CN104678617A - 一种测试装置及其制作方法、显示装置 - Google Patents
一种测试装置及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104678617A CN104678617A CN201510126271.6A CN201510126271A CN104678617A CN 104678617 A CN104678617 A CN 104678617A CN 201510126271 A CN201510126271 A CN 201510126271A CN 104678617 A CN104678617 A CN 104678617A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- test electrode
- test
- transparency conducting
- conducting layer
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 145
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 7
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 13
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical group O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 20
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136254—Checking; Testing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
Abstract
本发明公开了一种测试装置及其制作方法、显示装置,该测试装置包括第一测试电极和第二测试电极;所述第一测试电极与阵列基板的导电金属层电连接,所述导电金属层为栅极金属层或源漏金属层;所述第二测试电极与设置在所述阵列基板上的第一透明导电层电连接,且所述第一透明导电层与彩膜基板上的第二透明导电层电连接。该测试装置可以在第一测试电极和第二测试电极上加直流电压,完成对整张液晶显示面板的液晶特性参数的测试,相对于实验室自制的液晶测试盒测试,由于可以在工厂条件下直接完成测试,不需要液晶测试盒等设备,因此其测试结果更加准确,而且测试过程快捷,成本低廉。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种测试装置及其制作方法、显示装置。
背景技术
在薄膜晶体管液晶显示器(Active Matrix Organic LightingEmitting Display,简称TFT-LCD)制造业中,经常会伴有因材料及工艺污染产生的不良;及时准确的分析出不良原因,提出解决方案,对提高产品质量,节约制造成本,增加盈利具有非常重要的意义。
评价液晶屏污染的主要参数有电压保持率(Voltage Holding Ratio,简称VHR)、离子浓度(Ion Density)、残留直流电压(RDC)等;其中测试整张液晶屏(Panel)的液晶特性需要对整张液晶屏加直流电压,而目前技术无法实现对整张液晶屏加直流电压,其测试方法一种是对整张液晶屏进行部分测试,其测试的数据也并非整张液晶屏的数据,存在一定的误差;还有一种测试方法是模拟工厂量产条件在实验室自制小型的液晶测试盒(Minicell)进行测试,但是由于实验室条件及设备局限性无法得到与工厂相同条件的测试盒,且人为污染较大,使实验结果缺乏准确性,失去了测试的意义。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明提供了一种测试装置及其制作方法、显示装置,以准确的测试出整张液晶屏的特征参数。
第一方面,本发明提供一种测试装置,包括第一测试电极和第二测试电极;
所述第一测试电极与阵列基板的导电金属层电连接,所述导电金属层为栅极金属层或源漏金属层;
所述第二测试电极与设置在所述阵列基板上的第一透明导电层电连接,且所述第一透明导电层与彩膜基板上的第二透明导电层电连接。
可选的,所述第一测试电极通过过孔与导电金属层电连接。
可选的,所述第一透明导电层与所述第二透明导电层通过导电介质相连接。
可选的,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材质为氧化铟锡。
可选的,所述导电介质为导电封框胶或导电隔垫物。
可选的,所述导电封框胶为掺杂有金属导电物质的封框胶。
可选的,所述导电金属层在与所述导电封框胶对应的区域设置为镂空结构。
可选的,所述第一测试电极和所述第二测试电极设置在阵列基板的非显示区域。
可选的,所述第一测试电极和所述第二测试电极设置在所述阵列基板的边缘区域。
可选的,所述第一测试电极和所述第二测试电极与所述第一透明导电层通过同一次构图工艺形成。
第二方面,本发明还提供了一种显示装置,包括上述所述的测试装置。
第三方面,本发明还提供了一种测试装置的制作方法,包括:
在阵列基板上形成导电金属层,所述导电金属层为栅极金属层或源漏金属层,
形成与所述导电金属层电连接的第一测试电极,形成与所述阵列基板的第一透明导电层电连接的第二测试电极;
在将所述阵列基板与彩膜基板对盒时,将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接。
可选的,所述方法还包括:
在阵列基板上形成过孔,所述第一测试电极通过所述过孔与所述导电金属层电连接。
可选的,所述将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接包括:
设置封框胶时设置一部分导电封框胶,从而所述导电封框胶将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接;或
设置隔垫物时设置一部分导电隔垫物,从而所述导电隔垫物将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接。
可选的,所述形成与所述导电金属层电连接的第一测试电极,形成与所述阵列基板的第一透明导电层电连接的第二测试电极,包括:
形成第一透明导电材料层后,通过构图工艺同时形成第一测试电极、第二测试电极和第一透明导电层。
由上述技术方案可知,本发明提供的一种测试装置及其制作方法、显示装置,通过设置第一测试电极和第二测试电极,可以实现在第一测试电极和第二测试电极上加直流电压,完成对整张液晶显示面板的液晶特性参数的测试,相对于实验室自制的液晶测试盒测试,由于可以在工厂条件下直接完成测试,不需要液晶测试盒等设备,因此其测试结果更加准确,而且测试过程快捷,成本低廉。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的测试装置的结构示意图;
图2为本发明一实施了提供的测试装置中在导电介质处剖开的的截面示意图;
图3为本发明一是实施例提供的测试装置的制作方法的流程示意图;
其中附图标记说明:
1、第一测试电极;2、第二测试电极;3、阵列基板;4、过孔;5、导电金属层;6、彩膜基板;7、第二透明导电层;8、第一透明导电层;9、导电介质;10、封框胶;11、绝缘介质;12、基底。
具体实施方式
下面结合附图,对发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,而不能以此来限制本发明的保护范围。
图1示出了一种示出了本发明实施例提供的测试装置的结构示意图,如图1所示,该测试装置,包括:设置在阵列基板上的第一测试电极1和第二测试电极2;
所述第一测试电极1与所述阵列基板3的导电金属层5电连接,所述导电金属层5具体为栅极金属层或源漏极金属层,;所述第二测试电极2与设置在所述阵列基板3上的第一透明导电层8电连接,且所述第一透明导电层8与彩膜基板6上的第二透明导电层7电连接。
在一个具体的实施中,第一测试电极1与栅极金属层或源漏金属层5通过过孔4电连接。
具体的,所述第一透明导电层与所述第二透明导电层可以通过导电介质9相连接。
上述测试装置通过在阵列基板上设置第一测试电极和第二测试电极,通过设置第一测试电极和第二测试电极,可以实现在第一测试电极和第二测试电极上加直流电压,完成对整张液晶显示面板的液晶特性参数的测试,相对于实验室自制的液晶测试盒测试,由于可以在工厂条件下直接完成测试,不需要液晶测试盒等设备,因此其测试结果更加准确,而且测试过程快捷,成本低廉。
上述第一透明导电层8和第二透明导电层7的材质为氧化铟锡(ITO)。
上述导电介质9为导电封框胶,为了使阵列基板上的第一透明导电层和彩膜基板上的第二透明导电层更好的连接,故连接第一透明导电层和第二透明导电层的导电封框胶为掺杂有金属导电物质的封框胶。
举例来说,该金属导电物质可以为金球。
所述栅极金属层或源漏极金属层5在与所述导电封框胶对应的区域设置为镂空结构,以便于紫外光(UV)照射导电封框胶,使导电封框胶固化。
在具体应用中,该测试装置为了不影响阵列基板和测试基板的对盒,以及影响显示面板的显示,所述第一测试电极1和所述第二测试电极2设置在阵列基板的非显示区域。其中,阵列基板的边缘超出了彩膜基板的边缘,具体的,所述第一测试电极1和所述第二测试电极2设置在所述阵列基板的边缘区域,具体该边缘区域超出所述彩膜基板的边缘区域。也可以理解为,图1为彩膜基板与阵列基板叠加后的示意图,阵列基板边缘大于彩膜基板边缘,且在阵列基板超出彩膜基板的边缘区域设置第一测试电极和第二测试电极,本实施例不再通过其他附图来解释说明阵列基板和彩膜基板的位置关系。
具体的,所述第一测试电极和所述第二测试电极与所述第一透明导电层通过同一次构图工艺形成。将第一测试电极和第二测试电极与所述第一透明导电层通过同一次构图工艺形成可以不增加新的电极制作工艺,当然第一测试电极和第二测试电极也可以为另外设置的金属层。
如图1所示的上述测试装置中,在阵列基板上的第一透明导电层和彩膜基板上的第二透明导电层之间还设置有固定所述阵列基板和所述彩膜基板的封框胶10,该封框胶为不导电的封框胶。
如图2所示的测试装置中在导电介质9处剖开的截面示意图,如图2所示,所述第一透明导电层8和设置在基底12上的所述栅极金属层或源漏极金属层5之间通过绝缘介质11设置绝缘,本实施例不对该绝缘介质的材料进行限定。
在另一个可实现的方式中,上述导电介质9也可以为导电隔垫物,通过该导电隔垫物将阵列基板上的第一透明导电层和彩膜基板上的第二透明导电层进行电连接。
相应的,在导电介质9处剖开的截面示意图,如图2所示,所述第一透明导电层8和设置在基底12上的可以为栅极金属层或源漏极金属层的导电金属层5之间通过绝缘介质11设置绝缘,本实施例不对该绝缘介质的材料进行限定。
上述测试装置无需再模拟工厂量产条件在实验室自制小型的液晶测试盒(Minicell)进行测试,即可准确的测试出液晶显示面板的液晶特性参数,降低了由于实验室条件及设备局限性无法得到工厂相同条件的测试盒,而导致的人为污染,提高了测试的准确性。
图3示出了本发明实施例提供的一种测试装置的制作方法的流程示意图,如图3所示,该测试装置的制作方法包括如下步骤:
301、在阵列基板上形成导电金属层,所述导电金属层为栅极金属层或源漏金属层;
302、形成与所述导电金属层电连接的第一测试电极,形成与所述阵列基板的第一透明导电层电连接的第二测试电极;
303、在将所述阵列基板与彩膜基板对盒时,将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接。
上述方法通过制作在阵列基板上形成第一测试电极和第二测试电极,通过上述测试电极可以获得整个液晶显示面板的特性参数,其测试结果准确。
具体的,上述方法还包括图3中未示出的步骤304:
304、在阵列基板上形成过孔,所述第一测试电极通过所述过孔与所述导电金属层电连接。
具体的,上述步骤304主要是用于在阵列基板形成后,在上述步骤完成后,再执行步骤302中在阵列基板上形成第一测试电极。
其中,上述步骤302中所述在所述阵列基板上形成与所述导电金属层电连接的第一测试电极,形成与所述阵列基板的第一透明导电层电连接的第二测试电极,包括:
形成第一透明导电材料层后,通过构图工艺同时形成第一测试电极、第二测试电极和第一透明导电层。
上述可以通过真空沉积或磁控溅射的方式形成第一透明导电材料层,通过例如为刻蚀的构图工艺形成第一测试电极、第二测试电极和第一透明导电层。
通过一次构图工艺形成第一透明导电层、第一测试电极和第二测试电极,减少了构图工艺的次数,当然第一测试电极和第二测试电极也可以设置在其他金属层上,本实施例不对此进行限定。
上述步骤303所述将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接包括:
设置封框胶时设置一部分导电封框胶,从而所述导电封框胶将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接;或
设置隔垫物时设置一部分导电隔垫物,从而所述导电隔垫物将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接。
本实施例还提供了一种显示装置,包括上述测试装置。
举例来说,上述显示装置可以为电视、计算机、平板电脑以及移动电话等具有显示功能的设备。
本发明的说明书中,说明了大量具体细节。然而,能够理解,本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中,并未详细示出公知的方法、结构和技术,以便不模糊对本说明书的理解。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围,其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。
Claims (16)
1.一种测试装置,其特征在于,包括第一测试电极和第二测试电极;
所述第一测试电极与阵列基板的导电金属层电连接,所述导电金属层为栅极金属层或源漏金属层;
所述第二测试电极与设置在所述阵列基板上的第一透明导电层电连接,且所述第一透明导电层与彩膜基板上的第二透明导电层电连接。
2.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述第一测试电极通过过孔与所述导电金属层电连接。
3.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述第一透明导电层与所述第二透明导电层通过导电介质相连接。
4.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述第一透明导电层和所述第二透明导电层的材质为氧化铟锡。
5.根据权利要求3所述的测试装置,其特征在于,所述导电介质为导电封框胶或导电隔垫物。
6.根据权利要求5所述的测试装置,其特征在于,所述导电封框胶为掺杂有金属导电物质的封框胶。
7.根据权利要求5所述的测试装置,其特征在于,所述导电金属层在与所述导电封框胶对应的区域设置为镂空结构。
8.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述第一测试电极和所述第二测试电极设置在阵列基板的非显示区域。
9.根据权利要求8所述的测试装置,其特征在于,所述第一测试电极和所述第二测试电极设置在所述阵列基板的边缘区域。
10.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于,所述第一透明导电层和所述导电金属层之间设置绝缘。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的测试装置,其特征在于,所述第一测试电极和所述第二测试电极与所述第一透明导电层通过同一次构图工艺形成。
12.一种显示装置,其特征在于,包括上述权利要求1-10中任一项所述的测试装置。
13.一种测试装置的制作方法,其特征在于,包括:
在阵列基板上形成导电金属层,所述导电金属层为栅极金属层或源漏金属层;
形成与所述导电金属层电连接的第一测试电极,形成与所述阵列基板的第一透明导电层电连接的第二测试电极;
在将所述阵列基板与彩膜基板对盒时,将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在阵列基板上形成过孔,所述第一测试电极通过所述过孔与所述导电金属层电连接。
15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接包括:
设置封框胶时设置一部分导电封框胶,从而所述导电封框胶将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接;或
设置隔垫物时设置一部分导电隔垫物,从而所述导电隔垫物将所述阵列基板上的第一透明导电层与所述彩膜基板上的第二透明导电层电连接。
16.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述形成与所述导电金属层电连接的第一测试电极,形成与所述阵列基板的第一透明导电层电连接的第二测试电极,包括:
形成第一透明导电材料层后,通过构图工艺同时形成第一测试电极、第二测试电极和第一透明导电层。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510126271.6A CN104678617A (zh) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | 一种测试装置及其制作方法、显示装置 |
US14/744,110 US10042222B2 (en) | 2015-03-20 | 2015-06-19 | Test device and method of manufacturing the same, display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510126271.6A CN104678617A (zh) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | 一种测试装置及其制作方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104678617A true CN104678617A (zh) | 2015-06-03 |
Family
ID=53313909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510126271.6A Pending CN104678617A (zh) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | 一种测试装置及其制作方法、显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10042222B2 (zh) |
CN (1) | CN104678617A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220149027A1 (en) * | 2020-11-06 | 2022-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating display device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111897154B (zh) * | 2020-08-21 | 2023-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 透过率测试治具及测试方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101387801A (zh) * | 2007-09-10 | 2009-03-18 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示面板 |
CN101561591A (zh) * | 2008-04-17 | 2009-10-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | 封框胶涂覆固化方法、封框胶和液晶面板 |
CN101661169A (zh) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器亮点或暗点检测方法及其装置 |
CN102944959A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-02-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置 |
CN103217840A (zh) * | 2013-04-18 | 2013-07-24 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE8801637D0 (sv) * | 1988-04-29 | 1988-04-29 | Jim Stevens | Electrochromic device and a method to manufacture the same |
US5012314A (en) * | 1989-03-31 | 1991-04-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display restoring apparatus |
US6052172A (en) * | 1996-05-29 | 2000-04-18 | Enplas Corporation | Contacting device for display panel |
US20050099587A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-05-12 | Min-Chih Hsuan | Method for repairing white spots in liquid crystal display panel |
WO2005115060A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
KR20070077282A (ko) * | 2006-01-23 | 2007-07-26 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치, 액정 표시판 조립체, 및 표시 장치의 검사 방법 |
TWI357981B (en) * | 2007-01-30 | 2012-02-11 | Au Optronics Corp | Testing system and method of liquid crystal displa |
JP4725577B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2011-07-13 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
US8212973B2 (en) * | 2008-09-15 | 2012-07-03 | Wintek Corporation | Color filter substrate and liquid crystal display |
TWI395000B (zh) * | 2009-03-18 | 2013-05-01 | Au Optronics Corp | 平面顯示面板及其亮點修補方法 |
US20120002145A1 (en) * | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Chimei Innolux Corporation | System for displaying images |
JP5578132B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2014-08-27 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
EP2853940B1 (en) * | 2012-08-22 | 2019-09-11 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method for inspecting an electrophoretic display substrate |
KR20140094723A (ko) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판, 그것의 검사 방법 및 그것을 포함하는 액정 표시 장치 |
KR102037206B1 (ko) * | 2013-04-03 | 2019-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그것의 검사 방법 |
KR20140137948A (ko) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
CN103558945A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-02-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控显示装置 |
CN103744236B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-02-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素结构 |
-
2015
- 2015-03-20 CN CN201510126271.6A patent/CN104678617A/zh active Pending
- 2015-06-19 US US14/744,110 patent/US10042222B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101387801A (zh) * | 2007-09-10 | 2009-03-18 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示面板 |
CN101561591A (zh) * | 2008-04-17 | 2009-10-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | 封框胶涂覆固化方法、封框胶和液晶面板 |
CN101661169A (zh) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器亮点或暗点检测方法及其装置 |
CN102944959A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-02-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其制作方法、其测试方法及显示装置 |
CN103217840A (zh) * | 2013-04-18 | 2013-07-24 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、制备方法以及液晶显示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220149027A1 (en) * | 2020-11-06 | 2022-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating display device |
US12074152B2 (en) * | 2020-11-06 | 2024-08-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160275836A1 (en) | 2016-09-22 |
US10042222B2 (en) | 2018-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103792736B (zh) | 一种对盒后的母板、液晶显示面板及对应的制作方法 | |
CN102650763B (zh) | 一种液晶显示屏及其制造方法与显示器 | |
CN104851404B (zh) | 阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置 | |
US10139680B2 (en) | Method of manufacturing display panel, display panel, and display device | |
CN104932166B (zh) | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 | |
CN102692740B (zh) | 一种液晶显示装置及其阵列基板、制造方法 | |
CN105204252A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板 | |
US9305982B2 (en) | Liquid crystal panel and manufacturing method of the liquid crystal panel | |
CN105552024B (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
JP2016166982A (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2015158052A1 (zh) | 大板加电线路及其制造方法 | |
CN104076537A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置及测量方法 | |
JP2004212955A (ja) | 液晶表示装置 | |
CN102629037B (zh) | 阵列基板、液晶面板及其制造方法 | |
CN104678617A (zh) | 一种测试装置及其制作方法、显示装置 | |
CN104090389A (zh) | 测试元件组、阵列基板、显示装置和测试方法 | |
CN103995408B (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
CN103676378A (zh) | 阵列基板、液晶面板及阵列基板的制作方法 | |
JPWO2009020027A1 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
CN100578328C (zh) | 一种易于测量tft特性的阵列基板 | |
CN105676553A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 | |
CN103633101A (zh) | 一种阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置 | |
CN104269412B (zh) | Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置 | |
JP2006078741A (ja) | 液晶表示パネル及びその検査方法並びにそれに用いる検査装置 | |
US20160274404A1 (en) | Display panel, display device, and method for manufacturing display panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150603 |