CN104699355B - 一种自容式触摸显示面板及其阵列基板和触控装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种自容式触摸显示面板及其阵列基板及触控装置，该阵列基板包括：衬底；栅极线、数据线以及像素单元，像素单元包括：像素电极；像素薄膜晶体管；多个触摸驱动薄膜晶体管，触摸驱动薄膜晶体管的栅极连接一条栅极线，其第一极连接一条数据线；公共电极层，包括多个触控显示电极，每一触控显示电极与至少两个连接不同栅极线的触摸驱动薄膜晶体管的第二极电连接；连接同一栅极线的触摸驱动薄膜晶体管与像素薄膜晶体管的导通电压不同；数据线选通电路，用于控制设定的数据线在显示时序段为设定的像素单元提供显示数据信号，在触控时序段为设定的像素单元提供触控检测数据信号。本申请简化了制作工艺，降低了制作成本以及面板厚度。

Description

一种自容式触摸显示面板及其阵列基板和触控装置

技术领域

本发明涉及触控显示技术领域，更具体的说，涉及一种自容式触摸显示面板及其阵列基板和触控装置。

背景技术

触摸显示的发展初始阶段，触摸显示面板是由触摸面板与显示面板贴合而成，以实现触摸显示。需要单独制备触摸面板与显示面板，成本高，厚度较大，且生产效率低。

随着自容式触摸显示技术的发展，可以将显示面板的阵列基板的公共电极兼做自容式触控检测的触摸感测电极，通过分时驱动，分时序的进行触摸控制与显示控制，可以同时实现触摸与显示功能。这样，将触摸感测电极直接集成在显示面板内，大大降低了制作成本，提高了生产效率，并降低了面板厚度。

当复用公共电极进行触摸检测时，需要将公共电极层分割为多个公共触控显示电极。同时，为了实现触摸与显示的分时控制，需要为每个公共触控显示电极需要通过单独的走线提供电压信号，通过所述走线，在触摸时序为对应公共触控显示电极提供触摸感测信号，在显示时序为对应公共触控显示电极提供显示驱动电压。

现有的自容式触摸显示面板一般需要单独沉积一层金属层，通过该金属层制备触控显示电极的走线，这样会导致自容式触摸显示面板制作工艺复杂，成本较高，且单独的走线层，增加了面板厚度。

发明内容

为解决上述问题，本申请实施例提供一种自容式触摸显示面板及其阵列基板和触控装置，简化了自容式触摸显示面板的制作工艺，降低了成本以及面板厚度。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种自容式触摸显示面板的阵列基板，该阵列基板包括：

衬底，包括显示区以及边框区；

多条栅极线、多条数据线，所述栅极线和所述数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元；

所述像素单元包括：

像素电极；

像素薄膜晶体管，所述像素薄膜晶体管的栅极连接一条所述栅极线，所述像素薄膜晶体管的第一极连接一条所述数据线，所述像素薄膜晶体管的第二极连接一所述像素电极；

多个触摸驱动薄膜晶体管，所述触摸驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管同层设置，所述触摸驱动薄膜晶体管的栅极连接一条所述栅极线，所述触摸驱动薄膜晶体管的第一极连接一条所述数据线；

设置在所述显示区的公共电极层，所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控显示电极，每一所述触控显示电极与至少两个连接不同所述栅极线的所述触摸驱动薄膜晶体管的第二极电连接；连接同一所述栅极线的所述触摸驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管在该栅极线被扫描时的导通电压不同；

设置在所述边框区的数据线选通电路，所述数据线选通电路控制所述数据线在显示时序段为所述像素电极提供显示数据信号，为所述触控显示电极提供公共电压信号；在触控时序段为触控显示电极提供触控检测数据信号。

本发明还提供了一种自容式触摸显示面板，该自容式触摸显示面板包括：

相对设置的阵列基板以及彩膜基板；所述阵列基板为上述任一项所述的阵列基板；

位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层；

设置在所述阵列基板边框区的驱动芯片，所述驱动芯片与所述阵列基板的数据线选通电路电连接。

本发明还提供了一种触控装置，该触控装置包括上述自容式触摸显示面板。

通过上述描述可知，本申请实施例所述阵列基板的公共电极层分割为多个触控显示电极，可以进行自容式触控检测。所述触控显示电极的走线复用阵列基板像素单元的数据线，通过所述数据线选通电路可以分时序的为对应的触控显示电极提供公共电压、显示数据信号以及触控检测数据信号，这样无需单独沉积金属层用于制作触控显示电极的走线，简化了制作工艺，降低了制作成本以及面板厚度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为一种阵列基板的俯视图；

图2为一种阵列基板的层次关系示意图；

图3为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种数据线选通电路的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的另一种数据线选通电路的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种自容式触摸显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参考图1，图1为一种阵列基板的俯视图，包括：在衬底上相对设置的公共电极层以及走线层。其中，公共电极层分割为多个触控显示电极11，所述走线层包括多条与所述触控显示电极一一对应的走线12。所述阵列基板还包括：多个像素单元、多条数据线以及多条栅极线。所述像素单元包括：像素电极以及像素薄膜晶体管。所述多个像素单元、多条数据线以及多条栅极线在图1中未体现。

参考图2，图2为一种阵列基板的层次关系示意图，衬底21一侧设置有像素薄膜晶体管、栅极线以及数据线。像素薄膜晶体管的栅极g设置在衬底21的表面，栅极线(图2中未示出)与栅极g同层设置。栅极线与栅极g背离衬底21的表面设置有栅绝缘层22，栅绝缘层22背离衬底21的表面设置有源区a以及与有源区连接的漏极d以及源极s。数据线(图2中未示出)与源极s电连接，数据线可以与源极s同层或是设置在其他层。源极s、漏极d以及有源区a背离衬底21的表面设置有第一绝缘层23。第一绝缘层23背离衬底21的表面设置有走线层，走线层包括多条走线12。走线层12背离衬底21的表面设置有第二绝缘层24，第二绝缘层背离衬底21的表面设置有公共电极层。公共电极层包括多个与走线一一对应电连接的触控显示电极11。公共电极层背离衬底21的表面设置有第三绝缘层26，第三绝缘层26背离衬底21的表面设置有像素电极25。

其中，触控显示电极11通过过孔与对应的走线12电连接，像素电极25通过过孔与所在像素单元的像素薄膜晶体管的漏极d电连接。

通过上述描述可知，当公共电极层用于触摸检测时，需要单独沉积一层走线层，通过走线层为每个触摸显示电极均单独连接一条走线，制作工艺复杂，成本高，且增加了面板厚度。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种阵列基板，用于自容式触摸显示面板。

参考图3，图3为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括：衬底31，包括显示区311以及边框区312；设置在所述显示区311的多条栅极线32以及多条数据线33，所述栅极线32和所述数据线33绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元34；多个触摸驱动薄膜晶体管T2；设置在所述显示区311的公共电极层；设置在所述边框区的数据线选通电路35。

至少一个像素单元34包括：像素电极P以及像素薄膜晶体管T1。所述像素薄膜晶体管T1的栅极连接一条所述栅极线32，所述像素薄膜晶体管T1的第一极连接一条所述数据线33，所述像素薄膜晶体管T1的第二极连接一所述像素电极P。本申请实施例中，所述第一极与所述第二极中，一个为漏极，另一个为源极，如可以设定所述第一极为源极，设定所述第二极为漏极。

所述触摸驱动薄膜晶体管T2与所述像素薄膜晶体管T1同层设置，所述触摸驱动薄膜晶体管T2的栅极连接一条所述栅极线32，所述触摸驱动薄膜晶体管T2的第一极连接一条所述数据线33。所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控显示电极Pad，每一触控显示电极Pad与至少两个连接不同栅极线32的所述触摸驱动薄膜晶体管T2的第二极电连接。连接同一所述栅极线32的所述触摸驱动薄膜晶体管T2与所述像素薄膜晶体管T1在该栅极线33被扫描时的导通电压不同。通过所述栅极线32输入不同的扫描信号，可以控制连接同一所述栅极线32的所述像素薄膜晶体管T1打开，所述触摸驱动薄膜晶体管T2关闭；或是所述像素薄膜晶体管T1关闭，所述触摸驱动薄膜晶体管T2打开；或是所述像素薄膜晶体管T1与所述触摸驱动薄膜晶体管T2均关闭。

每一触控显示电极Pad至少具有两个触摸驱动薄膜晶体管T2，这两个触摸驱动薄膜晶体管T2的栅极不连接同一栅极线32，且其第二电极连接所对应的触控显示电极Pad。

所述数据线选通电路35控制数据线33在显示时序段为设定的像素电极P提供显示数据信号，为触控显示电极Pad提供公共电压信号；在触控时序段为触控显示电极Pad提供触控检测数据信号。

这样，在显示时序段，对各栅极线32进行逐一扫描，通过各数据线33为各像素电极P提供显示数据信号，即在分别为各像素电极P充电时，总可以通过不进行显示扫描的栅极线32至少打开一个触摸驱动薄膜晶体管T2，并通过与被打开的触摸驱动薄膜晶体管T2电连接的数据线33为其所在的触控显示电极Pad提供公共电压信号，从而进行显示。在触控时序段，由于无需对栅极线进行显示扫描，数据线33无需输入公共电压信号以及显示数据信号，可以通过栅极线32打开至少一个触摸驱动薄膜晶体管T2，并通过与被打开的触摸驱动薄膜晶体管T2电连接的数据线33为其所在的触控显示电极Pad提供触控检测数据信号。对任意栅极线32进行扫描时，该栅极线32上的触摸驱动薄膜晶体管T2关闭，像素薄膜晶体管T1打开。

同一触控显示电极Pad中，当多个触摸驱动薄膜晶体管T2打开时，连接有被开触摸驱动薄膜晶体管T2的数据线33通过触摸驱动薄膜晶体管T2为所在触控显示电极Pad输入显示数据信号、触控检测数据信号或公共电压信号时，不同数据线33要同时进行信号输入。

在本申请实施例中，连接同一所述栅极线32的所述触摸驱动薄膜晶体管T2与所述像素薄膜晶体管T1在该栅极线被扫描时的多个选通单元导通电压不同，以便于分时控制显示时序段以及触控时序段。为了使得连接同一所述栅极线32的所述触摸驱动薄膜晶体管T2与所述像素薄膜晶体管T1在该栅极线被扫描时的导通电压不同，可以设置所述像素薄膜晶体管T1为PMOS，所述触摸驱动薄膜晶体管T2为NMOS；或，所述像素薄膜晶体管T1为NMOS，所述触摸驱动薄膜晶体管T2为PMOS。当栅极线32输入的电压信号大于NMOS的阈值电压时，NMOS打开，PMOS关闭；当栅极线输入的电压信号小于PMOS的阈值电压时，NMOS关闭，PMOS打开；当栅极线输入的电压信号位于NMOS的阈值电压与PMOS的阈值电压之间时，NMOS与PMOS均关闭。

图3中，每个触控显示电极Pad对应的衬底区域设置有至少两个触摸驱动薄膜晶体管T2。至少两个触摸驱动薄膜晶体管T2连接所在触控显示电极Pad中的不同数据线33和不同的栅极线32。位于同一数据线33的触摸驱动薄膜晶体管T2电连接同一触控显示电极Pad，如数据线S1上的触摸驱动薄膜晶体管T2仅与图3中上面的触控显示电极Pad电连接。

图3所述阵列基板中，在显示时序段，进行显示扫描时，对整个阵列基板的栅极线可以从第一条栅极线32向最后一条栅极线32扫描(正向扫描)，或是从最后一条栅极线32到第一条栅极线32扫描(反向扫描)；也可以采用其他逐行扫描的方式。

对任一触控显示电极Pad，在任意时刻，对某一栅极线32进行扫描，并通过与该栅极线对应的数据线33输入显示数据信号时，可以对该触控显示电极Pad对应的其他未被扫描的栅极线32提供用于打开触摸驱动薄膜晶体管T2的控制信号，打开触摸驱动薄膜晶体管T2，并通过与被打开的触摸驱动薄膜晶体管T2连接的数据线33为该触控显示电极Pad提供公共电压信号。

本申请中，每个触控显示电极Pad至少与两个触摸驱动薄膜晶体管T2的第二极连接，所述两个触摸驱动薄膜晶体管T2的栅极连接不同的栅极线32，所述两个触摸驱动薄膜晶体管T2的源极连接不同的数据线33。图3中所示实施方式每个触控显示电极Pad设置有两个触摸驱动薄膜晶体管T2。

图3中，当第一栅极线G1进行扫描时，与第一栅极线G1连接的像素薄膜晶体管T1均打开，与第一栅极线G1连接的触摸驱动薄膜晶体管T2均关闭。此时，为第一数据线S1显示数据信号，第一行第一列的像素电极P充电，为第三数据线S3提供公共电压信号。在第一数据线S1完成显示数据信号输入后，为第二数据线S2输入显示数据信号，第一行第二列的像素电极P充电，同样为第三数据线S3提供公共电压信号，以实现第一行第二列的像素电极P对应像素单元34的显示。

在第二数据线S2完成显示数据信号输入后，关闭第一栅极线G1，对第二栅极线G2进行扫描，为第三数据线S3提供显示数据信号，第一行第三列像素电极P充电，此时为第一数据线S1提供公共电压信号。

如上述在为第一行第一列的像素电极P充电时，需要通过第三数据线S3上的触摸驱动薄膜晶体管为触控显示电极Pad提供公共电压信号，第三数据线S3接入公共电压信号，由于此时第一栅极线G1上的像素薄膜晶体管T1均为打开状态，第三数据线S3接入公共电压信号会为第一行第三列的像素电极P充电，影响该像素电极P对应像素单元34的显示。为了避免上述问题，保证较好的显示在同一触控显示电极Pad中，与所述触摸驱动薄膜晶体管T2连接同一条所述数据线33的部分所述像素单元34位于所述边框区132；或是，在同一触控显示电极Pad中，与所述触摸驱动薄膜晶体管T2连接同一条所述数据线33的至少部分所述像素单元34为白色像素单元。在图3所述实施方式中，可以设定第一行第三列的像素单元位于边框区132或是为白色像素单元。

在触控时序段，由于无需对栅极线32进行扫描，对任一触控显示电极Pad，可以对该触控显示电极Pad对应的栅极线32提供用于打开触摸驱动薄膜晶体管T2的控制信号，打开触摸驱动薄膜晶体管T2，并通过与被打开的触摸驱动薄膜晶体管T2连接的数据线33为该触控显示电极Pad提供触控检测数据信号。

图3中，每个触控显示电极Pad对应四条数据线33以及五条栅极线32。为了图示方便，仅示出了一列触控显示电极Pad。触控显示电极Pad行数以及个数，触控显示电极Pad对应的栅极线32、数据线33以及像素电极P的数目不做限定，可以根据面板尺寸设定。

在本申请所述阵列基板中，所述公共电极层可以位于所述像素电极P与所述衬底31之间。或，所述像素电极P位于所述公共电极层与所述衬底31之间。

为了保证每个像素单元34的开口率，保证每个像素单元34具有较好的透光效率，设定连接同一数据线33的所述触摸驱动薄膜晶体管T2与所述像素薄膜晶体管T1分别设置在所述数据线33的两侧，且在同一像素单元34内至多设置一个所述触摸驱动薄膜晶体管T2。

与同一数据线连接的所述触摸驱动薄膜晶体管的第二电极均与同一所述触控显示电极电连接。这样通过某一设定数据线33输入触控检测数据信号，仅为一个触控显示电极Pad提供所述触控检测数据信号，以便于实现触控检测。

通过上述描述可知，本申请实施例所述阵列基板的公共电极层分割为多个触控显示电极Pad，可以进行自容式触控检测。所述触控显示电极Pad的走线复用阵列基板像素单元34的数据线，以便于为触控显示电极Pad提供共用电压信号或触控检测数据信号，这样无需单独沉积金属层用于制作触控显示电极Pad的走线，简化了制作工艺，降低了制作成本以及面板厚度。

本申请实施例中，所述数据线选通电路35包括：多个选通单元，所述选通单元包括多个时钟信号端、至少一个输出端、第一输入端和第二输入端。其中，一个所述时钟信号端对应连接一条时钟信号线；一个所述输出端对应连接一条所述数据线；所述第一输入端连接触摸显示数据信号线，所述触摸显示数据信号线用于提供所述显示数据信号与所述触控检测数据信号；所述第二输入端连接公共电压信号线，所述公共电压信号线用于提供所述公共电压信号。每个所述选通单元包括一个所述第一输入端和一个所述第二输入端。

参考图4，图4为本申请实施例提供的一种数据线选通电路的结构示意图，图4所述数据线选通电路包括：多个选通单元41，所述选通单元41包括多个薄膜晶体管组42，所述薄膜晶体管组42包括第一薄膜晶体管M1以及第二薄膜晶体管M2。

所述第一薄膜晶体管M1的第一极与所述第二薄膜晶体管M2的第一极连接同一数据线33，所述第一薄膜晶体管M1的栅极与所述第二薄膜晶体管M2的栅极连接同一时钟信号线；所述第一薄膜晶体管M1的第二极连接公共电压信号线44，所述公共电压信号线44用于提供公共电压信号com；所述第二薄膜晶体管M2的第二极连接触摸显示数据信号线43，所述触摸显示数据信号线43用于提供所述显示数据信号与所述触控检测数据信号。

每一选通单元41内不同的薄膜晶体管组42连接不同的时钟信号线，所述薄膜晶体管组42均连接同一触摸显示数据信号线。同一所述薄膜晶体管组42的第一薄膜晶体管M1与第二薄膜晶体管M2的导通电压不同。不同选通单元41内的薄膜晶体管组42连接不同的触摸显示数据信号线43。所有薄膜晶体管组42连接同一公共电压信号线44。

通过所述薄膜晶体管组42，控制对应的时钟信号，如果控制某一第一薄膜晶体管M1导通时，则所述公共电压信号线44可以通过该第一薄膜晶体管M1为对应的数据线33提供公共电压信号com，如果控制所述第二薄膜晶体管M2导通时，则所述触摸显示数据信号线43可以通过该第二薄膜晶体管M2为对应的数据线33提供显示数据信号或是显示数据信号。

本申请实施例所述数据线选通电路，可数据线33可以用于输入显示数据信号、触控检测数据信号或是公共电压信号。同时，多条数据线共用一条触摸显示数据信号线43，全部的数据线33共用同一条公共电压信号线44，简化了阵列基板边框区的走线布局，以及数据输入端口。

为了实现同一薄膜晶体管组42中所述第一薄膜晶体管M1与所述第二薄膜晶体管M2在同一时钟信号下的导通电压不同，可以设置所述第一薄膜晶体管为PMOS，所述第二薄膜晶体管为NMOS；或，所述第一薄膜晶体管为NMOS，所述第二薄膜晶体管为PMOS。

在图4所示实施方式中，所述选通单元41包括第一薄膜晶体管组、第二薄膜晶体管组以及第三薄膜晶体管组。所述数据线包括第一数据线S1、第二数据线S2以及第三数据线S3，所述第一数据线S1、第二数据线S2以及第三数据线S3与第一颜色像素单元、第二颜色像素单元以及第三颜色像素单元一一对应电连接。

所述第一薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的第一极与第二薄膜晶体管M2的第一极电连接第一数据线S1，所述第二薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的第一极与第二薄膜晶体管M2的第一极电连接第二数据线S2，所述第三薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的第一极与第二薄膜晶体管M2的第一极电连接第三数据线S3。

所述第一薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的栅极与第二薄膜晶体管M2的栅极电连接第一时钟信号线，用于提供第一时钟信号CK1。所述第二薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的栅极与第二薄膜晶体管M2的栅极电连接第二时钟信号线，用于提供第二时钟信号CK2。所述第三薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的栅极与第二薄膜晶体管M2的栅极电连接第三时钟信号线，用于提供第三时钟信号CK3。

在图4所示实施方式中，三条数据线对应同一触摸显示数据信号线43，通过同一触摸显示数据信号线43为三条数据线33提供显示数据信号或是触控检测数据信号。

图4中以第一薄膜晶体管M1为PMOS、第二薄膜晶体管M2为NMOS进行图示。

此时，显示时：第二时钟信号CK2传输高电位时，输入第二时钟信号CK2的各第二薄膜晶体管M2打开，输入第二时钟信号CK2的第一薄膜晶体管M1关闭；第一时钟信号CK1与第三时钟信号CK3传输低电位，输入第一时钟信号CK1或第三时钟信号CK3的各第一薄膜晶体管M1打开，输入第一时钟信号CK1或第三时钟信号CK3的各第二薄膜晶体管M2关闭，公共电压信号线44传输公共电压信号com，实现正常的显示。

触控时，第一时间段，第一时钟信号CK1输入高电位，输入第一时钟信号CK1的各第二薄膜晶体管M2打开，触摸显示数据信号线43输入触控检测数据信号进行触控检测；第二时间段，第二时钟信号CK2输入高电位，输入第二时钟信号CK2的各第二薄膜晶体管M2打开，触摸显示数据信号线43输入触控检测数据信号进行触控检测；第三时间段，第三时钟信号CK3输入高电位，输入第三时钟信号CK3的各第三薄膜晶体管M2打开，触摸显示数据信号线43输入触控检测数据信号进行触控检测。

参考图5，图5为本申请实施例提供的另一种数据线选通电路的结构示意图，图5所述数据线选通电路中一个选通单元41包括：第一薄膜晶体管组、第二薄膜晶体管组、第三薄膜晶体管组、第四薄膜晶体管组、第五薄膜晶体管组以及第六薄膜晶体管组，即一个选通单元41具有六个薄膜晶体管组42。此时，所述数据线33包括：连接第一颜色像素单元的第一数据线S1和第二数据线S2、连接第二颜色像素单元的第三数据线S3和第四数据线S4以及连接第三颜色像素单元第五数据线S5和第六数据线S6。图5中以第一薄膜晶体管M1是PMOS、第二薄膜晶体管M2是NMOS进行图示。

所述第一薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的第一极与第二薄膜晶体管M1的第一极电连接第一数据线S1，所述第二薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的第一极与第二薄膜晶体管M2的第一极电连接第二数据线S2，所述第三薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的第一极与第二薄膜晶体管M2的第一极电连接第三数据线S3，所述第四薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的第一极与第二薄膜晶体管M2的第一极电连接第四数据线S4，所述第五薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的第一极与第二薄膜晶体管M2的第一极电连接第五数据线S5，所述第六薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的第一极与第二薄膜晶体管M2的第一极电连接第六数据线S6。

所述第一薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的栅极与第二薄膜晶体管M2的栅极电连接第一时钟信号线，用于提供第一时钟信号CK1。所述第二薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的栅极与第二薄膜晶体管M2的栅极电连接第二时钟信号线，用于提供第二时钟信号CK2。所述第三薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的栅极与第二薄膜晶体管M2的栅极电连接第三时钟信号线，用于提供第三时钟信号CK3。所述第四薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的栅极与第二薄膜晶体管M2的栅极电连接第四时钟信号线，用于提供第四时钟信号CK4。所述第五薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的栅极与第二薄膜晶体管M2的栅极电连接第五时钟信号线，用于提供第五时钟信号CK5。所述第六薄膜晶体管组中第一薄膜晶体管M1的栅极与第二薄膜晶体管M2的栅极电连接第六时钟信号线，用于提供第六时钟信号CK6。

在图5所示实施方式中，六条数据线33对应同一触摸显示数据信号线43，通过同一触摸显示数据信号线43为六条数据线33提供显示数据信号或是显示数据信号。

本申请实施例所述阵列基板中，为IPS驱动模式，像素电极与公共电极层均设置在所述衬底上，且设置在所述沉底的同一侧。

通过上述描述可知，本申请实施例所述阵列基板通过复用数据线作为触控显示电极的走线，所述数据线可以用于输入公共电极信号、触控检测数据信号或是显示数据信号，无需为触控显示电极单独沉积一层走线层，简化了制作工艺流程，降低了成本以及面板厚度。同时，通过所述数据选通电路，能够简化边框区走线布局，以及减少数据输入端口，便于数据线的驱动控制。

本申请实施例还提供了一种自容式触摸显示面板，参考图6，图6为本申请实施例提供的一种自容式触摸显示面板的结构示意图，该自容式触摸显示面板包括：相对设置的阵列基板61以及彩膜基板62；位于所述阵列基板61与所述彩膜基板62之间的液晶层63；设置在所述阵列基板边框区的驱动芯片(图6中未示出)，所述驱动芯片与所述阵列基板61的数据线选通电路电连接，用于为所述数据线提供显示数据信号。

所述自容式触摸显示面板可以用于手机、电脑以及电视等电子设备。本实施例所示自容式触摸显示面板中，所述阵列基板61为上述实施例所述的阵列基板，因此，制作工艺简单，成本低，面板厚度小，走线布局简单，驱动芯片用于和数据选通电路的触摸显示数据信号线连接的端口少。

本申请实施例还提供了一种触控装置，所述触控装置包括上述自容式触摸显示面板。所述触控装置可以为手机、电脑以及电视等电子设备。

所述触控装置制作工艺简单，成本低，面板厚度小，走线布局简单，驱动芯片用于和数据选通电路的触摸显示数据信号线连接的端口少。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (15)

1.一种自容式触摸显示面板的阵列基板，包括：

衬底，包括显示区以及边框区；

多条栅极线、多条数据线，所述栅极线和所述数据线绝缘交叉限定出多个阵列排布的像素单元；

至少一个所述像素单元包括：

像素电极；

像素薄膜晶体管，所述像素薄膜晶体管的栅极连接一条所述栅极线，所述像素薄膜晶体管的第一极连接一条所述数据线，所述像素薄膜晶体管的第二极连接一所述像素电极；

多个触摸驱动薄膜晶体管，所述触摸驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管同层设置，所述触摸驱动薄膜晶体管的栅极连接一条所述栅极线，所述触摸驱动薄膜晶体管的第一极连接一条所述数据线；

设置在所述显示区的公共电极层，所述公共电极层包括多个相互绝缘的触控显示电极，每一所述触控显示电极与至少两个连接不同所述栅极线的所述触摸驱动薄膜晶体管的第二极电连接；连接同一所述栅极线的所述触摸驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管在该栅极线被扫描时的导通电压不同；

设置在所述边框区的数据线选通电路，所述数据线选通电路控制所述数据线在显示时序段为所述像素电极提供显示数据信号，为所述触控显示电极提供公共电压信号；在触控时序段为触控显示电极提供触控检测数据信号。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线选通电路包括：多个选通单元，所述选通单元包括多个时钟信号端、至少一个输出端、第一输入端和第二输入端；

其中，一个所述时钟信号端对应连接一条时钟信号线；一个所述输出端对应连接一条所述数据线；所述第一输入端连接触摸显示数据信号线，所述 触摸显示数据信号线用于提供所述显示数据信号与所述触控检测数据信号；所述第二输入端连接公共电压信号线，所述公共电压信号线用于提供所述公共电压信号。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述选通单元包括多个薄膜晶体管组，所述薄膜晶体管组包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极连接同一所述数据线，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接同一所述时钟信号线；所述第一薄膜晶体管的第二极连接所述第二输入端；所述第二薄膜晶体管的第二极连接所述第一输入端。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

每一所述选通单元内不同的所述薄膜晶体管组连接不同的所述时钟信号线，所述薄膜晶体管组均连接同一所述触摸显示数据信号线；

同一所述薄膜晶体管组的所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的导通电压不同。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，不同所述选通单元内的所述薄膜晶体管组连接不同的所述触摸显示数据信号线；所有所述薄膜晶体管组连接同一所述触摸显示数据信号线。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为PMOS，所述第二薄膜晶体管为NMOS；

或，所述第一薄膜晶体管为NMOS，所述第二薄膜晶体管为PMOS。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在同一触控显示电极中，与所述触摸驱动薄膜晶体管连接同一条所述数据线的部分所述像素单元位于所述边框区；

或是，在同一触控显示电极中，与所述触摸驱动薄膜晶体管连接同一条所述数据线的至少部分所述像素单元为白色像素单元。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述选通单元包括第一薄膜晶体管组、第二薄膜晶体管组以及第三薄膜晶体管组；

所述数据线包括第一数据线、第二数据线以及第三数据线，所述第一数据线、所述第二数据线以及所述第三数据线与第一颜色像素单元、第二颜色像素单元以及第三颜色像素单元一一对应电连接；

所述第一薄膜晶体管组中所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接所述第一数据线，所述第二薄膜晶体管组中所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接所述第二数据线，所述第三薄膜晶体管组中所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接所述第三数据线。

9.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述选通单元包括：第一薄膜晶体管组、第二薄膜晶体管组、第三薄膜晶体管组、第四薄膜晶体管组、第五薄膜晶体管组以及第六薄膜晶体管组；

所述数据线包括：连接第一颜色像素单元的第一数据线和第二数据线、连接第二颜色像素单元的第三数据线和第四数据线以及连接第三颜色像素单元第五数据线和第六数据线；所述第一薄膜晶体管组中所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接所述第一数据线，所述第二薄膜晶体管组中所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接所述第二数据线，所述第三薄膜晶体管组中所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接所述第三数据线，所述第四薄膜晶体管组中所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接所述第四数据线，所述第五薄膜晶体管组中所述第一薄膜晶体管的第 一极与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接所述第五数据线，所述第六薄膜晶体管组中所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第二薄膜晶体管的第一极电连接所述第六数据线。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素薄膜晶体管为PMOS，所述触摸驱动薄膜晶体管为NMOS；

或，所述像素薄膜晶体管为NMOS，所述触摸驱动薄膜晶体管为PMOS。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层位于所述像素电极与所述衬底之间；

或，所述像素电极位于所述公共电极层与所述衬底之间。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，连接同一所述数据线的所述触摸驱动薄膜晶体管与所述像素薄膜晶体管分别设置在所述数据线的两侧。

13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，与同一所述数据线连接的所述触摸驱动薄膜晶体管的第二电极均与同一所述触控显示电极电连接。

14.一种自容式触摸显示面板，其特征在于，包括：

相对设置的阵列基板以及彩膜基板；所述阵列基板为权利要求1-13任一项所述的阵列基板；

位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层；

设置在所述阵列基板边框区的驱动芯片，所述驱动芯片与所述阵列基板的数据线选通电路电连接。

15.一种触控装置，其特征在于，包括如权利要求14所述的自容式触摸显示面板。