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CN104409582A - 一种led晶圆粘片的方法 - Google Patents

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CN104409582A
CN104409582A CN201410660175.5A CN201410660175A CN104409582A CN 104409582 A CN104409582 A CN 104409582A CN 201410660175 A CN201410660175 A CN 201410660175A CN 104409582 A CN104409582 A CN 104409582A
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CN
China
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wax
wafer
paper
ceramic plate
ceramic
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CN201410660175.5A
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陈冲
陈晓刚
周峰
靳彩霞
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AQUALITE OPTOELECTRONICS Co Ltd
Aqualite Co Ltd
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AQUALITE OPTOELECTRONICS Co Ltd
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

本发明适用于LED生产领域,提供了一种LED晶圆粘片的方法,包括:将蜡放置于陶瓷盘上,并通过加热保持蜡处于液态;将晶圆规律的放置于覆盖有液态蜡的陶瓷盘上;将吸蜡纸覆盖于晶圆上面;进行压片作业,待蜡固化后移除吸蜡纸。通过在压片作业之前设置吸蜡纸,从而避免了现有技术中需要人工刮蜡的额外操作,减少了人工成本,提高晶圆研磨过程中,晶圆粘片工序的效率。

Description

一种LED晶圆粘片的方法
技术领域
本发明属于LED生产领域,尤其涉及一种LED晶圆粘片的方法。
背景技术
现有技术的半导体LED制造过程通常包括:在完成晶圆前道工序后,需对晶圆进行减薄,根据不同LED产品对于晶圆要求的不同,减薄成不同的厚度,确保晶圆厚度符合要求,以进行后续划裂工序。其中,减薄工序包含对晶圆进行粘片、粗磨、抛光、清洗和装片作业。
传统LED制造过程中,晶圆的粘片作业都采用蜡纸,然而,一方面因蜡纸的洁净度以及均匀性,易造成晶圆粘片后出现暗裂及晶片误差偏大;另一方面需要人工刮蜡,增加了生产成本,降低了生产效率。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种LED晶圆粘片的方法,以解决现有技术需要人工刮蜡,增加了生产成本,降低了生产效率的问题。
一方面,本发明实施例提供一种LED晶圆粘片的方法,所述方法包括以下步骤:
将蜡放置于陶瓷盘上,并通过加热保持蜡处于液态;将晶圆规律的放置于覆盖有液态蜡的陶瓷盘上;将吸蜡纸覆盖于晶圆上面;进行压片作业,待蜡固化后移除吸蜡纸。
另一方面,本发明实施例提供的一种LED晶圆粘片的方法的有益效果包括:将蜡放置于陶瓷盘上,并通过加热保持蜡处于液态;将晶圆规律的放置于覆盖有液态蜡的陶瓷盘上;将吸蜡纸覆盖于压片盘表面;进行压片作业,待蜡固化后移除吸蜡纸。
本发明实施例通过在压片作业之前设置吸蜡纸,从而避免了现有技术中需要人工刮蜡的额外操作,减少了人工成本,提高晶圆研磨过程中,晶圆粘片工序的效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种LED晶圆粘片的方法的流程图;
图2是本发明实施例提供的一种LED晶圆粘片的方法的流程图;
图3是本发明实施例提供的一种LED晶圆粘片的方法的流程图;
图4是本发明实施例提供的布局有离散晶圆的陶瓷盘的俯视图;
图5是本发明实施例提供的一种处于压片作业的侧视图;
图6是本发明实施例提供的一种处于压片作业的侧视图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例一
如图1所示为本发明提供的一种LED晶圆粘片的方法的流程图,所述方法包括以下步骤:
在步骤202中,将蜡放置于陶瓷盘上,并通过加热保持蜡处于液态。
其中,在采用现有技术中设置蜡纸的方式时,可以再蜡和陶瓷盘之间垫一层蜡纸,如图5所示。
其中,在采用不使用现有技术中的蜡纸时,所述蜡在采购时,便要经过质量检测,确认其中不包含可能造成晶圆表面磨损的杂质。
具体实现中,蜡可以采用灌注或者喷射的方式,放置于陶瓷盘上。
在步骤204中,将晶圆规律的放置于覆盖有液态蜡的陶瓷盘上。
通常情况下是利用真空吸盘,将晶圆吸到陶瓷盘上。当然利用机械手臂基于拖放的方式也可以实现。也可以是采用模具的方式,将晶圆先放置在相应模具上,然后一起移至所述陶瓷盘上。上述几种方式仅仅是一种举例,其他的放置晶圆方式,也属于本发明的保护范围。
在步骤206中,将吸蜡纸覆盖于晶圆上面。
该吸蜡纸可以是平时实验用的过滤纸,也可以是国外进口的无尘纸,还可以是其他吸蜡效果较优的材料。
在步骤208中,进行压片作业,待蜡固化后移除吸蜡纸。
压片作业使得晶圆能平整、稳健的粘在陶瓷盘上,而固化的蜡则起到固定晶圆使其不发生左右移动的效果,其层次效果图如图6所示。
在具体实现中,通常是使用压片盘挤压陶瓷盘上的晶圆,并在维持有几十秒后,逐渐停止对陶瓷盘上蜡的加热,以便陶瓷盘上的蜡凝固。
本发明实施例通过在压片作业之前设置吸蜡纸,从而避免了现有技术中需要人工刮蜡的额外操作,减少了人工成本,提高晶圆研磨过程中,晶圆粘片工序的效率。
需要补充的是,现有技术中倘若在放置晶圆之前还涉及放置蜡纸的话,由于蜡纸本身存在弹性,工作人员在放置时可能造成蜡纸和陶瓷盘间空气的存在,从而对后续的压片作业造成潜在的风险。例如:现有技术中倘若在放置晶圆之前还涉及放置蜡纸的话,由于蜡纸在放置过程中会和陶瓷盘之间产能的空气无法逸出,导致蜡纸很难铺平从而最终对晶圆厚度造成不利的影响。
实施例二
如图2所示为本发明实施例提供的一种LED晶圆粘片的方法的流程图,相比实施例一,其增加了一道蜡的过滤处理流程,由图2可知,本发明提供的一种LED晶圆粘片的方法的实施例包括:
在步骤201中,将蜡进行过滤和提纯处理,使得处理过后的蜡中不存在会造成晶圆表面磨损的杂质。
在步骤202中,将蜡放置于陶瓷盘上,并通过加热保持蜡处于液态。
在步骤204中,将晶圆规律的放置于覆盖有液态蜡的陶瓷盘上。
在步骤206中,将吸蜡纸覆盖于晶圆上面。
在步骤208中,进行压片作业,待蜡固化后移除吸蜡纸。
压片作业使得晶圆能平整、稳健的粘在陶瓷盘上,而固化的蜡则起到固定晶圆使其不发生左右移动的效果,其层次效果图如图6所示。
在本发明实施例中,因为增加蜡的过滤和提纯处理,从而弥补了去掉现有技术蜡纸保护层后,由于晶圆与陶瓷盘间杂质,造成压片作业中晶圆表面的刮伤和磨损。进一步,也达到了避免蜡纸存在情况下,因为蜡纸密度与质量的问题,使得压片作业无法实现晶圆平整和稳健的固定在陶瓷盘上。
除了实施例一和实施例二中已经公开的内容外,基于上述实施例还存在一种改进方案,具体包括:当晶圆是离散的放置于陶瓷盘上时,所述将吸蜡纸覆盖于晶圆上面之前还包括:
根据待研磨晶圆的横截面积、吸蜡纸的吸蜡特性、陶瓷盘的面积以及放置在陶瓷盘上蜡的量,计算覆盖于单片晶圆上蜡纸的大小,并依此大小裁剪出用于覆盖于所述晶圆上的一个活多个吸蜡纸,并将所述裁剪出的吸蜡纸覆盖于各晶圆上。
本改进方案,考虑到了待研磨晶圆的横截面粘陶瓷盘自身盘面的大小,从而能够计算在步骤204放置晶圆后陶瓷盘面剩余的液态蜡的多少,并进一步基于吸蜡纸的吸蜡特性就一块晶圆用于吸附其周边的液态蜡所需的吸蜡纸面积,从而为晶圆裁剪出定制大小的吸蜡纸。所述改进方法减少了吸蜡纸的浪费,节约了生产成本。
实施例三
如图3所示为本发明实施例提供的一种LED晶圆粘片的方法的流程图,该方法可以认为是实施例一或实施例二的改进,有关相同执行步骤的描述,参考实施例一和实施例二,在此不再赘述。由图3可知,本发明提供的一种LED晶圆粘片的方法的实施例包括:
在步骤302中,将蜡放置于陶瓷盘上,并通过加热保持蜡处于液态。
在步骤304中,将晶圆规律的放置于覆盖有液态蜡的陶瓷盘上。
在步骤306中,将吸蜡纸覆盖于压片盘表面。
在步骤308中,进行压片作业,待蜡固化后移除吸蜡纸。
在本发明实施例三中,进一步考虑了吸蜡纸在覆盖于晶圆上时,可能掉落杂质于液态蜡中,并在压片作业时所述杂质移动到晶圆和陶瓷盘之间,最终可能会造成晶圆表面的磨损。因此,本实施例改变了现有技术中吸蜡纸都是往晶圆上放置的常规思路,将吸蜡纸直接覆盖到压片盘上,从而避免了吸蜡纸中可能存在的杂质有时间沉淀到晶圆和陶瓷盘交界面上。
实施例四
为了更清楚的理解本发明,本实施例四通过具体举例粘片过程中的效果图,来进一步阐述本发明的特征。如图4所述,为在陶瓷盘14上离散布置晶圆12的方式(俯视图),具体实现中还可以是横向和/或纵向排列。
如图5所示为采用蜡纸10做晶圆12的衬垫,并使用吸蜡纸16,处于压片作业的侧视图。
如图6所示为未采用蜡纸10,但使用了吸蜡纸16,处于压片作业的侧视图。
优选的,上述各实施例中涉及的晶圆粘片过程在无尘环境中完成,例如:工业上的无尘室。
本领域普通技术人员还可以理解,实现上述实施例方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件来完成,所述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中,所述的存储介质,包括ROM/RAM、磁盘、光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种LED晶圆粘片的方法,其特征在于,所述方法包括:
将蜡放置于陶瓷盘上,并通过加热保持蜡处于液态;
将晶圆规律的放置于覆盖有液态蜡的陶瓷盘上;
将吸蜡纸覆盖于晶圆上面;
进行压片作业,待蜡固化后移除吸蜡纸。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述蜡在放置于陶瓷盘上之前,要进行提纯处理,清除掉其中会对晶圆表面造成磨损的杂质。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述粘片过程在无尘环境中完成。
4.如权利要求1-3任一所述的方法,其特征在于,当晶圆是离散的放置于陶瓷盘上时,所述将吸蜡纸覆盖于晶圆上面之前还包括:
根据待研磨晶圆的横截面积、吸蜡纸的吸蜡特性、陶瓷盘的面积以及放置在陶瓷盘上蜡的量,计算覆盖于单片晶圆上蜡纸的大小,并依此大小裁剪出用于覆盖于所述晶圆上的一个活多个吸蜡纸,并将所述裁剪出的吸蜡纸覆盖于各晶圆上。
5.一种LED晶圆粘片的方法,其特征在于,所述方法包括:
将蜡放置于陶瓷盘上,并通过加热保持蜡处于液态;
将晶圆规律的放置于覆盖有液态蜡的陶瓷盘上;
将吸蜡纸覆盖于压片盘表面;
进行压片作业,待蜡固化后移除吸蜡纸。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述蜡在放置于陶瓷盘上之前,要进行提纯处理,清除掉其中会对晶圆表面造成磨损的杂质。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105590996A (zh) * 2016-02-23 2016-05-18 河源市众拓光电科技有限公司 湿法剥离中防止垂直结构led衬底被腐蚀的方法
CN110098286A (zh) * 2018-01-29 2019-08-06 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种简便的led晶片衬底减薄中的贴片方法
CN111211040A (zh) * 2020-01-09 2020-05-29 映瑞光电科技(上海)有限公司 圆片减薄的方法、治具及上蜡装置
CN115635379A (zh) * 2022-12-08 2023-01-24 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种氮化铝单晶衬底加工方法
CN117810156A (zh) * 2024-02-23 2024-04-02 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种晶片粘接方法及粘片装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5994205A (en) * 1997-02-03 1999-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of separating semiconductor devices
TW544777B (en) * 2002-08-20 2003-08-01 Advanced Wireless Semiconducto Residual wax removal process for thin wafer and apparatus thereof
CN101130229A (zh) * 2006-08-22 2008-02-27 北京有色金属研究总院 一种磷化镓晶片双面抛光方法
CN102779730A (zh) * 2012-08-09 2012-11-14 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法
CN103811595A (zh) * 2012-11-15 2014-05-21 张恒 一种上蜡工艺

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5994205A (en) * 1997-02-03 1999-11-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of separating semiconductor devices
TW544777B (en) * 2002-08-20 2003-08-01 Advanced Wireless Semiconducto Residual wax removal process for thin wafer and apparatus thereof
CN101130229A (zh) * 2006-08-22 2008-02-27 北京有色金属研究总院 一种磷化镓晶片双面抛光方法
CN102779730A (zh) * 2012-08-09 2012-11-14 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法
CN103811595A (zh) * 2012-11-15 2014-05-21 张恒 一种上蜡工艺

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105590996A (zh) * 2016-02-23 2016-05-18 河源市众拓光电科技有限公司 湿法剥离中防止垂直结构led衬底被腐蚀的方法
CN110098286A (zh) * 2018-01-29 2019-08-06 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种简便的led晶片衬底减薄中的贴片方法
CN110098286B (zh) * 2018-01-29 2020-05-08 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led晶片衬底减薄中的贴片方法
CN111211040A (zh) * 2020-01-09 2020-05-29 映瑞光电科技(上海)有限公司 圆片减薄的方法、治具及上蜡装置
CN115635379A (zh) * 2022-12-08 2023-01-24 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种氮化铝单晶衬底加工方法
CN117810156A (zh) * 2024-02-23 2024-04-02 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种晶片粘接方法及粘片装置

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