CN104752043A - 一种三相有载调压自耦变压器的调压方法 - Google Patents
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Abstract
一种全新三相自耦变压器调压的方法。通过变磁通调压的方式来实现三相自耦变压器调压；将调压绕组串联在公共绕组尾端，使得三相自耦电力变压器可以通过一个三相一体开关来满足三相自耦变压器调压的要求。
Description
技术领域
本发明涉及一种三相有载调压自耦变压器的调压方法，属于三相油浸式电力变压器涉及的技术领域，特别应用于三相有载调压自耦变压器。
背景技术
三相有载调压自耦变压器由于比同容量的普通电力变压器损耗约低40％左右，是电网中应用越来越广泛的电力变压器。江苏省网220kV的电力变压器全部采用自耦变压器，正式基于其显著的低损耗优势。三相有载调压自耦变压器传统的设计方案是：采用恒磁通调压(CFVV)方式，将调压绕组串联在串联绕组尾端，通过改变接入串联绕组的有效匝数来改变高压绕组的电压输出。此传统调压方法的缺点是，调压绕组位置由于不位于高压中性点(普通有载调压电力变压器其调压开关位于中性点)，三相自耦变压器需要三个单相开关来实现三相绕组连接，不能选用一个三相一体式的开关。然而选三个单相调压开关成本非常之高，是一个三相一体式调压开关采购成本的3倍左右，尤其是进口开关，两者差价往往在百万人民币左右，变压器整体的研制成本将大幅增加。
如图1所示，为传统型自藕变压器的调压接线原理图，调压绕组2位于串联绕组1的末端，调压绕组2的电流流出端子(即调压开关的电流流出端子)分别引至三相的公共绕组3的首端。因为三相一体式有载开关的电流流出端子是一个端子，所以，必须选用三个单相开关。
发明内容
本发明所要解决的是现有三相有载调压自耦变压器的调压方法中三相自耦变压器调压时必须选用三个单相调压开关，从而导致变压器整体研制成本大幅增加的技术问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种三相有载调压自耦变压器的调压方法，其特征在于，通过改变所述变压器的铁心磁通方式实现高压电压的调压，变压器中的串联绕组依次串联公共绕组、调压绕组，即调压绕组串联在公共绕组末端，且三相有载调压自耦变压器采用一个三相一体调压开关。
本发明采用变磁通调压(VFVV)方式，将调压绕组串联在公共绕组尾端(即中性点)，通过一个三相一体调压开关改变高压电压。本发明通过改变调压绕组的位置，使得选用一个三相一体式调压开关就足可以满足三相自耦变压器调压的要求，而其它参数并不受影响。
众所周知，无论单相还是三相分接开关都只有一个电流引出端子，在上述调压方式下，调压绕组放置在中性点，三相绕组连接可以通过一个三相一体开关连接，不受开关引出端子数量的束缚。
本发明依据的科学原理是：通过改变变压器铁心在每个分接的磁通幅值，从而来实现高压电压的调压，同时，二次侧电压的输出保持恒定。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：通过改变调压绕组的连接位置(调压开关位于公共绕组尾端)，使得三相自耦电力变压器可以通过一个三相一体开关来满足高压调压的要求，从而大幅节约分接开关的采购成本，变压器的整体成本也因此降低。
附图说明
图1为传统型自藕变压器的调压接线原理图；
图2为本发明提供的三相有载调压自耦变压器的调压接线原理图。
具体实施方式
为使本发明更明显易懂，兹以优选实施例，并配合附图作详细说明如下。
实施例
如图2所示，为本发明提供的三相有载调压自耦变压器的调压接线原理图，通过改变所述变压器的铁心磁通方式实现高压电压的调压，变压器中的串联绕组1依次串联公共绕组2、调压绕组3，即调压绕组3串联在公共绕组2末端，且三相有载调压自耦变压器采用一个三相一体调压开关。调压绕组2位于公共绕组3的末端，调压绕组2的电流流出端子(即调压开关的电流流出端子)连接在一起。因为三相一体式有载开关的电流流出端子是一个端子，所以，必须选用一个三相一体式开关即可实现调压。
根据法拉第电磁感应定律，有如下公式：
U＝4.44×f×N×φm ……式(1)
式(1)中，
U-变压器端电压有效值，单位为V；
f-变压器额定工作频率，单位为Hz；
N-变压器绕组的有效匝数；
φm-变压器铁心的刺痛幅值，单位为Wb；
从式(1)可以明显看出，通过改变绕组有效匝数N及铁心磁通幅值φm，都可以改变电压U的数值。传统的自耦变调压方式是通过仅改变绕组有效匝数N，保持铁心磁通幅值φm不变来实现电压的改变；而改进型的自耦变调压方式是通过同时改变绕组有效匝数N和铁心磁通幅值φm来实现电压的改变。
Claims (1)
1.一种三相有载调压自耦变压器的调压方法，其特征在于，通过改变所述变压器的铁心磁通方式实现高压电压的调压，变压器中的串联绕组(1)依次串联公共绕组(2)、调压绕组(3)，即调压绕组(3)串联在公共绕组(2)末端，且三相有载调压自耦变压器采用一个三相一体调压开关。
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