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CN104796002A - 一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪 - Google Patents

一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪 Download PDF

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CN104796002A
CN104796002A CN201510208348.4A CN201510208348A CN104796002A CN 104796002 A CN104796002 A CN 104796002A CN 201510208348 A CN201510208348 A CN 201510208348A CN 104796002 A CN104796002 A CN 104796002A
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汪月银
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SENSE ENGINEERING SERVICES Ltd
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Abstract

本发明涉及一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，包括升压电路、控制电路和电压变换电路，所述控制电路分别和升压电路、电压变换电路连接，所述升压电路将输入电源升压为直流电压后输入控制电路，所述控制电路控制电压变换电路，将输入的直流电压转换为交流电和直流电，所述交流电和直流电分时输出。可见，一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。

Description

一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪
技术领域
本发明涉及磁粉探伤设备技术领域，尤其涉及一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪。
背景技术
目前市场上的磁粉探伤仪，主要分为交流磁粉探伤仪和直流磁粉探伤仪两种。交流磁粉探伤仪一般产生50Hz的交流磁场，用于检测工件表面和近表面的缺陷，对工件深埋缺陷的检测能力比较弱。直流磁粉探伤仪一般产生直流磁场，用于检测工件的深埋缺陷，对工件表面和近表面缺陷的检测能力比较弱。所以，若要对一工件进行全面检测，常常需要用交流磁粉探伤仪检测一遍工件表面和近表面的缺陷，再用直流磁粉探伤仪检测一遍工件深埋的缺陷，导致整个探伤检测的周期长且操作繁琐。
发明内容
本发明的目的在于提出一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，提供一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路，包括升压电路、控制电路和电压变换电路，所述控制电路分别和升压电路、电压变换电路连接，所述升压电路将输入电源升压为直流电压后输入控制电路，所述控制电路控制电压变换电路，将输入的直流电压转换为交流电和直流电，所述交流电和直流电分时输出。
其中，所述升压电路包括SG2525AP型芯片U10、电容C50、电容C51、电阻R73、电阻R76、电容C53、电阻R74、电阻R75、电容C52、电阻R68、电容C47、电阻R71、LL4148型的二极管D31、IPD025N06N型的MOS管Q16、电阻R72、LL4148型的二极管D33、IPD025N06N型的MOS管Q17、电容C49、PQ26-CF-168型的变压器T1、RS1M型的稳压二极管D34、RS1M型的稳压二极管D32、RS1M型的稳压二极管D30、RS1M型的稳压二极管D29、电容C48、LL4148型的二极管D26、LL4148型的二极管D25、电容C44、电阻R62、电容C45、电容C46、电阻R63、LL4148型的二极管D27、IPD025N06N型的MOS管Q14、电阻R64、LL4148型的二极管D28、IPD025N06N型的MOS管Q15、电阻R67、电阻R65、电阻R66、电阻R69、电阻R70；
U10的第1管脚连接R68的一端，R68的另一端连接C47的一端，C47的另一端连接U10的第9管脚，U10的第2管脚分别连接R76的一端、R73的一端，R76的另一端接地，R73的另一端分别连接C50的一端、C51的正极、U10的第16管脚，电容C50的另一端、C51的负极均接地，U10的第5管脚分别连接C53的一端、R75的一端，R75的另一端连接U10的第7管脚，C53的另一端连接R74的一端，R74的另一端连接第U10的6管脚，U10的第8管脚连接C52的正极，C52的负极接地，U10的第10管脚分别连接C44的一端、R62的一端、D25的负极、D26的负极，C44的另一端、R62的另一端均接地，U10的第11管脚分别连接R71的一端、D31的负极、R72的一端、D33的负极，U10的第12管脚分别连接C46的一端、C45的负极、接地端，U10的第13管脚分别连接C46的另一端、C45的正极、V-SYS端、U10的第15管脚，U10的第14管脚的分别连接R63的一端、D27的负极、R64的一端、二极管D28的负极；
R63的另一端分别连接D27的正极、Q14的栅极、R65的一端，R65的另一端分别连接R69的一端、接地端、Q14的源极、Q16的源极，Q14的漏极连接Q15的漏极、R67的一端、T1的电压输入端的第1脚、T1的电压输入端的第2脚；
Q15的栅极分别连接R64的另一端、D28的正极、R66的一端，Q15的源极分别连接R66的另一端、R70的一端、Q17的源极，R70的另一端连接R72的另一端、D33的正极、Q17的栅极，R67的另一端连接C49的一端；
R71的另一端分别连接D31的正极、Q16的栅极、R69的另一端，Q16的漏极分别连接Q17的漏极、C49的另一端、T1的电压输入端的第5脚、T1的电压输入端的第6脚；
T1的电压输出端的第7脚连接D34的正极、D32的负极、T1的电压输出端的第8脚，T1的电压输出端的第11脚连接D30的负极、D29的正极、T1的电压输出端的第12脚，D29的负极分别连接VH端、电容C48的正极、D34的负极，D30的正极分别连接C48的负极、接地端、D32的正极；
T1的电压输入端的第3脚、T1的电压输入端的第4脚均连接V-SYS端。
其中，所述控制电路包括PIC16F1719-E/PT型的芯片U6、电阻R47、电阻R48、电阻R49、电阻R50、电阻R51、发光二级管D15、发光二级管D16、发光二级管D17、发光二级管D18、发光二级管D19、电阻R46、16MHz的晶振Y1、电容C29、电容C30、HEADER5型的芯片J3、电阻R52、电容C31、电阻R54、电阻R55、电容C35、按键开关SW1、电容C32、电阻R53；
U6的第6管脚接地，U6的第7管脚连接5V电源输入端，U6的第16管脚连接J3的第5脚，U6的第17管脚连接J3的第4脚，U6的第18管脚分别连接C31的一端、J3的第1脚、R52的一端，R52的另一端分别连接5V电源输入端、J3的第2脚，C31的另一端分别连接接地端、J3的第3脚，U6的第28管脚接5V电源输入端，U6的第29管脚接地，U6的第30管脚分别连接R46的一端、Y1的一端、C29的一端，U6的第31管脚分别连接R46的另一端、Y1的另一端、C30的一端，C29的另一端和C30的另一端均接地；
U6的第35管脚连接D19的负极，D19的正极连接R51的一端，R51的另一端连接5V电源输入端；
U6的第36管脚连接D18的负极，D18的正极连接R50的一端，R50的另一端连接5V电源输入端；
U6的第37管脚连接D17的负极，D17的正极连接R49的一端，R49的另一端连接5V电源输入端；
U6的第38管脚连接D16的负极，D16的正极连接R48的一端，R48的另一端连接5V电源输入端；
U6的第39管脚连接D15的负极，D15的正极连接R47的一端，R47的另一端连接5V电源输入端；
U6的第43管脚分别连接R54的一端、C35的一端、R55的一端，R54的另一端连接V-SYS端，C35的另一端、R55的另一端均接地，U6的第44管脚分别连接SW1的输入端、R53的一端、C32的一端，R53的另一端连接5V电源输入端，SW1的输出端、C32的另一端均接地。
其中，所述电压变换电路包括IRS21867S型的芯片U2、IRS21867S型的芯片U3、RS1M型的稳压二极管D9、电容C25、电阻R25、LL4148型的二极管D5、电阻R26、IPD65R190C7型的MOS管Q6、电阻R27、LL4148型的二极管D6、电阻R30、IPD65R190C7型的MOS管Q7、电感L2、IPD65R190C7型的MOS管Q8、电阻R31、LL4148型的二极管D7、电阻R28、IPD65R190C7型的MOS管Q9、电阻R32、LL4148型的二极管D8、电阻R29、电容C26、RS1M型的稳压二极管D10、电阻R33、LL4148型的二极管D11、电阻R37、IPD65R190C7型的MOS管Q10、电阻R34、LL4148型的二极管D12、电阻R38、IPD65R190C7型的MOS管Q11、电阻R41、IPD65R190C7型的MOS管Q12、电阻R39、LL4148型的二极管D14、电阻R35、IPD65R190C7型的MOS管Q13、电阻R40、LL4148型的二极管D13、电阻R36、电阻R42、TL431/CYL型的精密稳压管U5、电阻R44、电阻R45、电容C27、电容C28、TL331MDBVTEP型的运算放大器U4、电阻R43；
U2的第1管脚分别连接V-SYS端、D9的正极，U2的第4管脚分别连接R37的一端、Q10的源极、R38的一端、Q11的源极、R41的一端、Q12的源极、R39的一端、Q13的源极、R40的一端、C28的一端、U4的输入IN+端、U3的第4脚，C28的另一端接地，U2的第5管脚分别连接R33的一端、D11的负极、R34的一端、D12的负极，U2的第6管脚分别连接C25的负极、R26的一端、Q6的源极、Q10的漏极、R30的一端、Q7的源极、Q11的漏极、L2的一端，U2的第7管脚分别连接R25的一端、D5的负极、R27的一端、D6的负极，U2的第8管脚分别连接C25的正极、D9的负极；
U3的第1管脚分别连接V-SYS端、D10的正极，U3的第5管脚分别连接R36的一端、D13的负极、R35的一端、D14的负极，U3的第6管脚分别连接C26的负极、R32的一端、Q9的源极、Q13的漏极、R31的一端、Q8的源极、Q12的漏极、L2的另一端，U3的第7管脚分别连接R29的一端、D8的负极、R32的一端、R28的一端、D7的负极，U3的第8管脚分别连接C26的正极、D10的负极；
R33的另一端分别连接D11的正极、R37的另一端、Q10的栅极，R34的另一端分别连接D12的正极、R38的另一端、Q11的栅极，R27的另一端分别连接D6的正极、R30的另一端、Q7的栅极，R25的另一端分别连接D5的正极、R26的另一端、Q6的栅极，R29的另一端分别连接D8的正极、R32的另一端、Q9的栅极，R28的另一端分别连接D7的正极、R31的另一端、Q8的栅极，R36的另一端分别连接D13的正极、R40的另一端、Q13的栅极，R35的另一端分别连接D14的正极、R39的另一端、Q12的栅极，Q6的漏极连接VH端，Q7的漏极连接VH端，Q8的漏极连接VH端，Q9的漏极连接VH端；
U4的输入IN-端分别连接C27的一端、R45的一端、R44的一端，R45的另一端、C27的另一端均接地，R44的另一端分别连接R42的一端、U5的负极、U5的可调输出端，R42的另一端连接V-SYS端，U5的正极接地，U4的输出端连接R43的一端，R43的另一端分别连接V-SYS端、U4的电压输入正极，U4的电压输入负极接地。
其中，所述交直流磁粉探伤仪电源处理电路还包括锂电管理电路，所述锂电管理电路连接所述升压电路，所述锂电管理电路包括BQ24610型的芯片U1、SI7617DN型的芯片Q1、SI7617DN型的芯片Q2、SI7617DN型的芯片Q3、Sis412DN型的芯片Q4、Sis412DN型的芯片Q5、接口插座J1、保险丝F1、电容C10、电容C11、电阻R3、电阻R4、电容C6、电阻R6、电阻R1、电阻R2、电容C12、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R7、电阻R5、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R12、电阻R14、电阻R15、发光二极管D3、发光二极管D4、发光二极管D2、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电容C22、电容C13、BAT54C型的双向稳压芯片D1、电容C19、电容C20、6.8mH型的电感L1、电阻R13、电容C16、电阻R16、电阻R20、电容C21、电容C17、电容C18、电容C14、电容C15、接口插座J2、电阻R21、电阻R23、电阻R24、电阻R22、电容C23、电容C24；
U1的第1管脚分别连接C7的一端、R2的一端、Q4的第5脚、R5的一端、C1的一端、Q3的第5脚、C2的一端、C3的一端、C4的一端、C5的一端、V-SYS端，U1的第2管脚分别连接C7的另一端、C12的一端、R2的另一端、Q2的第5脚，C12的另一端接地，U1的第3管脚连接R11的一端，U1的第11管脚分别连接R10的一端、R19的一端，U1的第15管脚分别连接R9的一端、R18的一端，U1的第16管脚分别连接R8的一端、R17的一端，R17的另一端、R18的另一端、R19的另一端均接地，R8的另一端、R9的另一端、R10的另一端均连接Vref端，U1的第10管脚分别连接C22的一端、Vref端、U1的第4管脚，C22的另一端接地，U1的第5管脚连接D2的负极，U1的第9管脚连接D4的负极，U1的第8管脚连接D3的负极，U1的第6管脚分别连接C23的一端、R22的一端，C23的另一端接地，R22的另一端分别连接R21的一端、R23的一端、R24的一端，R21的另一端连接Vref端，R23的另一端、R24的另一端均接地，U1的第25管脚接地，U1的第7管脚连接C24的一端，C24的另一端接地，U1的第12管脚分别连接R20的一端、R16的一端、C21的一端，R20的另一端接地，U1的第13管脚分别连接C16的一端，R13的一端、Q3的第1脚、Q3的第2脚、Q3的第3脚、R16的另一端、C21的另一端、C17的一端、C18的一端、C14的一端、C15的一端、J2的第2脚，C17的另一端、C18的另一端、C14的另一端、C15的另一端、J2的第1脚、J2的第3脚均接地，U1的第14管脚分别连接C16的另一端、R13的另一端、L1的一端、C20的一端，C20的另一端接地，U1的第17管脚接地，U1的第19管脚连接Q5的第4脚，Q5的第1脚、Q5的第2脚、Q5的第3脚均接地，U1的第18管脚连接D1的正极、C19的一端，C19的另一端接地，U1的第22管脚分别连接D1的负极、C13的一端，U1的第20管脚分别连接C13的另一端、Q4的第1脚、Q4的第2脚、Q4的第3脚、Q5的第5脚、L1的另一端，U1的第21管脚连接Q4的第4脚，U1的第23管脚连接R7的一端，U1的第24管脚分别连接C8的一端、C9的一端、R1的一端，C8的另一端、C9的另一端均接地；
J1的第1脚接地，J1的第2脚连接F1的一端，F1的另一端分别连接R23的一端、R24的一端、Q1的第5脚、R12的一端、R14的一端、R15的一端，R12的另一端连接D3的正极，R14的另一端连接D4的正极，R15的另一端连接D2的正极，R23的另一端连接C10的一端，C10的另一端接地，R24的另一端连接C11的一端，C11的另一端接地，Q1的第1脚、Q1的第2脚、Q1的第3脚均连接C6的一端，C6的另一端分别连接Q1的第4脚、R6的一端、R11的另一端、Q2的第4脚，R6的另一端分别连接Q2的第1脚、Q2的第2脚、Q2的第3脚、R1的另一端；R7的另一端分别连接R5的另一端、C1的另一端、Q3的第4脚。
其中，所述交直流磁粉探伤仪电源处理电路还包括LED恒流驱动电路，所述LED恒流驱动电路和控制电路连接，所述LED恒流驱动电路包括LM5001MA/NOPB型的芯片U8、LM3414HVMR/NOPB型的芯片U9、电感L3、电阻R58、SS34型的稳压二极管D20、电容C42、电容C43、电阻R57、电阻R56、电阻R59、电容C39、电容C40、电阻R60、电阻R61、电感L4、SS34型的稳压二极管D21、发光二极管D22、发光二极管D23、发光二极管D24、电容C41；
U8的第1管脚分别连接D20的正极、L3的一端，U8的第2管脚分别连接L3的另一端、V-SYS端，U8的第3管脚连接C43的一端，C43的另一端接地，U8的第4管脚分别连接R58的一端、接地端，U8的第5管脚连接R58的另一端，U8的第6管脚分别连接R57的一端、R56的一端、R59的一端，R59的另一端接地，U8的第7管脚连接C42的一端，C42的另一端连接R57的另一端，U9的第1管脚连接C40的一端，U9的第2管脚分别连接C40的另一端、接地端，U9的第3管脚连接R60的一端，R60的另一端接地，U9的第4管脚接地，U9的第5管脚连接R61的一端，R61的另一端接地，U9的第7管脚分别连接D21的正极、L4的一端，U9的第8管脚分别连接D21的负极、D22的正极、C41的一端、C39的一端、R56的另一端、D20的负极，C39的另一端接地、D22的负极连接D23的正极，D23的负极连接D24的正极，D24的负极连接L4的另一端，C41的另一端接地。
第二方面，提供一种磁粉探伤仪，包括上述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路。
本发明的有益效果在于：一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，包括升压电路、控制电路和电压变换电路，所述控制电路分别和升压电路、电压变换电路连接，所述升压电路将输入电源升压为直流电压后输入控制电路，所述控制电路控制电压变换电路，将输入的直流电压转换为交流电和直流电，所述交流电和直流电分时输出。可见，一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的电路结构方框图。
图2是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的升压电路示意图。
图3是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的控制电路示意图。
图4是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的电压转换电路示意图。
图5是本发明实施例提供的控制电路的交流控制波形和输出波形。
图6是本发明实施例提供的控制电路的脉冲直流控制波形和输出波形。
图7是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的锂电管理电路示意图。
图8是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的LED恒流驱动电路示意图。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，其是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的电路结构方框图，可应用于各类磁粉探伤仪。
该交直流磁粉探伤仪电源处理电路，包括升压电路、控制电路和电压变换电路，所述控制电路分别和升压电路、电压变换电路连接，所述升压电路将输入电源升压为直流电压后输入控制电路，所述控制电路控制电压变换电路，将输入的直流电压转换为交流电和直流电，所述交流电和直流电分时输出。
试验表明：电磁轭的磁场频率越高，对工件表面和近表面的缺陷检测能力越强，对深埋缺陷的检测能力越差；电磁轭的磁场频率越低，对工件深埋缺陷的检测能力越强，对表面和近表面缺陷的检测能力越差。本交直流磁粉探伤仪电源处理电路可以分时输出交流电和直流电信号，以便一次性探出工件的表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷，省去了以往需要做一次交流探伤再做一次直流探伤才能完成全面探伤检测的麻烦。
可见，一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。
请参考图2，其是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的升压电路示意图。
其中，所述升压电路包括SG2525AP型芯片U10、电容C50、电容C51、电阻R73、电阻R76、电容C53、电阻R74、电阻R75、电容C52、电阻R68、电容C47、电阻R71、LL4148型的二极管D31、IPD025N06N型的MOS管Q16、电阻R72、LL4148型的二极管D33、IPD025N06N型的MOS管Q17、电容C49、PQ26-CF-168型的变压器T1、RS1M型的稳压二极管D34、RS1M型的稳压二极管D32、RS1M型的稳压二极管D30、RS1M型的稳压二极管D29、电容C48、LL4148型的二极管D26、LL4148型的二极管D25、电容C44、电阻R62、电容C45、电容C46、电阻R63、LL4148型的二极管D27、IPD025N06N型的MOS管Q14、电阻R64、LL4148型的二极管D28、IPD025N06N型的MOS管Q15、电阻R67、电阻R65、电阻R66、电阻R69、电阻R70；
U10的第1管脚连接R68的一端，R68的另一端连接C47的一端，C47的另一端连接U10的第9管脚，U10的第2管脚分别连接R76的一端、R73的一端，R76的另一端接地，R73的另一端分别连接C50的一端、C51的正极、U10的第16管脚，电容C50的另一端、C51的负极均接地，U10的第5管脚分别连接C53的一端、R75的一端，R75的另一端连接U10的第7管脚，C53的另一端连接R74的一端，R74的另一端连接第U10的6管脚，U10的第8管脚连接C52的正极，C52的负极接地，U10的第10管脚分别连接C44的一端、R62的一端、D25的负极、D26的负极，C44的另一端、R62的另一端均接地，U10的第11管脚分别连接R71的一端、D31的负极、R72的一端、D33的负极，U10的第12管脚分别连接C46的一端、C45的负极、接地端，U10的第13管脚分别连接C46的另一端、C45的正极、V-SYS端、U10的第15管脚，U10的第14管脚的分别连接R63的一端、D27的负极、R64的一端、二极管D28的负极；
R63的另一端分别连接D27的正极、Q14的栅极、R65的一端，R65的另一端分别连接R69的一端、接地端、Q14的源极、Q16的源极，Q14的漏极连接Q15的漏极、R67的一端、T1的电压输入端的第1脚、T1的电压输入端的第2脚；
Q15的栅极分别连接R64的另一端、D28的正极、R66的一端，Q15的源极分别连接R66的另一端、R70的一端、Q17的源极，R70的另一端连接R72的另一端、D33的正极、Q17的栅极，R67的另一端连接C49的一端；
R71的另一端分别连接D31的正极、Q16的栅极、R69的另一端，Q16的漏极分别连接Q17的漏极、C49的另一端、T1的电压输入端的第5脚、T1的电压输入端的第6脚；
T1的电压输出端的第7脚连接D34的正极、D32的负极、T1的电压输出端的第8脚，T1的电压输出端的第11脚连接D30的负极、D29的正极、T1的电压输出端的第12脚，D29的负极分别连接VH端、电容C48的正极、D34的负极，D30的正极分别连接C48的负极、接地端、D32的正极；
T1的电压输入端的第3脚、T1的电压输入端的第4脚均连接V-SYS端。
上述电子元器件，如电阻或电容的具体型号参数可参考图2所示，此处不作赘述。
请参考图3，其是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的控制电路示意图。
其中，所述控制电路包括PIC16F1719-E/PT型的芯片U6、电阻R47、电阻R48、电阻R49、电阻R50、电阻R51、发光二级管D15、发光二级管D16、发光二级管D17、发光二级管D18、发光二级管D19、电阻R46、16MHz的晶振Y1、电容C29、电容C30、HEADER5型的芯片J3、电阻R52、电容C31、电阻R54、电阻R55、电容C35、按键开关SW1、电容C32、电阻R53；
U6的第6管脚接地，U6的第7管脚连接5V电源输入端，U6的第16管脚连接J3的第5脚，U6的第17管脚连接J3的第4脚，U6的第18管脚分别连接C31的一端、J3的第1脚、R52的一端，R52的另一端分别连接5V电源输入端、J3的第2脚，C31的另一端分别连接接地端、J3的第3脚，U6的第28管脚接5V电源输入端，U6的第29管脚接地，U6的第30管脚分别连接R46的一端、Y1的一端、C29的一端，U6的第31管脚分别连接R46的另一端、Y1的另一端、C30的一端，C29的另一端和C30的另一端均接地；
U6的第35管脚连接D19的负极，D19的正极连接R51的一端，R51的另一端连接5V电源输入端；
U6的第36管脚连接D18的负极，D18的正极连接R50的一端，R50的另一端连接5V电源输入端；
U6的第37管脚连接D17的负极，D17的正极连接R49的一端，R49的另一端连接5V电源输入端；
U6的第38管脚连接D16的负极，D16的正极连接R48的一端，R48的另一端连接5V电源输入端；
U6的第39管脚连接D15的负极，D15的正极连接R47的一端，R47的另一端连接5V电源输入端；
U6的第43管脚分别连接R54的一端、C35的一端、R55的一端，R54的另一端连接V-SYS端，C35的另一端、R55的另一端均接地，U6的第44管脚分别连接SW1的输入端、R53的一端、C32的一端，R53的另一端连接5V电源输入端，SW1的输出端、C32的另一端均接地。
上述的电子元器件，如电阻或电容的具体型号参数可参考图3所示，此处不作赘述。
请参考图4，其本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的电压转换电路示意图。
其中，所述电压变换电路包括IRS21867S型的芯片U2、IRS21867S型的芯片U3、RS1M型的稳压二极管D9、电容C25、电阻R25、LL4148型的二极管D5、电阻R26、IPD65R190C7型的MOS管Q6、电阻R27、LL4148型的二极管D6、电阻R30、IPD65R190C7型的MOS管Q7、电感L2、IPD65R190C7型的MOS管Q8、电阻R31、LL4148型的二极管D7、电阻R28、IPD65R190C7型的MOS管Q9、电阻R32、LL4148型的二极管D8、电阻R29、电容C26、RS1M型的稳压二极管D10、电阻R33、LL4148型的二极管D11、电阻R37、IPD65R190C7型的MOS管Q10、电阻R34、LL4148型的二极管D12、电阻R38、IPD65R190C7型的MOS管Q11、电阻R41、IPD65R190C7型的MOS管Q12、电阻R39、LL4148型的二极管D14、电阻R35、IPD65R190C7型的MOS管Q13、电阻R40、LL4148型的二极管D13、电阻R36、电阻R42、TL431/CYL型的精密稳压管U5、电阻R44、电阻R45、电容C27、电容C28、TL331MDBVTEP型的运算放大器U4、电阻R43；
U2的第1管脚分别连接V-SYS端、D9的正极，U2的第4管脚分别连接R37的一端、Q10的源极、R38的一端、Q11的源极、R41的一端、Q12的源极、R39的一端、Q13的源极、R40的一端、C28的一端、U4的输入IN+端、U3的第4脚，C28的另一端接地，U2的第5管脚分别连接R33的一端、D11的负极、R34的一端、D12的负极，U2的第6管脚分别连接C25的负极、R26的一端、Q6的源极、Q10的漏极、R30的一端、Q7的源极、Q11的漏极、L2的一端，U2的第7管脚分别连接R25的一端、D5的负极、R27的一端、D6的负极，U2的第8管脚分别连接C25的正极、D9的负极；
U3的第1管脚分别连接V-SYS端、D10的正极，U3的第5管脚分别连接R36的一端、D13的负极、R35的一端、D14的负极，U3的第6管脚分别连接C26的负极、R32的一端、Q9的源极、Q13的漏极、R31的一端、Q8的源极、Q12的漏极、L2的另一端，U3的第7管脚分别连接R29的一端、D8的负极、R32的一端、R28的一端、D7的负极，U3的第8管脚分别连接C26的正极、D10的负极；
R33的另一端分别连接D11的正极、R37的另一端、Q10的栅极，R34的另一端分别连接D12的正极、R38的另一端、Q11的栅极，R27的另一端分别连接D6的正极、R30的另一端、Q7的栅极，R25的另一端分别连接D5的正极、R26的另一端、Q6的栅极，R29的另一端分别连接D8的正极、R32的另一端、Q9的栅极，R28的另一端分别连接D7的正极、R31的另一端、Q8的栅极，R36的另一端分别连接D13的正极、R40的另一端、Q13的栅极，R35的另一端分别连接D14的正极、R39的另一端、Q12的栅极，Q6的漏极连接VH端，Q7的漏极连接VH端，Q8的漏极连接VH端，Q9的漏极连接VH端；
U4的输入IN-端分别连接C27的一端、R45的一端、R44的一端，R45的另一端、C27的另一端均接地，R44的另一端分别连接R42的一端、U5的负极、U5的可调输出端，R42的另一端连接V-SYS端，U5的正极接地，U4的输出端连接R43的一端，R43的另一端分别连接V-SYS端、U4的电压输入正极，U4的电压输入负极接地。
上述的电子元器件，如电阻或电容的具体型号参数可参考图4所示，此处不作赘述。
该控制电路可实现各种波形的输出。请参考图5，其是本发明实施例提供的控制电路的交流控制波形和输出波形。请参考图6，其是本发明实施例提供的控制电路的脉冲直流控制波形和输出波形。该交流控制波形和输出波形为梯形波。
请参考图7，其是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的锂电管理电路示意图。
其中，所述交直流磁粉探伤仪电源处理电路还包括锂电管理电路，所述锂电管理电路连接所述升压电路，所述锂电管理电路包括BQ24610型的芯片U1、SI7617DN型的芯片Q1、SI7617DN型的芯片Q2、SI7617DN型的芯片Q3、Sis412DN型的芯片Q4、Sis412DN型的芯片Q5、接口插座J1、保险丝F1、电容C10、电容C11、电阻R3、电阻R4、电容C6、电阻R6、电阻R1、电阻R2、电容C12、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R7、电阻R5、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R12、电阻R14、电阻R15、发光二极管D3、发光二极管D4、发光二极管D2、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电容C22、电容C13、BAT54C型的双向稳压芯片D1、电容C19、电容C20、6.8mH型的电感L1、电阻R13、电容C16、电阻R16、电阻R20、电容C21、电容C17、电容C18、电容C14、电容C15、接口插座J2、电阻R21、电阻R23、电阻R24、电阻R22、电容C23、电容C24；
U1的第1管脚分别连接C7的一端、R2的一端、Q4的第5脚、R5的一端、C1的一端、Q3的第5脚、C2的一端、C3的一端、C4的一端、C5的一端、V-SYS端，U1的第2管脚分别连接C7的另一端、C12的一端、R2的另一端、Q2的第5脚，C12的另一端接地，U1的第3管脚连接R11的一端，U1的第11管脚分别连接R10的一端、R19的一端，U1的第15管脚分别连接R9的一端、R18的一端，U1的第16管脚分别连接R8的一端、R17的一端，R17的另一端、R18的另一端、R19的另一端均接地，R8的另一端、R9的另一端、R10的另一端均连接Vref端，U1的第10管脚分别连接C22的一端、Vref端、U1的第4管脚，C22的另一端接地，U1的第5管脚连接D2的负极，U1的第9管脚连接D4的负极，U1的第8管脚连接D3的负极，U1的第6管脚分别连接C23的一端、R22的一端，C23的另一端接地，R22的另一端分别连接R21的一端、R23的一端、R24的一端，R21的另一端连接Vref端，R23的另一端、R24的另一端均接地，U1的第25管脚接地，U1的第7管脚连接C24的一端，C24的另一端接地，U1的第12管脚分别连接R20的一端、R16的一端、C21的一端，R20的另一端接地，U1的第13管脚分别连接C16的一端，R13的一端、Q3的第1脚、Q3的第2脚、Q3的第3脚、R16的另一端、C21的另一端、C17的一端、C18的一端、C14的一端、C15的一端、J2的第2脚，C17的另一端、C18的另一端、C14的另一端、C15的另一端、J2的第1脚、J2的第3脚均接地，U1的第14管脚分别连接C16的另一端、R13的另一端、L1的一端、C20的一端，C20的另一端接地，U1的第17管脚接地，U1的第19管脚连接Q5的第4脚，Q5的第1脚、Q5的第2脚、Q5的第3脚均接地，U1的第18管脚连接D1的正极、C19的一端，C19的另一端接地，U1的第22管脚分别连接D1的负极、C13的一端，U1的第20管脚分别连接C13的另一端、Q4的第1脚、Q4的第2脚、Q4的第3脚、Q5的第5脚、L1的另一端，U1的第21管脚连接Q4的第4脚，U1的第23管脚连接R7的一端，U1的第24管脚分别连接C8的一端、C9的一端、R1的一端，C8的另一端、C9的另一端均接地；
J1的第1脚接地，J1的第2脚连接F1的一端，F1的另一端分别连接R23的一端、R24的一端、Q1的第5脚、R12的一端、R14的一端、R15的一端，R12的另一端连接D3的正极，R14的另一端连接D4的正极，R15的另一端连接D2的正极，R23的另一端连接C10的一端，C10的另一端接地，R24的另一端连接C11的一端，C11的另一端接地，Q1的第1脚、Q1的第2脚、Q1的第3脚均连接C6的一端，C6的另一端分别连接Q1的第4脚、R6的一端、R11的另一端、Q2的第4脚，R6的另一端分别连接Q2的第1脚、Q2的第2脚、Q2的第3脚、R1的另一端；R7的另一端分别连接R5的另一端、C1的另一端、Q3的第4脚。
上述的电子元器件，如电阻或电容的具体型号参数可参考图7所示，此处不作赘述。
请参考图8，其是本发明实施例提供的交直流磁粉探伤仪电源处理电路的LED恒流驱动电路示意图。
其中，所述交直流磁粉探伤仪电源处理电路还包括LED恒流驱动电路，所述LED恒流驱动电路和控制电路连接，所述LED恒流驱动电路包括LM5001MA/NOPB型的芯片U8、LM3414HVMR/NOPB型的芯片U9、电感L3、电阻R58、SS34型的稳压二极管D20、电容C42、电容C43、电阻R57、电阻R56、电阻R59、电容C39、电容C40、电阻R60、电阻R61、电感L4、SS34型的稳压二极管D21、发光二极管D22、发光二极管D23、发光二极管D24、电容C41；
U8的第1管脚分别连接D20的正极、L3的一端，U8的第2管脚分别连接L3的另一端、V-SYS端，U8的第3管脚连接C43的一端，C43的另一端接地，U8的第4管脚分别连接R58的一端、接地端，U8的第5管脚连接R58的另一端，U8的第6管脚分别连接R57的一端、R56的一端、R59的一端，R59的另一端接地，U8的第7管脚连接C42的一端，C42的另一端连接R57的另一端，U9的第1管脚连接C40的一端，U9的第2管脚分别连接C40的另一端、接地端，U9的第3管脚连接R60的一端，R60的另一端接地，U9的第4管脚接地，U9的第5管脚连接R61的一端，R61的另一端接地，U9的第7管脚分别连接D21的正极、L4的一端，U9的第8管脚分别连接D21的负极、D22的正极、C41的一端、C39的一端、R56的另一端、D20的负极，C39的另一端接地、D22的负极连接D23的正极，D23的负极连接D24的正极，D24的负极连接L4的另一端，C41的另一端接地。
上述的电子元器件，如电阻或电容的具体型号参数可参考图8所示，此处不作赘述。
上述的各种电路还可根据本领域技术人员掌握的公知常识，在本技术方案的技术背景之下，选用不同的电路连接方式和不同参数的元器件，以实现各自对应的功能。
优选地，本发明实施例还提供一种磁粉探伤仪。该磁粉探伤仪，包括上述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路。
该磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。
一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路和磁粉探伤仪，集成了直流和交流两种探伤工作模式，可在不更换探伤仪的前提下对工件进行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面检测，操作简单且使用方便。
以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (7)

1.一种交直流磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于：包括升压电路、控制电路和电压变换电路，所述控制电路分别和升压电路、电压变换电路连接，所述升压电路将输入电源升压为直流电压后输入控制电路，所述控制电路控制电压变换电路，将输入的直流电压转换为交流电和直流电，所述交流电和直流电分时输出。
2.根据权利要求1所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述升压电路包括SG2525AP型芯片U10、电容C50、电容C51、电阻R73、电阻R76、电容C53、电阻R74、电阻R75、电容C52、电阻R68、电容C47、电阻R71、LL4148型的二极管D31、IPD025N06N型的MOS管Q16、电阻R72、LL4148型的二极管D33、IPD025N06N型的MOS管Q17、电容C49、PQ26-CF-168型的变压器T1、RS1M型的稳压二极管D34、RS1M型的稳压二极管D32、RS1M型的稳压二极管D30、RS1M型的稳压二极管D29、电容C48、LL4148型的二极管D26、LL4148型的二极管D25、电容C44、电阻R62、电容C45、电容C46、电阻R63、LL4148型的二极管D27、IPD025N06N型的MOS管Q14、电阻R64、LL4148型的二极管D28、IPD025N06N型的MOS管Q15、电阻R67、电阻R65、电阻R66、电阻R69、电阻R70；
U10的第1管脚连接R68的一端，R68的另一端连接C47的一端，C47的另一端连接U10的第9管脚，U10的第2管脚分别连接R76的一端、R73的一端，R76的另一端接地，R73的另一端分别连接C50的一端、C51的正极、U10的第16管脚，电容C50的另一端、C51的负极均接地，U10的第5管脚分别连接C53的一端、R75的一端，R75的另一端连接U10的第7管脚，C53的另一端连接R74的一端，R74的另一端连接第U10的6管脚，U10的第8管脚连接C52的正极，C52的负极接地，U10的第10管脚分别连接C44的一端、R62的一端、D25的负极、D26的负极，C44的另一端、R62的另一端均接地，U10的第11管脚分别连接R71的一端、D31的负极、R72的一端、D33的负极，U10的第12管脚分别连接C46的一端、C45的负极、接地端，U10的第13管脚分别连接C46的另一端、C45的正极、V-SYS端、U10的第15管脚，U10的第14管脚的分别连接R63的一端、D27的负极、R64的一端、二极管D28的负极；
R63的另一端分别连接D27的正极、Q14的栅极、R65的一端，R65的另一端分别连接R69的一端、接地端、Q14的源极、Q16的源极，Q14的漏极连接Q15的漏极、R67的一端、T1的电压输入端的第1脚、T1的电压输入端的第2脚；
Q15的栅极分别连接R64的另一端、D28的正极、R66的一端，Q15的源极分别连接R66的另一端、R70的一端、Q17的源极，R70的另一端连接R72的另一端、D33的正极、Q17的栅极，R67的另一端连接C49的一端；
R71的另一端分别连接D31的正极、Q16的栅极、R69的另一端，Q16的漏极分别连接Q17的漏极、C49的另一端、T1的电压输入端的第5脚、T1的电压输入端的第6脚；
T1的电压输出端的第7脚连接D34的正极、D32的负极、T1的电压输出端的第8脚，T1的电压输出端的第11脚连接D30的负极、D29的正极、T1的电压输出端的第12脚，D29的负极分别连接VH端、电容C48的正极、D34的负极，D30的正极分别连接C48的负极、接地端、D32的正极；
T1的电压输入端的第3脚、T1的电压输入端的第4脚均连接V-SYS端。
3.根据权利要求1所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述控制电路包括PIC16F1719-E/PT型的芯片U6、电阻R47、电阻R48、电阻R49、电阻R50、电阻R51、发光二级管D15、发光二级管D16、发光二级管D17、发光二级管D18、发光二级管D19、电阻R46、16MHz的晶振Y1、电容C29、电容C30、HEADER5型的芯片J3、电阻R52、电容C31、电阻R54、电阻R55、电容C35、按键开关SW1、电容C32、电阻R53；
U6的第6管脚接地，U6的第7管脚连接5V电源输入端，U6的第16管脚连接J3的第5脚，U6的第17管脚连接J3的第4脚，U6的第18管脚分别连接C31的一端、J3的第1脚、R52的一端，R52的另一端分别连接5V电源输入端、J3的第2脚，C31的另一端分别连接接地端、J3的第3脚，U6的第28管脚接5V电源输入端，U6的第29管脚接地，U6的第30管脚分别连接R46的一端、Y1的一端、C29的一端，U6的第31管脚分别连接R46的另一端、Y1的另一端、C30的一端，C29的另一端和C30的另一端均接地；
U6的第35管脚连接D19的负极，D19的正极连接R51的一端，R51的另一端连接5V电源输入端；
U6的第36管脚连接D18的负极，D18的正极连接R50的一端，R50的另一端连接5V电源输入端；
U6的第37管脚连接D17的负极，D17的正极连接R49的一端，R49的另一端连接5V电源输入端；
U6的第38管脚连接D16的负极，D16的正极连接R48的一端，R48的另一端连接5V电源输入端；
U6的第39管脚连接D15的负极，D15的正极连接R47的一端，R47的另一端连接5V电源输入端；
U6的第43管脚分别连接R54的一端、C35的一端、R55的一端，R54的另一端连接V-SYS端，C35的另一端、R55的另一端均接地，U6的第44管脚分别连接SW1的输入端、R53的一端、C32的一端，R53的另一端连接5V电源输入端，SW1的输出端、C32的另一端均接地。
4.根据权利要求1所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述电压变换电路包括IRS21867S型的芯片U2、IRS21867S型的芯片U3、RS1M型的稳压二极管D9、电容C25、电阻R25、LL4148型的二极管D5、电阻R26、IPD65R190C7型的MOS管Q6、电阻R27、LL4148型的二极管D6、电阻R30、IPD65R190C7型的MOS管Q7、电感L2、IPD65R190C7型的MOS管Q8、电阻R31、LL4148型的二极管D7、电阻R28、IPD65R190C7型的MOS管Q9、电阻R32、LL4148型的二极管D8、电阻R29、电容C26、RS1M型的稳压二极管D10、电阻R33、LL4148型的二极管D11、电阻R37、IPD65R190C7型的MOS管Q10、电阻R34、LL4148型的二极管D12、电阻R38、IPD65R190C7型的MOS管Q11、电阻R41、IPD65R190C7型的MOS管Q12、电阻R39、LL4148型的二极管D14、电阻R35、IPD65R190C7型的MOS管Q13、电阻R40、LL4148型的二极管D13、电阻R36、电阻R42、TL431/CYL型的精密稳压管U5、电阻R44、电阻R45、电容C27、电容C28、TL331MDBVTEP型的运算放大器U4、电阻R43；
U2的第1管脚分别连接V-SYS端、D9的正极，U2的第4管脚分别连接R37的一端、Q10的源极、R38的一端、Q11的源极、R41的一端、Q12的源极、R39的一端、Q13的源极、R40的一端、C28的一端、U4的输入IN+端、U3的第4脚，C28的另一端接地，U2的第5管脚分别连接R33的一端、D11的负极、R34的一端、D12的负极，U2的第6管脚分别连接C25的负极、R26的一端、Q6的源极、Q10的漏极、R30的一端、Q7的源极、Q11的漏极、L2的一端，U2的第7管脚分别连接R25的一端、D5的负极、R27的一端、D6的负极，U2的第8管脚分别连接C25的正极、D9的负极；
U3的第1管脚分别连接V-SYS端、D10的正极，U3的第5管脚分别连接R36的一端、D13的负极、R35的一端、D14的负极，U3的第6管脚分别连接C26的负极、R32的一端、Q9的源极、Q13的漏极、R31的一端、Q8的源极、Q12的漏极、L2的另一端，U3的第7管脚分别连接R29的一端、D8的负极、R32的一端、R28的一端、D7的负极，U3的第8管脚分别连接C26的正极、D10的负极；
R33的另一端分别连接D11的正极、R37的另一端、Q10的栅极，R34的另一端分别连接D12的正极、R38的另一端、Q11的栅极，R27的另一端分别连接D6的正极、R30的另一端、Q7的栅极，R25的另一端分别连接D5的正极、R26的另一端、Q6的栅极，R29的另一端分别连接D8的正极、R32的另一端、Q9的栅极，R28的另一端分别连接D7的正极、R31的另一端、Q8的栅极，R36的另一端分别连接D13的正极、R40的另一端、Q13的栅极，R35的另一端分别连接D14的正极、R39的另一端、Q12的栅极，Q6的漏极连接VH端，Q7的漏极连接VH端，Q8的漏极连接VH端，Q9的漏极连接VH端；
U4的输入IN-端分别连接C27的一端、R45的一端、R44的一端，R45的另一端、C27的另一端均接地，R44的另一端分别连接R42的一端、U5的负极、U5的可调输出端，R42的另一端连接V-SYS端，U5的正极接地，U4的输出端连接R43的一端，R43的另一端分别连接V-SYS端、U4的电压输入正极，U4的电压输入负极接地。
5.根据权利要求1所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述交直流磁粉探伤仪电源处理电路还包括锂电管理电路，所述锂电管理电路连接所述升压电路，所述锂电管理电路包括BQ24610型的芯片U1、SI7617DN型的芯片Q1、SI7617DN型的芯片Q2、SI7617DN型的芯片Q3、Sis412DN型的芯片Q4、Sis412DN型的芯片Q5、接口插座J1、保险丝F1、电容C10、电容C11、电阻R3、电阻R4、电容C6、电阻R6、电阻R1、电阻R2、电容C12、电容C7、电容C8、电容C9、电阻R7、电阻R5、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电阻R12、电阻R14、电阻R15、发光二极管D3、发光二极管D4、发光二极管D2、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电容C22、电容C13、BAT54C型的双向稳压芯片D1、电容C19、电容C20、6.8mH型的电感L1、电阻R13、电容C16、电阻R16、电阻R20、电容C21、电容C17、电容C18、电容C14、电容C15、接口插座J2、电阻R21、电阻R23、电阻R24、电阻R22、电容C23、电容C24；
U1的第1管脚分别连接C7的一端、R2的一端、Q4的第5脚、R5的一端、C1的一端、Q3的第5脚、C2的一端、C3的一端、C4的一端、C5的一端、V-SYS端，U1的第2管脚分别连接C7的另一端、C12的一端、R2的另一端、Q2的第5脚，C12的另一端接地，U1的第3管脚连接R11的一端，U1的第11管脚分别连接R10的一端、R19的一端，U1的第15管脚分别连接R9的一端、R18的一端，U1的第16管脚分别连接R8的一端、R17的一端，R17的另一端、R18的另一端、R19的另一端均接地，R8的另一端、R9的另一端、R10的另一端均连接Vref端，U1的第10管脚分别连接C22的一端、Vref端、U1的第4管脚，C22的另一端接地，U1的第5管脚连接D2的负极，U1的第9管脚连接D4的负极，U1的第8管脚连接D3的负极，U1的第6管脚分别连接C23的一端、R22的一端，C23的另一端接地，R22的另一端分别连接R21的一端、R23的一端、R24的一端，R21的另一端连接Vref端，R23的另一端、R24的另一端均接地，U1的第25管脚接地，U1的第7管脚连接C24的一端，C24的另一端接地，U1的第12管脚分别连接R20的一端、R16的一端、C21的一端，R20的另一端接地，U1的第13管脚分别连接C16的一端，R13的一端、Q3的第1脚、Q3的第2脚、Q3的第3脚、R16的另一端、C21的另一端、C17的一端、C18的一端、C14的一端、C15的一端、J2的第2脚，C17的另一端、C18的另一端、C14的另一端、C15的另一端、J2的第1脚、J2的第3脚均接地，U1的第14管脚分别连接C16的另一端、R13的另一端、L1的一端、C20的一端，C20的另一端接地，U1的第17管脚接地，U1的第19管脚连接Q5的第4脚，Q5的第1脚、Q5的第2脚、Q5的第3脚均接地，U1的第18管脚连接D1的正极、C19的一端，C19的另一端接地，U1的第22管脚分别连接D1的负极、C13的一端，U1的第20管脚分别连接C13的另一端、Q4的第1脚、Q4的第2脚、Q4的第3脚、Q5的第5脚、L1的另一端，U1的第21管脚连接Q4的第4脚，U1的第23管脚连接R7的一端，U1的第24管脚分别连接C8的一端、C9的一端、R1的一端，C8的另一端、C9的另一端均接地；
J1的第1脚接地，J1的第2脚连接F1的一端，F1的另一端分别连接R23的一端、R24的一端、Q1的第5脚、R12的一端、R14的一端、R15的一端，R12的另一端连接D3的正极，R14的另一端连接D4的正极，R15的另一端连接D2的正极，R23的另一端连接C10的一端，C10的另一端接地，R24的另一端连接C11的一端，C11的另一端接地，Q1的第1脚、Q1的第2脚、Q1的第3脚均连接C6的一端，C6的另一端分别连接Q1的第4脚、R6的一端、R11的另一端、Q2的第4脚，R6的另一端分别连接Q2的第1脚、Q2的第2脚、Q2的第3脚、R1的另一端；R7的另一端分别连接R5的另一端、C1的另一端、Q3的第4脚。
6.根据权利要求1所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路，其特征在于，所述交直流磁粉探伤仪电源处理电路还包括LED恒流驱动电路，所述LED恒流驱动电路和控制电路连接，所述LED恒流驱动电路包括LM5001MA/NOPB型的芯片U8、LM3414HVMR/NOPB型的芯片U9、电感L3、电阻R58、SS34型的稳压二极管D20、电容C42、电容C43、电阻R57、电阻R56、电阻R59、电容C39、电容C40、电阻R60、电阻R61、电感L4、SS34型的稳压二极管D21、发光二极管D22、发光二极管D23、发光二极管D24、电容C41；
U8的第1管脚分别连接D20的正极、L3的一端，U8的第2管脚分别连接L3的另一端、V-SYS端，U8的第3管脚连接C43的一端，C43的另一端接地，U8的第4管脚分别连接R58的一端、接地端，U8的第5管脚连接R58的另一端，U8的第6管脚分别连接R57的一端、R56的一端、R59的一端，R59的另一端接地，U8的第7管脚连接C42的一端，C42的另一端连接R57的另一端，U9的第1管脚连接C40的一端，U9的第2管脚分别连接C40的另一端、接地端，U9的第3管脚连接R60的一端，R60的另一端接地，U9的第4管脚接地，U9的第5管脚连接R61的一端，R61的另一端接地，U9的第7管脚分别连接D21的正极、L4的一端，U9的第8管脚分别连接D21的负极、D22的正极、C41的一端、C39的一端、R56的另一端、D20的负极，C39的另一端接地、D22的负极连接D23的正极，D23的负极连接D24的正极，D24的负极连接L4的另一端，C41的另一端接地。
7.一种磁粉探伤仪，其特征在于，包括如权利要求1-6任意一项所述的交直流磁粉探伤仪电源处理电路。
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