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CN104419341B - 切割用粘着胶带以及半导体芯片的制造方法 - Google Patents

切割用粘着胶带以及半导体芯片的制造方法 Download PDF

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CN104419341B CN201410437583.4A CN201410437583A CN104419341B CN 104419341 B CN104419341 B CN 104419341B CN 201410437583 A CN201410437583 A CN 201410437583A CN 104419341 B CN104419341 B CN 104419341B
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Abstract

本发明的目的在于提供切割用粘着胶带以及半导体芯片的制造方法，所述切割用粘着胶带对形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板具有良好的粘接性，所述半导体芯片的制造方法使用了该切割用粘着胶带。一种粘着胶带(1)，其特征在于，为在将形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板分割为多个半导体芯片时所使用的切割用粘着胶带(1)，所述切割用粘着胶带(1)具备基材(2)、和在基材(2)上层叠的包含固化型硅酮系粘着剂及固化剂的粘着剂层(3)。

Description

切割用粘着胶带以及半导体芯片的制造方法
技术领域
本发明涉及元件基板的切割中所使用的切割用粘着胶带以及使用了切割用粘着胶带的半导体芯片的制造方法。
背景技术
以往，作为为了制作具有LED(发光二极管)等的半导体芯片而使用的切割用粘着胶带，已知具有由丙烯酸系树脂构成的粘接剂层的粘着胶带(参照专利文献1)。
此外，作为使用切割用粘着胶带来制作半导体芯片的方法，已知如下的方法，即将粘着胶带粘贴于形成有多个半导体元件的半导体元件基板的基板侧，利用切割机将半导体元件基板切断的方法(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-38408号公报
专利文献2：日本特开2005-93503号公报
发明内容
发明要解决的课题
顺便提及，近年来提出了如下的技术，即在将半导体元件基板切断而制作半导体芯片的情况下，将粘着胶带粘贴于密封树脂侧而不是半导体元件基板的基板侧来进行切割的技术。
这样，在对于半导体元件基板从密封树脂侧粘贴粘着胶带的情况下，有时粘着力不足，从而产生半导体芯片的飞溅等。
本发明的目的在于，提供对于形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板具有良好的粘着性的切割用粘着胶带以及使用了该切割用粘着胶带的半导体芯片的制造方法。
用于解决课题的方法
基于上述目的，本发明的切割用粘着胶带，其特征在于，为在将形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板分割为多个半导体芯片时所使用的切割用粘着胶带，所述切割用粘着胶带具备基材、和在上述基材上层叠的包含固化型硅酮系粘着剂及固化剂的粘着剂层。
在此，可以使其特征在于，对于上述元件基板，从由硅酮树脂构成的上述密封树脂侧粘贴来使用。此外，可以使其特征在于，上述粘着剂层包含过氧化物固化型硅酮粘着剂和由过氧化物构成的引发剂。进而，可以使其特征在于，相对于上述过氧化物固化型硅酮粘着剂100重量份，上述引发剂的含量为0.01重量份～15重量份的范围。再进而，可以使其特征在于，上述粘着剂层包含加成反应型硅酮粘着剂、交联剂和催化剂。此外，可以使其特征在于，相对于上述加成反应型硅酮粘着剂100重量份，上述交联剂的含量为0.05重量份～10重量份的范围。
进而，如果以半导体芯片的制造方法掌握本发明的话，则本发明的半导体芯片的制造方法包括：利用由硅酮树脂构成的密封树脂将在基板上形成有多个半导体元件的元件基板的该多个半导体元件密封的密封工序；对于上述元件基板，从上述密封树脂侧粘贴具备基材、和包含固化型硅酮系粘着剂及固化剂的粘着剂层的粘着胶带的粘贴工序；将粘贴有上述粘着胶带的上述元件基板切断成多个半导体芯片的切断工序；以及从上述多个半导体芯片剥离上述粘着胶带的剥离工序。
发明效果
根据本发明，能够提供对于形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板具有良好的粘着性的切割用粘着胶带以及使用了该切割用粘着胶带的半导体芯片的制造方法。
附图说明
图1是表示应用本实施方式的粘着胶带的构成的一个例子的图。
图2(a)～图2(d)是表示使用了应用本实施方式的粘着胶带的半导体芯片的制造方法的图。
符号说明
1：粘着胶带
2：基材
3：粘着剂层
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。
粘着胶带的构成
图1是表示应用本实施方式的粘着胶带1的构成的一个例子的图。本实施方式的粘着胶带1在形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的半导体元件基板的切割用途中使用。具体地说，本实施方式的粘着胶带1通过对于半导体元件基板，从由硅酮系树脂构成的密封树脂侧粘贴，从而使用于切割。此外，对粘着胶带1的使用方法在后面进行详细说明。
如图1所示，本实施方式的粘着胶带1具有基材2与粘着剂层3层叠的结构。
予以说明的是，虽然省略了图示，但是粘着胶带1可以在基材2与粘着剂层3之间根据需要具有增粘涂层(anchor coat layer)。此外，可以在基材2的表面(与对置于粘着剂层3的面相反侧的面)上实施表面处理。进而，可以在粘着剂层3的表面(与对置于基材2的面相反侧的面)上具备剥离衬垫。
基材
本实施方式的粘着胶带1中使用的基材2的材料没有特别限定，例如可以使用金属制、塑料制等。具体地说，作为基材2，例如可以使用不锈钢、软质铝等金属箔，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、双轴拉伸聚丙烯、聚酰亚胺、芳族聚酰胺、聚环烯烃、氟系树脂等树脂膜。此外，可以根据用途，基材2使用例如将铝箔和树脂膜层压的复合膜，在树脂膜的表面上形成了氧化铝、二氧化硅等金属氧化物薄膜的复合膜，以及将这些复合膜进一步与树脂膜层压的复合膜等。
其中，作为基材2，优选使用以聚对苯二甲酸乙二醇酯为主成分的材料。
粘着剂层
本实施方式的粘着剂层3包含固化型硅酮系粘着剂和用于固化该硅酮系粘着剂的固化剂而构成。此外，粘着剂层3可以根据需要包含着色剂等。
粘着剂层3的厚度优选为5μm～50μm的范围，更优选为20μm～40μm的范围。在粘着剂层3的厚度小于5μm的情况下，粘着剂层3中所含的硅酮系粘着剂变薄，因此粘着胶带1的粘着力易于降低。另一方面，在粘着剂层3的厚度比50μm厚的情况下，容易产生粘着剂层3的凝聚破坏，在使用了这样的粘着胶带1的情况下，将粘着胶带1剥离时，容易产生以粘着剂附着于被粘物的状态残留的残胶。
在此，在本实施方式的粘着剂层3中，作为固化型硅酮系粘着剂，可以使用过氧化物固化型硅酮系粘着剂或加成反应型硅酮系粘着剂。
以下，将使用过氧化物固化型硅酮系粘着剂的情况作为粘着剂层3的第一方式、将使用加成反应型硅酮系粘着剂的情况作为粘着剂层3的第二方式，依次进行说明。
第一方式
第一方式的粘着剂层3包含过氧化物固化型硅酮系粘着剂和由过氧化物构成的引发剂(固化剂)而构成。
过氧化物固化型硅酮系粘着剂
过氧化物固化型硅酮系粘着剂例如为以聚二甲基硅氧烷等有机聚硅氧烷与有机聚硅氧烷共聚物树脂的有机聚硅氧烷混合物为主剂的粘着剂。
作为过氧化物固化型硅酮系粘着剂，没有特别限定，例如可以使用信越化学工业株式会社制的KR100、KR101-10，迈图高新材料公司制的YR3340、YR3286、PSA610-SM、XR37-B6722，东丽道康宁株式会社制的SH4280等。
引发剂
作为由过氧化物构成的引发剂，可以使用有机过氧化物。作为用作引发剂的有机过氧化物，没有特别限定，例如可以举出过氧化苯甲酰、过氧化二异丙苯、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷、1,1’-二-叔丁基过氧化-3,3,5-三亚甲基环己烷、1,3-二-(叔丁基过氧化)-二异丙基苯等。作为市售产品，例如可以举出日油株式会社制的NYPER K40等。
含量
在此，第一方式的粘着剂层3中的引发剂(有机过氧化物)的含量，相对于过氧化物固化型硅酮系粘着剂100重量份，优选为0.01重量份～15重量份的范围，更优选为0.05重量份～10重量份的范围，进一步优选为0.05重量份～3.5重量份的范围。
通过将相对于过氧化物固化型硅酮系粘着剂的引发剂的含量设为上述范围，能够将粘着剂层3的粘着力和保持力设为作为切割用粘着胶带1优选的范围。
另一方面，在相对于过氧化物固化型硅酮系粘着剂的引发剂的含量过小的情况下，有时在粘着剂层3中过氧化物固化型硅酮系粘着剂不充分固化，无法得到所希望的粘着力。此外，在过氧化物固化型硅酮系粘着剂未充分固化的情况下，容易在粘着剂层3中产生凝聚破坏。其结果是，在将粘着胶带1使用于半导体元件基板的切割后，从所得到的半导体芯片剥离粘着胶带1时，容易产生残胶。
在相对于过氧化物固化型硅酮系粘着剂的引发剂的含量过大的情况下，过氧化物固化型硅酮系粘着剂的固化反应过度进行，因此粘着剂层3变硬，粘着胶带1的粘着力易于降低。并且，在将该粘着胶带1使用于切割的情况下，将半导体元件基板切断时，作为切断片的半导体芯片容易从粘着胶带1剥离而飞溅。
第二方式
接着，第二方式的粘着剂层3包含加成反应型硅酮系粘着剂作为硅酮系粘着剂并且包含交联剂和催化剂作为固化剂而构成。此外，可以在第二方式的粘着剂层3中包含用于抑制加成反应型硅酮系粘着剂的急剧加成反应的进行的反应控制材料而构成。
加成反应型硅酮系粘着剂
加成反应型硅酮系粘着剂是以在1分子中至少含有2个结合有硅原子的烯基的聚二甲基硅氧烷等有机聚硅氧烷为主剂的粘着剂。另外，作为加成反应型硅酮系粘着剂中所含的有机聚硅氧烷的分子结构，例如可以例示直链状、具有一部分分支的直链状、支链状、网状。
此外，作为加成反应型硅酮系粘着剂中所含的有机聚硅氧烷含有的烯基，例如可以例示乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、己烯基，特别优选为乙烯基。
作为加成反应型硅酮系粘着剂，没有特别限定，例如可以举出信越化学工业株式会社制的KR3700、KR3701、X-40-3237-1、X-40-3240、X-40-3291-1、X-40-3229、X-40-3270、X-40-3306，迈图高新材料公司制的TSR1512、TSR1516、XR37-B9204，东丽道康宁株式会社制的SD4580、SD4584、SD4585、SD4586、SD4587、SD4560、SD4570、SD4600PFC、SD4593、DC7651ADHESIVE等。
交联剂
在加成反应型硅酮系粘着剂的反应中，作为交联剂，可以使用在1分子中至少具有2个结合有硅原子的氢原子的有机聚硅氧烷。
作为用作交联剂的有机聚硅氧烷的分子结构，例如可以例示直链状，具有一部分分支的直链状、支链状、环状、网状。
作为加成反应型硅酮系粘着剂的反应中使用的交联剂，没有特别限定，例如可以举出信越化学株式会社制的X-92-122、东丽道康宁株式会社制的BY24-741等。
催化剂
在加成反应型硅酮系粘着剂的反应中，可以使用用于促进利用加成反应型硅酮系粘着剂与交联剂的加成反应(氢化硅烷化)的固化的催化剂。
作为催化剂，可以使用铂系催化剂、铑系催化剂、钯系催化剂等公知的氢化硅烷化反应用催化剂。这些催化剂中，特别是，铂微粉末、铂黑、负载铂的二氧化硅微粉末、负载铂的活性炭、氯铂酸、氯铂酸的醇溶液、铂的烯烃络合物、铂的烯基硅氧烷络合物等铂系催化剂反应速度良好，因此优选。
作为加成反应型硅酮系粘着剂的反应中使用的催化剂，没有特别限定，例如可以举出信越化学工业株式会社制的CAT-PL-50T，东丽道康宁株式会社制的SRX-212Cat、NC-25等。
反应控制剂
作为第二方式的粘着剂层3中根据需要使用的反应控制剂，没有特别限定，例如可以举出信越化学工业株式会社制的CAT-PLR-2、东丽道康宁株式会社制的BY24-808等。
含量
在此，第二方式的粘着剂层3中的交联剂的含量，相对于加成反应型硅酮系粘着剂100重量份，优选为0.05重量份～10重量份的范围，更优选为0.1重量份～7重量份的范围，进一步优选为0.1重量份～2重量份的范围。
通过将相对于加成反应型硅酮系粘着剂的交联剂的含量设为上述范围，能够将粘着剂层3的粘着力和保持力设为作为切割用粘着胶带1优选的范围。
另一方面，在相对于加成反应型硅酮系粘着剂的交联剂的含量过小的情况下，有时在粘着剂层3中交联反应不充分进行，无法得到所希望的粘着力。此外，在加成反应型硅酮系粘着剂的交联反应未充分进行的情况下，容易在粘着剂层3中产生凝聚破坏。其结果是，在将粘着胶带1使用于半导体元件基板的切割后，从所得到的半导体芯片剥离粘着胶带1时，容易产生残胶。
进而，在相对于加成反应型硅酮系粘着剂的交联剂的含量过大的情况下，加成反应型硅酮系粘着剂的交联反应过度进行，因此粘着剂层3变硬，粘着胶带1的粘着力易于降低。并且，在将该粘着胶带1使用于切割的情况下，将半导体元件基板切断时，作为切断片的半导体芯片容易从粘着胶带1剥离而飞溅。
此外，第二方式的粘着剂层3中的催化剂的含量没有特别限定，例如可以相对于加成反应型硅酮系粘着剂100重量份，设为0.01重量份～5重量份左右。
增粘涂层
如上所述，在本实施方式的粘着胶带1中，可以根据粘着胶带1的制造条件、制造后的粘着胶带1的使用条件等，在基材2与粘着剂层3之间，设置与基材的种类配合的增粘涂层或者实施电晕处理等表面处理。由此，能够改善基材2与粘着剂层3的密合力。
表面处理
在基材2的表面(与对置于粘着剂层3的面相反侧的面)上，可以实施剥离性改良处理等表面处理。作为基材2的表面处理中使用的处理剂，没有特别限定，例如可以使用长链烷基乙烯基单体聚合物、氟化烷基乙烯基单体聚合物、聚乙烯醇氨基甲酸酯、氨基醇酸系树脂等非硅酮系剥离处理剂等。作为这样的非硅酮系剥离处理剂，例如可以举出一方社油脂工业株式会社制的PEELOIL1050、PEELOIL 1200等。
剥离衬垫
此外，可以在粘着剂层3的表面(与对置于基材2的面相反侧的面)上，根据需要设置剥离衬垫。作为剥离衬垫，可以使用如下的剥离衬垫，即在纸、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等膜上，实施了用于提高与粘着剂层3中所含的硅酮系粘着剂的脱模性的剥离处理的剥离衬垫。作为剥离衬垫的剥离处理中使用的材料，没有特别限定，例如可以使用氟硅氧烷、长链烷基乙烯基单体聚合物、氨基醇酸系树脂等材料。
粘着胶带的厚度
具有如以上说明的构成的粘着胶带1的整体厚度优选为20μm～200μm的范围。
在粘着胶带1的厚度比20μm薄的情况下，将粘着胶带1使用于半导体元件基板的切割时，有时难以从粘着胶带1剥下所形成的半导体芯片。
此外，在粘着胶带1的厚度比200μm厚的情况下，将粘着胶带1从半导体元件基板的密封树脂侧粘贴时，粘着胶带1难以追随密封树脂的凹凸。其结果是，粘着胶带1与密封树脂的粘接面积变小，有可能在切割时半导体芯片易于飞溅。
粘着胶带的制造方法
接着，对本实施方式的粘着胶带1的制造方法进行说明。
予以说明的是，上述的具有第一方式的包含过氧化物固化型硅酮系粘着剂的粘着剂层3的粘着胶带1和具有第二方式的包含加成反应型硅酮系粘着剂的粘着剂层3的粘着胶带1可以利用同样的制造方法来制造。
在制造粘着胶带1时，首先，在甲苯、乙酸乙酯等通用的有机溶剂中，溶解固化型硅酮系粘着剂和固化剂，得到粘着剂溶液。接着，使用逗点涂布机等将该粘着剂溶液涂布于根据需要进行了表面处理、增粘涂层的形成的基材2的表面上，以使其达到规定的厚度。
然后，在60℃～160℃的温度下，将涂布有粘着剂溶液的基材2加热数分钟～数十分钟左右，从而使粘着剂溶液固化，形成粘着剂层3。
通过以上工序，如图1所示，能够得到在基材2上层叠有粘着剂层3的粘着胶带1。
粘着胶带的使用方法
如上所述，本实施方式的粘着胶带1使用于半导体元件基板的切割。在此，所谓的半导体元件基板，是指在树脂等基板上形成有多个LED(发光二级管)等半导体元件的材料。予以说明的是，在这样的半导体元件基板中，通常为了保护半导体元件不受温度、湿度等外部环境的变化的影响，设置密封树脂以覆盖半导体元件。
作为用于将半导体元件基板切断而得到多个半导体芯片的方法，以往已知例如如下的方法。
首先，从半导体元件基板的基板侧粘贴切割用粘着胶带，并且利用切割机等从形成有半导体元件的一侧切断半导体元件基板。然后，从粘着胶带剥下通过切断形成的各个半导体芯片，从而得到多个半导体芯片。
但是，在如此从半导体元件基板的基板侧粘贴切割用粘着胶带，进行了半导体元件基板的切断的情况下，具有在切断面(半导体芯片的基板侧面)上发生产生脱落的所谓的塌边(ダレ)、或者切断面变粗糙等问题。
于是，近年来，为了解决这样的问题，提出了如下的方法，即对于半导体元件基板，不是从基板侧，而是从形成半导体元件的一侧、即将半导体元件密封的密封树脂侧粘贴切割用粘着胶带，并将半导体元件基板切断的方法。
在此，以往，作为为了切断半导体元件基板而使用的切割用粘着胶带，例如使用具有由丙烯酸树脂构成的粘着剂层的粘着胶带。
但是，如果将这样的以往的粘着胶带从形成半导体元件基板的半导体元件的一侧(密封树脂侧)粘贴并进行半导体元件基板的切割，则例如在密封树脂与粘着胶带的粘着力不充分的情况下，有可能产生切割时半导体芯片飞溅等问题。
然而，作为LED等半导体元件用密封树脂，近年来，大多使用硅酮树脂。即这是因为，以往，作为半导体元件用密封树脂，利用电特性、耐热性优异的环氧树脂，但是环氧树脂存在如下的问题：在使用于短波长的LED、高输出的LED的情况下容易变色等。与此相对，硅酮树脂与环氧树脂相比不易发生因热、光而引起的变色。
但是，硅酮树脂具有例如与环氧树脂等相比脱模性高的性质。因此，在对于使用了硅酮树脂作为密封树脂的半导体元件基板，例如将丙烯酸树脂系粘着胶带从密封树脂侧粘贴的情况下，作为密封树脂的硅酮树脂与粘着胶带的粘接力易于变小。其结果是，在切断半导体元件基板时，更容易产生上述的半导体芯片的飞溅等问题。
与此相对，本实施方式的粘着胶带1如上所述由于粘着剂层3包含固化型硅酮系粘着剂和固化剂而构成，因此即使在进行半导体元件基板的切割时从密封树脂侧粘贴来使用的情况下，也能够良好地保持与半导体元件基板的密封树脂的粘接力。并且，与以往的粘着胶带相比，能够抑制在进行半导体元件基板的切割时产生半导体芯片的飞溅等。
以下，对本实施方式的粘着胶带1的使用方法以及使用了本实施方式的粘着胶带1的半导体芯片的制造方法进行详细说明。图2(a)～图2(d)是表示使用了本实施方式的粘着胶带的半导体芯片的制造方法的图。
予以说明的是，以下说明的方法是使用了粘着胶带1的半导体芯片的制造方法的一个例子，粘着胶带1的使用方法并不限于以下的方法。即，本实施方式的粘着胶带1只要在切割时能够粘贴于具有由密封树脂密封的多个半导体元件的半导体元件基板，就可以不限于以下方法地使用。
在本实施方式中，首先，在例如由树脂材料等构成的基板101上，装载多个半导体元件102，制作半导体元件基板100。予以说明的是，半导体元件102例如为LED元件，虽然省略了图示，但是例如包含通过通电而发光的发光层等的多个半导体层层叠而构成，且在上部形成有电极。
接下来，利用由硅酮系树脂构成的密封树脂103将在半导体元件基板100的基板101上形成的多个半导体元件102密封(密封工序)。予以说明的是，在该例子中，利用密封树脂103将多个半导体元件102一并密封，但也可以利用密封树脂103将各个半导体元件102分别密封。
接着，如图2(a)所示，以粘着胶带1的粘着剂层3与半导体元件基板100的密封树脂103对置的方式，将粘着胶带1与半导体元件基板100贴合(粘贴工序)。
接着，如图2(b)、(c)所示，在将粘着胶带1与半导体元件基板100贴合的状态下，利用切割机等，沿切断预定线X，将半导体元件基板100切断(切断工序)。在该例子中，将粘贴有粘着胶带1的半导体元件基板100从基板101侧切断。此外，如图2(c)所示，在该例子中，进行了将半导体元件基板100全部切入的所谓的全切(full cut)。
接着，将通过切断半导体元件基板100而形成的半导体芯片200从粘着胶带1剥下(拾取(pick up))，从而如图2(d)所示，能够得到单片化了的半导体芯片200(剥离工序)。
如上所述，在本实施方式的粘着胶带1中，粘着剂层3包含固化型硅酮系粘着剂和固化剂而构成。由此，在将粘着胶带1使用于切割时，即使在从半导体元件基板100的密封树脂103侧粘贴的情况下，也能够良好地保持半导体元件基板100与粘着胶带1的粘接力。
特别是，近年来，大多使用脱模性高的硅酮树脂作为将半导体元件102密封的密封树脂103，但本实施方式的粘着胶带1通过具有上述构成，从而对由硅酮树脂构成的密封树脂103也具有良好的粘接力。
其结果是，本实施方式的粘着胶带1在使用于半导体元件基板100的切割时，能够抑制半导体芯片200的飞溅。
进而，本实施方式的粘着胶带1的粘着剂层3中所含的固化型硅酮系粘着剂如上述那样与密封树脂103具有良好的粘着力，并且具有脱模性高的性质。由此，在本实施方式中，将通过半导体元件基板100的切割而得到的半导体芯片200从粘着胶带1剥离时，能够抑制粘着剂附着于半导体芯片200的所谓残胶的产生。
予以说明的是，通常在例如将粘着剂层由丙烯酸系粘着剂构成的粘着胶带使用于半导体元件基板的切割的情况下，将切断后的半导体芯片从粘着胶带剥下时，需要预先对粘着胶带照射紫外线，使粘着剂层的粘着性消失。而在本实施方式的粘着胶带1的情况下，不进行照射紫外线的工序，就能够将半导体芯片200从粘着胶带1剥离。
因此，通过将本实施方式的粘着胶带1使用于半导体元件基板100的切割，能够使半导体芯片200的制造工序简单化。
实施例
接着，使用实施例和比较例，更具体地说明本发明。予以说明的是，本发明并不限于以下的实施例。
本发明人分别对使用了过氧化物固化型硅酮系粘着剂作为粘着剂层3的第一方式、以及使用了加成反应型硅酮系粘着剂作为粘着剂层3的第二方式，改变固化剂(引发剂、交联剂)的添加量，进行粘着胶带1的制作，并进行了所制作的粘着胶带1的评价。
以下，对各实施例和各比较例进行详细说明。
1.粘着胶带1的制作
(实施例1～实施例4)
在甲苯中，溶解由有机聚硅氧烷构成的过氧化物固化型硅酮系粘着剂(信越化学工业株式会社制KR101-1)和由甲基过氧化苯甲酰构成的引发剂(日油株式会社制NYPERK40)，调整了粘着剂溶液。另外，将过氧化物固化型硅酮系粘着剂和引发剂的含量调整为如表1所示。
接着，将该粘着剂溶液涂布于厚度75μm的由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜构成的基材2上之后，在160度的温度加热3分钟，从而形成厚度30μm的粘着剂层3，得到总厚度105μm的粘着胶带1。
(实施例5～8)
在甲苯中，溶解由在分子内具有乙烯基甲硅烷基的有机聚硅氧烷构成的加成反应型硅酮系粘着剂(信越化学工业株式会社制X-40-3237-1)、铂金族系催化剂(信越化学工业株式会社制CAT-PL-50T)、和由在分子内具有氢硅烷基(hydrosilyl)的有机聚硅氧烷构成的交联剂(信越化学工业株式会社制X-92-122)，调整了粘着剂溶液。另外，将加成反应型硅酮系粘着剂、催化剂和交联剂的含量调整为如表1所示。
接着，将该粘着剂溶液涂布于厚度75μm的由PET膜构成的基材2上之后，在120度的温度加热3分钟，从而形成厚度30μm的粘着剂层3，得到总厚度105μm的粘着胶带1。
(比较例1)
将粘着剂层3中的引发剂的含量设为0，除此以外，与实施例1～实施例4同样地操作，得到粘着胶带1。
(比较例2)
将粘着剂层3中的交联剂的含量设为0，除此以外，与实施例5～实施例8同样地操作，得到粘着胶带1。
(比较例3)
使用了丙烯酸系的粘着剂作为粘着剂层3，除此以外，与实施例1～8同样地操作，得到粘着胶带1。
2.评价方法
接着，对粘着胶带1的评价方法进行说明。
(1)对研磨SUS粘着力试验
对于利用上述方法制作的粘着胶带1，依照JIS Z 0237(2000)中记载的方法，进行了对研磨SUS粘着力试验(剥离粘着力试验)。
具体地说，将粘着胶带1粘贴于被耐水研磨纸研磨了的不锈钢板(SUS304)，使质量2000g的辊以5mm/s的速度往复1次来压接。接着，放置20～40分钟后，使用拉伸试验机，向相对于不锈钢板为180°方向，以5mm/s的速度剥离，从而测定了对研磨SUS板的粘着力。
(2)保持力试验
对所制作的粘着胶带1进行了保持力试验。
具体地说，将粘着胶带1粘贴于被耐水研磨纸研磨了的不锈钢板(SUS304)，测定了以安装了规定重物的状态在40℃的条件下保持了24小时时的偏差值(mm)。在此，作为切割用粘着胶带，优选在保持力试验中测定的偏差值为25mm以下。
此外，在经过24小时之前粘着胶带1从不锈钢板剥离而掉落的情况下，测定了从测定开始至粘着胶带1剥离为止的经过时间(分钟)。予以说明的是，在表1中保持力试验的“↓”表示是指在经过24小时之前粘着胶带1从不锈钢板错开而掉落。
(3)对硅酮树脂粘着力试验
对所制作的粘着胶带1，依照上述粘着力试验的方法，进行了对硅酮树脂粘着力试验。
具体地说，将粘着胶带1粘贴于涂布了硅酮树脂的板，使质量2000g的辊以5mm/s的速度往复1次来压接。接着，放置20～40分钟后，使用拉伸试验机，向相对于涂布了硅酮树脂的板为180°方向，以5mm/s的速度剥离，从而测定了对于硅酮树脂的粘着力。
另外，本试验中，作为涂布于将粘着胶带1粘贴的板上的硅酮树脂，使用了LED密封剂用硅酮树脂。
3.评价结果
关于对实施例1～实施例8以及比较例1～比较例3的粘着胶带1的评价结果，示于表1。
表1
如表1所示，在粘着剂层3包含固化型硅酮系粘着剂和固化剂而构成的情况(实施例1～实施例8)下，确认到粘着胶带1的粘着力、保持力和对硅酮树脂粘着力全部在优选的范围内。
由此确认到，粘着剂层3包含固化型硅酮系粘着剂和固化剂而构成的粘着胶带1作为从半导体元件基板的密封树脂侧粘贴来使用于切割的切割用粘着胶带是有用的。
接着，实施例1～实施例8中，将使用了过氧化物固化型硅酮系粘着剂作为硅酮系粘着剂的情况(实施例1～实施例4)进行比较时，确认到相对于过氧化物固化型硅酮系粘着剂100重量份，由过氧化物构成的引发剂的含量为0.05重量份～10重量份时(实施例1～实施例3)，粘着胶带1的保持力更加良好。
进而确认到，相对于过氧化物固化型硅酮系粘着剂100重量份，引发剂的含量为0.05重量份～3.5重量份时(实施例1、实施例2)，粘着胶带1的对硅酮树脂粘着力更加良好。
因此，在使用了过氧化物固化型硅酮系粘着剂作为硅酮系粘着剂的情况下，确认到相对于过氧化物固化型硅酮系粘着剂100重量份，由过氧化物构成的引发剂的含量更优选为0.05重量份～10重量份的范围，进一步优选为0.05重量份～3.5重量份的范围。
进而，实施例1～实施例8中，将使用了加成反应型硅酮系粘着剂作为硅酮系粘着剂的情况(实施例5～实施例8)进行比较时，确认到相对于加成反应型硅酮系粘着剂100重量份，交联剂的含量为0.1重量份～7重量份时(实施例5～实施例7)，粘着胶带1的粘着力和对硅酮树脂粘着力更高，0.1重量份～2重量份时(实施例5、实施例6)，粘着胶带1的粘着力和对硅酮树脂粘着力更高。
因此，在使用了加成反应型硅酮系粘着剂作为硅酮系粘着剂的情况下，确认到相对于加成反应型硅酮系粘着剂100重量份，交联剂的含量更优选为0.1重量份～7重量份的范围，进一步优选为0.1重量份～2重量份的范围。
与此相对，在粘着剂层3不含固化剂(引发剂或交联剂)的情况下(比较例1、比较例2)，确认到粘着胶带1的保持力显著低。该原因被认为是，在粘着剂层3不含固化剂的情况下，硅酮系粘着剂未固化。
并且可预测到，在使用了这样的粘着胶带1作为切割用粘着胶带的情况下，将粘着胶带1使用于半导体元件基板的切割之后，从所得到的半导体芯片剥离粘着胶带1时，容易产生残胶。
此外确认到，在使用了丙烯酸系粘着剂作为粘着剂层3的情况下(比较例3)，虽然粘着胶带1的粘着力和保持力良好，但是对于用作半导体元件的密封树脂的硅酮树脂的粘着力显著低。
在将这样的粘着胶带1作为切割用粘着胶带从半导体元件基板的密封树脂侧粘贴来使用的情况下，可预测到进行切割时，半导体元件基板、半导体芯片容易从粘着胶带1剥离，容易产生半导体芯片的飞溅。

Claims (7)

1.一种切割用粘着胶带在将形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板分割为多个半导体芯片时的应用，其特征在于，
对于所述元件基板，从由硅酮树脂构成的所述密封树脂侧粘贴所述切割用粘着胶带并进行切割，
所述切割用粘着胶带具备基材、和在所述基材上层叠的包含固化型硅酮系粘着剂及固化剂的粘着剂层，
所述粘着剂层包含过氧化物固化型硅酮粘着剂和由过氧化物构成的引发剂，
相对于所述过氧化物固化型硅酮粘着剂100重量份，所述引发剂的含量为0.01重量份～15重量份的范围。
2.一种切割用粘着胶带在将形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板分割为多个半导体芯片时的应用，其特征在于，
对于所述元件基板，从由硅酮树脂构成的所述密封树脂侧粘贴所述切割用粘着胶带并进行切割，
所述切割用粘着胶带具备基材、和在所述基材上层叠的包含固化型硅酮系粘着剂及固化剂的粘着剂层，
所述粘着剂层包含加成反应型硅酮粘着剂、交联剂和催化剂。
3.根据权利要求2所述的切割用粘着胶带在将形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板分割为多个半导体芯片时的应用，其特征在于，
所述切割用粘着胶带中，相对于所述加成反应型硅酮粘着剂100重量份，所述交联剂的含量为0.05重量份～10重量份的范围。
4.一种将形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板分割为多个半导体芯片时的切割方法，其特征在于，
对于所述元件基板，从由硅酮树脂构成的所述密封树脂侧粘贴切割用粘着胶带来进行切割，
所述切割用粘着胶带具备基材、和在所述基材上层叠的包含固化型硅酮系粘着剂及固化剂的粘着剂层，
所述粘着剂层包含过氧化物固化型硅酮粘着剂和由过氧化物构成的引发剂，
相对于所述过氧化物固化型硅酮粘着剂100重量份，所述引发剂的含量为0.01重量份～15重量份的范围。
5.一种将形成有由密封树脂密封的多个半导体元件的元件基板分割为多个半导体芯片时的切割方法，其特征在于，
对于所述元件基板，从由硅酮树脂构成的所述密封树脂侧粘贴切割用粘着胶带来进行切割，
所述切割用粘着胶带具备基材、和在所述基材上层叠的包含固化型硅酮系粘着剂及固化剂的粘着剂层，
所述粘着剂层包含加成反应型硅酮粘着剂、交联剂和催化剂。
6.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，
所述切割用粘着胶带中，相对于所述加成反应型硅酮粘着剂100重量份，所述交联剂的含量为0.05重量份～10重量份的范围。
7.一种半导体芯片的制造方法，其包括：
利用由硅酮树脂构成的密封树脂将在基板上形成有多个半导体元件的元件基板的该多个半导体元件密封的密封工序；
对于所述元件基板，从所述密封树脂侧粘贴具备基材、和包含固化型硅酮系粘着剂及固化剂的粘着剂层的粘着胶带的粘贴工序；
将粘贴有所述粘着胶带的所述元件基板切断成多个半导体芯片的切断工序；以及
从所述多个半导体芯片剥离所述粘着胶带的剥离工序。
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Applicant before: Hitachi Maxell, Ltd.

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Address after: Kyoto Japan

Patentee after: MAXELL, Ltd.

Address before: Kyoto Japan

Patentee before: MAXELL HOLDINGS, Ltd.

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