管阵列基板为避免出现断线部所作出的改进的示意图;
图6为本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外,本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”,除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
本发明的显示面板可以是TFT-LCD(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示面板)等。
参考图5,图5为本发明的薄膜晶体管阵列基板为避免出现断线部所作出的改进的示意图。
本发明的显示面板包括彩色滤光片阵列基板、液晶层以及薄膜晶体管阵列基板。
其中,所述薄膜晶体管阵列基板包括基板101、第一金属层、第一绝缘层102、半导体层、第二金属层103、第一透明电极层104、修补层501、第二绝缘层、第二透明电极层。
所述第一金属层设置于所述基板101上;所述第一绝缘层102设置于所述基板101和所述第一金属层上;所述半导体层设置于所述第一绝缘层102上;所述第二金属层103设置于所述第一绝缘层102上;所述第一透明电极设置于所述第一绝缘层102和所述第二金属层103上;所述修补层501设置于所述第一透明电极层104上;所述第二绝缘层设置于所述修补层501和/或所述第一透明电极层上;所述第二透明电极层设置于所述第二绝缘层上。
在本实施例中,所述第一金属层、所述第一绝缘层102、所述半导体层、所述第二金属层103、所述第一透明电极层104、所述修补层501、所述第二绝缘层和所述第二透明电极层是依次形成的。
在本实施例中,所述修补层501用于修补所述第一透明电极层104上位于所述第二金属层103处的第一孔洞105,以防止所述第二金属层103在所述第一孔洞105处受损。其中,所述第一孔洞105是在形成所述第一透明电极层104后,因受到腐蚀性物质201和/或显影工序(显影液301)的作用而形成的。
在本实施例中,所述第一透明电极层104用于修补所述修补层501上位于所述第二金属层103处的第二孔洞502,以防止所述第二金属层103在所述第二孔洞502处受损。其中,所述第二孔洞502是在形成所述修补层501后,因受到腐蚀性物质201和/或显影工序(显影液301)的作用而形成的。
所述修补层501的材料为透明金属、透明绝缘材料中的任意一者。优选地,所述修补层501的材料跟所述第一透明电极层104相同,也就是说,所述修补层501也为透明电极层(透明金属)。
在上述技术方案中,第一次成膜时膜破的地方将被第二次成膜给覆盖,第二成膜膜破的地方由第一次成膜垫底,而在两层膜中同一个地方因颗粒(Particle)造成膜破的概率非常之小。
也就是说,在设置所述第一透明电极层104和所述修补层501的过程中,所述第一透明电极层104中的第一孔洞105被所述修补层501覆盖(修补),所述修补层501中的第二孔洞502被所述第一透明电极层104遮挡(修补),所述第一透明电极层104和所述修补层501中同一个地方出现孔洞(所述第一孔洞105和所述第二孔洞502)的概率非常小。
因此,上述技术方案可以有效避免ITO(所述第一透明电极)膜破造成的电化学反应,从而可以使得良率的提升率可达到30%。也就是说,上述技术方案可以有效避免所述薄膜晶体管阵列基板的所述第二金属层103中出现断线缺陷,有利于确保所述薄膜晶体管阵列基板所对应的显示面板的显示质量。
参考图6,图6为本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法的流程图。
本发明的薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤:
A(步骤601)、在所述基板101上依次形成所述第一金属层、所述第一绝缘层102、所述半导体层、所述第二金属层103、所述第一透明电极层104。
B(步骤602)、在所述第一透明电极层104上设置所述修补层501,以利用所述修补层501修补所述第一透明电极层104上位于所述第二金属层103处的第一孔洞105。其中,所述第一孔洞105是在形成所述第一透明电极层104后,因受到腐蚀性物质201和/或显影工序(显影液301)的作用而形成的。
C(步骤603)、在所述修补层501上依次设置所述第二绝缘层和所述第二透明电极层。
在本实施例中,所述修补层501的材料为透明金属、透明绝缘材料中的任意一者。优选地,所述修补层501的材料跟所述第一透明电极层104相同,也就是说,所述修补层501也为透明电极层(透明金属)。
在上述技术方案中,第一次成膜时膜破的地方将被第二次成膜给覆盖,第二成膜膜破的地方由第一次成膜垫底,而在两层膜中同一个地方因颗粒(Particle)造成膜破的概率非常之小。
也就是说,在设置所述第一透明电极层104和所述修补层501的过程中,所述第一透明电极层104中的第一孔洞105被所述修补层501覆盖(修补),所述修补层501中的第二孔洞502被所述第一透明电极层104遮挡(修补),所述第一透明电极层104和所述修补层501中同一个地方出现孔洞(所述第一孔洞105和所述第二孔洞502)的概率非常小。
因此,上述技术方案可以有效避免ITO(所述第一透明电极)膜破造成的电化学反应,从而可以使得良率的提升率可达到30%。也就是说,上述技术方案可以有效避免所述薄膜晶体管阵列基板的所述第二金属层103中出现断线缺陷,有利于确保所述薄膜晶体管阵列基板所对应的显示面板的显示质量。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本发明,但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本发明包括所有这样的修改和变型,并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能,用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示),即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外,尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开,但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且,就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言,这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板,所述显示面板包括:
彩色滤光片阵列基板;
液晶层;以及
薄膜晶体管阵列基板;
所述薄膜晶体管阵列基板包括:
基板;
第一金属层,所述第一金属层设置于所述基板上;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述基板和所述第一金属层上;
半导体层,所述半导体层设置于所述第一绝缘层上;
第二金属层,所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上;
第一透明电极层,所述第一透明电极设置于所述第一绝缘层和所述第二金属层上;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第一透明电极层上;以及
第二透明电极层,所述第二透明电极层设置于所述第二绝缘层上;
其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
修补层,所述修补层设置于所述第一透明电极层上,并且,所述修补层设置于所述第一透明电极和所述第二绝缘层之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二金属层、所述第一透明电极层、所述修补层、所述第二绝缘层和所述第二透明电极层是依次形成的。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述修补层用于修补所述第一透明电极层上位于所述第二金属层处的第一孔洞,以防止所述第二金属层在所述第一孔洞处受损。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一透明电极层用于修补所述修补层上位于所述第二金属层处的第二孔洞,以防止所述第二金属层在所述第二孔洞处受损。
5.一种薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括:
基板;
第一金属层,所述第一金属层设置于所述基板上;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述基板和所述第一金属层上;
半导体层,所述半导体层设置于所述第一绝缘层上;
第二金属层,所述第二金属层设置于所述第一绝缘层上;
第一透明电极层,所述第一透明电极设置于所述第一绝缘层和所述第二金属层上;
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第一透明电极层上;以及
第二透明电极层,所述第二透明电极层设置于所述第二绝缘层上;
其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
修补层,所述修补层设置于所述第一透明电极层上,并且,所述修补层设置于所述第一透明电极和所述第二绝缘层之间。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二金属层、所述第一透明电极层、所述修补层、所述第二绝缘层和所述第二透明电极层是依次形成的。
7.根据权利要求5或6所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述修补层用于修补所述第一透明电极层上位于所述第二金属层处的第一孔洞,以防止所述第二金属层在所述第一孔洞处受损。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,所述第一透明电极层用于修补所述修补层上位于所述第二金属层处的第二孔洞,以防止所述第二金属层在所述第二孔洞处受损。
9.一种如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
A、在所述基板上依次形成所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述半导体层、所述第二金属层、所述第一透明电极层;
B、在所述第一透明电极层上设置所述修补层,以利用所述修补层修补所述第一透明电极层上位于所述第二金属层处的第一孔洞;
C、在所述修补层上依次设置所述第二绝缘层和所述第二透明电极层。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法,其特征在于,所述修补层的材料为透明金属、透明绝缘材料中的任意一者。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510365975.9A CN104966719A (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 显示面板、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
PCT/CN2015/084287 WO2017000327A1 (zh) | 2015-06-29 | 2015-07-17 | 显示面板、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510365975.9A CN104966719A (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 显示面板、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104966719A true CN104966719A (zh) | 2015-10-07 |
Family
ID=54220734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510365975.9A Pending CN104966719A (zh) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | 显示面板、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104966719A (zh) |
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