CN104614900A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够防止电极之间的短路缺陷的显示装置及其制造方法。该显示装置包括基板；公共电极，形成在基板上；像素电极，在公共电极上形成为通过其之间的微腔与公共电极分隔开；顶层，形成在像素电极上；液晶层，填充微腔；以及封装层，形成在顶层上以密封微腔。

Description

显示装置及其制造方法

技术领域

本申请涉及显示装置及其制造方法，并且更具体地，涉及能够防止电极之间的短路缺陷的显示装置及其制造方法。

背景技术

作为当前使用的平板显示器中最常见的类型之一的液晶显示器包括具有诸如像素电极和共用电极的电场生成电极的两片显示面板，以及插入在其间的液晶层。液晶显示器通过将电压施加到场产生电极在液晶层中产生电场，通过产生的电场来决定液晶层的液晶分子的配向，并且控制入射光的偏振，从而显示图像。

构成液晶显示器的两片显示面板可包括薄膜晶体管阵列面板和相对的显示面板。在薄膜晶体管阵列面板中，传输栅极信号的栅极线和传输数据信号的数据线被形成为彼此交叉，并且可形成与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的像素电极等。在相对的显示面板中，可形成光阻挡件、滤色片、公共电极等。在一些情况下，光阻挡件、滤色片和公共电极可能形成在薄膜晶体管阵列面板上。

然而，在相关领域中的液晶显示器中，需要使用两片基板，并且各自的组成元件形成在两片基板上，并且因此，存在以下问题，显示装置重且厚，成本高，并且加工时间长。

在该背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增进对背景技术的理解，因此其可包括不构成该国本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

做出了实施方式，以试图通过使用一个基板制造显示装置来提供一种具有以下优点的显示装置及其制造方法，即，重量和厚度减小，成本降低，并且加工时间减少。

此外，做出了实施方式，以提供具有防止电极之间短路缺陷的优点的显示装置及其制造方法。

一个示例性实施方式提供一种显示装置，该显示装置包括：基板、公共电极、像素电极、顶层、液晶层、以及封装层。公共电极形成在基板上。像素电极形成在公共电极上并且通过与公共电极之间的微腔与公共电极分开。顶层形成在像素电极上。液晶层填充该微腔。封装层形成在顶层上以密封该微腔。

显示装置可进一步包括：形成在公共电极上的薄膜晶体管；以及连接薄膜晶体管和像素电极的连接电极。

像素电极可以形成为覆盖微腔的上表面。

像素电极可以形成为不覆盖微腔的侧面。

微腔可以不位于薄膜晶体管上，并且连接电极可形成为通过微腔的侧表面的一部分。

基板可包括多个像素区域，公共电极可形成在基板的整个表面上，并且像素电极可形成在像素区域中。

像素电极可包括彼此交叉的水平主干部分和垂直主干部分，以及从水平主干部分以及垂直主干部分延伸的小分支部分。

显示装置可进一步包括形成在公共电极上的栅极线和数据线，其中栅极线和数据线可与薄膜晶体管连接。

公共电极可包括形成在与栅极线和数据线重叠的部分处的开口。

显示装置可进一步包括形成在公共电极下方的滤色片，其中，滤色片可形成在像素区域中。

另一个示例性实施方式提供如下的显示装置的制造方法。在基板上形成公共电极。在公共电极上形成牺牲层。在牺牲层上形成像素电极。在像素电极上形成顶层。通过图案化顶层使得牺牲层的一部分暴露而形成注入孔。通过移除牺牲层在公共电极与像素电极之间形成微腔。通过将液晶材料通过注入孔注入在微腔中形成液晶层。在顶层上形成封装层以密封微腔。

显示装置的制造方法可进一步包括在公共电极上形成薄膜晶体管。

在像素电极的形成中，可进一步形成连接薄膜晶体管和像素电极的连接电极。

像素电极可形成为覆盖牺牲层的上表面并且不覆盖牺牲层的侧面。

连接电极可形成为通过牺牲层的侧面的一部分。

基板可包括多个像素区域，公共电极可形成在基板的整个表面上，并且像素电极可形成在像素区域中。

可以通过图案化像素电极形成彼此交叉的水平主干部分和垂直主干部分，以及从水平主干部分和垂直主干部分延伸的小分支部分。

薄膜晶体管的形成可包括形成连接至薄膜晶体管的栅极线，以及形成与薄膜晶体管连接的数据线。

显示装置的制造方法可进一步包括通过图案化公共电极以移除与栅极线和数据线重叠的部分的至少一部分来形成开口。

显示装置的制造方法可进一步包括在基板上的像素区域中形成滤色片，其中，滤色片可位于公共电极下方。

如以上所述的，根据示例性实施方式的显示装置及其制造方法具有以下效果。

在根据示例性实施方式的显示装置及其制造方法中，通过使用一个基板制造显示装置可以减少重量、厚度、成本和加工时间。

此外，通过在微腔下方形成公共电极并且在微腔上形成像素电极可以防止两个电极之间的短路缺陷。

此外，可以防止两个电极之间的电场被扭曲。

附图说明

图1是示出了根据示例性实施方式的显示装置的平面图。

图2是根据示例性实施方式的显示装置的一个像素的等效电路图。

图3是示出了根据示例性实施方式的显示装置的一个像素的布局图。

图4是示出了根据示例性实施方式沿图3的线IV-IV截取的显示装置的一个像素的截面图。

图5、6、7、8、9、10、11和12是示出了根据示例性实施方式的显示装置的制造方法的加工截面图。

图13是示出了根据示例性实施方式的显示装置的一个像素的布局图。

图14是根据示例性实施方式沿图13的线XIV-XIV截取的显示装置的一个像素的截面图。

具体实施方式

以下参照示出示例性实施方式的附图对本发明构思进行更全面的描述。如本领域技术人员将会认识到的，在没有背离本发明构思的精神或范围的情况下，所描述的实施方式可以按照多种不同的方式进行修改。

在附图中，为了清晰起见而夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。贯穿整个说明书，相同的参考标号表示相同的元件。应理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作位于另一个元件“上”时，该元件可直接位于另一个元件上、或者也可存在介入元件。相反，当元件被称作“直接位于另一个元件上”时，则不存在介入元件。

首先，将参照图1在下文中示意性地描述根据示例性实施方式的显示装置。

图1是示出了根据示例性实施方式的显示装置的平面图。

根据示例性实施方式的显示装置包括由诸如玻璃或塑料的材料制成的基板110。

基板110包括多个像素区域PX。多个像素区域PX布置为包括多个像素行和多个像素列的矩阵形式。每个像素区域PX可包括第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb。第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb可垂直布置。

由顶层360覆盖的微腔305形成在基板110上。顶层360在行方向上彼此连接，并且一个顶层360可形成多个微腔305。

第一谷V1在像素行方向上位于第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb之间，并且第二谷V2位于多个像素列之间。

多个顶层360通过介于其间的第一谷V1彼此分开。微腔305未被顶层360覆盖，而是可在与第一谷V1接触的部分处暴露于外部。这被称作液晶注入孔307。

每个顶层360均形成为与相邻的第二谷V2之间的基板110分开，以便形成微腔305。此外，每个顶层360均形成为在第二谷V2处与基板110附接，以便覆盖微腔305的两个侧面。

根据以上描述的示例性实施方式的显示装置的结构仅仅是示例并且可进行各种修改。例如，可修改像素区域PX、第一谷V1、和第二谷V2的布局形式，并且多个顶层360可在第一谷V1处彼此连接，并且每个顶层360的一部分可形成为在第二谷V2处与基板110分开，因此相邻的微腔305可彼此连接。

在下文中，将参考图2示意性地描述根据示例性实施方式的显示装置的一个像素。

图2是根据示例性实施方式的显示装置的一个像素的等效电路图。

根据示例性实施方式的显示装置包括多条信号线121、171h和171l，以及连接至该多条信号线的多个像素PX。

信号线121、171h和171l包括传输栅极信号的栅极线121，以及传输不同的数据电压的第一数据线171h和第二数据线171l。

形成连接至栅极线121和第一数据线171h的第一薄膜晶体管Qh，以及连接至栅极线121和第二数据线171l的第二开关元件Ql。

每个像素PX包括两个子像素PXa和PXb，并且在第一子像素PXa中，形成连接至第一薄膜晶体管Qh的第一液晶电容器Clch，并且在第二子像素PXb中，形成连接至第二开关元件Ql的第二液晶电容器Clcl。

第一薄膜晶体管Qh的第一端子连接至栅极线121，第二端子连接至第一数据线171h，并且第三端子连接至第一液晶电容器Clch。

第二开关元件Ql的第一端子连接至栅极线121，第二端子连接至与第二数据线171l，并且第三端子连接至第二液晶电容器Clcl。

在根据示例性实施方式的液晶显示器的操作中，当将栅极导通电压施加至栅极线121时，连接至栅极线的第一薄膜晶体管Qh和第二开关元件Ql导通，并且第一液晶电容器Clch和第二液晶电容器Clcl利用通过第一数据线171h和第二数据线171l传送的不同的数据电压充电。由第二数据线171l传送的数据电压低于由第一数据线171h传送的数据电压。因此，第二液晶电容器Clcl利用低于第一液晶电容器的电压进行充电，从而改善侧面可视性。

接下来，将参照图3和图4描述根据示例性实施方式的液晶显示器的一个像素的结构。

图3是示出了根据示例性实施方式的显示装置的一个像素的布局图，并且图4是示出了根据示例性实施方式沿图3的线IV-IV截取的显示装置的一个像素的截面图。

如图3和图4所示，根据示例性实施方式的显示装置包括形成在绝缘基板110上的公共电极270。

公共电极270可形成在基板110的整个表面上。公共电极270可由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明金属材料制成。可将预定电压施加至公共电极270。

滤色片230可进一步形成在基板110和公共电极270之间。滤色片230可形成在每个像素区域PX中。此外，滤色片230不限于此，并且可形成为在列方向上沿第一数据线171h和第二数据线171l之间的空间延伸。每个滤色片230可以显示原色(诸如红色、绿色和蓝色的三原色)之一。滤色片230不限于红色、绿色和蓝色的三原色，而是可以显示青色、品红、黄色和白色系等颜色。

第一绝缘层240形成在公共电极270上。第一绝缘层240可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。

栅极线121、以及从栅极线121突出的第一栅电极124h和第二栅电极124l形成在第一绝缘层240上。

栅极线121主要在水平方向上延伸，并且传输栅极信号。第一栅电极124h和第二栅电极124l在栅极线121上方突出。第一栅电极124h和第二栅电极124l彼此连接以形成一个突起。然而，实施方式不限于此，并且可对第一栅电极124h和第二栅电极124l的突出形式进行各种修改。

在第一绝缘层240上可进一步形成存储电极线131以及从存储电极线131突出的存储电极133和135。

存储电极线131在与栅极线121相同的方向上延伸，并且形成为与栅极线121间隔开。可将预定电压施加至存储电极线131。在存储电极线131上方突出的存储电极133形成为包围第一子像素区域PXa的边缘。在存储电极线131下方突出的存储电极135形成为与第一栅电极124h和第二栅电极124l相邻。

栅极绝缘层140形成在栅极线121、第一栅电极124h、第二栅电极124l、存储电极线131、以及存储电极133和135上。栅极绝缘层140可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。此外，栅极绝缘层140可以由单层或多层构成。

第一半导体154h和第二半导体154l形成在栅极绝缘层140上。第一半导体154h可位于第一栅电极124h上，并且第二半导体154l可位于第二栅电极124l上。第一半导体154h可形成为在第一数据线171h的下方延伸至，并且第二半导体154l可形成为在第二数据线171l的下方延伸。第一半导体154h和第二半导体154l可由无定形硅、多晶硅、金属氧化物等制成。

欧姆接触件(未示出)可进一步形成在每个第一半导体154h和第二半导体154l上。欧姆接触件可由硅化物或诸如其中以高浓度掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅的材料制成。

第一数据线171h、第二数据线171l、第一源电极173h、第一漏电极175h、第二源电极173l、以及第二漏电极175l形成在第一半导体154h、第二半导体154l和栅极绝缘层140上。

第一数据线171h和第二数据线171l传输数据信号并且主要在垂直方向上延伸以与栅极线121和存储电极线131交叉。第一数据线171h和第二数据线171l传送不同的数据电压。由第二数据线171l传送的数据电压低于由第一数据线171h传送的数据电压。

第一源电极173h形成为从第一数据线171h突出至第一栅电极124h上方，并且第二源电极173l形成为从第二数据线171l突出至第二栅电极124l上方。每个第一漏电极175h和第二漏电极175l均包括一个宽端部和另一个棒状端部。第一漏电极175h和第二漏电极175l的宽端部与在存储电极线131下方突出的存储电极135重叠。第一漏电极175h和第二漏电极175l的棒状端部分别由第一源电极173h和第二源电极173l部分地包围。

第一栅电极124h和第二栅电极124l、第一源电极173h和第二源电极173l、以及第一漏电极175h和第二漏电极175l与第一半导体154h和第二半导体154l一起分别形成第一薄膜晶体管(TFT)Qh和第二薄膜晶体管Ql，并且薄膜晶体管的沟道形成在每个源电极173h和173l与每个漏电极175h和175l之间的每个半导体154h和154l中。

钝化层180形成在第一数据线171h、第二数据线171l、第一源电极173h、第一漏电极175h、以及暴露于第一源电极173h和第一漏电极175h之间的第一半导体154h、第二源电极173l、第二漏电极175l、以及暴露于第二源电极173l和第二漏电极175l之间的第二半导体154l上。钝化层180可由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成，并且可由单层或多层形成。

在钝化层180中，形成延伸至并且暴露第一漏电极175h的宽端部的第一接触孔181h，并且形成暴露第二漏电极175l的宽端部的第二接触孔181l。

像素电极191在钝化层180上形成为以预定的距离与公共电极270分开。微腔305形成在公共电极270和像素电极191之间。微腔305的宽度和面积可根据显示装置的尺寸和分辨率进行各种修改。

像素电极191可由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明金属材料制成。

像素电极191包括第一子像素电极191h和第二子像素电极191l，第一子像素电极和第二子像素电极通过其之间的栅极线121和存储电极线131彼此分离，并且基于栅极线121和存储电极线131设置在像素区域PX的上方和下方以在列方向上彼此相邻。也就是说，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l通过其之间的第一谷V1彼此分开，第一子像素电极191h位于第一子像素区域PXa中，并且第二子像素电极191l位于第二子像素区域PXb中。

第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的整体形状是四边形，并且第一子像素电极191h和第二子像素电极191l包括十字形状的主干部分，该主干部分包括水平主干部分193h和193l以及分别与水平主干部分193h和193l交叉的垂直主干部分192h和192l。此外，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别包括多个小分支部分194h和194l。

像素电极191由水平主干部分193h和193l以及垂直主干部分192h和192l划分成四个子区域。小分支部分194h和194l从水平主干部分193h和193l以及垂直主干部分192h和192l斜向延伸，并且该延伸方向可与栅极线121或水平主干部分193h和193l形成约45度或135度的角。此外，两个相邻的子区域中的小分支部分194h和194l的延伸方向可彼此正交。

在示例性实施方式中，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l还可包括围绕第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的外部的外主干部分。

分别连接至第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的第一连接电极197h和第二连接电极197l形成在钝化层180上。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l形成为覆盖微腔305的上表面，但不覆盖微腔305的侧面。第一连接电极197h和第二连接电极197l形成为通过微腔305的侧面的一部分。微腔305不位于第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql上。第一连接电极197h和第二连接电极197l用来将微腔305的上表面上的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别连接位于具有分别位于微腔305的外部的第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql。

第一连接电极197h和第二连接电极197l分别通过第一接触孔181h和第二接触孔181l连接至第一漏电极175h和第二漏电极175l。因此，当第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql导通时，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l接收来自第一漏电极175h和第二漏电极175l的不同的数据电压。电场可产生于像素电极191与公共电极270之间。

第一连接电极197h和第二连接电极197l可由与第一子像素电极191h和第二子像素电极191l相同的材料制成。

在示例性实施方式中，公共电极270形成在微腔305下方，并且像素电极191在微腔305上形成为不覆盖微腔305的侧面，从而防止发生两个电极之间的短路。垂直电场可产生于公共电极270与像素电极191之间。在这种情况下，像素电极191不位于微腔305的侧面上，从而防止电场被扭曲。

以上描述的像素区域的布局形式，薄膜晶体管的结构，以及像素电极的形状都是例子，而本发明不限于此，并且可进行各种修改。

第一配向层11形成在微腔305内部钝化层180上。第二配向层21在像素电极191下方形成为面对第一配向层11。

第一配向层11和第二配向层21可由垂直配向层形成，并且可由诸如聚酰胺酸、聚硅氧烷、和聚酰亚胺的配向材料制成。第一配向层11和第二配向层21甚至可在微腔305的侧壁上形成并且彼此连接。

由液晶分子310组成的液晶层形成在位于公共电极270和像素电极191之间的微腔305中。液晶分子310具有负介电各向异性，并且在不施加电场时可在垂直于基板110的方向上直立。也就是说，可实现垂直配向。

施加有数据电压的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与公共电极270一起产生电场以确定位于两个电极191和270之间的微腔305中的液晶分子310的方向。因此，穿过液晶层的光的亮度根据液晶分子310的所确定的方向而变化。

第二绝缘层350可进一步形成在像素电极191上。第二绝缘层350可由诸如氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成，并且如果需要的话可以省略。

光阻挡件220形成在第二绝缘层350上。光阻挡件220形成在像素区域PX和薄膜晶体管的边界上，并且可形成在位于第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb之间的第一谷V1处。光阻挡件220用来阻挡光泄露。

顶层360形成在光阻挡件220和第二绝缘层350上。顶层360可由有机材料制成。微腔305形成在顶层360下方，并且顶层360通过固化处理硬化以保持微腔305的形状。

顶层360沿着像素行和第二谷V2形成在每个像素区域PX中，并且不形成在第一谷V1处。也就是说，顶层360不形成在第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb之间。微腔305形成在每个第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb中的每个顶层360下方。在第二谷V2中，微腔305不形成在顶层360的下方，而是顶层360形成为与基板110附接。因此，位于第二谷V2处的顶层360的厚度可大于位于每个第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb中的顶层360的厚度。微腔305的上表面和两个侧面具有由顶层360覆盖的形式。

延伸至并且暴露微腔305的一部分的注入孔307形成在顶层360中。注入孔307可形成在第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb的边缘处，并且形成为延伸至并且暴露微腔305的侧面。由于微腔305通过注入孔307暴露，因而配向剂或液晶材料可通过注入孔307被注入到微腔305中。

第三绝缘层370可进一步形成在顶层360上。第三绝缘层370可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。第三绝缘层370形成为覆盖顶层360的上表面。此外，实施方式不限于此，并且第三绝缘层370可形成为覆盖顶层360的上表面和侧面。第三绝缘层370用来保护由有机材料制成的顶层360，并且如果需要的话可省去。

封装层390可形成在第三绝缘层370上。封装层390形成为覆盖微腔305通过其暴露至外部的注入孔307。也就是说，封装层390可将微腔305密封使得形成在微腔305中的液晶分子310不会排出到外部。由于封装层390与液晶分子310接触，因而封装层390可由不会与液晶分子310起反应的材料制成。例如，封装层390可由聚对二甲苯等制成。

封装层390可由诸如双层和三层的多层形成。双层由不同材料制成的两层构成。三层由三个层构成，并且相邻层的材料彼此不同。例如，封装层390可包括由有机绝缘材料制成的层和由无机绝缘材料制成的层。

尽管未示出，但可在显示装置的上侧和下侧进一步形成偏振器。偏振器可由第一偏振器和第二偏振器构成。第一偏振器可附接至基板110的下侧，并且第二偏振器可附接至封装层390。

下面，将参照图5至图12在下文中描述根据示例性实施方式的显示装置的制造方法。此外，将同时参考图1至图4描述该制造方法。

图5至图12是示出了根据示例性实施方式的显示装置的制造方法的加工截面图。

首先，如图5中所示的，滤色片230形成在由玻璃、塑料等制成的基板110上。滤色片230可形成在每个像素区域PX中，或形成为在列方向上延长。

具有相同颜色的滤色片230可形成在多个像素区域PX的列方向上。在形成具有三种颜色的滤色片230的情况中，第一着色的滤色片230可首先形成，然后通过转移掩膜可形成第二着色的滤色片230。接下来，可形成第二着色的滤色片230，然后通过转移掩膜可形成第三着色的滤色片。

接下来，通过在滤色片上沉积诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明金属材料形成公共电极270。公共电极270可形成在基板110的整个表面上。

接下来，通过将诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料沉积在公共电极270上形成第一绝缘层240。

如图6所示的，在一个方向上延伸的栅极线121、以及从栅极线121突出的第一栅电极124h和第二栅电极124l形成在第一绝缘层240上。第一栅电极124h和第二栅电极124l彼此连接以形成一个突起。

此外，存储电极线131以及从存储电极线131突出的存储电极133和135可共同形成为与栅极线121分开。存储电极线131在与栅极线121相同的方向上延伸。在存储电极线131上方突出的存储电极133可形成为围绕第一子像素区域PXa的边缘，并且在存储电极线131下方突出的存储电极135可形成为与第一栅电极124h和第二栅电极124l相邻。

接下来，通过使用诸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料在栅极线121、第一栅电极124h、第二栅电极124l、存储电极线131、以及存储电极133和135上形成栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以由单层或多层形成。

如图7中所示，通过将诸如非晶硅，多晶硅，和金属氧化物的半导体材料沉积在栅极绝缘层140上然后图案化来形成图案形成第一半导体154h和第二半导体154l。第一半导体154h可形成为位于第一栅电极124h上，并且第二半导体154l可形成为位于第二栅电极124l上。

下面，在另一方向上延伸的第一数据线171h和第二数据线171l通过放置金属材料，然后形成图案形成。金属材料可由单层或多层形成。

此外，共同形成从第一数据线在第一栅电极124h上方突出的第一源电极173h，以及与第一源电极173h分开的第一漏电极175h。此外，共同形成与第一源电极173h连接的第二源电极173l，以及与第二源电极173l分开的第二漏电极175l。

可通过依次沉积半导体材料和金属材料然后同时图案化来形成第一半导体154h和第二半导体154l、第一数据线171h和第二数据线171l、第一源电极173h和第二源电极173l、以及第一漏电极175h和第二漏电极175l。在这种情况下，第一半导体154h形成为在第一数据线171h的下方延伸，并且第二半导体154l形成为在第二数据线171l的下方延伸。

第一栅电极124h和第二栅电极124l、第一源电极173h和第二源电极173l、以及第一漏电极175h和第二漏电极175l分别与第一半导体154h和第二半导体154l共同形成第一薄膜晶体管(TFT)Qh和第二薄膜晶体管Ql。

如图8所示，钝化层180形成在第一数据线171h、第二数据线171l、第一源电极173h、第一漏电极175h、暴露于第一源电极173h和第一漏电极175h之间的第一半导体154h、第二源电极175l、第二漏电极175l、以及暴露于第二源电极173l和第二漏电极175l之间的第二半导体154l上。钝化层180可由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成，并且可由单层或多层形成。

接下来，通过图案化钝化层180，形成至少暴露第一漏电极175h的一部分的第一接触孔181h，并且形成至少暴露第二漏电极175l的一部分的第二接触孔181l。

接下来，通过将光敏有机材料涂覆在钝化层180上经过光刻工艺形成牺牲层300。牺牲层300形成为覆盖像素区域PX，但不形成为至少覆盖第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql的一部分。

如图9所示，通过将诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明金属材料沉积在像素区域PX上并图案化而形成像素电极191。像素电极191包括位于第一子像素区域PXa的第一子像素电极191h，和位于第二子像素区域PXb中的第二子像素电极191l。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l通过其之间的第一谷V1彼此分开。

水平主干部分193h和193l，以及与水平主干部分193h和193l交叉的垂直主干部分192h和192l分别形成在第一子像素电极191h和第二子像素电极191l中。此外，形成从水平主干部分193h和193l及垂直主干部分192h和192l倾斜延伸的多个小分支部分194h和194l。

此外，可共同形成分别连接至第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的第一连接电极197h和第二连接电极197l。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l形成为覆盖牺牲层300的上表面，但不覆盖牺牲层300的侧面。第一连接电极197h和第二连接电极197l形成为通过微腔305的侧面的一部分。牺牲层300不形成在第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql上。第一连接电极197h和第二连接电极197l用来将位于牺牲层300的上表面上的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l连接至没有被牺牲层300覆盖的第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql。

第一连接电极197h和第二连接电极197l形成为分别通过第一接触孔181h和第二接触孔181l连接至第一漏电极175h和第二漏电极175l。

第一连接电极197h和第二连接电极197l可通过相同的工艺由与第一子像素电极191h和第二子像素电极191l相同的材料制成。

如图10所示，通过使用诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料在栅电极191上形成第二绝缘层350。

接着，光阻挡件220形成在第二绝缘层350上。光阻挡件220形成在薄膜晶体管和像素区域PX的边界上，并且可形成在位于第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb之间的第一谷V1处。

接着，如图11所示，通过将有机材料涂覆在第二绝缘层350上并且图案化来形成顶层360。在这个情况下，位于第一谷V1处的有机材料可被图案化以被移除。因此，顶层360可形成为沿着多个像素行彼此连接。

接着，可使用诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料在顶层360上形成第三绝缘层370。通过图案化第三绝缘层370来移除位于第一谷V1处的第三绝缘层370。在这种情况下，如附图中示出的，第三绝缘层370可被图案化为不形成在顶层360的侧面处。与此不同，第三绝缘层370可图案化为覆盖顶层360的侧面。

通过图案化顶层360和第三绝缘层370使牺牲层300的一部分暴露至外部。通过将显影剂或剥离溶液提供至暴露牺牲层300的基板110上来完全移除牺牲层300，或者通过使用灰化处理来完全移除牺牲层300。

当牺牲层300被移除时，在牺牲层300所在的位置产生微腔305。公共电极270和像素电极191通过其之间的微腔305彼此分开。

微腔305的侧面通过顶层360被移除的部分暴露至外部，该部分被称作注入孔307。注入孔307可形成为沿着第一谷V1。例如，注入孔307可形成在第一子像素区域PXa和第二子像素区域PXb的边缘处。

接着，通过将热施加至基板110来固化顶层360。这就通过顶层360保持了微腔305的形状。

如图12所示，当通过旋涂法或喷墨法将包含配向物质的配向剂滴到基板110上时，配向剂通过注入孔307被注入到微腔305中。当配向剂被注入到微腔305中然后进行固化处理时，溶液成分被蒸发并且配向材料保留在微腔305的内壁上。

因此，第一配向层11可形成在公共电极270上，并且第二配向层21可形成在像素电极191下方。第一配向层11和第二配向层21可通过其之间的微腔305彼此面对，并且在微腔305的侧壁处彼此连接。

在这种情况下，第一配向层11和第二配向层21可在垂直于基板110的方向上对齐。

接着，当通过喷墨法或涂布方法将液晶材料滴到基板110上时，液晶材料通过注入孔307被注入到微腔305中。当液晶材料被滴入时，液晶材料通过毛细力被注入到微腔305中。

接着，通过将不与液晶分子310起反应的材料沉积在第三绝缘层370上形成封装层390。封装层390形成为覆盖将微腔305暴露至外部的注入孔307，从而密封微腔305。

接着，尽管未示出，但偏振器可进一步附接至显示装置的上表面和下表面上。偏振器可由第一偏振器和第二偏振器构成。第一偏振器可附接至基板110的下表面上，并且第二偏振器可附接至封装层390上。

下面，将参照图13和图14在下文中描述根据示例性实施方式的显示装置。

由于根据图13和图14示出的示例性实施方式的显示装置与根据图1至图4中示出的示例性实施方式示出的显示装置几乎相同，因而省略对其的描述。示例性实施方式与以上示例性实施方式的不同之处在于开口形成在公共电极中，并且在下文中，将对其进行更详细地描述。

图13是示出了根据示例性实施方式的显示装置的一个像素的布局图，并且图14是示出了根据示例性实施方式沿图13的线XIV-XIV截取的显示装置的一个像素的截面图。

在根据示例性实施方式的显示装置中，公共电极270形成在基板110上，并且像素电极191形成在基板110上，像素电极与基板之间具有公共电极270和微腔305。

公共电极270形成在基板110的大部分区域上，但在部分区域处被移除。也就是说，公共电极270包括开口273a和273b。公共电极270包括在与栅极线121重叠的部分处形成的开口273a，以及在与数据线171h和171l重叠的部分处形成的开口273b。

栅极信号被施加至栅极线121，并且数据信号被施加至第一数据线171h和第二数据线171l，并且因此，在栅极线121、和第一数据线171h和第二数据线171l与公共电极270重叠处产生电容。在示例性实施方式中，与栅极线121和第一数据线171h和第二数据线171l重叠的部分处的公共电极被图案化以形成开口273a和273b，从而减少电容。

虽然已经结合目前被认为是实用的示例性实施方式描述了本发明构思，但应当理解，本发明构思并不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

<标号说明>

11：第一配向层        21：第二配向层

110：基板             121：栅极线

124h：第一栅电极      124l：第二栅电极

131：存储电极线       133，135：存储电极

140：栅极绝缘层       154h：第一半导体

154l：第二半导体      171h：第一数据线

171l：第二数据线      173h：第一源电极

173l：第二源电极      175h：第一漏电极

175l：第二漏电极      180：钝化层

181h：第一接触孔      181l：第二接触孔

191h：第一子像素电极  191l：第二子像素电极

220：光阻挡件         230：滤色片

240：第一绝缘层       270：公共电极

273a，273b：开口      300：牺牲层

305：微腔             307：注入孔

310：液晶分子         350：第二绝缘层

360：顶层             370：第三绝缘层

390：封装层

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

基板；

公共电极，形成在所述基板上；

像素电极，通过与所述公共电极之间的微腔与所述公共电极分开地形成在所述公共电极上；

顶层，形成在所述像素电极上；

液晶层，填充所述微腔；以及

封装层，形成在所述顶层上以密封所述微腔。

2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

薄膜晶体管，形成在所述公共电极上；以及

连接电极，连接所述薄膜晶体管和所述像素电极。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中：

所述像素电极形成为覆盖所述微腔的上表面。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中：

所述像素电极形成为不覆盖所述微腔的侧面。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中：

所述微腔不位于所述薄膜晶体管上，以及

所述连接电极形成为通过所述微腔的所述侧面的一部分。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中：

所述基板包括多个像素区域，

所述公共电极形成在所述基板的整个表面上，以及

所述像素电极形成在所述像素区域中。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中：

所述像素电极包括彼此交叉的水平主干部分和垂直主干部分，以及从所述水平主干部分和所述垂直主干部分延伸的小分支部分。

8.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：

形成在所述公共电极上的栅极线和数据线，

其中，所述栅极线和所述数据线与所述薄膜晶体管连接。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中：

所述公共电极包括形成在与所述栅极线和所述数据线重叠的部分处的开口。

10.根据权利要求6所述的显示装置，进一步包括：

形成在所述公共电极下方的滤色片，

其中，所述滤色片形成在所述像素区域中。

11.一种显示装置的制造方法，包括：

在基板上形成公共电极；

在所述公共电极上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成像素电极；

在所述像素电极上形成顶层；

通过图案化所述顶层使得暴露所述牺牲层的一部分来形成注入孔；

通过移除所述牺牲层在所述公共电极与所述像素电极之间形成微腔；

通过所述注入孔注入液晶材料在所述微腔中形成液晶层；以及

在所述顶层上形成封装层以密封所述微腔。

12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，进一步包括：

在所述公共电极上形成薄膜晶体管。

13.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，其中：

在所述像素电极的形成中，

进一步形成连接所述薄膜晶体管和所述像素电极的连接电极。

14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中：

所述像素电极形成为覆盖所述牺牲层的上表面并且不覆盖所述牺牲层的侧面。

15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中：

所述连接电极形成为通过所述牺牲层的所述侧面的一部分。

16.根据权利要求12所述的显示装置的制造方法，其中：

所述基板包括多个像素区域，

所述公共电极形成在所述基板的整个表面上，以及

所述像素电极形成在所述像素区域中。

17.根据权利要求16所述的显示装置的制造方法，其中：

通过图案化所述像素电极形成彼此交叉的水平主干部分和垂直主干部分，以及从所述水平主干部分和所述垂直主干部分延伸的小分支部分。

18.根据权利要求17所述的显示装置的制造方法，其中：

所述薄膜晶体管的形成包括：

形成连接至所述薄膜晶体管的栅极线；以及

形成与所述薄膜晶体管连接的数据线。

19.根据权利要求18所述的显示装置的制造方法，进一步包括：

通过图案化所述公共电极以移除与所述栅极线和所述数据线重叠的部分的至少一部分来形成开口。

20.根据权利要求16所述的显示装置的制造方法，进一步包括：

在所述基板上的所述像素区域中形成滤色片，

其中，所述滤色片位于所述公共电极下方。