CN104716156A - 一种有机发光显示装置及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明所述的一种有机发光显示装置，电极电源线上直接形成有辅助导电层，并露出电极电源线的部分区域；第二电极延伸至所述非显示区域，并连续覆盖辅助导电层远离电极电源线的表面和电极电源线露出的表面。第二电极与电极电源线以及辅助导电层接触面积大，而且，电极电源线通过辅助电极层建立短导电路径相对容易，可以有效降低第二电极与电极电源线之间的接触电阻，从而减少电极电源线与第二电极之间的电压降。本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，工艺简单，制备成本低。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，具体涉及一种可降低电极电源线（VSS）电阻的有机发光显示装置及其制备方法。
背景技术
平板显示器具有完全平面化、轻、薄、省电等特点,是图像显示器发展的必然趋势和研究焦点。在各种类型的平板显示装置中，由于有源矩阵有机发光显示装置（英文全称为Active Matrix Organic Light Emitting Display，简称AMOLED）使用自发光的有机发光二极管（英文全称为Organic LightEmitting Diode，简称OLED）来显示图像，具有响应时间短，使用低功耗进行驱动，相对更好的亮度和颜色纯度的特性，所以有机发光显示装置已经成为下一代显示装置的焦点。
大型有源矩阵有机发光显示装置包括扫描线、数据线以及位于扫描线和数据线的交叉区域的多个像素单元，每个像素单元包括有机发光二极管和用于驱动所述有机发光二极管的像素电路，所述有机发光二极管的第二电极电连接至电极电源线（VSS），给所述有机发光二极管提供电压源。
如图1和2所示，中国专利CN101436608A公开了一种有机发光显示设备，包括基板110，设置在基板110上的显示区域100，显示区域100中包括薄膜晶体管TFT1，以及设置在薄膜晶体管TFT1上的有机发光装置200。有机发光装置200进一步包括像素电极210、与像素电极210相对设置的对向电极230，以及设置在像素电极210和对向电极230之间的至少包括发射层的中间层220。显示区域100外部还包括电极电源线190，对向电极230与电极电源线190暴露部分接触电连接。在所述有机发光显示设备的制备过程中，为了缩短工艺流程，显示区域100外部的电极电源线190通常与薄膜晶体管TFT1中的源极/漏极170以同种材料同层制备。在形成对向电极230与电极电源线190暴露部分接触电连接之前，现有工艺需要在电极电源线190上方依次沉积第一绝缘层181、第二绝缘层182以及第三绝缘层183，然后再将上述绝缘层进行部分刻蚀，以暴露部分或全部电极电源线190，再在所述中间层220上制备对向电极230，并延伸至电极电源线190暴露部分，从而实现对向电极230与电极电源线190的接触电连接。
对形成在电极电源线190上方的绝缘层进行刻蚀时，极易引起电极电源线190表面氧化，不但会增大电极电源线190的绝缘电阻（IR），还会增大对向电极230与电极电源线190之间的接触电阻，从而增大电极电源线190与对向电极230的电压降，甚至影响所述有机发光显示设备的良率。
针对上述问题，中国专利CN101436608A提出了一种解决方案，即在电极电源线190接触电连接辅助导电层190a（见图1）或辅助导电层190b（见图2）。由于辅助导电层190a和190b被第三绝缘层183覆盖，刻蚀形成在电极电源线190上方的绝缘层时，不会受刻蚀溶剂等外界因素的影响；从而使得辅助导电层190a和190b接触电极电源线190时，建立经过电极电源线190的较短的导电路径，降低电极电源线190的绝缘电阻，从而相对减少对向电极230与电极电源线190之间的接触电阻，减少电极电源线190与对向电极230之间的电压降。
但是在上述解决方案中，对向电极230与电极电源线190的接触面积比较小，对电极电源线190的绝缘电阻以及对向电极230与电极电源线190之间的接触电阻的减小作用有限。甚至在图2所示的结构中，辅助导电层190b为铟锡氧化物（ITO）层、电极电源线190为铝层，两者接触连接时，极易造成铝层被氧化、ITO层被还原的现象；从而使得辅助导电层190b与电极电源线190接触的部分电阻值增大、导电性能变差，反而会增加了辅助导电层190b与电极电源线190之间的接触电阻，加剧电极电源线190与对向电极230之间的电压降，降低所述有机发光显示设备的良率。
发明内容
为此，本发明所要解决的是有机发光显示装置中有机发光二极管的第二电极与电极电源线的接触电阻不能有效降低的问题，提供一种可降低电极电源线电阻的有机发光显示装置及其制备方法。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
本发明所述的一种有机发光显示装置，包括基板，设置在基板显示区域的薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管，设置在基板非显示区域的电极电源线；有机发光二极管包括依次堆叠的第一电极、有机发光层和第二电极，第一电极与薄膜晶体管中的源极或漏极接触电连接，第二电极与电极电源线接触电连接；所述电极电源线上直接形成有辅助导电层，并露出所述电极电源线的部分区域；所述第二电极延伸至所述非显示区域，并连续覆盖所述辅助导电层远离所述电极电源线的表面和所述电极电源线露出的表面。
所述电极电源线与所述薄膜晶体管的栅极或源/漏电极层同层以同种材料形成。
所述辅助导电层与所述第一电极同层以同种材料形成。
所述电极电源线与所述薄膜晶体管的源/漏电极层同层以同种材料形成。
在垂直方向上，所述薄膜晶体管中半导体层、栅极层以及源/漏电极层自下而上依次设置；所述半导体层、栅极层之间还设置有使之彼此绝缘的第一绝缘层；所述栅极层和所述源/漏电极层之间还设置有使之彼此绝缘的第二绝缘层。
所述第二绝缘层上直接设置有覆盖所述源/漏电极层的平坦化层，所述平坦化层延伸至所述非显示区域并覆盖所述电极电源线的边缘，所述第一电极直接设置在所述平坦化层上；所述第一电极通过设置在所述平坦化层上的第一通孔与所述源极或所述漏极接触电连接；所述辅助导电层通过设置在所述平坦化层上的第二通孔与所述电极电源线接触连接，所述辅助导电层延伸覆盖在所述第二通孔的侧壁上。
所述平坦化层上直接设置有覆盖所述第一电极的像素限定层，所述有机发光层通过设置在所述像素限定层中的第三通孔形成在所述第一电极上。
所述第二电极直接设置在所述像素限定层上，并覆盖形成在所述第一电极上的有机发光层；所述第二电极还延伸至所述非显示区域，并连续覆盖设置在所述辅助导电层和所述电极电源线。
所述基板上还直接形成有缓冲层，所述半导体层形成在所述缓冲层上。
本发明所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
S1、在基板的显示区域的垂直方向上依次形成薄膜晶体管中的半导体层、第一绝缘层、栅极层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层延伸至非显示区域；
S2、在第二绝缘层上直接形成覆盖显示区域和非显示区域的第一金属层，并图案化形成源极、漏极和电极电源线；
S3、在第二绝缘层上直接形成覆盖源极、漏极和电极电源线的平坦化层并图案化，在电极电源线的垂直上方形成贯通平坦化层的第二通孔以暴露电极电源线的部分或全部上表面；
S4、在平坦化层上直接形成覆盖显示区域和非显示区域的第二金属层并图案化，在显示区域形成第一电极、在非显示区域形成辅助导电层，第一电极延伸覆盖在第一通孔的侧壁上且与源极或漏极接触电连接，辅助导电层延伸覆盖在第二通孔的侧壁上且与电极电源线接触电连接；
S5、对直接设置在电极电源线上的辅助导电层进行部分刻蚀，以暴露电极电源线；
S6、在第二金属层上形成覆盖第一电极和辅助导电层的像素限定层并图案化，形成暴露第一电极的第三通孔以及暴露辅助导电层和电极电源线的第四通孔；
S7、在显示区域的像素限定层上直接形成覆盖第一电极的有机发光层；
S8、在像素限定层上直接形成覆盖有机发光层和辅助导电层和电极电源线的第二电极。
步骤S1中还包括在所述基板上直接形成缓冲层的步骤。
步骤S2中还包括形成两个贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层并暴露所述半导体层的第五通孔，所述第五通孔分别设置在所述栅极两侧，源极和漏极分别通过所述第五通孔与所述半导体层接触连接。
步骤S3所述平坦化层图案化的步骤中还包括在所述平坦化层中形成贯通的第一通孔以暴露所述源极或所述漏极表面的步骤。
步骤S8之后还包括第二电极设置封装层，对所述有机发光显示装置进行封装的步骤。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
1、本发明所述的一种有机发光显示装置，包括基板，设置在基板显示区域的薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管，设置在基板非显示区域的电极电源线；电极电源线上直接形成有辅助导电层，并露出电极电源线的部分区域；第二电极延伸至所述非显示区域，并连续覆盖辅助导电层远离电极电源线的表面和电极电源线露出的表面。第二电极与电极电源线以及辅助导电层接触面积大，而且，电极电源线通过辅助电极层建立短导电路径相对容易，可以有效降低第二电极与电极电源线之间的接触电阻，从而减少电极电源线与第二电极之间的电压降；另外，辅助电极层与电极电源线之间的接触面积小，即使辅助电极为导电氧化物、电极电源线为活泼金属，也不易产生被相互氧化还原的问题，进一步减小了第二电极与电极电源线之间的接触电阻，提高了所述有机发光显示装置的良率。
2、本发明所述的一种有机发光显示装置的制备方法，工艺简单，制备成本低。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是专利文件CN101436608A中一种所述有机发光显示设备的结构示意图（文件中说明书附图2）；
图2是专利文件CN101436608A中另一种所述有机发光显示设备的结构示意图（文件中说明书附图4）；
图3是本发明所述有机发光显示装置的结构示意图
图3中附图标记表示为：1-显示区域、2-非显示区域、110-基板、120-缓冲层、131-半导体层、132-第一绝缘层、133-栅极层、134-第二绝缘层、135-源极、136-漏极、141-电容下极板、142-电容上极板、150-平坦化层、161-第一电极、162-有机发光层、163-第二电极、170-像素限定层、180-封装层、210-电极电源线、220-辅助导电层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。
本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件；现有技术中，薄膜晶体管中源极和漏极通常由同种材料在同一层中形成，为了方便描述，本发明中以“源/漏电极层”概括源极和漏极所在的层。
实施例
本实施例提供一种有机发光显示装置，如图3所示，包括基板110，设置在基板显示区域1的薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管，设置在基板110非显示区域2的电极电源线210。
所述基板110选自但不限于玻璃基板或聚合物基板，本实施例优选玻璃基板。
所述基板110上还直接形成有缓冲层120，所述缓冲层为选自但不限于氧化硅和/或氮化硅形成的一层或多层堆叠结构，厚度为40～400nm，本实施例优选氧化硅层，厚度为230nm。
有机发光二极管包括依次堆叠的第一电极161、有机发光层162和第二电极163，第一电极161与薄膜晶体管中的源极135或漏极136接触电连接，第二电极163与电极电源线210接触电连接。
所述第一电极161选自但不限于铟锡氧化物(ITO)和/或铟锌氧化物(IZO)形成的一层或多层形成的堆叠层，厚度为50～150nm，本实施例优选ITO层，厚度为90nm。
所述第二电极163选自但不限于钙、铝、镁、银及其合金中的一种或多种合金或LiF形成的一层或多层形成的堆叠层，厚度为10～100nm，本实施例优选镁银合金层，厚度为30nm。
所述有机发光层162为三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，厚度为45nm。作为本发明的其他实施例，所述有机发光层162的材料可选自任一现有技术中有机小分子或聚合物分子发光物质，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
作为本发明的其他实施例，所述有机发光二极管中还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层以及电子注入层中的一种或几种的组合，以上各功能层的材料及厚度均同现有技术，本实施例不再赘述。
本实施例中所述薄膜晶体管优选顶栅型薄膜晶体管，即，在垂直方向上，所述薄膜晶体管中半导体层131、栅极层133以及源/漏电极层自下而上依次设置。
所述半导体层131、栅极层133之间还设置有使之彼此绝缘的第一绝缘层132；所述栅极层133和所述源/漏电极层之间还设置有使之彼此绝缘的第二绝缘层134；所述源/漏电极层中的源极135和漏极136可以互换.
所述半导体层131选自但不限于多晶硅层、非晶硅层或金属氧化物半导体层，厚度为30～80nm，本实施例优选多晶硅层，厚度为50nm。
所述第一绝缘层132选自但不限于氧化硅、氮化硅或氧化铝形成的一层或多层的堆叠层，厚度为50～150nm，本实施例优选氧化硅层，厚度为100nm。
所述栅极层133选自但不限于钼、钨、铬、铝、铜及其合金中的一种或多种形成的一层或多层堆叠层，厚度为200～400nm，本实施例优钼层，厚度为300nm。
所述第二绝缘层134选自但不限于氧化硅和/或氮化硅形成的一层或多层堆叠结构，厚度为200～500nm，本实施例优选氮化硅层，厚度为400nm。
所述源/漏电极层选自但不限于钛、银、铜、铝及其合金中的一种或多种形成的一层或多层堆叠结构，厚度为300～600nm，本实施例优选铝层，厚度为400nm。
所述电极电源线210与所述薄膜晶体管的栅极133或源/漏电极层同层以同种材料形成；本实施例优选所述电极电源线210与所述源/漏电极层同层以同种材料形成。作为本发明的其他实施例，所述薄膜晶体管还可以为底栅结构或双栅结构，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
所述第二绝缘层134上直接设置有覆盖所述源/漏电极层的平坦化层150，所述平坦化层150延伸至所述非显示区域2并覆盖所述电极电源线210的边缘；所述第一电极161直接设置在所述平坦化层150上；所述第一电极161通过设置在所述平坦化层150上的第一通孔与所述源极135或所述漏极136接触电连接；所述辅助导电层220通过设置在所述平坦化层150上的第二通孔与所述电极电源线210接触连接，所述辅助导电层220延伸覆盖在所述第二通孔的侧壁上。
所述平坦化层150选自但不限于聚酰亚胺、聚丙烯酸或聚硅氧烷中的一种或多种形成的一层或多层的堆叠结构，厚度为1500～3000nm，本实施例优选聚酰亚胺层，厚度为2000nm。
所述辅助导电层220与所述第一电极161同层以同种材料形成，且直接设置在所述电极电源线210上，并露出所述电极电源线210的部分区域；所述第二电极163延伸至所述非显示区域2，并连续覆盖所述辅助导电层220远离所述电极电源线210的表面和所述电极电源线210露出的表面。
所述平坦化层150上直接设置有覆盖所述第一电极161的像素限定层170，所述有机发光层162通过设置在所述像素限定层170中的第三通孔形成在所述第一电极161上。
所述第二电极163直接设置在所述像素限定层170上，并覆盖形成在所述第一电极161上的有机发光层162；所述第二电极163还延伸至所述非显示区域2，并连续覆盖设置在所述辅助导电层220和所述电极电源线210。
本实施例中，所述第二电极163还设置有封装层180，用于所述有机发光显示装置的密封。
本实施例中，所述电容器中的电容下极板141与所述栅极层133在同一层中以同种材料形成，所述电容器中的电容上极板142与所述源/漏电极层在同一层中以同种材料形成。
作为本发明的其他实施例，所述电容器中的电容下极板141和电容上极板142还可以独立形成，在多晶硅薄膜晶体管中，所述电容下极板141或电容上极板142可以与多晶硅薄膜晶体管中的半导体层同层制备，通过离子注入的方式实现电极化；以上均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
S1、在基板110上形成缓冲层120，在显示区域1的垂直方向上依次形成薄膜晶体管中的半导体层131、第一绝缘层132、栅极层133和第二绝缘层134，第一绝缘层132和第二绝缘层134延伸至非显示区域2。
所述缓冲层120的制备方法选自但不限于化学气相沉积法（CVD），本实施例优选等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。
所述半导体层131的制备方法为：先采用PECVD方法沉积一层50nm的非晶硅层，去氢处理后使用激光晶化的方法将非晶硅层转变为多晶硅层。
所述第一绝缘层132的制备方法选自但不限于化学气相沉积法（CVD），本实施例优选等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。
所述栅极层133的制备方法为：以金属Mo为靶材，使用磁控溅射在第一绝缘层上沉积一层Mo金属层，再通过光刻和干法刻蚀工艺将所述Mo金属层图案化，形成栅极层133。
所述第二绝缘层134的制备方法选自但不限于化学气相沉积法（CVD），本实施例优选等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）。
S2、通过诱导耦合等离子体（ICP）刻蚀工艺，形成两个贯通第一绝缘层132和第二绝缘层134并暴露所述半导体层131的第五通孔，所述第五通孔分别设置在所述栅极层133两侧，在第二绝缘层134上直接形成覆盖显示区域1和非显示区域2的第一金属层，并图案化形成源极135、漏极136和电极电源线210，源极135和漏极136分别与半导体层131接触连接。
S3、通过涂布工艺，在第二绝缘层134上直接形成覆盖源极135、漏极136和电极电源线210的平坦化层150，通过光刻工艺图案化，在源极135或漏极136的垂直上方形成贯通平坦化层150的第一通孔以暴露源极135或漏极136的表面，在电极电源线210的垂直上方形成贯通平坦化层150的第二通孔以暴露电极电源线210的部分或全部上表面。
S4、通过磁控溅射工艺，在平坦化层150上直接形成覆盖显示区域1和非显示区域2的第二金属层，通过湿法刻蚀工艺图案化，在显示区域1形成第一电极161在非显示区域2形成辅助导电层220；第一电极161延伸覆盖在第一通孔的侧壁上且与源极135或漏极136接触电连接，辅助导电层210延伸覆盖在第二通孔的侧壁上且与电极电源线210接触电连接。
S5、通过湿法刻蚀工艺对直接设置在电极电源线210上的辅助导电层220进行部分刻蚀，以暴露电极电源线210。
S6、通过涂布工艺在第二金属层上形成覆盖第一电极161和辅助导电层220的像素限定层170，通过光刻工艺图案化，形成暴露第一电极161的第三通孔以及暴露辅助导电层220和电极电源线210的第四通孔。
S7、通过蒸镀工艺在显示区域1的像素限定层170上直接形成覆盖第一电极161的有机发光层162。
S8、通过蒸镀工艺在像素限定层170上直接形成覆盖有机发光层162和辅助导电层220和电极电源线210的第二电极163。
S9、通过玻璃粉封装工艺在所述第二电极163上设置封装层180，对所述有机发光显示装置进行封装。
对比例1
本对比例提供一种有机发光显示装置，具体结构和实施方式同实施例，唯一不同的是，所述电极电源线210上未设置辅助导电层220。
对比例2
本对比例提供一种有机发光显示装置，具体结构和实施方式同实施例，唯一不同的是，所述辅助电极层220如图1中所示，被覆盖在所述像素限定层170中。
对比例3
本对比例提供一种有机发光显示装置，具体结构和实施方式同实施例，唯一不同的是，所述辅助电极层220如图2中所示，被覆盖在所述像素限定层170中，且所述第二电极163直接与所述辅助电极层220接触连接。
通过安捷伦B1500A半导体参数测试仪对上述实施例和对比例中所述的有机发光显示装置进行测试。
| 电极电源线的绝缘电阻（IR） | |
| 实施例 | 2.1KΩ |
| 对比例1 | 3.5KΩ |
| 对比例2 | 3.2KΩ |
| 对比例3 | 4.9KΩ |
由上述数据可知，实施例中所提供的一种有机发光显示装置中电极电源线的绝缘电阻远小于对比例1-3中所述有机发光显示装置中电极电源线的绝缘电阻，从而可有效降低第二电极与电极电源线之间的接触电阻，以保证产品的生产良率，大幅降低了生产成本。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (14)
1.一种有机发光显示装置，包括基板，设置在基板显示区域的薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管，设置在基板非显示区域的电极电源线；有机发光二极管包括依次堆叠的第一电极、有机发光层和第二电极，第一电极与薄膜晶体管中的源极或漏极接触电连接，第二电极与电极电源线接触电连接；其特征在于，所述电极电源线上直接形成有辅助导电层，并露出所述电极电源线的部分区域；所述第二电极延伸至所述非显示区域，并连续覆盖所述辅助导电层远离所述电极电源线的表面和所述电极电源线露出的表面。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述电极电源线与所述薄膜晶体管的栅极或源/漏电极层同层以同种材料形成。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述辅助导电层与所述第一电极同层以同种材料形成。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述电极电源线与所述薄膜晶体管的源/漏电极层同层以同种材料形成。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，在垂直方向上，所述薄膜晶体管中半导体层、栅极层以及源/漏电极层自下而上依次设置；所述半导体层、栅极层之间还设置有使之彼此绝缘的第一绝缘层；所述栅极层和所述源/漏电极层之间还设置有使之彼此绝缘的第二绝缘层。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二绝缘层上直接设置有覆盖所述源/漏电极层的平坦化层，所述平坦化层延伸至所述非显示区域并覆盖所述电极电源线的边缘，所述第一电极直接设置在所述平坦化层上；所述第一电极通过设置在所述平坦化层上的第一通孔与所述源极或所述漏极接触电连接；所述辅助导电层通过设置在所述平坦化层上的第二通孔与所述电极电源线接触连接，所述辅助导电层延伸覆盖在所述第二通孔的侧壁上。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述平坦化层上直接设置有覆盖所述第一电极的像素限定层，所述有机发光层通过设置在所述像素限定层中的第三通孔形成在所述第一电极上。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二电极直接设置在所述像素限定层上，并覆盖形成在所述第一电极上的有机发光层；所述第二电极还延伸至所述非显示区域，并连续覆盖设置在所述辅助导电层和所述电极电源线。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述基板上还直接形成有缓冲层，所述半导体层形成在所述缓冲层上。
10.一种权利要求1-9任一所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在基板的显示区域的垂直方向上依次形成薄膜晶体管中的半导体层、第一绝缘层、栅极层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层延伸至非显示区域；
S2、在第二绝缘层上直接形成覆盖显示区域和非显示区域的第一金属层，并图案化形成源极、漏极和电极电源线；
S3、在第二绝缘层上直接形成覆盖源极、漏极和电极电源线的平坦化层并图案化，在电极电源线的垂直上方形成贯通平坦化层的第二通孔以暴露电极电源线的部分或全部上表面；
S4、在平坦化层上直接形成覆盖显示区域和非显示区域的第二金属层并图案化，在显示区域形成第一电极、在非显示区域形成辅助导电层，第一电极延伸覆盖在第一通孔的侧壁上且与源极或漏极接触电连接，辅助导电层延伸覆盖在第二通孔的侧壁上且与电极电源线接触电连接；
S5、对直接设置在电极电源线上的辅助导电层进行部分刻蚀，以暴露电极电源线；
S6、在第二金属层上形成覆盖第一电极和辅助导电层的像素限定层并图案化，形成暴露第一电极的第三通孔以及暴露辅助导电层和电极电源线的第四通孔；
S7、在显示区域的像素限定层上直接形成覆盖第一电极的有机发光层；
S8、在像素限定层上直接形成覆盖有机发光层和辅助导电层和电极电源线的第二电极。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S1中还包括在所述基板上直接形成缓冲层的步骤。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S2中还包括形成两个贯通所述第一绝缘层和所述第二绝缘层并暴露所述半导体层的第五通孔，所述第五通孔分别设置在所述栅极两侧，源极和漏极分别通过所述第五通孔与所述半导体层接触连接。
13.根据权利要求10所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S3所述平坦化层图案化的步骤中还包括在所述平坦化层中形成贯通的第一通孔以暴露所述源极或所述漏极表面的步骤。
14.根据权利要求10-13任一所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S8之后还包括第二电极设置封装层，对所述有机发光显示装置进行封装的步骤。
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