CN104900483A - 介电蚀刻处理中的无晶片清洁 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及介电蚀刻处理中的无晶片清洁，具体描述了一种用于电容耦合等离子体系统的无晶片清洁方法的系统和方法。该方法包括在静电卡盘的顶表面上形成保护层，使沉积在等离子体处理室的一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发，从等离子体处理室去除挥发的蚀刻副产物和从静电卡盘的顶部表面去除保护层。也描述了一种包括无晶片清洁配方的电容耦合等离子体系统。
Description
技术领域
本发明总体涉及半导体蚀刻工艺，并且更具体地，涉及用于清洁蚀刻处理室的方法和系统。
背景技术
半导体晶片通常被放置在蚀刻室中，用光致抗蚀剂掩模层引导下伏材料的蚀刻。蚀刻处理去除不被光致抗蚀剂覆盖的下伏材料。所述蚀刻处理还去除光致抗蚀剂的一部分。
蚀刻副产物包括蚀刻剂化学品、光致抗蚀剂和下伏材料的混合物，蚀刻副产物在蚀刻处理室内的壁上和任何其他表面上冷凝。通常情况下，基于氧的等离子体无晶片清洁工艺用于使蚀刻副产物挥发。然后可以将挥发的蚀刻副产物从该蚀刻处理室中抽空或吹扫。
由于器件尺寸变得越来越小，在掩模层中的这些材料已经改变成包括如钛等金属和其他材料的硬掩模材料。将在掩模层中的钛从晶片蚀刻掉并冷凝在蚀刻处理室中的壁上和其他表面上。然而，基于氧的等离子体无晶片清洁工艺在使来自蚀刻处理室的内表面的含有钛的残留物挥发的方面是非常缓慢和低效率的。其结果是，含钛蚀刻副产物倾向于在蚀刻处理室的内表面上积聚。最终，含钛蚀刻副产物可从蚀刻处理室的内表面剥离，并导致晶片上过多的颗粒。
需要一种更有效的无晶片清洁方法，该方法将有效地去除钛、光致抗蚀剂和下伏材料的沉积的混合物而不损坏蚀刻处理室中的表面和器件。
发明内容
从广义上说，本发明通过一种改进的无晶片自动清洁方法满足这些需要。应当理解的是，本发明可以以多种方式来实现，包括作为一种方法、装置、系统、计算机可读介质或设备来实现。本发明的若干创造性实施方式描述如下。
一种实施方式提供了一种用于电容耦合等离子体系统的无晶片清洁方法。该方法包括在静电卡盘的顶表面上形成保护层，使沉积在等离子体处理室的一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发，从所述等离子体处理室去除挥发的蚀刻副产物以及从静电卡盘的顶部表面去除所述保护层。
在静电卡盘的顶表面上形成保护层可包括提供工艺气体到所述等离子体处理室内，以及用所述工艺气体形成等离子体。可以保持所述静电卡盘的温度低于所述边缘环的温度，例如保持所述边缘环的温度高于所述静电卡盘约20至约200摄氏度，并且/或者保持所述静电卡盘的温度在介于约-40至约150摄氏度之间。使沉积在所述等离子体处理室的所述一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发可以包括形成所述蚀刻副产物与所述工艺气体的挥发性化合物。
在所述静电卡盘的所述顶表面上形成所述保护层可以包括：提供第一工艺气体到所述等离子体处理室内，用所述第一工艺气体形成等离子体。使沉积在所述等离子体处理室的所述一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发可以包括：提供第二工艺气体到所述等离子体处理室内，用所述第二工艺气体形成等离子体，以及形成所述蚀刻副产物与所述第二工艺气体的挥发性化合物。所述第二工艺气体可具有比所述第一工艺气体的碳-氟比较低的碳-氟比。提供所述第一工艺气体可在提供所述第二工艺气体之前结束。替代地，提供所述第二工艺气体可与提供所述第一工艺气体重叠。
从所述等离子体处理室去除所述挥发的蚀刻副产物可包括利用耦合到所述等离子体处理室的出口的泵抽送所述挥发的蚀刻副产物离开所述等离子体处理室。从所述等离子体处理室去除所述挥发的蚀刻副产物可另外包括或可替代地包括用吹扫气体吹扫所述等离子体处理室。
从所述静电卡盘的所述顶表面上去除所述保护层可包括：提供第三工艺气体到所述等离子体处理室内，所述第三工艺气体包括氧气或含氧化合物；形成所述保护层的挥发性化合物；以及从所述等离子体处理室去除所述保护层的所述挥发性化合物。所述等离子体处理室的所述一个或多个内表面可包括边缘环的一个或多个部分，例如，如果晶片存在于所述等离子体处理室中以待处理，边缘环的由晶片遮挡的一部分。
另一个实施方式提供一种电容耦合等离子体系统，其包括等离子体处理室。所述等离子体处理室包括静电卡盘，围绕所述静电卡盘的周边放置的边缘环，以及上电极。至少一个工艺气体源耦合到所述等离子体处理室的至少一个气体入口。RF源耦合到所述静电卡盘，控制器耦合到所述RF源、所述至少一个工艺气体源和所述等离子体处理室。所述控制器包括清洁配方，该清洁配方用于在所述静电卡盘的顶表面上形成保护层，用于使沉积在所述等离子体处理室的一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发，用于从所述等离子体处理室去除挥发的蚀刻副产物，以及用于从所述静电卡盘的所述顶表面上去除所述保护层。
另一个实施方式提供了一种用于电容耦合等离子体系统的无晶片清洁方法。所述方法包括在静电卡盘的顶表面上形成保护层，在静电卡盘的顶表面上形成保护层包括：提供工艺气体到所述等离子体处理室内，用所述工艺气体形成等离子体，以及保持所述静电卡盘的温度低于围绕所述静电卡盘的周边放置的边缘环的温度约40至约80摄氏度。可以通过以下操作使沉积在边缘环上的蚀刻副产物挥发：保持所述静电卡盘在介于约-40至约150摄氏度之间的温度，同时继续提供所述工艺气体到所述等离子体处理室内，以及与所述蚀刻副产物形成挥发性化合物。从所述等离子体处理室可去除挥发性蚀刻副产物，可使用含有氧的工艺气体从所述静电卡盘的所述顶表面上去除所述保护层。
附图通过举例的方式描绘本发明的原理，结合附图从下面的详细说明中本发明的其它方面和优点将变得明显。
附图说明
结合附图通过下面的详细描述将容易地理解本发明。
图1A是用于实施本公开的实施方式的电容耦合等离子体处理系统。
图1B是用于实施本公开的实施方式的晶片的边缘部分的详细视图。
图1C是用于实施本公开的实施方式的N个晶片的汇编计量扫描。
图1D是用于实现本公开的实施方式的在实现本文公开的改进的清洁方法的处理室中N个晶片的优选的汇编计量扫描。
图2是用于实现本公开的实施方式的示出在改进的无晶片自动清洁中执行的方法操作的流程图。
图3A-C示出了用于实施本公开的实施方式的静电卡盘和边缘环的细节1B部。
具体实施方式
现在将描述用于改进的无晶片自动清洁工艺的若干示例性实施方式。对于本领域技术人员显而易见的是，在没有本文所阐述的这些具体细节中的一些或全部的情况下可以实施本发明。
处理室需要定期清洁。在蚀刻处理室中，在不同操作时间间隔下执行若干不同级别的清洁。一种级别的清洁被称为无晶片自动清洁或WAC。无晶片自动清洁在晶片已被去除之后进行，用于去除在等离子体处理室的一个或多个内表面上沉积的蚀刻副产物。在等离子体处理室中在处理选定数量的晶片之后或者甚至在处理每一个晶片之后进行无晶片自动清洁。最终需要更广泛的清洁和维护以去除任何其他自动清洁工艺(例如，包括晶片自动清洁)不能有效去除的沉积物，并且维护蚀刻处理室的各种部分。这种更广泛的维护包括处理室的打开和/或拆卸。因此，广泛的维护优选被延期尽可能长的时间以保持刻蚀处理室的操作状态。其结果是，无晶片自动清洁必须尽可能有效。
图1A是用于实施本公开的实施方式的电容耦合等离子体处理系统100。电容耦合等离子体处理系统100包括等离子体处理室110。控制器122、RF源124、泵126和一个或多个气体源128耦合到等离子体处理室110。等离子体处理室110包括用于支承待处理的晶片102的静电卡盘104和边缘环106。
该RF源124可包括能够产生从约100千赫至约300兆赫之间的多个频率的RF信号的多个RF源或单个RF源。举例而言，一些RF信号具有约27兆赫至约60兆赫的频率。RF信号可具有介于约50瓦和大约10千瓦之间的RF功率。举例而言，介于约100瓦和约1500瓦之间。RF源124可产生脉冲或非脉冲的RF信号。
控制器122包括处理器，存储器，软件逻辑，硬件逻辑，以及与电容耦合等离子体处理系统100通信、监测和控制电容耦合等离子体处理系统100的输入和输出子系统。控制器122还包括一个或多个配方122A，一个或多个配方122A包括用于操作电容耦合等离子体处理系统100的各种运行参数(例如，电压、电流、频率、压强、流量、功率、温度等)的多个设置点。配方122A可包括用于本文所述的改进的无晶片自动清洁工艺的一个或多个实施方式的配方。
等离子体处理室110还包括上电极116。在操作中，上电极116通常是接地的，但可被偏置或耦合到第二RF源(未示出)。RF源124提供RF信号至静电卡盘104，气源128将所期望的工艺气体注入到室110。然后在上电极116和静电卡盘104之间形成等离子体120。等离子体120可以被用于蚀刻晶片102的表面102A或使形成在等离子体处理室110的各个内表面上的沉积物挥发。
图1B是用于实施本公开的实施方式的晶片102的边缘部分的详细视图。边缘环106围绕静电卡盘104。边缘环106的表面的部分106C在晶片102的边缘下方延伸。边缘环106的部分106C通过空间106C'与晶片102的底部隔开。空间106C'确保静电卡盘104提供用于处理晶片102的底电极。空间106C'并不是按比例绘制的。空间106C'足够大以使晶片102和边缘环106的表面的部分106C电隔离，同时空间106C'也足够小以基本上防止等离子体120进入空间106C'。由于晶片102由静电卡盘104支承，所以RF功率被驱动通过静电卡盘并进入晶片。
在蚀刻处理过程中，蚀刻副产物150在等离子体处理室110的内表面上沉积。蚀刻副产物150可包括聚合残余物、钛和其它金属化合物以及硅化合物。蚀刻副产物可沉积在等离子体处理室110内的其中等离子体120离解工艺气体物质可以扩散到的任何表面上，包括空间106C'和等离子体处理室的其它内表面。
等离子体处理室110内的某些位置易受蚀刻副产物的积累。所研究的一个位置是边缘环106的晶片阴影部分106C。边缘环106的部分106A、106B被暴露于等离子体120，因而具有的积聚的蚀刻副产物150不如部分106C所积聚的那么多。因为等离子体120不能进入空间106C'，所以蚀刻副产物150可在边缘环106的部分106C积聚。由于弱的附着力、热膨胀和其它力，因此蚀刻副产物150开始从部分106C剥落，造成在晶片102的边缘上或者晶片102的边缘附近的颗粒问题。
在无晶片自动清洁过程中，静电卡盘104上不存在晶片。因此，必须非常小心地控制无晶片自动清洁气体、RF功率和室压强，从而防止在静电卡盘104A的陶瓷表面上发生溅射或溅射辅助蚀刻。其结果是，在典型的无晶片自动清洁工艺过程中不能有效地蚀刻在边缘环的部分106C上的刻蚀副产物沉积物150。此外，典型的O2无晶片自动清洁工艺将导致非挥发性金属氧化物和硅氧化物形成。通过典型的O2无晶片自动清洁工艺无法去除非挥发性金属氧化物和硅氧化物。
图1C是用于实现本公开的实施方式的N个晶片102的汇编计量扫描102'图。在等离子体处理室110中处理N个晶片102，对每个晶片进行对应的计量扫描以量化在晶片上存在的颗粒的数目和分布。汇编计量扫描102'用于更清楚地看到其中在晶片上颗粒倾向于出现的位置。如上所讨论的，积聚的蚀刻副产物150开始从边缘环106的表面106C剥落，且常规的无晶片自动清洁工艺不足够有效。其结果是，在晶片边缘出现颗粒的问题，如N个晶片102的汇编计量扫描102'的表面所示。
图1D是用于实现本公开的实施方式的实施本文所公开的改进的清洁工艺的在处理室中的N个晶片102的优选汇编计量扫描102”。N个晶片102的优选汇编计量扫描102”示出了当使用本文所述的更有效的无晶片自动清洁工艺清洁处理室110时在晶片102的表面上颗粒出现率下降。
如以上所讨论的，典型的无晶片自动清洁化学过程包括O2无晶片自动清洁。O2(氧)无晶片自动清洁适于使有机(碳基)蚀刻副产物150挥发。然而，由于没有含氧的挥发性钛化合物，O2无晶片自动清洁仅使含Ti沉积物不易挥发，因此更难被去除。典型的O2无晶片自动清洁对含硅基化合物的蚀刻副产物150挥发也是相对无效的。
另一种等离子体处理室110清洁方法是周期覆盖-晶片自动清洁。无晶片自动清洁选择合适的气体/压强/RF功率以有效地清洁同时又保护静电卡盘104的表面104A不被蚀刻可能是非常困难的。用牺牲晶片覆盖和保护静电卡盘104允许显著扩大对于含有钛、硅和其它金属化合物的蚀刻副产物150的挥发更有效的一种蚀刻化学品或多种蚀刻化学品、压强和RF的选择。然而，该牺牲覆盖晶片仍覆盖边缘环106的表面的部分106C，因此用覆盖-晶片自动清洁没有有效地清洁主要关注的颗粒源。
第三种方法是使用包括氯和氧气的无晶片自动清洁化学品。Ti-Cl和Al-Cl化合物(例如，四氯化钛和三氯化铝)两者都具有足够高的蒸气压，因此，都可以很容易地从等离子体处理室110抽出。当蚀刻副产物150的量例如在加热的边缘环106上非常小时，Cl2-O2无晶片自动清洁展现了一定的成功。然而，氯朝向钛沉积物的反应速率很慢。当蚀刻副产物150的量增加时，例如当边缘环温度接近晶片处理温度时，Cl2-O2无晶片自动清洁完全没有提供有效的清洁效果。
此外，基于氯的清洁有许多其他问题。在高温下氯可与铝(如在上电极中的铝部件和与上电极耦合的气体输送系统中的铝部件)直接反应，并形成相对大量的三氯化铝。充分气化和排空/吹扫三氯化铝将是非常困难的。三氯化铝也会造成健康和废物流处置的问题。基于氯的清洁化学品也有潜在的铜腐蚀问题。基于氟的化合物或混合物的清洁在等离子体离解之前不与铝反应，因此不具有如氯一样的缺点。
改进的无晶片自动清洁的一个实施方式使用富含氟的一种或多种化合物。可以选择相对富含碳的化合物或混合物，以在静电卡盘104的表面104A上形成原位沉积物，从而保护静电卡盘不被富含氟的化合物或混合物蚀刻。使用富含氟的化合物或混合物的无晶片自动清洁对于一体化(AIO)金属硬掩模(MHM)应用以去除在边缘环106上晶片遮挡的区域中的含钛蚀刻副产物和硅基蚀刻副产物150是非常有效的。
图2是示出在用于实施本公开的实施方式的改进的无晶片自动清洁中实施的方法操作200的流程图。将任何经处理的晶片从等离子体处理室110去除以将等离子体处理室准备就绪用于无晶片自动清洁工艺。
图3A-C示出用于实现本公开的实施方式的静电卡盘104和边缘环106的细节1B部分。在操作210，在静电卡盘104的表面104A上形成保护层302。形成保护层302包括将选定的工艺气体在选定的流率、浓度和压强下提供到等离子体处理室110内，并施加选定的RF信号以形成等离子体。所选定的工艺气体可以是CF4、C2F6、C2F4、C3F6、C4F10、CHF3、CH2F2、CF3Cl，和任何其它形成聚合物的蚀刻气体中的一种或多种，以及它们的组合，以及与在合适的载气中运载的其他气体如NF3、SF6等的组合。合适的载气可包括氮气、氦气、氖氩和其它合适的载气和它们的组合。
提供所选择的工艺气体可任选地包括提供两种或更多的工艺气体至等离子体处理室110。可以连续或重叠的方式提供两种或多种工艺气体。提供所选择的工艺气体可以包括提供相比于第二工艺气体具有较高的碳-氟比的第一工艺气体，然后提供第二工艺气体，每种工艺气体以合适的载气或气体混合物运载。具有提高的碳-氟比的第一工艺气体往往比具有较低的碳-氟比的工艺气体更迅速地形成保护层302。举例而言，第一气体可以是C2F4、C3F6、C3F8、C4F6、C4F8、CH3F、CH2F2和其它合适的聚合物形成气体中的一种或多种。第二气体可以是CF4、C2F6、C2F4、C3F6、C4F10、CHF3、CH2F2、CF3Cl、NF3、SF6和其它合适的蚀刻剂气体中的一种或多种。
因为在电感耦合(ICP或TCP)等离子体室中的静电卡盘104没有偏置电压，所以含有氟的化学品已长期用于ICP或TCP等离子体室而没有任何问题。由于在电容耦合等离子体系统中的静电卡盘104上非零偏置电压，因此氧化铝陶瓷溅射和溅射辅助氟蚀刻可在表面104A发生，以形成非挥发性的AlF3，从而导致严重的Al污染和附加颗粒源。静电卡盘104的表面104A可以用保护层302进行保护，以防止静电卡盘的表面的氧化铝陶瓷溅射以及溅射辅助氟蚀刻。
第一工艺气体可以被提供到等离子体处理室110持续第一时间间隔。第二工艺气体可以被提供到等离子体处理室110持续第二时间间隔。第二时间间隔可以接着第一时间间隔，使得在不再提供第一工艺气体至等离子体处理室110之后提供第二工艺气体至等离子体处理室110。替代地，所述第二时间间隔可以重叠第一时间间隔，使得在第一时间间隔的至少一部分期间当还正在提供第一气体到等离子体处理室110时提供第二工艺气体到等离子体处理室110。
在操作215中，边缘环106被保持在高于静电卡盘104的温度约20至约200摄氏度的温度。举例而言，所述边缘环106可以被保持在比静电卡盘104的温度高介于约40与约80摄氏度之间的温度。静电卡盘104可以被保持在介于约-40与约150摄氏度之间(例如：介于约20至约90摄氏度之间)的选定的温度。在至少一个实施方式中，边缘环106可以被保持在介于约50和150摄氏度之间的选定温度，同时静电卡盘104相比于该边缘环被保持在较低的温度。在操作220中，来自离解的选择的一种(或多种)工艺气体中的氟和/或氯与在等离子体处理室110的内表面上的且尤其在边缘环106的表面上(如部分106C的)的蚀刻副产物150反应。氟与蚀刻反应副产物150反应，以产生一种或多种挥发性化合物。
等离子体离解所选择的工艺气体。来自所选择的工艺气体中的至少一部分碳在静电卡盘104的冷却器表面104A上形成含有碳的保护层302。在其中所选择的工艺气体被分成第一工艺气体和第二工艺气体的一个例子中，包含第一工艺气体的等离子体，具有相对较高的碳-氟比，往往比由第二工艺气体形成的等离子体以较快的速度形成保护层302。相反地，由具有相对较低的碳-氟比的第二工艺气体形成的等离子体将趋向于比具有相对较高的碳-氟比的第一工艺气体以较快的速度使副产物沉积物150挥发(即，与产物沉积物150形成挥发性化合物)。
所述的沉积和挥发速率可通过调节室压强、化学品、化学品流率、化学品流动方向、RF频率、RF功率以及特别地等离子体处理室110中静电卡盘104和边缘环106的相应温度来选择。在等离子体处理室110内其中所述表面温度较高的位置，蚀刻/清洁/挥发发生，从而加热边缘环106将被清洁。在等离子体处理室110内其中所述表面温度足够低的位置，沉积占优势，因此，可在静电卡盘104的相对较冷的表面104A上形成保护层302。
作为示例性处理，保护层可以通过以介于约200mT和8Torr之间的压强提供第一工艺气体至等离子体处理室110以及施加具有等于或大于约27MHz的单个或多个频率和介于约150w至约2000w之间的RF信号来形成。RF信号可以是恒定RF，或者可以是具有以介于约100至约5000Hz之间的频率、10％至90％的占空比发生的脉冲的脉冲RF信号。使第一工艺气体与以介于约400sccm和约8000sccm之间的总流量的载气一起提供。第一工艺气体的总流量可以介于约0.0至100sccm之间。静电卡盘104可被保持在介于约-40至约150摄氏度之间的温度。边缘环106被保持在比静电卡盘104的温度高介于约20与约200摄氏度之间的温度。在至少一个实施方式中，边缘环106可以被保持在介于约50和150摄氏度之间的温度，而静电卡盘104被保持在比该边缘环的温度较低的温度。将第一工艺气体提供到等离子体处理室110持续介于约0至约20秒之间的第一时间段。应当注意的是，提供所述第一工艺气体持续0秒的时间表示将提供第一工艺气体的可选的工艺步骤省略。
继续该示例，利用第二工艺气体使蚀刻副产物沉积物150挥发可以包括在介于约200mT和8Torr的压强下提供第二工艺气体至等离子体处理室110以及施加具有等于或大于约27MHz的一个或多个频率的和介于约150w至约2000w之间的功率的RF信号。RF信号可以是恒定RF，或者可以是具有在介于约100至约5000Hz之间的频率发生的脉冲的脉冲RF信号。使第二工艺气体与载气以介于约400sccm和约8000sccm之间的总流量一起提供。第二工艺气体的总流量可以是介于约10.0到1000sccm之间。静电卡盘104可被保持在介于约-40和约150摄氏度之间的温度。边缘环106被保持在比静电卡盘104的温度高约20至约200摄氏度。在至少一个实施方式中，边缘环106可以被保持在介于约50和150摄氏度之间的温度，而静电卡盘104相比于该边缘环被保持在较低的温度。提供第二工艺气体持续约5至约1200秒之间的时间段。
在一个实施方式中，提供第一工艺气体被省略(即提供第一工艺气体到等离子体处理室110持续0秒的时间段)。包含500sccm的CF3H在氮载气中的第二工艺气体以2000sccm的总流量被提供到等离子体处理室110。等离子体处理室110在约1000毫乇的压强下。200W、30MHz的RF信号被施加到等离子体处理室110。静电卡盘104的温度被设定为0摄氏度，边缘环106的温度被设定为150摄氏度。该第二工艺气体被提供到等离子体处理室110持续60秒。如上所述，将形成保护层302，可使在边缘环106上的蚀刻副产物沉积物150挥发。
在操作225中，将蚀刻副产物150沉积物的挥发化合物从等离子体处理室110去除。可以在与上面操作210-220基本上相同的时间来完成去除蚀刻副产物150沉积物的挥发性化合物。去除蚀刻副产品150沉积物的挥发性化合物可以包括使用泵126将挥发性蚀刻副产物抽出等离子体处理室110。
在可选的操作230中，等离子体处理室110可以用惰性吹扫气体如氮气、氩气或氦气吹扫以进一步吹扫蚀刻副产物150沉积物的挥发性化合物和残留的氟离开等离子体处理室。可选吹扫可以是短至只有几秒钟(例如，少于约6秒)。
在操作235中，执行O2无晶片自动清洁，以从静电卡盘104的表面104A形成含有碳的保护层302的挥发性化合物，如图3C所示。在操作240中泵126可将保护层302的挥发的化合物抽出等离子体处理室110。氧蚀刻基本上类似于现有技术的O2无晶片自动清洁，但是可以具有比典型现有技术O2无晶片自动清洁的典型的600秒持续时间短得多的持续时间。然后可以结束该方法操作。
O2无晶片自动清洁可包括在介于约200mT和8Torr之间的压强下提供含O2工艺气体(例如，O2或CO2等，以及它们的组合)并施加具有等于或大于约27MHz的频率和介于约150w至约2000w之间的功率的单个或多个RF信号。RF信号可以是恒定RF，或者可以是具有以介于约100至约5000Hz之间的频率以及10％至90％的占空比发生的脉冲的脉冲RF信号。含O2工艺气体与以介于约400sccm和约8000sccm之间的总流量的载气一起被提供。含O2工艺气体的总流率为介于约200与8000sccm之间。静电卡盘104可被保持在介于约-40至约150摄氏度之间的温度。边缘环106被保持在比静电卡盘104的温度高约20至约200摄氏度。在至少一个实施方式中，边缘环106可以被保持在介于约50和150摄氏度之间的温度下，而静电卡盘104保持比该边缘环的温度较低的温度。提供第二工艺气体持续介于约5至约1200秒之间的时间段。
在一个实施方式中，提供O2无晶片自动清洁包括提供无载气的2500sccm O2至等离子体处理室110。等离子体处理室110在约1000毫乇的压强下。400W、60MHz的RF信号被施加到等离子体处理室110。静电卡盘104的温度被设定为60摄氏度，边缘环106的温度被设定为120摄氏度。O2无晶片自动清洁工艺气体被施加到等离子体处理室110持续120秒。如上所述，保护层302将被挥发并从等离子体处理室110去除。
应当注意的是，第一工艺气体、第二工艺气体、载气和/或含氧气体可以包括高达总气体流量的约10％的其他气体。其他气体可包括H2、He，O2、F2、Ne、Ar、Kr、Xe、CH4、C2H6和其它合适的蚀刻剂气体中的一种或多种。
考虑到上面的实施方式，应当理解，本发明可采用涉及存储在计算机系统中的数据的各种计算机实现的操作。这些操作是那些需要物理量的物理操作。通常，但不是必须的，这些量采用能够被存储、传输、组合、比较以及以其他方式操作的电或磁信号的形式。另外，所进行的操作经常是指诸如产生、识别、确定或比较之类术语。
本发明的实施方式可以用各种计算机系统配置实施，该计算机系统配置包括手持设备、微处理器系统、基于微处理器的或可编程的消费电子器件、微型计算机、大型计算机等。本发明也可以在分布式计算环境中实行，在该环境中任务由通过网络链接的远程处理设备执行。
本发明也可以体现为在计算机可读介质上的计算机可读代码和/或逻辑。计算机可读介质是可以存储数据的任何数据存储设备，这些数据之后能够由计算机系统读取。计算机可读介质的示例包括硬盘驱动器、网络附加存储器(NAS)、逻辑电路、只读存储器、随机访问存储器、光盘只读存储器(CD-ROM)、可录光盘(CD-R)、可重写CD(CD-RW)、磁带和其他光学以及非光学数据存储设备。计算机可读介质可包括分布在与网络耦合的计算机系统中的计算机可读有形介质，使得计算机可读代码以分布的方式存储和执行。
应当进一步理解的是，不要求以示出的顺序来执行由在上述图中的操作所表示的指令，并且不是所有由操作表示的处理都是实施本发明所必要的。另外，在任何上述附图中所述的方法也可以在存储在RAM、ROM或硬盘驱动器中的任一项中或其组合中的软件中实现。
虽然为了清晰理解的目的，已经在一定程度上详细描述了上述发明，但显而易见，可以在所附权利要求的范围内实行某些变化和改变。因此，本发明的实施方式应被视为说明性的，而不是限制性的，并且本发明并不限于本文给出的细节，而是可以在所附权利要求的范围和等同方案内进行修改。
Claims (20)
1.一种用于电容耦合等离子体系统的无晶片清洁方法，其包括：
在静电卡盘的顶表面上形成保护层；
使沉积在所述等离子体处理室的一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发；
从所述等离子体处理室去除挥发的蚀刻副产物；以及
从所述静电卡盘的所述顶表面上去除所述保护层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述静电卡盘的所述顶表面上形成所述保护层包括：
提供工艺气体到所述等离子体处理室内；以及
用所述工艺气体形成等离子体。
3.如权利要求2所述的方法，其还包括保持所述静电卡盘的温度低于所述边缘环的温度，所述保持所述静电卡盘的温度低于所述边缘环的温度包括保持所述边缘环的温度高于所述静电卡盘约20至约200摄氏度。
4.如权利要求2所述的方法，其还包括保持所述静电卡盘的温度低于所述边缘环的温度，所述保持所述静电卡盘的温度低于所述边缘环的温度包括保持所述静电卡盘的温度介于约-40至约150摄氏度之间。
5.如权利要求2所述的方法，其中使沉积在所述等离子体处理室的所述一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发包括形成所述蚀刻副产物与所述工艺气体的挥发性化合物。
6.如权利要求1所述的方法，其中，在所述静电卡盘的所述顶表面上形成所述保护层包括：
提供第一工艺气体到所述等离子体处理室内；
用所述第一工艺气体形成等离子体；以及
其中使沉积在所述等离子体处理室的所述一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发包括：
提供第二工艺气体到所述等离子体处理室内；
用所述第二工艺气体形成等离子体；以及
形成所述蚀刻副产物与所述第二工艺气体的挥发性化合物。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第二工艺气体具有比所述第一工艺气体的碳-氟比较低的碳-氟比。
8.如权利要求6所述的方法，其中，提供所述第一工艺气体在提供所述第二工艺气体之前结束。
9.如权利要求6所述的方法，其中，提供所述第二工艺气体与提供所述第一工艺气体重叠。
10.如权利要求1所述的方法，其中，从所述等离子体处理室去除所述挥发的蚀刻副产物包括利用耦合到所述等离子体处理室的出口的泵抽送所述挥发的蚀刻副产物离开所述等离子体处理室。
11.如权利要求1所述的方法，其中，从所述等离子体处理室去除所述挥发的蚀刻副产物包括用吹扫气体吹扫所述等离子体处理室。
12.如权利要求1所述的方法，其中，从所述静电卡盘的所述顶表面上去除所述保护层包括：
提供第三工艺气体到所述等离子体处理室内，所述第三工艺气体包括氧气或含氧化合物；
形成所述保护层的挥发性化合物；以及
从所述等离子体处理室去除所述保护层的所述挥发性化合物。
13.如权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体处理室的所述一个或多个内表面包括边缘环的一个或多个部分。
14.如权利要求1所述的方法，所述等离子体处理室的所述一个或多个内表面包括边缘环的由在所述等离子体处理室中被处理的晶片遮挡的一个或多个部分。
15.一种电容耦合等离子体系统，其包括：
等离子体处理室，其包括：
静电卡盘；
围绕所述静电卡盘的周边放置的边缘环；以及
上电极；
至少一个工艺气体源，其耦合到所述等离子体处理室的至少一个气体入口；
RF源，其耦合到所述静电卡盘；以及
控制器，其耦合到所述RF源、所述至少一个工艺气体源和所述等离子体处理室，所述控制器包括清洁配方，该清洁配方包括：
用于在所述静电卡盘的顶表面上形成保护层的存储在计算机可读介质上的逻辑；
用于使沉积在所述等离子体处理室的一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发的存储在计算机可读介质上的逻辑；
用于从所述等离子体处理室去除挥发的蚀刻副产物的存储在计算机可读介质上的逻辑；以及
用于从所述静电卡盘的所述顶表面上去除所述保护层的存储在计算机可读介质上的逻辑。
16.如权利要求15所述的系统，其中，用于在所述静电卡盘的顶表面上形成保护层的存储在计算机可读介质上的逻辑包括：
用于提供工艺气体到所述等离子体处理室内的存储在计算机可读介质上的逻辑；以及
用于用所述工艺气体形成等离子体的存储在计算机可读介质上的逻辑。
17.如权利要求15所述的系统，其中，用于在所述静电卡盘的顶表面上形成保护层的存储在计算机可读介质上的逻辑包括：
用于提供第一工艺气体到所述等离子体处理室内的存储在计算机可读介质上的逻辑；
用于用所述第一工艺气体形成等离子体的存储在计算机可读介质上的逻辑；以及
其中用于使沉积在所述等离子体处理室的所述一个或多个内表面上的蚀刻副产物挥发的存储在计算机可读介质上的所述逻辑包括：
用于提供第二工艺气体到所述等离子体处理室内的存储在计算机可读介质上的逻辑；
用于用所述第二工艺气体形成等离子体的存储在计算机可读介质上的逻辑；以及
用于形成所述蚀刻副产物与所述第二工艺气体的挥发性化合物的存储在计算机可读介质上的逻辑。
18.如权利要求17所述的系统，所述第二工艺气体具有比所述第一工艺气体的碳-氟比较低的碳-氟比。
19.根据权利要求15所述的系统，其中，所述等离子体处理室的所述一个或多个内表面包括边缘环的由在所述等离子体处理室中被处理的晶片遮挡的一个或多个部分。
20.一种用于电容耦合等离子体系统的无晶片清洁方法，其包括：
在静电卡盘的顶表面上形成保护层，包括：
提供工艺气体到所述等离子体处理室内；
用所述工艺气体形成等离子体；以及
保持所述静电卡盘的温度低于围绕所述静电卡盘的周边放置的边缘环的温度约40至约80摄氏度；
使沉积在边缘环上的蚀刻副产物挥发，包括；
保持所述静电卡盘的温度介于约-40至约150摄氏度之间；
继续提供所述工艺气体到所述等离子体处理室内；以及
与所述蚀刻副产物形成挥发性化合物；
从所述等离子体处理室去除挥发性蚀刻副产物；以及
使用含有氧的工艺气体从所述静电卡盘的所述顶表面上去除所述保护层。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108292601A (zh) * | 2016-01-13 | 2018-07-17 | 应用材料公司 | 用于蚀刻硬件的基于氢等离子体的清洗工艺 |
| CN108346553A (zh) * | 2017-01-24 | 2018-07-31 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置腔室主体内部清洁的等离子体处理方法 |
| CN108847390A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种等离子体刻蚀的方法 |
| CN111771271A (zh) * | 2018-02-27 | 2020-10-13 | 朗姆研究公司 | 监测室漂移的方法 |
| CN112736007A (zh) * | 2019-10-14 | 2021-04-30 | 细美事有限公司 | 具有静电卡盘的基板处理系统和静电卡盘的制造方法 |
| TWI771977B (zh) * | 2021-04-07 | 2022-07-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 沉積室的清潔方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9824865B2 (en) * | 2014-03-05 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Waferless clean in dielectric etch process |
| CN106920727B (zh) * | 2015-12-24 | 2018-04-20 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 等离子体处理装置及其清洗方法 |
| FR3046801B1 (fr) * | 2016-01-19 | 2020-01-17 | Kobus Sas | Procede d'elimination d'un depot metallique dispose sur une surface dans une enceinte |
| US10636628B2 (en) | 2017-09-11 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a process chamber |
| US10600624B2 (en) | 2017-03-10 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | System and method for substrate processing chambers |
| US10312076B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-06-04 | Applied Materials, Inc. | Application of bottom purge to increase clean efficiency |
| US10410845B2 (en) | 2017-11-22 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Using bias RF pulsing to effectively clean electrostatic chuck (ESC) |
| CN108695225A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-10-23 | 上海华力微电子有限公司 | 静电吸盘 |
| US11361976B2 (en) * | 2019-11-25 | 2022-06-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and plasma processing apparatus |
| US11361982B2 (en) | 2019-12-10 | 2022-06-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for in-situ cleaning of electrostatic chucks |
| US11854773B2 (en) * | 2020-03-31 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning of chambers for electronics manufacturing systems |
| CN114097064A (zh) * | 2020-06-25 | 2022-02-25 | 株式会社日立高新技术 | 真空处理方法 |
| JP7357182B1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のメンテナンス方法及び基板処理装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756400A (en) * | 1995-12-08 | 1998-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces |
| US20050224458A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Tokyo Electron Limited | System and method of removing chamber residues from a plasma processing system in a dry cleaning process |
| US20090139540A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Applied Materials, Inc. | Repairing surface defects and cleaning residues from plasma chamber components |
| CN102013388A (zh) * | 2009-09-03 | 2011-04-13 | 东京毅力科创株式会社 | 腔室内清洁方法 |
| CN102789960A (zh) * | 2011-05-16 | 2012-11-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于等离子体设备腔室的等离子清洗方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050230350A1 (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
| EP1831430A2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-09-12 | Applied Materials, Inc. | An in-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber |
| US9824865B2 (en) * | 2014-03-05 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Waferless clean in dielectric etch process |
-
2014
- 2014-03-05 US US14/198,532 patent/US9824865B2/en active Active
-
2015
- 2015-02-02 KR KR1020150016027A patent/KR102321307B1/ko active Active
- 2015-03-04 TW TW104106756A patent/TWI647776B/zh active
- 2015-03-05 CN CN201510098226.4A patent/CN104900483B/zh active Active
-
2017
- 2017-09-14 US US15/704,989 patent/US10147587B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756400A (en) * | 1995-12-08 | 1998-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces |
| US20050224458A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Tokyo Electron Limited | System and method of removing chamber residues from a plasma processing system in a dry cleaning process |
| US20090139540A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Applied Materials, Inc. | Repairing surface defects and cleaning residues from plasma chamber components |
| CN102013388A (zh) * | 2009-09-03 | 2011-04-13 | 东京毅力科创株式会社 | 腔室内清洁方法 |
| CN102789960A (zh) * | 2011-05-16 | 2012-11-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 用于等离子体设备腔室的等离子清洗方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108292601A (zh) * | 2016-01-13 | 2018-07-17 | 应用材料公司 | 用于蚀刻硬件的基于氢等离子体的清洗工艺 |
| CN108346553A (zh) * | 2017-01-24 | 2018-07-31 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置腔室主体内部清洁的等离子体处理方法 |
| CN108346553B (zh) * | 2017-01-24 | 2020-06-09 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置腔室主体内部清洁的等离子体处理方法 |
| US10714320B2 (en) | 2017-01-24 | 2020-07-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method including cleaning of inside of chamber main body of plasma processing apparatus |
| US11342167B2 (en) | 2017-01-24 | 2022-05-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method including cleaning of inside of chamber main body of plasma processing apparatus |
| CN111771271A (zh) * | 2018-02-27 | 2020-10-13 | 朗姆研究公司 | 监测室漂移的方法 |
| CN108847390A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种等离子体刻蚀的方法 |
| CN112736007A (zh) * | 2019-10-14 | 2021-04-30 | 细美事有限公司 | 具有静电卡盘的基板处理系统和静电卡盘的制造方法 |
| TWI771977B (zh) * | 2021-04-07 | 2022-07-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 沉積室的清潔方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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