CN104658470A - Oled像素电路 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种OLED像素电路，属于电路结构技术领域。采用了该结构的OLED像素电路，由于其包括以二极管形式串联于第一电容与第六晶体管之间的第七晶体管，从而在发光阶段能够有效控制第六晶体管关断时漏电流的产生，避免第一电容电位流失，从而使像素颜色均匀，进而保证显示器的整体显示效果，且本发明的OLED像素电路，其结构简单，成本低廉，应用范围较为广泛。

Description

OLED像素电路

技术领域

本发明涉及电路结构技术领域，特别涉及应用于显示器的电路结构技术领域，具体是指一种OLED像素电路。

背景技术

现有的OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）像素电路如图1所示，OLED像素电路时序图如图2所示。在发光阶段中，前一行扫描线的扫描信号scan[n-1]处于高电平，连接于电容C1的晶体管T6关断。此时晶体管T6产生的漏电流Ioff会造成电容C1的电位损失，由此会产生像素颜色不均，进而对显示器的整体显示效果产生负面影响。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种能够有效控制晶体管漏电流的产生，避免电容电位流失，从而使像素颜色均匀，进而保证显示器的整体显示效果，且结构简单，成本低廉，应用范围较为广泛的OLED像素电路。

为了实现上述的目的，本发明的OLED像素电路具有如下构成：

该OLED像素电路形成于由多列数据线、多行扫描线及多行发光线所限定的像素阵列中，所述的像素阵列包括多个像素。所述的OLED像素电路包括：有机发光元件、七个晶体管以及一个电容。

其中，第一晶体管用以在所述扫描线的扫描信号驱动下传递所述的数据线的数据信号电压；第二晶体管用以在所述的数据信号电压的驱动下产生驱动电流；第三晶体管用以检测所述的第二晶体管的阈值电压偏差并进行补偿；第四晶体管用以在所述发光线的发光信号驱动下向所述的第二晶体管提供电源电压；第五晶体管串联于所述的第二晶体管与有机发光元件之间，用以在所述发光信号驱动下向所述的有机发光元件提供由第二晶体管产生的驱动电流；第一电容用以存储所述的数据信号电压并向所述的第二晶体管传递该数据信号电压；第六晶体管用以在前一行扫描线的扫描信号驱动下放电所述的第一电容；第七晶体管以二极管形式串联于所述的第一电容与所述的第六晶体管之间，用以控制所述的第六晶体管关断时产生的漏电流。

该OLED像素电路中，所述的第六晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的前一行扫描线的扫描信号，其漏极连接初始化电压；且所述的第七晶体管为P沟道场效应晶体管，其源极连接于所述的第一电容的一端，其栅极与其漏极相互连接并连接于所述的第六晶体管的源极。

该OLED像素电路中，所述的第一晶体管为开关晶体管，该开关晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的扫描线扫描信号，其源极连接所述的数据线数据信号电压，其漏极连接所述的第二晶体管。

该OLED像素电路中，所述的第二晶体管为驱动晶体管，该驱动晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的第一电容的一端，其源极连接所述的第一晶体管的漏极，其漏极通过所述的第五晶体管连接所述的有机发光元件。

该OLED像素电路中，所述的第三晶体管为阈值补偿晶体管，该阈值补偿晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的扫描线扫描信号，其源极连接于所述的第二晶体管的漏极，其漏极连接于所述的第二晶体管的栅极，用以在所述的扫描信号的驱动下，将所述的第二晶体管连接为二极管形式，并对第二晶体管阈值电压偏差进行补偿。

该OLED像素电路中，所述的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管及第七晶体管均为薄膜场效应晶体管。

采用了该发明的OLED像素电路，由于其包括以二极管形式串联于第一电容与第六晶体管之间的第七晶体管，从而在发光阶段能够有效控制第六晶体管关断时漏电流的产生，避免第一电容电位流失，从而使像素颜色均匀，进而保证显示器的整体显示效果，且本发明的OLED像素电路，其结构简单，成本低廉，应用范围较为广泛。

附图说明

图1为现有中的OLED像素电路示意图。

图2为OLED像素电路时序图。

图3为本发明的OLED像素电路示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的技术内容，特举以下实施例详细说明。

请参阅图3所示，为本发明的OLED像素电路示意图。

在一种实施方式中，该OLED像素电路形成于由多列数据线、多行扫描线及多行发光线所限定的像素阵列中，所述的像素阵列包括多个像素。该OLED像素电路由有机发光元件EL1、七个薄膜场效应晶体管T1～T7以及第一电容C1组成。

其中，第一晶体管T1用以在所述扫描线的扫描信号scan[n]驱动下传递所述的数据线的数据信号电压VDATAm；第二晶体管T2用以在所述的数据信号电压VDATAm的驱动下产生驱动电流；第三晶体管T3用以检测所述的第二晶体管T2的阈值电压偏差并进行补偿；第四晶体管T4用以在所述发光线的发光信号emi[n]驱动下向所述的第二晶体管T2提供电源电压VDD；第五晶体管T5串联于所述的第二晶体管T2与有机发光元件EL1之间，用以在所述发光信号emi[n]驱动下向所述的有机发光元件EL1提供由第二晶体管T2产生的驱动电流；第一电容C1用以存储所述的数据信号电压VDATAm并向所述的第二晶体管T2传递该数据信号电压VDATAm；第六晶体管T6用以在前一行扫描线的扫描信号scan[n-1]驱动下放电所述的第一电容C1；第七晶体管T7以二极管形式串联于所述的第一电容C1与所述的第六晶体管T6之间，用以控制所述的第六晶体管T6关断时产生的漏电流Ioff。

在优选的实施方式中，所述的第六晶体管T6为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的前一行扫描线的扫描信号scan[n-1]，其漏极连接初始化电压Vinit；所述的第七晶体管T7为P沟道场效应晶体管，其源极连接于所述的第一电容C1的一端，其栅极与其漏极相互连接并连接于所述的第六晶体管T6的源极。

在更优选的实施方式中，所述的第一晶体管T1为开关晶体管，该开关晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的扫描线扫描信号scan[n]，其源极连接所述的数据线数据信号电压VDATAm，其漏极连接所述的第二晶体管T2。所述的第二晶体管T2为驱动晶体管，该驱动晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的第一电容C1的一端，其源极连接所述的第一晶体管T1的漏极，其漏极通过所述的第五晶体管T5连接所述的有机发光元件EL1。所述的第三晶体管T3为阈值补偿晶体管，该阈值补偿晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的扫描线扫描信号scan[n]，其源极连接于所述的第二晶体管T2的漏极，其漏极连接于所述的第二晶体管T2的栅极，用以在所述的扫描信号scan[n]的驱动下，将所述的第二晶体管T2连接为二极管形式，并对第二晶体管T2阈值电压偏差进行补偿。

在实际应用中，本发明的OLED像素电路的时序也如图2所示。

首先，在初始化阶段（initialization period），前一扫描信号scan[n-1]处于低电平，扫描信号scan[n]和发光信号emi[n]处于高电平。第六晶体管T6由处于低电平的前一扫描信号scan[n-1]驱动导通，第一至第五晶体管T1～T5关断。形成对于第一电容C1充电的初始化路径，以在第一电容C1中储存第二晶体管（驱动晶体管）的栅极电压。

之后为程序阶段（programming period），此时，前一扫描信号scan[n-1]和发光信号emi[n]处于高电平，扫描信号scan[n]处于低电平。第六晶体管T6关断，第三晶体管T3导通，第二晶体管T2连接为二极管形式。

此时，开关晶体管T1导通，开关晶体管T4和T5关断，由此形成一数据程序路径，数据电压VDATAm通过阈值补偿晶体管T3施加到驱动晶体管T2的栅极。由于驱动晶体管T2以二极管形式连接，施加在驱动晶体管T2栅极的电压为VDATAm-V_TH(T2)，V_TH(T2)为驱动晶体管T2的阈值电压，同时该栅极电压被存储到第一电容C1中，以此完成程序阶段。

最后为发光阶段（light-emitting period），此时，前一扫描信号scan[n-1]和扫描信号scan[n]处于高电平，而发光信号emi[n]处于低电平。从而将开关晶体管T4、T5导通，开关晶体管T1、阈值补偿晶体管T3和第六晶体管T6关断，形成一发光路径。同时，由数据信号电压产生的驱动电流施加到驱动晶体管T2的栅极，从而导通驱动晶体管T2和有机发光元件EL1，使有机发光元件EL1发光。此时流入有机发光元件EL1的电流IEL1如下式所示：

$I_{\mathrm{EL}1}=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}\left(T2\right)})}^2$

$I_{\mathrm{EL}1}=\frac{\mathrm{\β}}{2}{(V_{\mathrm{DD}}-V_{\mathrm{DATA}}+V_{\mathrm{TH}\left(T2\right)}-V_{\mathrm{TH}\left(T2\right)})}^2$

其中，V_GS为驱动晶体管T2栅极与源极间的电压，V_DATA为数据电压VDATAm，β为常数。

在发光阶段，第六晶体管T6导通时漏电流Ioff会导致第一电容C1电位流失，从而使第一电容C1的电位达不到驱动晶体管栅极电压的设计要求，由此产生像素颜色不均的问题。

为了克服这一问题，本发明在第一电容C1的一端与第六晶体管T6源极之间串联了以二极管形式连接的第七晶体管T7，由此避免第六晶体管T6关断时漏电流Ioff的产生，使第一电容C1的电位达到设计要求。

采用了该发明的OLED像素电路，由于其包括以二极管形式串联于第一电容与第六晶体管之间的第七晶体管，从而在发光阶段能够有效控制第六晶体管关断时漏电流的产生，避免第一电容电位流失，从而使像素颜色均匀，进而保证显示器的整体显示效果，且本发明的OLED像素电路，其结构简单，成本低廉，应用范围较为广泛。

在此说明书中，本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。

Claims (6)

1.一种OLED像素电路，形成于由多列数据线、多行扫描线及多行发光线所限定的像素阵列中，所述的像素阵列包括多个像素，其特征在于，所述的OLED像素电路包括：

有机发光元件（EL1）；

第一晶体管（T1），用以在所述扫描线的扫描信号（scan[n]）驱动下传递所述的数据线的数据信号电压（VDATAm）；

第二晶体管（T2），用以在所述的数据信号电压（VDATAm）的驱动下产生驱动电流；

第三晶体管（T3），用以检测所述的第二晶体管（T2）的阈值电压偏差并进行补偿；

第四晶体管（T4），用以在所述发光线的发光信号（emi[n]）驱动下向所述的第二晶体管（T2）提供电源电压（VDD）；

第五晶体管（T5），其串联于所述的第二晶体管（T2）与有机发光元件（EL1）之间，用以在所述发光信号（emi[n]）驱动下向所述的有机发光元件（EL1）提供由第二晶体管（T2）产生的驱动电流；

第一电容（C1），用以存储所述的数据信号电压（VDATAm）并向所述的第二晶体管（T2）传递该数据信号电压（VDATAm）；

第六晶体管（T6），用以在前一行扫描线的扫描信号（scan[n-1]）驱动下放电所述的第一电容（C1）；

第七晶体管（T7），以二极管形式串联于所述的第一电容（C1）与所述的第六晶体管（T6）之间，用以控制所述的第六晶体管（T6）关断时产生的漏电流（Ioff）。

2.根据权利要求1所述的OLED像素电路，其特征在于，

所述的第六晶体管（T6）为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的前一行扫描线的扫描信号（scan[n-1]），其漏极连接初始化电压（Vinit）；

所述的第七晶体管（T7）为P沟道场效应晶体管，其源极连接于所述的第一电容（C1）的一端，其栅极与其漏极相互连接并连接于所述的第六晶体管（T6）的源极。

3.根据权利要求1或2所述的OLED像素电路，其特征在于，所述的第一晶体管（T1）为开关晶体管，该开关晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的扫描线扫描信号（scan[n]），其源极连接所述的数据线数据信号电压（VDATAm），其漏极连接所述的第二晶体管（T2）。

4.根据权利要求3所述的LED像素电路，其特征在于，所述的第二晶体管（T2）为驱动晶体管，该驱动晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的第一电容（C1）的一端，其源极连接所述的第一晶体管（T1）的漏极，其漏极通过所述的第五晶体管（T5）连接所述的有机发光元件（EL1）。

5.根据权利要求3所述的LED像素电路，其特征在于，所述的第三晶体管（T3）为阈值补偿晶体管，该阈值补偿晶体管为P沟道场效应晶体管，其栅极连接所述的扫描线扫描信号（scan[n]），其源极连接于所述的第二晶体管（T2）的漏极，其漏极连接于所述的第二晶体管（T2）的栅极，用以在所述的扫描信号（scan[n]）的驱动下，将所述的第二晶体管（T2）连接为二极管形式，并对第二晶体管（T2）阈值电压偏差进行补偿。

6.根据权利要求1所述的OLED像素电路，其特征在于，所述的第一晶体管（T1）、第二晶体管（T2）、第三晶体管（T3）、第四晶体管（T4）、第五晶体管（T5）、第六晶体管（T6）及第七晶体管（T7）均为薄膜场效应晶体管。